JP6491055B2

JP6491055B2 - ウエーハの加工方法

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Publication number: JP6491055B2
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Inventors: シンル; 敦吉片山; 隆博石井
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Filing date: 2015-06-30
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Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法に関する。

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。

近年、ウエーハを個々のデバイスに分割するとともに、個々のデバイスを樹脂で被覆するパッケージ技術が開発されている。このパッケージ技術の一つであるウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）と呼ばれるパッケージ技術が下記特許文献１に開示されている。

下記特許文献１に開示されたパッケージ技術は、ウエーハの裏面に樹脂を被覆し、ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って樹脂に達する切削溝を形成し、ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設して各デバイスを被覆するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設した後、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に充填されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。

また、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を製造するウエーハの加工方法として次の技術が開発されている。
（１）ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する。
（２）ウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝にモールド樹脂を埋設する。
（３）ウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して切削溝を表出させる。
（４）ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着し、切削溝の幅より薄い厚みの切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断することにより、個々のウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）に分割する。

特開２００６−１００５３５号公報

しかるに、上述したいずれの加工方法においても、切削ブレードによって切削溝に埋設されたモールド樹脂を切断すると、モールド樹脂の抵抗によって切削ブレードの切れ刃が撓み、ウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成するデバイスの側面に傷をつけるという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、品質が良好なウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を得ることができるウエーハの加工方法を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側からウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂および該切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、
該ハーフカット溝形成工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設された残存するモールド樹脂を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。

上記分割工程を実施した後に、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている保護部材を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。

本発明におけるウエーハの加工方法は、第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側からウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂および該切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、該ハーフカット溝形成工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設された残存するモールド樹脂を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程とを含んでいるので、ハーフカット溝形成工程および分割工程において切削溝に埋設されたモールド樹脂を切削ブレードによって切削する深さはモールド樹脂の厚みの略半分であるため、モールド樹脂を一度に完全に切断する場合と比較して切削ブレードに作用するモールド樹脂の抵抗が半分になり、切削ブレードの切れ刃に撓みが生ずることがなく、切削ブレードの切れ刃が撓むことによりデバイスの側面に傷を付けるという問題が解消する。

本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。本発明によるウエーハの加工方法における切削溝形成工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法におけるモールディング工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法におけるバンプ露出工程を示す説明図。本発明によるウエーハの加工方法におけるハーフカット溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。本発明によるウエーハの加工方法におけるハーフカット溝形成工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法における保護部材貼着工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法におけるサポート部材貼着工程の説明図。本発明によるウエーハの加工方法によって個々に分割されたデバイスの斜視図。

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。この各デバイス２２は、全て同一の構成をしている。デバイス２２の表面にはそれぞれ複数の突起電極であるバンプ２３が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに個々のデバイスを樹脂で被覆するウエーハの加工方法について説明する。

先ず、第１の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の表面側から分割予定ライン２１に沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図示の実施形態においては図２に示す切削装置３を用いて実施する。図２に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図２において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に支持された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された環状の切れ刃３２３ａを備えた切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印３２２ａで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａは、図示の実施形態においては第１の厚みである５０μmに設定されている。上記撮像手段３３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述した切削装置３を用いて切削溝形成工程を実施するには、図２に示すようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１の一端（図３の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Z１で示すように下方に切り込み送りし、図３の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図３の（ａ）および図３の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａの下端が半導体ウエーハ２の表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ位置（例えば、２００μｍ）に設定されている。

次に、切削ブレード３２３を図３の（ａ）において矢印３２２aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図３の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３aの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図３の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って表面からデバイスの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、２００μｍ）で幅が５０μmの切削溝２１０が形成される（切削溝形成工程）。

次に、切削ブレード３２３を図３の（ｂ）において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図３の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図３の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削溝形成工程を実施する。そして、上述した切削溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。

上述した切削溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面にモールド樹脂を敷設するとともに切削溝２１０にモールド樹脂を埋設するモールディング工程を実施する。このモールディング工程は、図４の（ａ）に示すように樹脂被覆装置４の保持テーブル４１の上面である保持面上に上記切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テーブル４１の保持面上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、保持テーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、保持テーブル４１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図４の（ａ）に示すように樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中心部に位置付け、図示しない樹脂供給手段を作動して、樹脂供給ノズル４２の噴出口４２１からモールド樹脂４０を保持テーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２の中央領域に所定量滴下する。半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域へ所定量のモールド樹脂４０を滴下したならば、図４の（ｂ）に示すように保持テーブル４１を矢印４１aで示す方向に所定の回転速度で所定時間回転することにより、図４の（ｂ）および（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０が敷設されるとともに切削溝２１０にモールド樹脂４０が埋設される。なお、モールド樹脂４０は、図示の実施形態においては熱硬化性の液状樹脂(エポキシ系の樹脂)が用いられており、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されるとともに切削溝２１０に埋設された後、１５０℃程度で加熱することにより硬化せしめられる。

次に、半導体ウエーハ２の表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０を研磨して、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３を露出するバンプ露出工程を実施する。このバンプ露出工程は、図５の（ａ）に示す研磨装置５を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研磨装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研磨する研磨手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に回転せしめられる。研磨手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研磨工具５２４とを具備している。この研磨工具５２４は、円形状の基台５２５と、該基台５２５の下面に装着された研磨パッド５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。なお、研磨パッド５２６は、図示の実施形態においては、フェルトに研磨材としてシリカからなる砥粒が混入されている。

上述した研磨装置５を用いて上記バンプ露出工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記モールディング工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、研磨手段５２の研磨工具５２４を図５の（ａ）において矢印５２４ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめて、図５の（ｂ）に示すように研磨パッド５２６を被加工面である表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０の上面に接触せしめ、研磨工具５２４を図５の（ａ）および図５の（ｂ）において矢印５２４ｂで示すように所定の研磨送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研磨送りする。この結果、図５の（ｃ）に示すように表面２ａに敷設されたモールド樹脂４０が研磨され、デバイス２２の表面に形成されたバンプ２３が露出せしめられる。
なお、上記モールディング工程においてバンプ２３を被覆しないで半導体ウエーハ２の表面２ａにモールド樹脂４０を敷設した場合には、上述したバンプ露出工程は必ずしも必要ではない。

上述したモールディング工程を実施したならば、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の表面側から半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程を実施する。このハーフカット溝形成工程は、図示の実施形態においては図６に示す切削装置３０を用いて実施する。なお、図６に示す切削装置３０は、上記図２に示す切削装置３と切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ａ以外は同一の構成であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。図６に示す切削装置３０における切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂは、上記環状の切れ刃３２３ａの第１の厚み（５０μm）より薄い第２の厚みである２０μmに設定されている。

図６に示す切削装置３０を用いてハーフカット溝形成工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を切削してハーフカット溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。なお、図示の実施形態においては切削溝２１０が形成された半導体ウエーハ２の表面にはモールド樹脂４０が敷設されているので、撮像手段３３は分割予定ライン２１を挟んで隣接するデバイス２２に形成されモールド樹脂４０の表面から露出されているバンプ２３を撮像して図示しない制御手段に送る。そして、図示しない制御手段は、隣接するデバイス２２に形成されバンプ２３とバンプ２３の中間位置を分割予定ライン２１に形成された切削溝２１０の幅方向中間位置と決定する。このようにして、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０に対するアライメントを遂行したならば、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図７の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の一端（図７の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。

このようにして切削装置３のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図７の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図７の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図７の（ａ）および図７の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３bの下端が切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の厚み方向中間位置に設定されている。

次に、切削ブレード３２３を図７の（ａ）において矢印３２２aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の他端（図７の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３bの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図７の（ｄ）で示すように半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０は略半分の深さで切削され幅が２０μmのハーフカット溝４０１が形成される（ハーフカット溝形成工程）。このハーフカット溝形成工程においては、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の厚みの略半分の深さで切削するので、モールド樹脂４０を完全に切断する場合と比較して切削ブレード３２３に作用するモールド樹脂４０の抵抗が半分になり、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂに撓みが生ずることがなく、環状の切れ刃３２３ｂが撓むことによりデバイスの側面に傷を付けるという問題が解消する。

次に、切削ブレード３２３を図７の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図７の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図７の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にモールド樹脂４０が埋設された切削溝２１０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述したハーフカット溝形成工程を実施する。そして、上述したハーフカット溝形成工程を半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０および切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に実施する。

上述したハーフカット溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図８に示すように半導体ウエーハ２の表面２aに敷設されたモールド樹脂４０の表面に保護部材としての保護テープ６を貼着する。なお、保護テープ６は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。

次に、保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面を研削して切削溝２１０を表出させ切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図９の（ａ）に示す研削装置７を用いて実施する。図９の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図９の（ａ）において矢印７１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段７２は、スピンドルハウジング７２１と、該スピンドルハウジング７２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル７２２と、該回転スピンドル７２２の下端に装着されたマウンター７２３と、該マウンター７２３の下面に取り付けられた研削ホイール７２４とを具備している。この研削ホイール７２４は、円環状の基台７２５と、該基台７２５の下面に環状に装着された研削砥石７２６とからなっており、基台７２５がマウンター７２３の下面に締結ボルト７２７によって取り付けられている。

上述した研削装置７を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図９の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図９の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図９の（ａ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図９の（ｂ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール７２４を図９の（ａ）および図９の（ｂ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削され、図９の（ｃ）で示すように切削溝２１０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに表出し、切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０が半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出せしめられる。

上述した裏面研削工程を実施したならば、上記第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによって半導体ウエーハ２の裏面側から切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図示の実施形態においては上記図６に示す切削装置３０を用いて実施する。

図６に示す切削装置３０を用いて分割工程を実施するには、チャックテーブル３１上に上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の保護テープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を保護テープ６を介して吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、図１０の（ａ）に示すように裏面２ｂが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段３３(図６参照)の直下に位置付けられる。

チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０と、切削ブレード３２３との位置合わせを行うための画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に形成された切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成された切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０の切削すべき切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１０の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０の一端（図１０の（ａ）において左端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。

このようにして切削装置３のチャックテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード３２３を図１０の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から矢印Ｚ１で示すように下方に切り込み送りし、図１０の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１０の（ｃ）に示すように切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３bの下端がハーフカット溝４０１に達する位置に設定されている。

次に、切削ブレード３２３を図１０の（ａ）において矢印３２２ａで示す方向に所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル３１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０の他端（図１０の（ｂ）において右端）が切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂの直下より所定量左側に位置する位置まで達したら、チャックテーブル３１の移動を停止する。このようにチャックテーブル３１を切削送りすることにより、図１０の（ｄ）で示すように切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０はハーフカット溝４０１に達する幅が２０μmの分割溝４０２によって完全切削される（分割工程）。この分割工程においては、切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０（切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の略半分の厚み）を切削するので、モールド樹脂４０を一度に完全に切断する場合と比較して切削ブレード３２３に作用するモールド樹脂４０の抵抗が半分になり、切削ブレード３２３の環状の切れ刃３２３ｂに撓みが生ずることがなく、環状の切れ刃３２３ｂが撓むことによりデバイスの側面に傷を付けるという問題が解消する。

次に、切削ブレード３２３を図１０の（ｂ）において矢印Ｚ２で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル３１を図１０の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１０の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル３１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０の間隔（分割予定ライン２１の間隔）に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０を切削ブレード３２３と対応する位置に位置付けたならば、上述した分割工程を実施する。そして、上述した分割工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての切削溝２１０に埋設された残存するモールド樹脂４０に実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、分割予定ライン２１によって形成された切削溝２１０に埋設されたモールド樹脂４０に沿って個々のデバイスに分割される。

上述した分割工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面にサポート部材を貼着するとともに半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護部材としての保護テープ６を剥離するサポート部材貼着工程を実施する。即ち、図１１に示すように、環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着されたサポート部材としてのダイシングテープＴの表面に上述した分割工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に敷設されたモールド樹脂４０の表面に貼着されている保護テープ６を剥離する。従って、ダイシングテープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に敷設されたモールド樹脂４０が上側となる。このようにして、サポート部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ２は、次工程であるピックアップ工程に搬送され、個々のデバイス毎にピックアップされる。このようにしてピックアップされたデバイス２２は、図１２に示すように表面および側面がモールド樹脂４０によって被覆されたウエーハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）を構成している。

２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
３，３０：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
４：樹脂被覆装置
４０：モールド樹脂
５：研磨装置
５１：研磨装置のチャックテーブル
５２：研磨手段
５２４：研磨工具
６：保護テープ
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
７２４：研削ホイール
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ

Claims

表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に表面にバンプを備えたデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
第１の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側から分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの表面にモールド樹脂を敷設するとともに該切削溝にモールド樹脂を埋設するモールディング工程と、
該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの表面側からウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂および該切削溝に埋設されたモールド樹脂を略半分の深さで切削してハーフカット溝を形成するハーフカット溝形成工程と、
該ハーフカット溝形成工程が実施されたウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材貼着工程が実施されたウエーハの裏面を研削して該切削溝を表出させ該切削溝に埋設されたモールド樹脂をウエーハの裏面に露出させる裏面研削工程と、
該第１の厚みより薄い第２の厚みを有する切削ブレードによってウエーハの裏面側から該切削溝に埋設された残存するモールド樹脂を完全に切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
該分割工程を実施した後に、ウエーハの裏面にサポート部材を貼着するとともにウエーハの表面に敷設されたモールド樹脂の表面に貼着されている該保護部材を剥離するサポート部材貼着工程を実施する、請求項１記載のウエーハの加工方法。