JP2011035253A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板表面形成されたデバイスにダメージを与えることなく基板内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板20の表面に発光層が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと、それと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されたウエーハの内部に、二つのストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法であって、基板の裏面側から集光点を基板内部に位置付けて第1のストリートに沿ってレーザー光を照射し、サファイヤ基板の内部に第1のストリートに沿って連続した第1の変質層210を形成する工程と、第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて同様にレーザー光を照射し、基板内部に第2のストリートに沿って第2の変質層220を形成する工程とを含む。
【選択図】図6
【解決手段】サファイヤ基板20の表面に発光層が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと、それと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されたウエーハの内部に、二つのストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法であって、基板の裏面側から集光点を基板内部に位置付けて第1のストリートに沿ってレーザー光を照射し、サファイヤ基板の内部に第1のストリートに沿って連続した第1の変質層210を形成する工程と、第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて同様にレーザー光を照射し、基板内部に第2のストリートに沿って第2の変質層220を形成する工程とを含む。
【選択図】図6
Description
本発明は、サファイヤ基板の表面に窒化物半導体からなる発光層が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと該複数の第1のストリートと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されたウエーハの内部に、第1のストリートおよび第2のストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法に関する。
光デバイスの製造工程においては、サファイヤ基板の表面に窒化物半導体からなる発光層(エピ層)が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと該複数の第1のストリートと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成される。この複数の光デバイスが形成されたウエーハは、第1のストリートおよび第2のストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
このようなウエーハのストリートに沿った切断は、通常、環状の切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。しかしながら、サファイヤ基板はモース硬度が高く難削材であるため、加工速度を遅くする必要があり、生産性が悪いという問題がある。
近年、ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
しかるに、サファイヤ基板の表面に形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオード等の光デバイスの外周がアブレーションされて輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。
このような問題を解消するために、窒化物半導体からなる発光層(エピ層)が形成されていないサファイヤ基板の裏面側からサファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、サファイヤ基板の内部にストリートに沿って変質層を形成することにより、サファイヤ基板を変質層が形成されたストリートに沿って分割するサファイヤ基板の加工方法が下記特許文献2に開示されている。
上記特許文献2に開示されたサファイヤ基板の加工方法においては、光デバイスの輝度の低下はある程度改善されるものの、ストリートの交差点において先に形成された変質層にレーザー光線が照射されると、レーザー光線の集光状態が悪化して窒化物半導体からなる発光層に抜けるレーザー光線の量が増加し、窒化物半導体からなる発光層がダメージを受け光デバイスの発光機能を低下させる虞がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、サファイヤ基板の表面に形成された光デバイスにダメージを与えることなくサファイヤ基板の内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイヤ基板の表面に発光層が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと該複数の第1のストリートと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されたウエーハの内部に、第1のストリートおよび第2のストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法であって、
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第1のストリートに沿って照射し、サファイヤ基板の内部に第1のストリートに沿って連続した第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて照射し、サファイヤ基板の内部に第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第1のストリートに沿って照射し、サファイヤ基板の内部に第1のストリートに沿って連続した第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて照射し、サファイヤ基板の内部に第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
本発明によるウエーハの分割方法によれば、サファイヤ基板の内部に第2のストリートに沿って第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程においては、サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて既に第1のストリートに沿って連続して形成された第1の変質層との交差部を除いて照射し、サファイヤ基板の内部に第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて第2の変質層を形成するので、レーザー光線が第1の変質層と干渉して集光状態が悪化することがない。従って、レーザー光線が第1の変質層と干渉して集光状態が悪化することにより、発光層に抜けるレーザー光線の量が増加して発光層にダメージを与え、光デバイスの発光機能を低下させるという問題を解消することができる。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1の(a)および(b)には、本発明によるウエーハの加工方法に従って加工されるウエーハの斜視図が示されている。図1の(a)および(b)に示すウエーハ2は、例えば厚さが150μmのサファイヤ基板20の表面20aに窒化物半導体からなる発光層(エピ層)21が積層されている。そして、発光層(エピ層)21が所定の方向に延びる複数の第1のストリート22と該複数の第1のストリート22と直交して形成された複数の第2のストリート23によって区画された複数の領域に光デバイス24が形成されている。
上記図1に示すウエーハ2は、図2に示すように環状のフレーム3に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ4に発光層(エピ層)21の表面側を貼着する(保護テープ貼着工程)。従って、ウエーハ2は、サファイヤ基板20の裏面20bが上側となる。
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、サファイヤ基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板20の裏面側から集光点をサファイヤ基板20の内部に位置付けて第1のストリート22に沿って照射し、サファイヤ基板20の内部に第1のストリート22に沿って連続した第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程を実施する。この第1の変質層形成工程は、図3に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52と、チャックテーブル51上に保持された被加工物を撮像する撮像手段53を具備している。チャックテーブル51は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。なお、図3に示すレーザー加工装置5はチャックテーブル51の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段(図示せず)を具備しており、この加工送り量検出手段は検出信号を図示しない制御手段に送る。また、図示しない制御手段は、上記ウエーハ2に形成された第1のストリート22と第2のストリート23との交差点の座標値を格納するメモリを備えており、該交差点座標値と加工送り量検出手段からの検出信号とを照合しレーザー光線照射手段52に制御信号を出力するようになっている。
上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図示しないYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング521の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器522が装着されている。
上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部に装着された撮像手段53は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置5を用いて、上記ウエーハ2を構成するサファイヤ基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板20の裏面側から集光点をサファイヤ基板20の内部に位置付けて第1のストリート22に沿って照射し、サファイヤ基板20の内部に第1のストリート22に沿って連続した第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程について、図3および図4を参照して説明する。
先ず上述した図3に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上にウエーハ2が貼着された保護テープ4を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ4を介してウエーハ2をチャックテーブル51上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51に保持されたウエーハ2は、サファイヤ基板20の裏面20bが上側となる。なお、図3においては、保護テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない移動機構によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
先ず上述した図3に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上にウエーハ2が貼着された保護テープ4を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ4を介してウエーハ2をチャックテーブル51上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51に保持されたウエーハ2は、サファイヤ基板20の裏面20bが上側となる。なお、図3においては、保護テープ4が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル51に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない移動機構によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によってウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、ウエーハ2の所定方向に形成されている第1のストリート22と、該第1のストリート22に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、ウエーハ2に形成されている上記第1のストリート22に対して直交して延びる第2のストリート23に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、ウエーハ2の第1のストリート22および第2のストリート23に形成されている発光層(エピ層)21の表面は下側に位置しているが、撮像手段53が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、サファイヤ基板20の裏面20bから透かして第1のストリート22および第2のストリート23を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル51上に保持されたウエーハ2を構成する発光層(エピ層)21の表面に形成されている第1のストリート22および第2のストリート23を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図4の(a)で示すようにチャックテーブル51をレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1のストリート22の一端(図4の(a)において左端)をレーザー光線照射手段52の集光器522の直下に位置付ける。そして、集光器522からサファイヤ基板20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すようにレーザー光線照射手段52の集光器522の照射位置が第1のストリート22の他端(図4の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51の移動を停止する。この第1の変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ2を構成するサファイヤ基板20の厚み方向中央部付近に合わせる。この結果、ウエーハ2を構成するサファイヤ基板20には、内部に第1のストリート22に沿って連続した第1の変質層210が形成される。この第1の変質層210は、溶融再固化層として形成される。
上記第1の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :Ybレーザー:イッテリビウムドープトファイバーレーザー
波長 :1045nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1〜1.5μm
加工送り速度 :400mm/秒
光源 :Ybレーザー:イッテリビウムドープトファイバーレーザー
波長 :1045nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1〜1.5μm
加工送り速度 :400mm/秒
このようにして、ウエーハ2の所定方向に延在する全ての第1のストリート22に沿って上記第1の変質層形成工程を実行したならば、サファイヤ基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板20の裏面側から集光点をサファイヤ基板20の内部に位置付けて第2のストリート23に沿って第1のストリート22との交差部を除いて照射し、サファイヤ基板20の内部に第2のストリート23に沿って第1のストリート22との交差部を除いて第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程を実施する。第2の変質層形成工程は、先ず図5に示すようにウエーハ2(第1のストリート22に沿って第1の変質層210が形成されている)を保持したチャックテーブル51を90度回動した位置に位置付ける。
ウエーハ2を保持したチャックテーブル51を90度回動した位置に位置付けたならば、図6の(a)で示すようにチャックテーブル51をレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2のストリート23の一端(図6の(a)において左端)をレーザー光線照射手段52の集光器522の直下に位置付ける。次に、集光器522からサファイヤ基板206に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、第1のストリート22との交差点より例えば5〜250μm移動方向前側(図6において左側)の位置が集光器522の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止する。また、第1のストリート22との交差点より例えば5〜250μm移動方向後側(図6において右側)の位置が集光器522の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を開始する。このようにして、サファイヤ基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第2のストリート23に沿って第1のストリート22との交差部除いて照射することにより、図6の(b)で示すようにウエーハ2を構成するサファイヤ基板20の内部に第2のストリート23に沿って第1のストリート22との交差部を除いて第2の変質層220が形成される。上記交差部において第2の変質層220が形成されない範囲は、上記実施形態においては10〜500μmとなる。なお、上述したパルスレーザー光線の照射と停止は、レーザー加工装置5に装備された図示しない制御手段が、メモリに格納された第1のストリート22と第2のストリート23との交差点の座標値と図示しない加工送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段52を制御することにより実行される。このようにして形成された第2の変質層220と第1の変質層210とは、第1のストリート22と第2のストリート23の交差点において重ねて形成されない。この第2の変質層形成工程においても、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ2を構成するサファイヤ基板20の厚み方向中央部付近に合わせる。なお、第2の変質層形成工程の加工条件は、上記第1の変質層形成工程の加工条件と同じでよい。
上述したように第2の変質層形成工程において第2のストリート23に沿って第2の変質層220を形成するには、第1のストリート22に沿って既に第1の変質層210が形成されている第1のストリート22との交差部を除いてレーザー光線を照射し、サファイヤ基板20の内部に第2のストリート23に沿って第1のストリート22との交差部を除いて第2の変質層220を形成するので、レーザー光線が第1の変質層210と干渉して集光状態が悪化することがない。従って、レーザー光線が第1の変質層210と干渉して集光状態が悪化することにより、発光層(エピ層)21に抜けるレーザー光線の量が増加して発光層(エピ層)21にダメージ与え、光デバイス24の発光機能を低下させるという問題を解消することができる。
以上のようにして、第1の変質層形成工程および第2の変質層形成工程が実施されたウエーハ2は、第1のストリート22および第2のストリート23に沿って外力を付与し、第1の変質層21が形成された第1のストリート22および第2の変質層220を形成された第2のストリート23に沿って破断するウエーハ分割工程に搬送される。
2:ウエーハ
20:サファイヤ基板
21:発光層(エピ層)
22:第1の分割予定ライン
23:第2の分割予定ライン
24:デバイス
210:第1の変質層
220:第2の変質層
3:環状のフレーム
4:保護テープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
53:撮像手段
20:サファイヤ基板
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52:レーザー光線照射手段
53:撮像手段
Claims (1)
- サファイヤ基板の表面に発光層が積層され所定の方向に延びる複数の第1のストリートと該複数の第1のストリートと交差して形成された複数の第2のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されたウエーハの内部に、第1のストリートおよび第2のストリートに沿って変質層を形成するウエーハの加工方法であって、
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第1のストリートに沿って照射し、サファイヤ基板の内部に第1のストリートに沿って連続した第1の変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
サファイヤ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイヤ基板の裏面側から集光点をサファイヤ基板の内部に位置付けて第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて照射し、サファイヤ基板の内部に第2のストリートに沿って第1のストリートとの交差部を除いて第2の変質層を形成する第2の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
Priority Applications (4)
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