JP6208430B2 - レーザー加工方法 - Google Patents
レーザー加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6208430B2 JP6208430B2 JP2013012209A JP2013012209A JP6208430B2 JP 6208430 B2 JP6208430 B2 JP 6208430B2 JP 2013012209 A JP2013012209 A JP 2013012209A JP 2013012209 A JP2013012209 A JP 2013012209A JP 6208430 B2 JP6208430 B2 JP 6208430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- workpiece
- filament
- processing
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
- B23K26/042—Automatically aligning the laser beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射すると、ウエーハの入射面近傍でアブレーション加工が施されてエネルギーがウエーハの内部まで浸透しないため、ストリートに沿って複数回パルスレーザー光線を照射しなければならず生産性が悪いという問題がある。
被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の屈折率よりも高い屈折率のフィラメントを光伝送路として被加工物の入射面から内部に形成するフィラメント形成工程と、
該フィラメント形成工程が実施された被加工物に加工を施すパルスレーザー光線を該フィラメントに照射して該フィラメントに沿って伝送することにより加工を施すレーザー加工工程と、を含み、
該フィラメント形成工程は、被加工物の加工ラインに沿って隣接するフィラメント同士が離間して形成されるように所定の間隔でパルスレーザー光線を照射し、上面から下面に渡り被加工物の屈折率よりも高い屈折率となり光伝送路となる領域を形成して複数のフィラメントをなし、
該レーザー加工工程はパルスレーザー光線を照射することにより実施され、照射されるパルスレーザー光線は、隣接する全ての該フィラメントに対し、該フィラメントに沿って内部に導かれ上面から下面に至る破壊層が形成されるようにスポット径、繰り返し周波数、および加工送り速度が設定されるものであって、
該フィラメント形成工程において照射されるパルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を、0.2〜0.3に設定する、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
先ず、光デバイスウエーハ2を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図2に示すように、環状のフレーム3の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ30の表面に光デバイスウエーハ2の裏面2bを貼着する。
先ず、上述した図3に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に光デバイスウエーハ2が貼着されたダイシングテープ30側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ30を介して光デバイスウエーハ2をチャックテーブル41上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41に保持された光デバイスウエーハ2は、表面2aが上側となる。なお、図3においてはダイシングテープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル41に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない加工送り手段によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
集光レンズの開口数(NA) :0.25
集光スポット径 :φ10μm
ホーカス :−160μm(入射面からデホーカス)
加工送り速度 :800mm/秒
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :10kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :7W
集光レンズの開口数(NA) :0.25
集光スポット径 :φ10μm
ホーカス :0μm(入射面でジャストホーカス)
加工送り速度 :100mm/秒
また、上述した実施形態においては光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する例を示したが、本発明はガラス板に細孔をあける場合にも適用できる。
21:光デバイス
22:加工ライン
23:フィラメント
24:破壊層
3:環状のフレーム
30:ダイシングテープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
Claims (1)
- 被加工物にレーザー光線を照射してレーザー加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の屈折率よりも高い屈折率のフィラメントを光伝送路として被加工物の入射面から内部に形成するフィラメント形成工程と、
該フィラメント形成工程が実施された被加工物に加工を施すパルスレーザー光線を該フィラメントに照射して該フィラメントに沿って伝送することにより加工を施すレーザー加工工程と、を含み、
該フィラメント形成工程は、被加工物の加工ラインに沿って隣接するフィラメント同士が離間して形成されるように所定の間隔でパルスレーザー光線を照射し、上面から下面に渡り被加工物の屈折率よりも高い屈折率となり光伝送路となる領域を形成して複数のフィラメントをなし、
該レーザー加工工程はパルスレーザー光線を照射することにより実施され、照射されるパルスレーザー光線は、隣接する全ての該フィラメントに対し、該フィラメントに沿って内部に導かれ上面から下面に至る破壊層が形成されるようにスポット径、繰り返し周波数、および加工送り速度が設定されるものであって、
該フィラメント形成工程において照射されるパルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を、0.2〜0.3に設定する、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013012209A JP6208430B2 (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | レーザー加工方法 |
TW102144202A TWI579088B (zh) | 2013-01-25 | 2013-12-03 | Laser processing method |
KR1020130159350A KR102316372B1 (ko) | 2013-01-25 | 2013-12-19 | 레이저 가공 방법 |
US14/154,706 US9117895B2 (en) | 2013-01-25 | 2014-01-14 | Laser processing method |
CN201410030436.5A CN103962728B (zh) | 2013-01-25 | 2014-01-22 | 激光加工方法 |
DE102014201193.0A DE102014201193A1 (de) | 2013-01-25 | 2014-01-23 | Laserbearbeitungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013012209A JP6208430B2 (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | レーザー加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014143354A JP2014143354A (ja) | 2014-08-07 |
JP6208430B2 true JP6208430B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=51163718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013012209A Active JP6208430B2 (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | レーザー加工方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9117895B2 (ja) |
JP (1) | JP6208430B2 (ja) |
KR (1) | KR102316372B1 (ja) |
CN (1) | CN103962728B (ja) |
DE (1) | DE102014201193A1 (ja) |
TW (1) | TWI579088B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2011279374A1 (en) | 2010-07-12 | 2013-02-07 | Filaser Usa Llc | Method of material processing by laser filamentation |
US9102011B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-08-11 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US10017410B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-07-10 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US11053156B2 (en) | 2013-11-19 | 2021-07-06 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses |
US10252507B2 (en) | 2013-11-19 | 2019-04-09 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy |
US10005152B2 (en) | 2013-11-19 | 2018-06-26 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US9517929B2 (en) | 2013-11-19 | 2016-12-13 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses |
US10144088B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-12-04 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses |
US9938187B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-04-10 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses |
US9757815B2 (en) | 2014-07-21 | 2017-09-12 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials |
JP6356560B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-07-11 | 株式会社ディスコ | 透明板の加工方法 |
JP6466692B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-02-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN106132627B (zh) | 2015-01-13 | 2018-09-07 | 罗芬-新纳技术有限责任公司 | 用于对脆性材料进行划割并随后进行化学蚀刻的方法和系统 |
JP2016143766A (ja) * | 2015-02-02 | 2016-08-08 | 株式会社ディスコ | 単結晶部材の加工方法 |
JP6495056B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP6625854B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP6549014B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2019-07-24 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP6576782B2 (ja) * | 2015-10-15 | 2019-09-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6870974B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-05-12 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP6837905B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-03-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6938212B2 (ja) | 2017-05-11 | 2021-09-22 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6925745B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハのレーザー加工方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP2002116336A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Japan Science & Technology Corp | 光学的異方性光導波路の作製方法 |
JP2005142303A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | シリコンウエーハの分割方法および分割装置 |
JP3873098B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-01-24 | 国立大学法人 北海道大学 | レーザ加工方法および装置 |
JP2006035710A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Cyber Laser Kk | レーザによるガラス加工方法ならびに装置 |
JP4607537B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-01-05 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工方法 |
JP4599243B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2010-12-15 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP5232375B2 (ja) * | 2006-10-13 | 2013-07-10 | アイシン精機株式会社 | 半導体発光素子の分離方法 |
JP5639997B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2014-12-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5340806B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-11-13 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 |
US8593727B2 (en) * | 2011-04-25 | 2013-11-26 | Vladimir G. Kozlov | Single-shot laser ablation of a metal film on a polymer membrane |
CN102699526A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 苏州德龙激光有限公司 | 利用激光切割加工对象物的方法和装置 |
-
2013
- 2013-01-25 JP JP2013012209A patent/JP6208430B2/ja active Active
- 2013-12-03 TW TW102144202A patent/TWI579088B/zh active
- 2013-12-19 KR KR1020130159350A patent/KR102316372B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-01-14 US US14/154,706 patent/US9117895B2/en active Active
- 2014-01-22 CN CN201410030436.5A patent/CN103962728B/zh active Active
- 2014-01-23 DE DE102014201193.0A patent/DE102014201193A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI579088B (zh) | 2017-04-21 |
KR20140096237A (ko) | 2014-08-05 |
TW201433395A (zh) | 2014-09-01 |
CN103962728B (zh) | 2017-06-27 |
JP2014143354A (ja) | 2014-08-07 |
CN103962728A (zh) | 2014-08-06 |
US20140213040A1 (en) | 2014-07-31 |
KR102316372B1 (ko) | 2021-10-21 |
US9117895B2 (en) | 2015-08-25 |
DE102014201193A1 (de) | 2014-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6208430B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6062287B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5443104B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6151557B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6121281B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4767711B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6062315B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4942313B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011035253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014216344A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20110093614A (ko) | 레이저 가공 장치 | |
JP2016087655A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2006108273A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP5623807B2 (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
JP2006289388A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2014096526A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014082317A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013058534A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2017050377A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2007194515A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2015179756A (ja) | 脆性基板の加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6208430 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |