JP7370902B2 - クラック検出方法 - Google Patents

クラック検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7370902B2
JP7370902B2 JP2020032994A JP2020032994A JP7370902B2 JP 7370902 B2 JP7370902 B2 JP 7370902B2 JP 2020032994 A JP2020032994 A JP 2020032994A JP 2020032994 A JP2020032994 A JP 2020032994A JP 7370902 B2 JP7370902 B2 JP 7370902B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
crack
workpiece
modified layer
crack detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020032994A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021133328A (ja
Inventor
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2020032994A priority Critical patent/JP7370902B2/ja
Priority to KR1020210009605A priority patent/KR102918172B1/ko
Priority to US17/173,419 priority patent/US11519865B2/en
Priority to SG10202101533WA priority patent/SG10202101533WA/en
Priority to MYPI2021000867A priority patent/MY203197A/en
Priority to TW110105668A priority patent/TWI868317B/zh
Priority to CN202110205586.5A priority patent/CN113325000B/zh
Publication of JP2021133328A publication Critical patent/JP2021133328A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7370902B2 publication Critical patent/JP7370902B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/91—Investigating the presence of flaws or contamination using penetration of dyes, e.g. fluorescent ink
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8803—Visual inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/20—Metals
    • G01N33/207—Welded or soldered joints; Solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
    • H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/26—Scanned objects
    • G01N2291/267—Welds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射することにより改質層と共に形成されるクラックを検出するクラック検出方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、改質層を形成して個々のデバイスチップに分割している（例えば特許文献１を参照）。
また、改質層が分割予定ラインの内部に形成された後、保護テープが配設された表面を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると共に個々のデバイスチップに分割する技術が提案されている（例えば特許文献２を参照）。
特許第３４０８８０５号公報 特許第４３５８７６２号公報
上記した特許文献２に記載された技術では、分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成すると共に、該改質層から表面に達するクラックを形成しておくことにより、研削装置によって薄化する際に個々のデバイスチップに良好に分割される。しかし、改質層が形成された領域からレーザー光線が照射された側とは反対側の面にクラックが達していない場合は、円滑にウエーハを個々のデバイスチップに分割することが困難であるため、レーザー加工装置によって改質層を形成する際のレーザー加工条件を決定する際には、分割予定ラインの内部に改質層が形成されると共に、該改質層から表面に至るクラックが確実に形成されるようにレーザー加工条件が調整される。
上記したレーザー加工条件の調整は、ウエーハの材質や、厚み等が変わる毎に実施する必要があるが、ウエーハの内部に形成された改質層からレーザー光線が照射された側とは反対側の面にクラックが露出しているか否か、すなわち、クラックが適正に形成されているか否かを確認するためには、顕微鏡を用いなければならず、生産性が悪いという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射することにより被加工物の内部に改質層を形成した際に、クラックが適正に形成されていることを容易に検出することができるクラック検出方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、クラック検出方法であって、第一の面と、該第一の面に対して反対側の第二の面を備えた板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第一の面から内部に位置付けて線状に照射し、該被加工物の内部に改質層を形成すると共に、該改質層から該第二の面側に延びるクラックを形成するクラック形成工程と、該第二の面に塗料を塗布する塗料塗布工程と、該塗料が線状に弾かれている場所を探査してクラックを検出するクラック検出工程と、を含み構成されるクラック検出方法が提供される。
該塗料塗布工程において、油性マーカーが用いられることが好ましい。
本発明のクラック検出方法は、第一の面と、該第一の面に対して反対側の第二の面を備えた板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第一の面から内部に位置付けて線状に照射し、該被加工物の内部に改質層を形成すると共に、該改質層から該第二の面側に延びるクラックを形成するクラック形成工程と、該第二の面に塗料を塗布する塗料塗布工程と、該塗料が線状に弾かれている場所を探査してクラックを検出するクラック検出工程と、を含み構成されていることから、顕微鏡等を用いることなくクラックが適正に形成されているか否かを容易に確認することができ、クラックが適正に形成されるようにレーザー加工条件を速やかに調整することができることから、生産性が悪いという問題が解消する。
レーザー加工装置のチャックテーブルに板状の被加工物を載置する態様を示す斜視図である。 （ａ）クラック形成工程を実施する態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す工程を実施する際の被加工物の一部拡大断面図である。 （ａ）クラック検出工程を実施する検査台に被加工物を載置する態様を示す斜視図、（ｂ）クラックの形成が不十分な被加工物の第二の面に塗料を塗布した状態を示す斜視図、（ｃ）クラックが十分に形成された被加工物の第二の面に塗料を塗布した状態を示す斜視図である。 ウエーハに保護テープを貼着する態様を示す斜視図である。 （ａ）改質層形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す工程を実施する際のウエーハの一部拡大断面図である。 （ａ）研削装置のチャックテーブルにウエーハを載置する態様を示す斜視図、（ｂ）分割工程を実施する態様を示す斜視図である。 テープ張替え工程を実施する態様を示す斜視図である。
以下、本発明に基づいて構成されるクラック検出方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。なお、以下の説明では、クラック検出方法によって板状の被加工物にクラックが形成されたか否かを確認し、その後、該被加工物と同一の材質、同一の寸法からなるウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工を実施する方法について、順に説明する。
まず、本発明のクラック検出方法を実施するに際し、個々のデバイスチップに分割する加工を施す板状のウエーハと同一の材質（例えばシリコン（Ｓｉ））、同一の寸法（直径が３００ｍｍ、厚みが７８０μｍ）で形成されたクラック検出用の被加物１０Ａ（ダミーウエーハ）を用意する。なお、被加工物１０Ａの第一の面１０Ａａと、第二の面１０Ａｂには何も形成されていない。
上記した板状の被加工物１０Ａを用意したならば、図１に示すレーザー加工装置２０（一部のみ示している）のチャックテーブル２２の保持面２２ａに、第一の面１０Ａａを上方に、第二の面１０Ａｂを下方に向けて載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル２２に吸引保持する。
上記のように被加工物１０Ａをチャックテーブル２２に保持したならば、チャックテーブル２２と共に被加工物１０Ａを移動して、図２（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段２４の集光器２４ａの直下に被加工物１０Ａを位置付ける。なお、この際、必要に応じてアライメント工程を実施して、被加工物１０Ａにおける被加工位置を正確に検出するようにしてもよい。
次いで、レーザー光線照射手段２４から照射されるレーザー光線ＬＢの集光点を、図２（ｂ）に示すように、上面を構成する第一の面１０Ａａから見て７００μｍの深さ位置に位置付ける。集光点を該位置に位置付けたならば、チャックテーブル２２を矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りすると共に、レーザー光線照射手段２４を作動してレーザー光線ＬＢを被加工物１０Ａに対して線状に照射し、被加工物１０Ａの内部に改質層１００Ａと、改質層１００Ａから第二の面１０Ａｂ側に延びるクラック１１０Ａを形成する（図２（ｂ）を参照）。なお、本実施形態では、図２（ａ）に示すように、レーザー光線ＬＢの照射位置を矢印Ｙで示すＹ軸方向に変更しながら、被加工物１０Ａに対して線状に照射する加工を３回実施し、３条の加工線を形成する。以上によりクラック形成工程が完了する。
なお、上記したレーザー加工を実施する際のレーザー加工条件は、例えば、以下のとおりである。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．１Ｗ
加工送り速度 ：７００ｍｍ／秒
図２（ａ）では、説明の都合上、被加工物１０Ａに形成される改質層１００Ａ、及びクラック１１０Ａを破線で示しているが、実際には、第一の面１０Ａａ、及び第二の面１０Ａｂのいずれからも、改質層１００Ａ、及びクラック１１０Ａを目視により確認することはできないため、図３を参照しながら以下に説明するクラック検出工程を実施する。
上記したようにクラック形成工程が施された被加工物１０Ａをレーザー加工装置２０から搬出し、図３（ａ）に示すクラック検出用の検査台Ｄに搬送して、第一の面１０Ａａを下方に向け、第二の面１０Ａｂを上方に向けて載置する。被加工物１０Ａを検査台Ｄに載置したならば、第二の面１０Ａｂにおいて、クラック形成工程によって改質層１００Ａ、及びクラック１１０Ａが形成された部分を包含する領域Ｐに有色の塗料を塗布する。塗料の塗布方法については特に限定されないが、本発明者らによって、図３（ｂ）に示すように、黒色、又は赤色の油性のマーカーペンＭを使用して塗布することで、被加工物１０Ａの第二の面１０Ａｂに対し良好に塗料を塗布できることが確認された。なお、本実施形態において塗料を塗布する際に使用する油性のマーカーペンＭは、特にその太さについて限定されるものではなく、該マーカーペンには、一般的にサインペンと称されるペンも含む。また、実際に塗布される塗料は油性の有色塗料の他に、アクリル塗料、墨汁等利用することができ、特に限定されない。
ここで、図３（ｂ）に示すように、塗料が塗布された領域Ｐを探査する（クラック検出工程）と、クラック１１０Ａが第二の面１０Ａｂに達している部分では、該塗料を線状に弾くことからクラック１１０Ａの存在を示す線状のラインを目視により容易に検出することができ、第二の面１０Ａｂにクラック１１０Ａが達していない部分では、該塗料が弾かれず、線状のラインを検出できない。よって、図３（ｂ）に示すように、クラック１１０Ａを示す線状のラインが連続して現れず、断続的に塗料が弾かれている場合は、クラック１１０Ａの形成が不十分であることが確認される。
上記したように、クラック１１０Ａの形成が不十分である場合は、上記したレーザー加工条件におけるレーザーパワー（平均出力）を調整する。本実施形態では、例えば、上記したレーザー加工条件において１．１Ｗに設定された平均出力を、１．２Ｗに調整し、改めて、上記したクラック形成工程を実施し、第二の面１０Ａｂに対して塗料を塗布して再度クラック検出工程を実施する。レーザー光線ＬＢを照射した領域全域に渡りクラック１１０Ａが第二の面１０Ａｂに良好に達した場合は、図３（ｃ）に示すように、塗料を塗布した領域Ｐに、線状のラインが切れることなく、連続的に形成され、レーザー加工条件が適正であることが確認され、このレーザー加工条件に基づいて、以下の如く、板状の被加工物（ウエーハ）を加工する。
上記したクラック検出方法を実施し、レーザー加工条件を決定したならば、以下の如く、レーザー加工装置を使用して、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法を実施する。
本実施形態のウエーハの加工方法によって加工が施される被加工物は、例えば、図４に示すような、ウエーハ１０である。このウエーハ１０は、上記したクラック検出方法を実施した際に使用した板状の被加工物１０Ａと同一の材質（シリコン（Ｓｉ））であって、同一の寸法（直径が３００ｍｍ、厚みが７８０μｍ）からなるウエーハである。ウエーハ１０は、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されている。
上記したウエーハ１０を用意したならば、図４に示すように、ウエーハ１０と同一の外径寸法で形成され表面に粘着層が形成された保護部材、例えば、ＰＶＣ、ＰＥＴ等からなる保護テープ１６を、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着して一体とする。なお、保護テープ１６は、上記した表面に粘着層が形成された保護部材に限定されず、粘着層を有さない、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル等からなる熱圧着シートを採用することもできる。
次いで、上記したウエーハ１０を、図５に示すレーザー加工装置２０（一部のみ示す）に搬送し、改質層形成工程を実施する。なお、レーザー加工装置２０は、先に説明したクラック検出方法を実施したレーザー加工装置２０と同一のレーザー加工装置である。
本実施形態の改質層形成工程を実施するに際し、図５（ａ）に示すように、レーザー加工装置２０に配設されたチャックテーブル２２に、ウエーハ１０の裏面１０ｂを上方に、保護テープ１６側を下方に向け載置して、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル２２にウエーハ１０を吸引保持する。次いで、赤外線を使用することにより表面１０ａ側に形成された分割予定ライン１４を検出する適宜のアライメント工程を実施した後、チャックテーブル２２に保持されたウエーハ１０をレーザー光線照射手段２４の集光器２４ａの直下に位置付ける。そして、集光器２４ａから照射されるレーザー光線ＬＢの照射位置にウエーハ１０の所定の分割予定ライン１４の加工開始位置を位置付け、レーザー光線ＬＢの集光点の位置を、図５（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の分割予定ライン１４の内部、裏面１０ｂから７００μｍの深さ位置に位置付ける。なお、該集光点の位置は、クラック検出方法で実施したクラック形成工程における集光点の位置と同一の位置である。
次いで、チャックテーブル２２を、図５（ａ）に示すＸ軸方向に移動させながら、レーザー光線照射手段２４を作動してレーザー光線ＬＢを照射して、分割予定ライン１４の内部に改質層１００を形成する。
なお、上記したレーザー加工を実施する際のレーザー加工条件は、以下のとおりである。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．２Ｗ
加工送り速度 ：７００ｍｍ／秒
上記したように、このレーザー加工条件は、上記したクラック検出方法によって、ウエーハの内部に改質層を形成することでクラックが良好に形成されることが確認されている条件であることから、ウエーハ１０の内部に改質層１００を形成することで、改質層１００から延びるクラック１１０が、ウエーハ１０の表面１０ａの分割予定ライン１４上に達するように形成される。
所定の分割予定ライン１４に対して改質層１００、及びクラック１１０を形成したならば、チャックテーブル２２を図５（ａ）において矢印Ｙで示すＹ軸方向に移動（割出送り）し、レーザー光線ＬＢの照射位置を、該所定の分割予定ライン１４に隣接する未加工の分割予定ライン１４に位置付け、上記と同様にしてレーザー光線ＬＢを照射して、該分割予定ライン１４に沿った内部の位置に改質層１００、及びクラック１１０を形成する。そして、所定の分割予定ライン１４と平行なすべての分割予定ライン１４に沿って同様のレーザー加工を実施し、各分割予定ライン１４の内部に改質層１００、及びクラック１１０を形成する。さらに、チャックテーブル２２と共にウエーハ１０を９０度回転させて、上記した所定の分割予定ライン１４と直交する方向の全ての分割予定ライン１４に沿った内部に対しても同様のレーザー加工を実施して、改質層１００及びクラック１１０を形成する（図６（ａ）を参照）。以上により、改質層形成工程が完了する。なお、図に示すウエーハ１０には、説明の都合上、改質層１００、及びクラック１１０を破線で示しているが、実際には、ウエーハ１０の裏面１０ｂから改質層１００、及びクラック１１０を目視により確認することはできない。
上記のように改質層形成工程を実施したならば、レーザー加工装置２０のチャックテーブル２２からウエーハ１０を搬出し、図６（ａ）に示す研削装置３０（一部のみ示す）に搬送して、裏面１０ｂを上方に、保護テープ１６側を下方に向けて、研削装置３０のチャックテーブル３２の保持面３２ａに載置して吸引保持し、図６（ｂ）に示すように、チャックテーブル３２を研削手段３４の下方に位置付ける。研削手段３４は、電動モータによって駆動される回転軸３４ａと、回転軸３４ａの下端に配設される研削ホイール３４ｂと、研削ホイール３４ｂの下面に環状に配設された複数の研削砥石３４ｃとを備えている。
チャックテーブル３２を研削手段３４の下方に位置付けたならば、チャックテーブル３２を図示しない回転駆動手段を作動して、矢印Ｒ１で示す方向に所定の回転速度（例えば３００ｒｐｍ）で回転させると共に、研削手段３４の回転軸３４ａを矢印Ｒ２で示す方向に所定の回転速度（例えば６０００ｒｐｍ）で回転させる。次いで、図示しない昇降手段を作動して研削手段３４を矢印Ｒ３で示す方向に下降させて、ウエーハ１０の裏面１０ｂに研削水を供給しながら、研削砥石３４ｃをウエーハ１０の裏面１０ｂに当接させ、所定の下降速度（例えば１．０μｍ／秒）でウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して薄化する。そして、図６（ｂ）に示すように、該研削加工によって薄化されることによって、上記した改質層１００が形成された分割予定ライン１４に沿ってウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割される。以上により分割工程が完了する。
本実施形態においては、レーザー加工装置２０、研削装置３０を使用してウエーハ１０を個々のデバイスチップ１２’に分割する加工を実施する前に、上記したようにクラック形成工程、及びクラック検出工程からなるクラック検出方法を実施していることから、顕微鏡等を用いることなくクラックが適正に形成されているか否かを容易に確認することができ、クラックが適正に形成されるようにレーザー加工条件が速やかに調整され、生産性が悪いという問題が解消する。
上記したように分割工程を実施したならば、必要に応じて、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着された保護テープ１６を剥離し、裏面１０ｂ側を粘着テープＴによって保持すべくテープ張替え工程を実施してもよい。テープ張替え工程を実施する際には、図７に示すように、ウエーハ１０を収容可能な開口部を有する環状のフレームＦを用意し、フレームＦの開口部に保護テープ１６が貼着された側を上方にしてウエーハ１０を位置付け、粘着テープＴを介してフレームＦに保持させる。ウエーハ１０の裏面１０ｂを粘着テープＴに貼着してフレームＦに保持させたならば、ウエーハ１０の表面１０ａから保護テープ１６を剥離する。フレームＦに保持され保護テープ１６が剥離されたウエーハ１０は、図示を省略する収容容器（例えばカセット）に収容されるか、又は、そのまま次工程（例えばピックアップ工程等）に送られる。
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１０Ａ：被加工物（ダミーウエーハ）
１０Ａａ：第一の面
１０Ａｂ：第二の面
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
１６：保護テープ
２０：レーザー加工装置
２２：チャックテーブル
２４：レーザー光線照射手段
２４ａ：集光器
３０：研削装置
３２：チャックテーブル
３４：研削手段
３４ｂ：研削ホイール
３４ｃ：研削砥石
１００、１００Ａ：改質層
１１０、１１０Ａ：クラック
Ｍ：マーカーペン
ＬＢ：レーザー光線

Claims (2)

  1. クラック検出方法であって、
    第一の面と、該第一の面に対して反対側の第二の面を備えた板状の被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第一の面から内部に位置付けて線状に照射し、該被加工物の内部に改質層を形成すると共に、該改質層から該第二の面側に延びるクラックを形成するクラック形成工程と、
    該第二の面に塗料を塗布する塗料塗布工程と、
    該塗料が線状に弾かれている場所を探査してクラックを検出するクラック検出工程と、
    を含み構成されるクラック検出方法。
  2. 該塗料塗布工程において、油性マーカーが用いられる請求項１に記載のクラック検出方法。
JP2020032994A 2020-02-28 2020-02-28 クラック検出方法 Active JP7370902B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020032994A JP7370902B2 (ja) 2020-02-28 2020-02-28 クラック検出方法
KR1020210009605A KR102918172B1 (ko) 2020-02-28 2021-01-22 크랙 검출 방법
US17/173,419 US11519865B2 (en) 2020-02-28 2021-02-11 Crack detection method
SG10202101533WA SG10202101533WA (en) 2020-02-28 2021-02-16 Crack detection method
MYPI2021000867A MY203197A (en) 2020-02-28 2021-02-17 Crack detection method
TW110105668A TWI868317B (zh) 2020-02-28 2021-02-19 裂紋檢測方法
CN202110205586.5A CN113325000B (zh) 2020-02-28 2021-02-24 裂纹检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020032994A JP7370902B2 (ja) 2020-02-28 2020-02-28 クラック検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021133328A JP2021133328A (ja) 2021-09-13
JP7370902B2 true JP7370902B2 (ja) 2023-10-30

Family

ID=77414379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020032994A Active JP7370902B2 (ja) 2020-02-28 2020-02-28 クラック検出方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11519865B2 (ja)
JP (1) JP7370902B2 (ja)
KR (1) KR102918172B1 (ja)
CN (1) CN113325000B (ja)
MY (1) MY203197A (ja)
SG (1) SG10202101533WA (ja)
TW (1) TWI868317B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023130157A (ja) * 2022-03-07 2023-09-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017216413A (ja) 2016-06-02 2017-12-07 株式会社ディスコ 漏れ光検出方法
JP2019197756A (ja) 2018-05-07 2019-11-14 株式会社ディスコ チップの製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2636127A (en) * 1949-03-14 1953-04-21 Magnaflux Corp Method of detecting cracks in porous surfaces
DE2804829C2 (de) * 1978-02-04 1980-03-27 Zahnradfabrik Friedrichshafen Ag, 7990 Friedrichshafen Verfahren zur Ermittlung von bis zur Oberfläche von Werkstücken reichenden Fehlstellen
JP3679594B2 (ja) * 1998-01-30 2005-08-03 キヤノン株式会社 クラック検査方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
EP3252806B1 (en) 2002-03-12 2019-10-09 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JP2006150385A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Canon Inc レーザ割断方法
US8059008B2 (en) * 2006-01-26 2011-11-15 National Research Council Of Canada Surface-mounted crack detection
DE102006033217A1 (de) * 2006-07-14 2008-01-17 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zur Erzeugung optisch wahrnehmbarer laserinduzierter Risse in sprödes Material
CN101969957A (zh) * 2007-11-13 2011-02-09 梅里蒂奇制药公司 用于治疗胃肠道炎症的组合物
CN101403707B (zh) * 2008-11-18 2011-01-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用分子着色剂检测玻璃微裂纹的方法
JP5940783B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-29 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
CN104011836B (zh) * 2011-12-26 2017-07-25 三井—杜邦聚合化学株式会社 激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法
CN103409758B (zh) * 2013-07-12 2015-09-30 江苏大学 泵类壳体及叶片微细裂纹激光强化延寿方法
JP6232230B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6428112B2 (ja) 2014-09-30 2018-11-28 三星ダイヤモンド工業株式会社 パターニング基板のブレイク装置
JP6347714B2 (ja) * 2014-10-02 2018-06-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6608713B2 (ja) * 2016-01-19 2019-11-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7256604B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-12 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
JP2020061398A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN109738548A (zh) 2019-02-20 2019-05-10 云南中烟工业有限责任公司 一种加热不燃烧卷烟中薄荷醇异构体逐口转移率测定方法
CN109738458A (zh) * 2019-03-05 2019-05-10 北京大学东莞光电研究院 一种表面微裂纹检测方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017216413A (ja) 2016-06-02 2017-12-07 株式会社ディスコ 漏れ光検出方法
JP2019197756A (ja) 2018-05-07 2019-11-14 株式会社ディスコ チップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG10202101533WA (en) 2021-09-29
JP2021133328A (ja) 2021-09-13
KR20210110180A (ko) 2021-09-07
MY203197A (en) 2024-06-13
TW202133243A (zh) 2021-09-01
US20210270749A1 (en) 2021-09-02
CN113325000A (zh) 2021-08-31
US11519865B2 (en) 2022-12-06
KR102918172B1 (ko) 2026-01-26
CN113325000B (zh) 2025-04-04
TWI868317B (zh) 2025-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4398686B2 (ja) ウエーハの加工方法
US9685377B2 (en) Wafer processing method
KR102519860B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2017092125A (ja) ウエーハの加工方法
CN107093578A (zh) 晶片的加工方法
CN106252198A (zh) 晶片的加工方法
JP6034219B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2016213318A (ja) ウエーハの加工方法
KR20170049397A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2017103406A (ja) ウエーハの加工方法
US11430696B2 (en) Wafer processing method
CN108015650A (zh) 晶片的加工方法
CN100428418C (zh) 晶片的分割方法
JP2016119370A (ja) ウエーハの加工方法
CN115570461A (zh) 层叠晶片的加工方法
JP7370902B2 (ja) クラック検出方法
JP2018067646A (ja) ウエーハの加工方法
JP7486973B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7358193B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7473414B2 (ja) ウエーハの加工方法
US11651989B2 (en) Wafer transferring method
JP2025070455A (ja) ウエーハの分割方法
JP2023038724A (ja) ウエーハの移し替え方法
JP2022061870A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221216

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20230824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7370902

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150