JP2019220632A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本加工方法では、まず、ウェーハ1を保持テーブル101によって保持する。図3に示すように、保持テーブル101により、ウェーハ1の裏面2bを保持する。これにより、ウェーハ1の表面2aが露出する。このとき、たとえば、保持テーブル101に載置されたウェーハ1の裏面2b側を、図示しない吸引源によって吸引することにより、保持テーブル101がウェーハ1を吸引保持する。
保持ステップを実施した後、回転する切削ブレード103を、ウェーハ1の表面2aにおける外周縁7に切り込ませ、保持テーブル101を回転させる。これにより、ウェーハ1の外周縁7の表面2a側を除去(トリミング)する。すなわち、ウェーハ1の表面2aの外周縁7に、エッジトリミングを行う。使用される切削ブレード103は、フラットな刃先を有する。
外周縁除去ステップを実施した後、ウェーハ1の表面2aのデバイス4が形成されたデバイス領域5を、表面保護部材としての表面保護テープ10によって覆う。
表面保護ステップを実施した後、ウェーハ1の裏面2bを研削砥石で研削して、ウェーハ1を所定の厚さへと薄化する。
そして、外周縁除去ステップの後の研削ステップにより、ウェーハ1の裏面2bの外周縁7も研削(除去)されるため、ウェーハ1の全体が、表面2aの形状である楕円形状を有する。このため、ウェーハ1の楕円形状に基づいて、ウェーハ1の結晶方位を判別(識別)することが可能となっている。
5:デバイス領域、6:外周余剰領域、7:外周縁、8:外周切削部、9:ノッチ、
101:保持テーブル、103:切削ブレード
10:表面保護テープ、11:接着層
200:研削装置、搬送・収納部201、202:テーブル部、203:研削部、
213:ロボットアーム部、221:ターンテーブル、222:チャックテーブル、
231:粗研削部、232:仕上げ研削部、
236:粗研削砥石、237:仕上げ研削砥石
Claims (1)
- 格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の該表面を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の該表面の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させるとともに、該切削ブレードを該被加工物の半径方向に揺動させることにより、該被加工物の該外周縁を、切削幅を変化させながら切削する外周縁除去ステップと、
該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の該表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、
該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の該裏面を研削砥石で研削して、該被加工物を所定の厚さへと薄化する研削ステップと、を備え、
該外周縁除去ステップにて該被加工物の該表面の該外周縁を切削幅を変化させながら切削し、該被加工物の該表面が、該被加工物の結晶方位に対応する楕円形状を有するように該外周縁を除去することにより、楕円形状により該被加工物の結晶方位を識別可能とすることを特徴とする被加工物の加工方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111403315A (zh) * | 2020-03-03 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆切边装置和方法 |
KR20220128282A (ko) | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 및 가공 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD969050S1 (en) * | 2020-12-03 | 2022-11-08 | Ralph Preston Kirtland | Vehicle bumper brace |
CN115132568A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 三美电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
CN113510609B (zh) * | 2021-07-12 | 2023-09-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093882A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP2009283677A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
JP2013115187A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10256105A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | レーザマークを付けたウェーハ |
JP2007329391A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構 |
JP2009064801A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ |
JP5352331B2 (ja) * | 2009-04-15 | 2013-11-27 | ダイトエレクトロン株式会社 | ウェーハの面取り加工方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093882A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP2009283677A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
JP2013115187A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111403315A (zh) * | 2020-03-03 | 2020-07-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆切边装置和方法 |
CN111403315B (zh) * | 2020-03-03 | 2022-03-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆切边装置和方法 |
KR20220128282A (ko) | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 및 가공 방법 |
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