JP2017092125A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削溝を形成する際に、切削ブレードの破壊力が機能層に形成されたデバイスに至らないように、機能層に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射しレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って除去する(機能層除去工程)。
(2)ウエーハの表面側から分割予定ラインに形成されたレーザー加工溝に沿ってレーザー加工溝の幅より狭い幅の第1の切削ブレードによってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する(切削溝形成工程)。
(3)ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する(モールディング工程)。
(4)ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を露出させる(裏面研削工程)。
(5)ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの第2の切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP)に分割する(分割工程)。
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該溝を表出させ該溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該溝の幅より薄い厚みを有する切削ブレードで該溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該溝に沿って切削することによりウエーハをモールド樹脂で囲繞した外周を有する個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている上記保護部材を剥離するウエーハ支持工程を実施し、その後上記分割工程を実施する。
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面側から該溝の幅より薄い厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂および該溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該溝に沿って切削してデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該溝に埋設されたモールド樹脂および該切削溝をウエーハの裏面に露出させることによりウエーハをモールド樹脂で囲繞した外周を有する個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
先ず、上述した図2に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を構成する基板20の裏面2bを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31に保持された半導体ウエーハ2は、機能層21の表面21aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
レーザー光線の波長 :355nm
パルス幅 :5ns
繰り返し周波数 :40kHz
出力 :4W
集光スポット径 :φ20μm
加工送り速度 :200mm/秒
このように溝形成工程は、分割予定ライン22に沿ってレーザー光線を照射することによりデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ(100μm)のレーザー加工溝250を形成するので、幅が80μmの分割予定ライン22に沿って幅が60μmのレーザー加工溝250を形成することが可能となる。従って、本発明による溝形成工程においては、従来の加工方法のように幅が80μmの分割予定ライン22に沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより機能層を分割予定ラインに沿って除去した後に、レーザー加工溝に沿ってレーザー加工溝の幅より狭い幅(40μm)の第1の切削ブレードによってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さに形成する切削溝の幅(40μm)より20μm広いレーザー加工溝250を形成することができる。
なお、上記モールディング工程においてバンプ24を被覆しないで半導体ウエーハ2を構成する機能層21の表面21aにモールド樹脂40を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。
この分割工程は、上述したように従来の加工方法によって分割予定ライン22に沿って形成される切削溝の幅(40μm)より20μm広い60μmの幅を有するレーザー加工溝250に埋設されたモールド樹脂40の幅方向中央を切削ブレード823によってレーザー加工溝250に沿って切削するため、幅が20μm以上に制限される切削ブレードを用いても切削ブレードの側面とデバイスの側面との間にはそれぞれ幅が20μm程度のモールド樹脂が存在するので、デバイスの側面に傷を付けることはない。
なお、上述した実施形態においては上記分割工程が実施された半導体ウエーハ2に上記ウエーハ支持工程を実施した例を示したが、上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ2にウエーハ支持工程を実施し、その後ダイシングテープTの表面に貼着された半導体ウエーハ2の表面からレーザー加工溝250に埋設されたモールド樹脂40の幅方向中央を切断してウエーハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP)を形成してもよい。
次に、半導体ウエーハ2の表面側から上記レーザー加工溝250の幅より薄い厚みを有する切削ブレードによってレーザー加工溝250の表面に敷設されたモールド樹脂およびレーザー加工溝250に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部をレーザー加工溝250に沿って切削してデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、上記図8に示す切削装置8を用いて実施することができる。
20:基板
21:機能層
22:分割予定ライン
23:デバイス
24:バンプ
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:樹脂被覆装置
40:モールド樹脂
5:研磨装置
51:研磨装置のチャックテーブル
52:研磨手段
524:研磨工具
6:保護テープ
7:研削装置
71:研削装置のチャックテーブル
72:研削手段
76:研削ホイール
8:切削装置
81:切削装置のチャックテーブル
82:切削手段
823:切削ブレード
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (5)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該溝を表出させ該溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該溝の幅より薄い厚みを有する切削ブレードで該溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を該溝に沿って切削することによりウエーハをモールド樹脂で囲繞した外周を有する個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該分割工程は、ウエーハの裏面側から該溝に沿って露出したモールド樹脂の幅方向中央部を溝に沿って切削する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている該保護部材を剥離するウエーハ支持工程を実施し、その後該分割工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該モールディング工程が実施されたウエーハの表面側から該溝の幅より薄い厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂および該溝に埋設されたモールド樹脂の幅方向中央部を該溝に沿って切削してデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該溝に埋設されたモールド樹脂および該切削溝をウエーハの裏面に露出させることによりウエーハをモールド樹脂で囲繞した外周を有する個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープの表面に貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている該保護部材を剥離するウエーハ支持工程を実施する、請求項4記載のウエーハの加工方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190028321A (ko) * | 2017-09-08 | 2019-03-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2021002625A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6738687B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | パッケージウエーハの加工方法 |
JP2018125479A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7013085B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2022-01-31 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6918419B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2021-08-11 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
TWI797154B (zh) * | 2018-01-31 | 2023-04-01 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 膜剝離機構及基板裂斷系統 |
JP7463037B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2024-04-08 | 株式会社ディスコ | 検査用基板及び検査方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000040711A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP2001284497A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体チップ及びその製造方法 |
JP2005086074A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの移し替え方法 |
JP2010021330A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2010062465A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011124266A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014183097A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10202881B4 (de) | 2002-01-25 | 2007-09-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips mit einer Chipkantenschutzschicht, insondere für Wafer Level Packaging Chips |
JP4100936B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-06-11 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6908784B1 (en) | 2002-03-06 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating encapsulated semiconductor components |
JP4607531B2 (ja) | 2004-09-29 | 2011-01-05 | カシオマイクロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8845854B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-09-30 | Applied Materials, Inc. | Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing |
US9318386B2 (en) * | 2013-07-17 | 2016-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer alignment methods in die sawing process |
WO2015081141A1 (en) | 2013-11-26 | 2015-06-04 | Diodes Incorporation | A chip scale package |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000040711A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP2001284497A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及び半導体チップ及びその製造方法 |
JP2005086074A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの移し替え方法 |
JP2010021330A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2010062465A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011124266A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014183097A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190028321A (ko) * | 2017-09-08 | 2019-03-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102631711B1 (ko) | 2017-09-08 | 2024-01-30 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2021002625A (ja) * | 2019-06-24 | 2021-01-07 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスチップの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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