JP5059449B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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[1]半導体ウェーハ
図1の符合1は、円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度である。ウェーハ1の表面には格子状の切断予定ライン2によって多数の矩形状の半導体チップ(以下チップと略称)3が区画されている。これらチップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
図2に示す研削加工装置10は、直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11の上面のY方向一端部(奥側の端部)には、コラム12が立設されている。このコラム12の前面(基台11側に向いたX・Z方向に沿った面)には、研削ユニット(薄化手段)20が昇降可能に装備されている。
以上の構成からなる研削加工装置10では、ウェーハ1を薄化するとともにチップ3を個片化し、さらにそのチップ3をピックアップするといった動作を、得るべきチップ3の目標厚さごとに順次繰り返すといった動作がなされる。以下、その動作を詳述する。
2…切断予定ライン
3…半導体チップ
5…保護テープ
10…研削加工装置
17…チャックテーブル(吸着テーブル)
20…研削ユニット(薄化手段)
27…砥石
40…ピックアップ装置(ピックアップ手段)
41…検査結果記憶手段
Claims (2)
- 表面に形成された複数のチップが切断予定ラインによって区画されているウェーハから、各チップを異なる厚さグループに分けながら薄化して個片化するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの各チップを検査装置により検査してチップごとの検査データを取得する検査データ取得工程と、
検査後のウェーハの前記切断予定ラインに、得るべきチップの最大厚さを超える深さの溝を形成するか、もしくは該切断予定ラインを切断する溝形成工程と、
該溝形成工程を経たウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
前記保護テープが貼着された前記ウェーハの保護テープ側を前記吸着テーブルに吸着し、かつ裏面側が露出する状態に保持するウェーハ保持工程と、
前記吸着テーブルに保持したウェーハの露出する裏面を研削して、該ウェーハをチップの最大厚さの第1の目標厚さまで薄化する第1薄化工程と、
前記検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、前記ウェーハの中から、前記第1の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを前記吸着テーブルからピックアップする第1ピックアップ工程と、
該第1ピックアップ工程を経たウェーハの裏面を引き続き研削して、該ウェーハをチップの2番目の厚さの第2の目標厚さまで薄化する第2薄化工程と、
前記検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、前記ウェーハの中から、前記第2の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを前記吸着テーブルからピックアップする第2ピックアップ工程と
を少なくとも備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 前記保護テープが、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によって前記ウェーハの表面に貼着されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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