JP2019212797A - ウェーハの加工方法及び研削装置 - Google Patents
ウェーハの加工方法及び研削装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019212797A JP2019212797A JP2018108688A JP2018108688A JP2019212797A JP 2019212797 A JP2019212797 A JP 2019212797A JP 2018108688 A JP2018108688 A JP 2018108688A JP 2018108688 A JP2018108688 A JP 2018108688A JP 2019212797 A JP2019212797 A JP 2019212797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- groove
- inspection
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 105
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 206
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/06—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving conveyor belts, a sequence of travelling work-tables or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基いて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。
図3は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップで用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。図4は、図2に示されたウェーハの加工方法の切削ステップを示す側面図である。切削ステップST1は、図3に示す切削装置10を用いる。切削ステップST1は、ウェーハ1の表面2を切削装置10の切削ブレード11で切削し、ウェーハ1の仕上がり厚さ6(図1に示す)を超える深さ7の溝8(図4に示す)を分割予定ライン3に沿って形成するステップである。
図5は、図2に示されたウェーハの加工方法の第1検査ステップの検査対象のウェーハの平面図である。図6は、図2に示されたウェーハの加工方法の第1検査ステップを示す側面図である。図7は、図5中のVII部を撮影して得た画像を示す図である。図8は、図5中のVIII部を撮影して得た画像を示す図である。
第1NGデバイス決定ステップST3は、第1検査ステップST2の検査結果に基づいて、ウェーハ1に形成された複数のデバイスチップ5のうちNG(No Good)デバイスチップを決定するステップである。実施形態1において、NGデバイスチップは、製品上許容することができない欠け100−1を有するデバイスチップ5である。
図9は、図2に示されたウェーハの加工方法の保護部材貼着ステップを示す斜視図である。保護部材貼着ステップST4は、第1検査ステップST2を実施した後、ウェーハ1の表面2に保護部材23を貼着するステップである。実施形態1において、保護部材貼着ステップST4は、図9に示すように、ウェーハ1と同径の保護部材23を表面2側に貼着する。実施形態1では、保護部材23は、合成樹脂からなる基材層24と基材層24に積層されかつウェーハ1の表面2に貼着する粘着層25とを備える。ウェーハの加工方法は、ウェーハ1の表面2に保護部材23を貼着すると、研削ステップST5に進む。次に、本明細書は、研削ステップST5で用いられる実施形態1に係る研削装置を図面に基いて説明する。
図10は、実施形態1に係る研削装置の構成例を示す斜視図である。図10に示す研削装置30は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の研削ステップST5に用いる装置である。研削装置30は、ウェーハ1の裏面9を研削し、ウェーハ1を仕上がり厚さ6まで薄化することで、ウェーハ1を個々のデバイスチップ5に分割する装置である。また、研削装置30は、分割後のデバイスチップ5の裏面9の欠け101(図14及び図15に示す)を検査する装置でもある。
図11は、図2に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップST5は、ウェーハ1の保護部材23側を研削装置30のチャックテーブル35で保持し、ウェーハ1の裏面9を研削して仕上がり厚さ6まで薄化して、ウェーハ1をデバイス4を含むデバイスチップ5に分割するステップである。
図12は、図2に示されたウェーハの加工方法の第2検査ステップの検査対象のウェーハの平面図である。図13は、図2に示されたウェーハの加工方法の第2検査ステップを示す側面図である。図14は、図12中のXIV部を撮影して得た画像を示す図である。図15は、図12中のXV部を撮影して得た画像を示す図である。
第2NGデバイス決定ステップST7は、第2検査ステップST6の検査結果に基づいて、ウェーハ1から個々に分割された複数のデバイスチップ5のうちNG(No Good)デバイスチップを決定するステップである。実施形態1において、NGデバイスチップは、製品上許容することができない欠け101−1を有するデバイスチップ5である。
デバイス選別ステップST8は、第1NGデバイス決定ステップST3の結果と第2NGデバイス決定ステップST7の結果とに基づいて、NGデバイスチップと正規のデバイスチップ5とを選別するステップである。実施形態1において、NGデバイスチップは、製品上許容することができない欠け100−1,101−1を有するデバイスチップ5である。正規のデバイスチップ5は、欠け100,101を有しない、又は欠け100,101が前述した所定距離110,120となる範囲内に形成されたデバイスチップ5である。
本発明の実施形態2に係るウェーハの加工方法を図面に基いて説明する。図16は、実施形態2に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。なお、図16は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
2 表面
3 分割予定ライン
4 デバイス
5 デバイスチップ
6 仕上がり厚さ
7 深さ
8 溝
9 裏面
11 切削ブレード
23 保護部材
30 研削装置
32 第1の研削ユニット(研削ユニット)
33 第2の研削ユニット(研削ユニット)
35 チャックテーブル
43 検査ユニット
45 保持面
46,50 スピンドル
47 粗研削用砥石(研削砥石)
51 仕上げ研削用砥石(研削砥石)
63 カメラ
100,100−1 欠け
101,101−1 欠け
ST1 切削ステップ
ST2 第1検査ステップ
ST4 保護部材貼着ステップ
ST5 研削ステップ
ST6 第2検査ステップ
Claims (3)
- 表面に形成された複数の分割予定ラインと、該分割予定ラインによって区画された表面の領域に形成されたデバイスと、を備えるウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面を切削ブレードで切削し、ウェーハの仕上がり厚さを超える深さの溝を該分割予定ラインに沿って形成する切削ステップと、
該切削ステップで形成された該溝を該ウェーハの表面から撮影し、撮影した該溝の欠けの状態を検査する第1検査ステップと、
該第1検査ステップを実施した後、該ウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該ウェーハの該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面を研削して仕上がり厚さまで薄化して、該ウェーハをデバイスチップに分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、該ウェーハの裏面に表出した該溝を該ウェーハの裏面から撮影し、撮影した該溝に形成された欠けの状態を検査する第2検査ステップと、を備えるウェーハの加工方法。 - 該第1検査ステップ及び第2検査ステップでは、該ウェーハにおける撮影した該溝の位置情報を取得し、検査した該欠けの位置情報を取得する請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 請求項1又は請求項2に記載のウェーハの加工方法に用いる研削装置であって、
被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該保持面と直交する回転軸のスピンドルに研削砥石を装着し該チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ユニットと、該チャックテーブルに保持して研削ユニットで研削した該ウェーハの裏面に表出した該溝を該ウェーハの裏面から撮影するカメラを有し、該カメラで撮影した画像から該溝の欠けの状態を検査し、該溝の検査結果を該溝の該ウェーハにおける位置情報とともに取得する検査ユニットと、を備える研削装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018108688A JP7061021B2 (ja) | 2018-06-06 | 2018-06-06 | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
CN201910456667.5A CN110571147B (zh) | 2018-06-06 | 2019-05-29 | 晶片的加工方法和磨削装置 |
US16/426,108 US10937697B2 (en) | 2018-06-06 | 2019-05-30 | Method of processing a semiconductor wafer that involves cutting to form grooves along the dicing lines and grinding reverse side of the wafer |
KR1020190065813A KR20190138747A (ko) | 2018-06-06 | 2019-06-04 | 웨이퍼의 가공 방법 및 연삭 장치 |
TW108119329A TWI794506B (zh) | 2018-06-06 | 2019-06-04 | 晶圓的加工方法及磨削裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018108688A JP7061021B2 (ja) | 2018-06-06 | 2018-06-06 | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019212797A true JP2019212797A (ja) | 2019-12-12 |
JP7061021B2 JP7061021B2 (ja) | 2022-04-27 |
Family
ID=68763580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018108688A Active JP7061021B2 (ja) | 2018-06-06 | 2018-06-06 | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10937697B2 (ja) |
JP (1) | JP7061021B2 (ja) |
KR (1) | KR20190138747A (ja) |
CN (1) | CN110571147B (ja) |
TW (1) | TWI794506B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022165921A (ja) * | 2021-04-20 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7325515B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
JP7427333B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2024-02-05 | 株式会社ディスコ | エッジアライメント方法 |
US20220357281A1 (en) * | 2021-05-05 | 2022-11-10 | Ontario Die International Inc. | Die inspection method and apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312979A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの切削状況の検出方法 |
JP2003203883A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 顕微鏡及び観察方法 |
JP2008004806A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工結果管理方法 |
JP2015156438A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP2017103387A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 株式会社東京精密 | ウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003007653A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法 |
JP2006173462A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工装置 |
JP6377459B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-08-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハ検査方法、研削研磨装置 |
JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2018
- 2018-06-06 JP JP2018108688A patent/JP7061021B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-29 CN CN201910456667.5A patent/CN110571147B/zh active Active
- 2019-05-30 US US16/426,108 patent/US10937697B2/en active Active
- 2019-06-04 KR KR1020190065813A patent/KR20190138747A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-06-04 TW TW108119329A patent/TWI794506B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312979A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの切削状況の検出方法 |
JP2003203883A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 顕微鏡及び観察方法 |
JP2008004806A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工結果管理方法 |
JP2015156438A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP2017103387A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 株式会社東京精密 | ウェーハ分割方法及びウェーハ分割装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022165921A (ja) * | 2021-04-20 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法 |
JP7354340B2 (ja) | 2021-04-20 | 2023-10-02 | 株式会社ディスコ | 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190378759A1 (en) | 2019-12-12 |
CN110571147B (zh) | 2024-02-20 |
JP7061021B2 (ja) | 2022-04-27 |
CN110571147A (zh) | 2019-12-13 |
US10937697B2 (en) | 2021-03-02 |
TWI794506B (zh) | 2023-03-01 |
KR20190138747A (ko) | 2019-12-16 |
TW202002054A (zh) | 2020-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7061021B2 (ja) | ウェーハの加工方法及び研削装置 | |
JP2007305835A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
CN110634736B (zh) | 被加工物的加工方法 | |
JP5059449B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN111312616A (zh) | 切削装置和使用了切削装置的晶片的加工方法 | |
TW201509599A (zh) | 研磨方法及研磨裝置 | |
TWI727089B (zh) | 晶圓的加工方法及研磨裝置 | |
JP2007320001A (ja) | ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置 | |
JP7408306B2 (ja) | 切削装置 | |
JP6807254B2 (ja) | 研削装置 | |
KR20190010444A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2009130315A (ja) | ウエーハの切削方法 | |
JP2007165802A (ja) | 基板の研削装置および研削方法 | |
JP6890495B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7370265B2 (ja) | 加工方法及び加工装置 | |
JP6989392B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
TW202105488A (zh) | 加工方法 | |
JP6938160B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2015076555A (ja) | 加工装置 | |
JP2010137346A (ja) | 研削装置 | |
JP6749202B2 (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
JP2024082035A (ja) | チャックテーブルの検査方法 | |
JP2021132078A (ja) | 保持テーブル機構及び加工装置 | |
JP2022100502A (ja) | デバイスチップの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7061021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |