KR20170136994A - 누설광 검출 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 개질층을 형성할 때에 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 용이하게 검출할 수 있는 누설광 검출 방법을 제공하는 것에 있다.
누설광 검출 방법으로서, 웨이퍼의 하면을 유성 마커로 도장하는 도장 공정과, 웨이퍼의 하면에 점착테이프를 압착시키는 압착 공정과, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 압착시킨 점착테이프를 박리하는 박리 공정과, 이 박리 공정에 의해, 하면에 도포된 도장이 제거된 영역을 누설광이 있던 영역으로서 검출하는 누설광 검출 공정을 포함한다.

Description

누설광 검출 방법{METHOD FOR DETECTING LIGHT LEAKAGE}
본 발명은, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 검출하는 누설광 검출 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는 다이싱 장치, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용된다.
레이저 가공 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 조사 수단과, 상기 척 테이블과 레이저 조사 수단을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 수단으로 대체로 구성되어 있고, 웨이퍼의 분할 예정 라인에 대응하는 내부에 분할 기점이 되는 개질층을 형성할 수 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
또한, 디바이스가 형성된 웨이퍼의 표면측으로부터 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시키면, 웨이퍼의 표면에 형성된 디바이스에 레이저 광선의 일부가 조사되어 손상을 부여하는 것, 및 분할 예정 라인 상의 요철에 의해 레이저 광선이 난반사하는 것 때문에, 일반적으로, 레이저 광선을 웨이퍼의 이면측으로부터 조사하여 개질층을 형성하는 것이 행해지고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제3408805호 공보
여기서, 상기한 레이저 가공 장치에 의해, 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공에 따르면, 이면으로부터 조사된 레이저 광선의 에너지의 대부분은 개질층의 형성에 사용되지만, 선택한 파장이나 출력, 그 밖의 가공 조건에 따라서는, 일부가 누설광이 되어 웨이퍼의 표면에 이르는 경우가 있다. 웨이퍼의 이면측으로부터 조사된 레이저 광선이 그대로 직진하여, 표면측의 분할 예정 라인 상으로 누설된 경우는 특별히 문제가 되지는 않는다. 그러나, 웨이퍼의 내부에 집광점이 위치된 레이저 광선이, 전에 형성된 개질층, 또는 개질층으로부터 연장된 크랙 등의 영향에 따라 굴절, 또는 반사되어 임의의 방향으로 유도되고, 분할 예정 라인을 따라 배치된 디바이스에 도달하여 손상을 주는 경우가 있다. 따라서, 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성할 때에는, 상기 누설광이 디바이스에 대하여 영향을 주는 가공 조건을 미리 검증하고, 그 가공 조건을 가능한 한 회피한 설정으로 할 필요가 있다. 그러나, 종래에 있어서는, 상기 누설광이 어떻게 발생하는 것인지를 용이하게 파악할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 용이하게 검출할 수 있는 누설광의 검출 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 하나의 측면에 따르면, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 검출하는 누설광 검출 방법으로서, 웨이퍼의 하면에 유성 마커를 도장하는 도장 공정과, 도장 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 하면에 점착테이프를 압착시키는 압착 공정과, 압착 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 개질층 형성 공정을 실시한 후, 압착시킨 점착테이프를 박리하는 박리 공정과, 상기 박리 공정에 의해, 하면에 도포된 도장이 제거된 영역을 누설광이 있었던 영역으로서 검출하는 누설광 검출 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 누설광 검출 방법이 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 검출하는 누설광 검출 방법으로서, 웨이퍼의 하면에 유성 마커를 도장하는 도장 공정과, 도장 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 개질층 형성 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 하면에 점착테이프를 압착시키는 압착 공정과, 압착시킨 점착테이프를 박리하는 박리 공정과, 상기 박리 공정에 의해, 하면에 도포된 도장이 제거된 영역을 누설광이 있었던 영역으로서 검출하는 누설광 검출 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 누설광 검출 방법이 제공된다.
상기 도장 공정에서 사용하는 유성 마커로는, 흑색을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 압착 공정에 있어서, 자외선의 조사에 의해 점착층이 경화되는 점착테이프를 사용하고, 상기 박리 공정에 있어서, 점착테이프에 자외선을 조사하여 점착층을 경화시킨 후, 상기 점착테이프를 박리하도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 용이하게 검출하는 것이 가능해지고, 디바이스를 손상시키는 누설광이 발생하는 원인이나, 디바이스의 손상을 극력 회피하기 위한 여러 가지 레이저 가공 조건을 검토하는 것이 가능해진다.
도 1의 (a)는 더미 웨이퍼의 사시도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에 도시된 더미 웨이퍼의 표리를 반전시킨 상태의 사시도이다.
도 2는 제1 실시형태에 있어서의 점착테이프의 압착 공정을 도시한 사시도이다.
도 3은 제1 실시형태에 있어서의 개질층 형성 공정을 도시한 사시도이다.
도 4는 제1 실시형태에 있어서의 자외선 조사 공정을 도시한 사시도이다.
도 5는 제1, 제2 실시형태의 박리 공정 및 누설광 검출 공정을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 제2 실시형태에 있어서의 개질층 형성 공정을 도시한 사시도이다.
도 7은 제2 실시형태에 있어서의 점착테이프의 압착 공정을 도시한 사시도이다.
도 8은 제2 실시형태에 있어서의 박리 공정의 자외선 조사 공정을 도시한 사시도이다.
이하, 본 발명에 따른 누설광 검출 방법의 제1 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1의 (a)에는, 본 발명에 따른 누설광의 검출 방법에 이용하는 더미 웨이퍼(10)가 도시되어 있다. 상기 더미 웨이퍼(10)는, 실제로 가공에 이용되는 웨이퍼와 동일한 소재로 형성되며, 예컨대, 실리콘(Si) 웨이퍼가 선택된다. 상기 더미 웨이퍼(10)의 상면(10a), 하면(10b) 중 어디에도 디바이스는 형성되지 않지만, 하면(10b) 측에 디바이스가 형성된다고 상정하고, 레이저 광선이 조사되는 상면(10a) 측은 연마 가공이 행해지고 있다. 또한, 본원 발명에 따른 상기 더미 웨이퍼(10)의 소재는, 실리콘(Si)에 한정되지 않고, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 것이 가능한 소재, 예컨대, 사파이어, 탄화규소(SiC) 등으로부터 선택되어도 좋다. 또한, 레이저 가공에 의해 개질층을 형성하는 상정 웨이퍼에 있어서 연마 가공을 하지 않는 것이면, 상면, 하면을 특별히 구별하지 않고, 임의의 면을 상면으로 하고, 다른 쪽을 하면으로 하여도 좋다.
더미 웨이퍼(10)를 준비하였다면, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)에 대하여, 도장 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 상기 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b) 측을 유성 마커에 의해 도장하고 건조시켜, 도장면(10c)을 형성한다. 유성 마커로는, 유기 용제(알코올계·방향족계·지방족계 등)에, 유용성 염료와 수지를 녹인 속건성(速乾性)의 잉크를 이용한 것과, 상기 유용성 염료 대신에 안료를 이용한 잉크가 알려져 있지만, 본 실시형태에서는, 유기 용제에, 유용성 염료와 수지를 녹인 속건성의 잉크를 이용한 유성 마커를 선택하여, 도장에 이용한다. 선택되는 염료의 색은 특별히 한정되지 않지만, 흑색의 잉크를 선택하면, 후술하는 누설광의 검출이 용이해지기 때문에 바람직하다.
더미 웨이퍼(10)에 대하여 상기 도장 공정을 행하였다면, 압착 공정을 실시한다. 상기 압착 공정은, 도 2에 도시된 바와 같이, 점착테이프(20)를 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b), 즉, 도장면(10c)을 형성한 면에 압착시킨다. 상기 점착테이프(20)로는, 자외선(UV) 경화형의 다이싱 테이프를 이용할 수 있고, 상기 다이싱 테이프로는, 예컨대, 염화비닐(PVC), 폴리올레핀(PO)으로 이루어진 테이프를 선택할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 이용하였지만, 본 발명은, 반드시 이것에 한정되지 않고, 다른 외력의 부가에 의해 경화되는 점착테이프, 예컨대 열경화성 수지로 이루어진 점착테이프를 선택할 수도 있고, 또한, 외력의 부가에 의해 경화되지 않는 점착테이프를 사용하는 것으로 하여도 좋다. 단, 외력의 부가에 의해 경화되는 점착테이프는, 외력의 부가에 의해 점착력이 저하되기 때문에 작업성이 우수하다고 하는 점에서 유리하다.
상기 압착 공정을 실시하였다면, 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(30)(전체도는 생략함)를 이용하여, 더미 웨이퍼(10)의 상면(10a) 측으로부터 더미 웨이퍼(10)의 소재에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 더미 웨이퍼(10)의 내부에 위치시켜, 상기 레이저 광선을 조사하고, 레이저 광선의 조사 위치와, 더미 웨이퍼(10)를 화살표 X로 나타내는 방향으로 상대적으로 이동시켜 개질층(P)을 형성한다(개질층 형성 공정). 또한, 상기 개질층(P)은, 더미 웨이퍼(10)의 전체면에 걸쳐 형성되지만, 누설광의 검증에 이용하는 개질층이기 때문에, 인접한 개질층(P)끼리의 간격은, 실제로 디바이스가 형성된 웨이퍼를 분할하도록 레이저 가공을 실시하는 경우보다도 넓어지도록 설정하고 있다.
전술한 레이저 가공은, 상정하는 웨이퍼의 실제의 가공 조건을 참고로 하여 결정되는 것으로서, 예컨대, 이하와 같은 가공 조건으로 실시한다.
레이저의 파장 : 1342 ㎚
반복 주파수 : 90 kHz
평균 출력 : 1.9 W
스폿 직경 : 1 ㎛
가공 이송 속도 : 700 mm/초
웨이퍼의 두께 : 775 ㎛
집광점의 위치 : 웨이퍼의 상면으로부터 700 ㎛(하면으로부터 75 ㎛)
상기 개질층 형성 공정을 실시하였다면, 다음에 점착테이프(20)를 박리하는 박리 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 도 4에 도시된 바와 같이, 점착테이프(20)를 압착시키고 있는 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b) 측에 대하여 자외선 조사 수단(32)을 작동하여 자외선을 조사한다(자외선 조사 공정). 상기 자외선의 조사에 의해 점착테이프(20)가 경화되어, 더미 웨이퍼(10)에 대한 점착력이 저하된다. 그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 점착력이 저하된 점착테이프(20)를 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b) 측으로부터 박리한다(박리 공정).
도 5에는, 상기 박리 공정을 실시하고, 점착테이프(20)가 박리된 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)의 일부 확대도도 함께 도시하고 있다. 상기 일부 확대도에는, 상기 박리 공정에 의해 도장면(10c)의 일부가 제거된 누설광흔(101, 102)이 표시되어 있다. 직선적으로 표시되는 누설광흔(101)은, 개질층(P)을 형성하기 위해 조사된 레이저 광선이 직진하여, 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)에 도달한 흔적을 나타내고 있다. 상기 누설광흔(101)이 검출되는 위치는, 실제의 웨이퍼에 있어서는 분할 예정 라인이 되는 위치에 형성되는 것으로서, 상기 누설광흔(101)은, 웨이퍼의 품질에 대하여 특별히 악영향을 미치는 것은 아니다. 한편, 상기 직선적인 누설광흔(101)의 주위에 형성되고, 일정한 형상을 이루지 않는 누설광흔(102)은, 실제의 웨이퍼에서는, 분할 예정 라인으로부터 비어져 나와, 디바이스가 형성된 영역에 도달할 우려가 있는 누설광의 흔적을 나타내고 있다. 개질층을 형성하기 위한 레이저 가공에 의한 누설광의 영향을 검출하기 위해 상기 검출 방법을 실시하는 작업자는, 점착테이프(20)를 박리하고, 누설광흔(101, 102)을 표출시켜, 누설광의 영향을 검출할 수 있다(누설광 검출 공정). 또한, 상기 누설광흔(101, 102)이 표출되는 이유는, 이하와 같이 생각된다.
더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)에 대하여 유성 마커에 의해 도장을 행한 후, 상기 도장면(10c)에 점착테이프(20)를 압착시켜, 레이저 광선을 조사하지 않고 상기 박리 공정을 실시하여도, 상기 도장면(10c)의 박리는 생기지 않는다. 이것은, 도포된 유성 마커의 잉크가 건조됨으로써, 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)에 강고하게 정착되기 때문이다. 이것에 대하여, 개질층의 형성에 기여하지 않은 레이저 광선의 누설광이 하면(10b) 측에 도달하면, 상기 누설광의 에너지에 의해, 유성 마커의 잉크를 변질시킨다. 그리고, 웨이퍼 하면(10b)에 정착되어 있던 도장면(10c)에 상기 누설광이 도달함으로써 상기 도장면(10c)이 변질되면, 누설광에 의해 변질된 영역이 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b)으로부터 박리되기 쉬운 상태가 되어, 상기 박리 공정에서 점착테이프(20)를 박리함에 따라, 점착테이프(20)와 함께 상기 변질 영역이 박리되어, 누설광흔(101, 102)을 형성하는 것이다.
또한, 본 발명에 기초하여 구성되는 누설광 검출 방법은, 전술한 제1 실시형태에 한정되지 않고, 이하와 같은 제2 실시형태에 의해 실시하는 것도 가능하다. 또한, 제1 실시형태와 서로 다른 점만 상세히 설명하고, 그 나머지 점에 대해서는 간단히 설명한다.
제2 실시형태에서는, 우선, 제1 실시형태와 마찬가지로, 실리콘(Si)으로 이루어진 더미 웨이퍼(10)를 준비하여, 하면(10b)에 대하여 도장 공정을 실시하고, 도장면(10c)을 형성한다(도 1을 참조). 상기 도장 공정을 실시하였다면, 도 6에 도시된 바와 같이, 점착테이프를 압착시키기 전에 개질층 형성 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 더미 웨이퍼(10)의 상면(10a) 측으로부터 레이저 가공 장치(30)(전체도는 생략함)를 이용하여, 더미 웨이퍼(10)의 상면(10a) 측으로부터 더미 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 더미 웨이퍼의 내부에 위치시키고, 상기 레이저 광선을 조사하여, 그 조사 위치와, 더미 웨이퍼(10)를 화살표 X로 나타내는 방향으로 상대적으로 이동시켜 개질층(P)을 형성한다(개질층 형성 공정). 또한, 상기 레이저 가공은, 제1 실시형태와 동일한 가공 조건으로 실시된다.
상기 개질층 형성 공정을 실시하였다면, 더미 웨이퍼(10)에 있어서 도장면(10c)이 형성된 하면(10b)에 대하여 점착테이프(20)를 압착시키는 압착 공정을 실시한다. 또한, 상기 압착 공정을 실시하였다면, 도 8에 도시된 바와 같이, 박리 공정을 실시하기 위해, 점착테이프(20)를 압착시키고 있는 하면(10b)에 대하여 자외선 조사 수단(32')을 작동하여 자외선을 조사한다(자외선 조사 공정). 상기 자외선의 조사에 의해 점착테이프(20)가 경화되어, 더미 웨이퍼(10)에 대한 점착력이 저하된다. 그 후에는, 도 5에 도시된 제1 실시형태의 박리 공정 및 누설광 검출 공정과 마찬가지로, 점착력이 저하된 점착테이프(20)를 더미 웨이퍼(10)의 하면(10b) 측으로부터 박리한다(박리 공정). 그리고, 개질층을 형성하기 위한 레이저 가공에 의한 누설광의 영향을 검출하는 작업자는, 상기 점착테이프(20)를 박리함으로써 누설광흔(101, 102)을 표출시켜, 누설광의 영향을 검증할 수 있다(누설광 검출 공정).
본 발명에 기초하여 실시되는 누설광 검출 방법에 따르면, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광의 흔적을 용이하게 검출할 수 있기 때문에, 분할 기점이 되는 개질층을 웨이퍼 내부에 형성하는 레이저 가공에 있어서, 디바이스를 손상시키는 원인이 되는 레이저 가공 조건을 용이하게 발견할 수 있어, 신속하게 대책을 검토하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 제1, 제2 실시형태에서는, 모두, 누설광의 검출시에, 누설광을 검출하기 위한 더미 웨이퍼를 이용하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 실제로 디바이스가 형성된 웨이퍼에 있어서, 상기 디바이스가 형성되지 않는 웨이퍼의 외주 영역에 대하여, 본 발명의 누설광 검출 방법을 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 실제로 개질층을 형성하여 디바이스를 개개로 분할하는 웨이퍼 그 자체에 있어서 누설광의 영향을 검출할 수 있기 때문에, 보다 실제에 가까운 상태로 누설광의 영향을 검증할 수 있고, 레이저 가공의 가공 조건을 보다 적절히 설정할 수 있다.
10 : 더미 웨이퍼 10a : 상면
10b : 하면 10c : 도장면
20 : 점착테이프 30 : 레이저 가공 장치
32 : 자외선 조사 수단 101, 102 : 누설광흔

Claims (4)

  1. 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 검출하는 누설광 검출 방법으로서,
    웨이퍼의 하면에 유성 마커를 도장하는 도장 공정과,
    도장 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 하면에 점착테이프를 압착시키는 압착 공정과,
    압착 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    개질층 형성 공정을 실시한 후, 압착시킨 점착테이프를 박리하는 박리 공정과,
    상기 박리 공정에 의해, 하면에 도포된 도장이 제거된 영역을 누설광이 있던 영역으로서 검출하는 누설광 검출 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 누설광 검출 방법.
  2. 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성할 때에, 웨이퍼의 하면에 도달하는 레이저 광선의 누설광을 검출하는 누설광 검출 방법으로서,
    웨이퍼의 하면에 유성 마커를 도장하는 도장 공정과,
    도장 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 상면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 그 집광점을 웨이퍼의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    개질층 형성 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 하면에 점착테이프를 압착시키는 압착 공정과,
    압착시킨 점착테이프를 박리하는 박리 공정과,
    상기 박리 공정에 의해, 하면에 도포된 도장이 제거된 영역을 누설광이 있던 영역으로서 검출하는 누설광 검출 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 누설광 검출 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도장 공정에서 사용하는 유성 마커는 흑색인 것인 누설광 검출 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 압착 공정에 있어서, 자외선의 조사에 의해 점착층이 경화되는 점착테이프를 사용하고, 상기 박리 공정에 있어서, 점착테이프에 자외선을 조사하여 점착층을 경화시킨 후, 상기 점착테이프를 박리하는 누설광 검출 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
EP3633718A1 (en) * 2018-10-01 2020-04-08 Infineon Technologies AG Detection of adhesive residue on a wafer
JP7289592B2 (ja) 2019-03-26 2023-06-12 株式会社ディスコ 検査用基板及び検査方法
KR102581541B1 (ko) 2019-07-22 2023-09-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 측정 장치
KR102684978B1 (ko) 2019-08-21 2024-07-17 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사장치
JP7370902B2 (ja) * 2020-02-28 2023-10-30 株式会社ディスコ クラック検出方法
JP7465425B2 (ja) 2020-07-14 2024-04-11 株式会社東京精密 検査用ウェーハの検査方法及び検査装置並びに検査用ウェーハ
CN115223851B (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种机械式晶片分离方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US20070135006A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-14 Michaels Emily W Cleaning device
KR20110014102A (ko) * 2009-08-04 2011-02-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공방법
KR20130074737A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6428836A (en) * 1987-07-23 1989-01-31 Nec Corp Selection of semiconductor chip
JPH05160229A (ja) * 1991-12-10 1993-06-25 Hitachi Ltd ボンディングパッド検査装置
JPH0967539A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Pentel Kk 油性インキ組成物
CN1292270C (zh) * 2002-01-23 2006-12-27 日东电工株式会社 光学补偿片和使用其的偏振片
EP2189842B1 (en) * 2002-04-11 2017-08-23 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
US7909595B2 (en) * 2006-03-17 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using a reflector having both elliptical and parabolic reflective sections
JP5230221B2 (ja) * 2007-04-20 2013-07-10 富士フイルム株式会社 熱可塑性フィルムおよびその製造方法
JP2009098667A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 液晶表示装置
JP2011151070A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN102483587B (zh) * 2010-07-22 2014-11-05 恩斯克科技有限公司 曝光装置用光照射装置、光照射装置的控制方法、曝光装置以及曝光方法
JP6281328B2 (ja) * 2014-03-06 2018-02-21 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法
JP2015185691A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープ、該粘着テープの製造方法および半導体ウェハの加工方法
JP6305853B2 (ja) * 2014-07-08 2018-04-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20160011102A (ko) * 2014-07-21 2016-01-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
JP6347714B2 (ja) * 2014-10-02 2018-06-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6388522B2 (ja) * 2014-10-27 2018-09-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6466692B2 (ja) * 2014-11-05 2019-02-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
US20070135006A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-14 Michaels Emily W Cleaning device
KR20110014102A (ko) * 2009-08-04 2011-02-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공방법
KR20130074737A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

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