KR20110014102A - 웨이퍼의 가공방법 - Google Patents

웨이퍼의 가공방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110014102A
KR20110014102A KR1020100073385A KR20100073385A KR20110014102A KR 20110014102 A KR20110014102 A KR 20110014102A KR 1020100073385 A KR1020100073385 A KR 1020100073385A KR 20100073385 A KR20100073385 A KR 20100073385A KR 20110014102 A KR20110014102 A KR 20110014102A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
street
sapphire substrate
wafer
laser beam
along
Prior art date
Application number
KR1020100073385A
Other languages
English (en)
Inventor
히토시 호시노
게이지 노마루
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20110014102A publication Critical patent/KR20110014102A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved

Abstract

본 발명은 사파이어 기판의 표면에 형성된 광디바이스에 손상을 부여하지 않고 사파이어 기판의 내부에 스트리트를 따라 변질층을 형성할 수 있는 웨이퍼의 가공방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
사파이어 기판의 표면에 발광층이 적층되고, 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트와 제1 스트리트와 교차하여 형성된 복수의 제2 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스가 형성된 웨이퍼의 내부에, 제1 스트리트 및 제2 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 웨이퍼의 가공방법으로서, 레이저 광선을 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제1 스트리트를 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제1 스트리트를 따라 연속된 제1 변질층을 형성하는 제1 변질층 형성 공정과, 레이저 광선을 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 제2 변질층을 형성하는 제2 변질층 형성 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공방법{PROCESSING METHOD OF WAFER}
본 발명은, 사파이어 기판의 표면에 질화물 반도체로 이루어지는 발광층이 적층되고, 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트와 이 복수의 제1 스트리트와 교차하여 형성된 복수의 제2 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스가 형성된 웨이퍼 내부에, 제1 스트리트 및 제2 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 웨이퍼의 가공방법에 관한 것이다.
광디바이스의 제조 공정에 있어서는, 사파이어 기판의 표면에 질화물 반도체로 이루어지는 발광층(에피택셜층)이 적층되고, 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트와 이 복수의 제1 스트리트와 교차하여 형성된 복수의 제2 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스가 형성된다. 이 복수의 광디바이스가 형성된 웨이퍼는, 제1 스트리트 및 제2 스트리트를 따라 절단하는 것에 의해 개개의 발광 다이오드 등의 광디바이스로 분할되어, 전기기기에 널리 이용되고 있다.
이러한 웨이퍼의 스트리트를 따른 절단은, 통상, 환상의 절삭 블레이드를 고속 회전시켜 절삭하는 절삭장치에 의해 행해지고 있다. 그러나, 사파이어 기판은 모스 경도가 높고 난삭재이기 때문에, 가공 속도를 느리게 해야 하여, 생산성이 좋지 않다는 문제가 있다.
최근, 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 펄스 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사하는 것에 의해 레이저 가공홈을 형성하고, 이 레이저 가공홈을 따라 외력을 부여하는 것에 의해 할단(割斷)하는 방법이 제안되어 있다.(예컨대 특허문헌 1 참조.)
그런데, 사파이어 기판의 표면에 형성된 스트리트를 따라 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공홈을 형성하면, 발광 다이오드 등의 광디바이스의 외주가 어블레이션(ablation)되어 휘도가 저하되어, 광디바이스의 품질이 저하된다는 문제가 있다.
이러한 문제를 해소하기 위해, 질화물 반도체로 이루어지는 발광층(에피택셜층)이 형성되어 있지 않은 사파이어 기판의 이면측으로부터 사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 집광점을 내부에 위치시켜 스트리트를 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 것에 의해, 사파이어 기판을 변질층이 형성된 스트리트를 따라 분할하는 사파이어 기판의 가공방법이 하기 특허문헌 2에 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평10-305420호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2008-6492호 공보
상기 특허문헌 2에 개시된 사파이어 기판의 가공방법에 있어서는, 광디바이스의 휘도의 저하는 어느 정도 개선되지만, 스트리트의 교차점에서 먼저 형성된 변질층에 레이저 광선이 조사되면, 레이저 광선의 집광 상태가 악화되어 질화물 반도체로 이루어지는 발광층에 방출되는 레이저 광선의 양이 증가하여, 질화물 반도체로 이루어지는 발광층이 손상을 받아 광디바이스의 발광 기능을 저하시킬 우려가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 사파이어 기판의 표면에 형성된 광디바이스에 손상을 부여하지 않고 사파이어 기판의 내부에 스트리트를 따라 변질층을 형성할 수 있는 웨이퍼의 가공방법을 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 사파이어 기판의 표면에 발광층이 적층되고, 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트와 이 복수의 제1 스트리트와 교차하여 형성된 복수의 제2 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스가 형성된 웨이퍼 내부에, 제1 스트리트 및 제2 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 웨이퍼의 가공방법으로서,
사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제1 스트리트를 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제1 스트리트를 따라 연속된 제1 변질층을 형성하는 제1 변질층 형성 공정과,
사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 제2 변질층을 형성하는 제2 변질층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법이 제공된다.
본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에 의하면, 사파이어 기판의 내부에 제2 스트리트를 따라 제2 변질층을 형성하는 제2 변질층 형성 공정에서는, 사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 이미 제1 스트리트를 따라 연속하여 형성된 제1 변질층과의 교차부를 제외하고 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 제2 변질층을 형성하기 때문에, 레이저 광선이 제1 변질층과 간섭하여 집광 상태가 악화되는 경우가 없다. 따라서, 레이저 광선이 제1 변질층과 간섭하여 집광 상태가 악화되는 것에 의해, 발광층에 방출되는 레이저 광선의 양이 증가하여 발광층에 손상을 부여하여, 광디바이스의 발광 기능을 저하시킨다고 하는 문제를 해소할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에 의해 가공되는 웨이퍼의 사시도 및 주요부를 확대하여 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 도시하는 웨이퍼를 환상의 프레임에 장착된 보호 테이프의 표면에 점착한 상태를 도시하는 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에서의 제1 변질층 형성 공정 및 제2 변질층 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공장치의 주요부 사시도.
도 4는 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에서의 제1 변질층 형성 공정의 설명도.
도 5는 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에서의 제2 변질층 형성 공정의 설명도.
도 6은 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법에서의 제2 변질층 형성 공정의 설명도.
이하, 본 발명에 의한 웨이퍼 가공방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1의 (a) 및 (b)에는, 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공방법을 따라 가공되는 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 웨이퍼(2)는, 예컨대 두께가 150 ㎛의 사파이어 기판(20)의 표면(20a)에 질화물 반도체로 이루어지는 발광층(에피택셜층)(21)이 적층되어 있다. 그리고 발광층(에피택셜층)(21)이 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트(22)와 이 복수의 제1 스트리트(22)와 직교하여 형성된 복수의 제2 스트리트(23)에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스(24)가 형성되어 있다.
상기 도 1에 도시하는 웨이퍼(2)는, 도 2에 도시하는 바와 같이 환상의 프레임(3)에 장착된 폴리올레핀 등의 합성수지 시트로 이루어지는 보호 테이프(4)에 발광층(에피택셜층)(21)의 표면측을 점착한다(보호 테이프 점착 공정). 따라서, 웨이퍼(2)는, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)이 상측이 된다.
전술한 보호 테이프 점착 공정을 실시했다면, 사파이어 기판(20)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판(20)의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판(20)의 내부에 위치시켜 제1 스트리트(22)를 따라 조사하여, 사파이어 기판(20)의 내부에 제1 스트리트(22)를 따라 연속된 제1 변질층을 형성하는 제1 변질층 형성 공정을 실시한다. 이 제1 변질층 형성 공정은, 도 3에 도시하는 레이저 가공장치(5)를 이용하여 실시한다. 도 3에 도시하는 레이저 가공장치(5)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(51)과, 이 척 테이블(51) 위에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(52)과, 척 테이블(51) 위에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(53)을 구비하고 있다. 척 테이블(51)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않는 가공 이송 수단에 의해 도 3에서 화살표 X로 도시하는 가공 이송 방향으로 이동시키고, 도시하지 않는 인덱싱 이송 수단에 의해 도 3에서 화살표 Y로 도시하는 인덱싱 이송 방향으로 이동시키도록 되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 레이저 가공장치(5)는 척 테이블(51)의 가공 이송량을 검출하기 위한 가공 이송량 검출 수단(도시 생략)을 구비하고 있고, 이 가공 이송량 검출 수단은 검출 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다. 또한 도시하지 않는 제어 수단은, 상기 웨이퍼(2)에 형성된 제1 스트리트(22)와 제2 스트리트(23)와의 교차점의 좌표값을 저장하는 메모리를 구비하고 있고, 이 교차점 좌표값과 가공 이송량 검출 수단으로부터의 검출 신호를 대조하여 레이저 광선 조사 수단(52)에 제어 신호를 출력하도록 되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(52)은, 실질적으로 수평으로 배치된 원통 형상의 케이싱(521)을 포함하고 있다. 케이싱(521) 안에는 도시하지 않는 YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기로 이루어지는 펄스 레이저 광선 발진기나 반복 주파수 설정 수단을 구비한 펄스 레이저 광선 발진 수단이 배치되어 있다. 상기 케이싱(521)의 선단부에는, 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하기 위한 집광기(522)가 장착되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(52)을 구성하는 케이싱(521)의 선단부에 장착된 촬상 수단(53)은, 도시한 실시형태에서는 가시광선에 의해 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD) 외에, 피가공물에 적외선을 조사하는 적외선 조명 수단과, 이 적외선 조명 수단에 의해 조사된 적외선을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성되어 있고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.
전술한 레이저 가공장치(5)를 이용하여, 상기 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판(20)의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판(20)의 내부에 위치시켜 제1 스트리트(22)를 따라 조사하여, 사파이어 기판(20)의 내부에 제1 스트리트(22)를 따라 연속된 제1 변질층을 형성하는 제1 변질층 형성 공정에 대해서, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.
우선 전술한 도 3에 도시하는 레이저 가공장치(5)의 척 테이블(51) 위에 웨이퍼(2)가 점착된 보호 테이프(4)를 배치한다. 그리고 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시키는 것에 의해, 보호 테이프(4)를 통해 웨이퍼(2)를 척 테이블(51) 위에 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(51)에 유지된 웨이퍼(2)는, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)이 상측이 된다. 또한, 도 3에서는, 보호 테이프(4)가 장착된 환상의 프레임(3)을 생략하고 도시하고 있지만, 환상의 프레임(3)은 척 테이블(51)에 배치된 적절한 프레임 유지 수단에 유지되어 있다. 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(51)은, 도시하지 않는 이동 기구에 의해 촬상 수단(53) 바로 아래에 위치한다.
척 테이블(51)이 촬상 수단(53) 바로 아래에 위치하면, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 웨이퍼(2)의 레이저 가공해야 하는 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(53) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 제1 스트리트(22)와, 이 제1 스트리트(22)를 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522)를 위치맞춤하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다(얼라인먼트 공정). 또한, 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 제1 스트리트(22)에 대하여 직교하여 연장되는 제2 스트리트(23)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 수행된다. 이 때, 웨이퍼(2)의 제1 스트리트(22) 및 제2 스트리트(23)에 형성되어 있는 발광층(에피택셜층)(21) 표면은 하측에 위치하고 있지만, 촬상 수단(53)이 전술한 바와 같이 적외선 조명 수단과 적외선을 포착하는 광학계 및 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 촬상 소자(적외선 CCD) 등으로 구성된 촬상 수단을 구비하고 있기 때문에, 사파이어 기판(20)의 이면(20b)으로부터 투과시켜 제1 스트리트(22) 및 제2 스트리트(23)를 촬상할 수 있다.
이상과 같이 하여 척 테이블(51) 위에 유지된 웨이퍼(2)를 구성하는 발광층(에피택셜층)(21) 표면에 형성되어 있는 제1 스트리트(22) 및 제2 스트리트(23)를 검출하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 행해졌다면, 도 4의 (a)로 도시하는 바와 같이 척 테이블(51)을 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시키고, 미리 정해진 제1 스트리트(22)의 일단[도 4의 (a)에서 좌측 단]을 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522) 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 집광기(522)로부터 사파이어 기판(20)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(51)을 도 4의 (a)에서 화살표 X1로 도시하는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 4의 (b)로 도시하는 바와 같이 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522)의 조사 위치가 제1 스트리트(22)의 타단[도 4의 (b)에서 우측 단)의 위치에 도달하면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지시키고 척 테이블(51)의 이동을 정지시킨다. 이 제1 변질층 형성 공정에서는, 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 두께 방향 중앙부 부근에 맞춘다. 그 결과, 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)에는, 내부에 제1 스트리트(22)를 따라 연속된 제1 변질층(210)이 형성된다. 이 제1 변질층(210)은 용융 재고화층으로서 형성된다.
상기 제1 변질층 형성 공정에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원: Yb 레이저: 이테르븀 도핑 섬유 레이저
파장: 1045 ㎚
반복 주파수: 100 kHz
평균 출력: 0.3 W
집광 스폿 직경: φ1 ∼ 1.5 ㎛
가공 이송 속도: 400 ㎜/초
이와 같이 하여, 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 연장되는 모든 제1 스트리트(22)를 따라 상기 제1 변질층 형성 공정을 실행했다면, 사파이어 기판(20)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 사파이어 기판(20)의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판(20)의 내부에 위치시켜, 제2 스트리트(23)를 따라 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 조사하여, 사파이어 기판(20)의 내부에 제2 스트리트(23)를 따라 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 제2 변질층을 형성하는 제2 변질층 형성 공정을 실시한다. 제2 변질층 형성 공정은, 우선 도 5에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(2)[제1 스트리트(22)를 따라 제1 변질층(210)이 형성되어 있음]를 유지한 척 테이블(51)을 90도 회동한 위치에 위치시킨다.
웨이퍼(2)를 유지한 척 테이블(51)을 90도 회동한 위치에 위치시켰다면, 도 6의 (a)로 도시하는 바와 같이 척 테이블(51)을 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시키고, 미리 정해진 제2 스트리트(23)의 일단[도 6의 (a)에서 좌측 단]을 레이저 광선 조사 수단(52)의 집광기(522) 바로 아래에 위치시킨다. 다음에, 집광기(522)로부터 사파이어 기판(206)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저광선을 조사하면서 척 테이블(51)을 도 6의 (a)에서 화살표 X1로 도시하는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고 제1 스트리트(22)와의 교차점으로부터, 예컨대 5 ㎛∼250 ㎛ 이동 방향 전측(도 6에서 좌측)의 위치가 집광기(522) 바로 아래에 도달했다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지시킨다. 또한 제1 스트리트(22)와의 교차점으로부터, 예컨대 5 ㎛∼250 ㎛ 이동 방향 후측(도 6에서 우측)의 위치가 집광기(522) 바로 아래에 도달했다면, 펄스 레이저 광선의 조사를 시작한다. 이와 같이 하여, 사파이어 기판(20)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 제2 스트리트(23)를 따라 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 조사하는 것에 의해, 도 6의 (b)로 도시하는 바와 같이 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 내부에 제2 스트리트(23)를 따라 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 제2 변질층(220)이 형성된다. 상기 교차부에서 제2 변질층(220)이 형성되지 않는 범위는, 상기 실시형태에 있어서는 10 ㎛∼500 ㎛가 된다. 또한, 전술한 펄스 레이저 광선의 조사와 정지는, 레이저 가공 장치(5)에 장비된 도시하지 않는 제어 수단이, 메모리에 저장된 제1 스트리트(22)와 제2 스트리트(23)와의 교차점의 좌표값과 도시하지 않는 가공 이송량 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초하여 레이저 광선 조사 수단(52)을 제어하는 것에 의해 실행된다. 이와 같이 하여 형성된 제2 변질층(220)과 제1 변질층(210)은 제1 스트리트(22)와 제2 스트리트(23)의 교차점에서 중첩되어 형성되지 않는다. 이 제2 변질층 형성 공정에서도, 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 웨이퍼(2)를 구성하는 사파이어 기판(20)의 두께 방향 중앙부 부근에 맞춘다. 또한, 제2 변질층 형성 공정의 가공 조건은, 상기 제1 변질층 형성 공정의 가공 조건과 동일하여 좋다.
전술한 바와 같이 제2 변질층 형성 공정에 있어서 제2 스트리트(23)를 따라 제2 변질층(220)을 형성하기 위해서는, 제1 스트리트(22)를 따라 이미 제1 변질층(210)이 형성되어 있는 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 레이저 광선을 조사하여, 사파이어 기판(20)의 내부에 제2 스트리트(23)를 따라 제1 스트리트(22)와의 교차부를 제외하고 제2 변질층(220)을 형성하기 때문에, 레이저 광선이 제1 변질층(210)과 간섭하여 집광 상태가 악화되는 경우가 없다. 따라서, 레이저 광선이 제1 변질층(210)과 간섭하여 집광 상태가 악화되는 것에 의해, 발광층(에피택셜층)(21)에 방출되는 레이저 광선의 양이 증가하여 발광층(에피택셜층)(21)에 손상을 부여하여, 광디바이스(24)의 발광 기능을 저하시킨다는 문제를 해소할 수 있다.
이상과 같이 하여, 제1 변질층 형성 공정 및 제2 변질층 형성 공정이 실시된 웨이퍼(2)는, 제1 스트리트(22) 및 제2 스트리트(23)를 따라 외력을 부여하여, 제1 변질층(210)이 형성된 제1 스트리트(22) 및 제2 변질층(220)이 형성된 제2 스트리트(23)를 따라 파단하는 웨이퍼 분할 공정에 반송된다.
2: 웨이퍼, 20: 사파이어 기판, 21: 발광층(에피택셜층), 22: 제1 분할 예정 라인, 23: 제2 분할 예정 라인, 24: 디바이스, 210: 제1 변질층, 220: 제2 변질층, 3: 환상의 프레임, 4: 보호 테이프, 5: 레이저 가공장치, 51: 레이저 가공장치의 척 테이블, 52: 레이저 광선 조사 수단, 53: 촬상 수단

Claims (1)

  1. 사파이어 기판의 표면에 발광층이 적층되고, 미리 정해진 방향으로 연장되는 복수의 제1 스트리트와 이 복수의 제1 스트리트와 교차하여 형성된 복수의 제2 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 광디바이스가 형성된 웨이퍼 내부에, 제1 스트리트 및 제2 스트리트를 따라 변질층을 형성하는 웨이퍼의 가공방법으로서,
    사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을, 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제1 스트리트를 따라 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제1 스트리트를 따라 연속된 제1 변질층을 형성하는 제1 변질층 형성 공정과,
    사파이어 기판에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을, 사파이어 기판의 이면측으로부터 집광점을 사파이어 기판의 내부에 위치시켜 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 조사하여, 사파이어 기판의 내부에 제2 스트리트를 따라 제1 스트리트와의 교차부를 제외하고 제2 변질층을 형성하는 제2 변질층 형성 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법.
KR1020100073385A 2009-08-04 2010-07-29 웨이퍼의 가공방법 KR20110014102A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-181505 2009-08-04
JP2009181505A JP2011035253A (ja) 2009-08-04 2009-08-04 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110014102A true KR20110014102A (ko) 2011-02-10

Family

ID=43746078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100073385A KR20110014102A (ko) 2009-08-04 2010-07-29 웨이퍼의 가공방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2011035253A (ko)
KR (1) KR20110014102A (ko)
CN (1) CN101989640A (ko)
TW (1) TW201110221A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170053112A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053113A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053111A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170136994A (ko) * 2016-06-02 2017-12-12 가부시기가이샤 디스코 누설광 검출 방법
KR20180018329A (ko) * 2016-08-09 2018-02-21 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5833362B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-16 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
JP5886603B2 (ja) * 2011-11-11 2016-03-16 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
CN103311115A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 鑫晶钻科技股份有限公司 可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法
JP2014079791A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
JP6504977B2 (ja) * 2015-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017059685A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017059686A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6821261B2 (ja) * 2017-04-21 2021-01-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6837905B2 (ja) * 2017-04-25 2021-03-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014938A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4767711B2 (ja) * 2006-02-16 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2008028347A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Disco Abrasive Syst Ltd 脆化域形成方法
JP5225639B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5307384B2 (ja) * 2007-12-03 2013-10-02 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170053112A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053113A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053111A (ko) * 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170136994A (ko) * 2016-06-02 2017-12-12 가부시기가이샤 디스코 누설광 검출 방법
KR20180018329A (ko) * 2016-08-09 2018-02-21 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201110221A (en) 2011-03-16
JP2011035253A (ja) 2011-02-17
CN101989640A (zh) 2011-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110014102A (ko) 웨이퍼의 가공방법
JP5443104B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6208430B2 (ja) レーザー加工方法
KR102096674B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP4767711B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2008277414A (ja) ウエーハの分割方法
JP4977432B2 (ja) ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法
JP2007019252A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP5992731B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2008227470A (ja) ウエーハの分割方法およびレーザー加工装置
JP2010123723A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP4851918B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6189066B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4630731B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2006140341A (ja) ウエーハの分割方法
JP5101869B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4648044B2 (ja) レーザー加工装置
JP2008060164A (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2006289388A (ja) レーザー加工装置
KR101530390B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP2010064125A (ja) レーザー加工装置
JP2016036818A (ja) レーザー加工装置
JP5468847B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2013102039A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP5144197B2 (ja) レーザー加工装置および接着フィルム切断方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application