JP4607531B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
従って、第1の発明は以上のような手段を講じたことにより、第1及び第2の樹脂部により完全に基板を樹脂封止した構成により、ウェハレベルCSPにおいて、光による誤動作を防止でき、遮光されない実装形態にも、用途を拡張することができる。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。この半導体装置20は、最終的にICを個片化したときにIC全体が樹脂封止されている状態を示している。
第1及び第2の樹脂28a,28bは、一体となって封止樹脂部28を構成しており、ここでは互いに同一材料のエポキシ系樹脂が使用されている。
図5は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図であり、図1と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、ここでは異なる部分について主に述べる。以下の各実施形態も同様にして重複した説明を省略する。
図9は本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の外観を模式的に示す斜視図である。
図11は本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の外観を模式的に示す斜視図である。
Claims (5)
- 半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハをチップ状の複数の基板に分割するための第1の溝を、当該半導体ウェハの一方の面に形成する工程と、
前記第1の溝を樹脂で埋め込むと共に、前記半導体ウェハの一方の面を樹脂で覆う工程と、
前記半導体ウェハの他方の面上で各基板に対応する位置毎に、最も上側には前記基板とは反対方向に突出した複数のポスト配線部を有する配線構造を形成する工程と、
前記第1の溝に対向する第2の溝を、前記半導体ウェハの他方の面から当該第1の溝内の樹脂に達する深さまで形成する工程と、
前記第2の溝を樹脂で埋め込むと共に、前記半導体ウェハの他方の面を前記配線構造を含めて樹脂で覆う工程と、
前記配線構造を覆う樹脂を研磨し、前記各ポスト配線部の先端面を露出させる工程と、
露出した各ポスト配線層の先端面に複数の外部端子を個別に形成する工程と、
前記第1及び第2の溝に埋め込まれた樹脂を切断し、当該樹脂に封止された各基板を互いに分離する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハをチップ状の複数の基板に分割するための第1の溝を、当該半導体ウェハの一方の面に形成する工程と、
前記第1の溝を樹脂で埋め込むと共に、前記半導体ウェハの一方の面を樹脂で覆う工程と、
前記半導体ウエハの一方の面を覆う樹脂を研磨し、平坦化する工程と、
前記半導体ウェハの他方の面上で各基板に対応する位置毎に、最も上側には前記基板とは反対方向に突出した複数のポスト配線部を有する配線構造を形成する工程と、
前記第1の溝に対向する第2の溝を、前記半導体ウェハの他方の面から当該第1の溝内の樹脂に達する深さまで形成する工程と、
前記第2の溝を樹脂で埋め込むと共に、前記半導体ウェハの他方の面を前記配線構造を含めて樹脂で覆う工程と、
前記配線構造を覆う樹脂を研磨し、前記各ポスト配線部の先端面を露出させる工程と、
露出した各ポスト配線層の先端面に複数の外部端子を個別に形成する工程と、
前記第1及び第2の溝に埋め込まれた樹脂を切断し、当該樹脂に封止された各基板を互いに分離する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - チップ状の複数の基板に分割される半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハの一方の面を樹脂で覆う工程と、
前記半導体ウエハの一方の面を覆う樹脂を研磨し、平坦化する工程と、
前記半導体ウェハの他方の面上で各基板に対応する位置毎に、最も上側には前記基板とは反対方向に突出した複数のポスト配線部を有する配線構造を形成する工程と、
前記半導体ウェハを複数の基板に分割するための溝を、当該半導体ウェハの他方の面から前記一方の面の樹脂に達する深さまで形成する工程と、
前記溝を樹脂で埋め込むと共に、前記半導体ウェハの他方の面を前記配線構造を含めて樹脂で覆う工程と、
前記配線構造を覆う樹脂を研磨し、前記各ポスト配線部の先端面を露出させる工程と、
露出した各ポスト配線層の先端面に複数の外部端子を個別に形成する工程と、
前記溝に埋め込まれた樹脂を切断し、当該樹脂に封止された各基板を互いに分離する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の外部端子を個別に形成する工程後に実行され、前記各基板毎に前記半導体ウエハの一方の面を覆う樹脂の表面にレーザマークを形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記レーザマークに代えて、インクマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004284198A JP4607531B2 (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004284198A JP4607531B2 (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006100535A JP2006100535A (ja) | 2006-04-13 |
JP4607531B2 true JP4607531B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=36240056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004284198A Expired - Fee Related JP4607531B2 (ja) | 2004-09-29 | 2004-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4607531B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7939916B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-05-10 | Analog Devices, Inc. | Wafer level CSP packaging concept |
JP2008277639A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI364793B (en) * | 2007-05-08 | 2012-05-21 | Mutual Pak Technology Co Ltd | Package structure for integrated circuit device and method of the same |
US8587124B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-11-19 | Teramikros, Inc. | Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same |
JP2009099838A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4666028B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-04-06 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置 |
JP5081037B2 (ja) | 2008-03-31 | 2012-11-21 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP5557439B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-07-23 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5475363B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-04-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5563917B2 (ja) | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置及びその製造方法 |
JP2017005056A (ja) | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017054888A (ja) | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2017092125A (ja) | 2015-11-05 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6608694B2 (ja) | 2015-12-25 | 2019-11-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6598723B2 (ja) | 2016-04-06 | 2019-10-30 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの製造方法 |
JP6636377B2 (ja) | 2016-04-08 | 2020-01-29 | 株式会社ディスコ | パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法 |
CN107464788A (zh) * | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 一种晶圆级芯片尺寸封装结构及其制备方法 |
US10242926B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-03-26 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Wafer level chip scale package structure and manufacturing method thereof |
JP6764327B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2020-09-30 | 株式会社ディスコ | ワークの加工方法 |
CN112189251B (zh) * | 2018-05-28 | 2023-12-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335543A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 樹脂封止型パッケージ |
JP2001168231A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002100709A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2004
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10335543A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 樹脂封止型パッケージ |
JP2001168231A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002100709A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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---|---|
JP2006100535A (ja) | 2006-04-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313803 |
|
RD99 | Written request for registration of restore |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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