JP5064102B2 - 基板の研削加工方法および研削加工装置 - Google Patents
基板の研削加工方法および研削加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5064102B2 JP5064102B2 JP2007118623A JP2007118623A JP5064102B2 JP 5064102 B2 JP5064102 B2 JP 5064102B2 JP 2007118623 A JP2007118623 A JP 2007118623A JP 2007118623 A JP2007118623 A JP 2007118623A JP 5064102 B2 JP5064102 B2 JP 5064102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- substrate
- motor
- thickness
- load current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Description
[1]半導体ウェーハ(基板)
図1の符合1は、図2に示す一実施形態の研削加工装置によって裏面が研削されて薄化される円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度である。ウェーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。ウェーハ1は、最終的には分割予定ライン2に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ3に個片化される。
図2に示す一実施形態の研削加工装置10は、上面が水平な直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部(奥側の端部)には、X方向に並ぶ一対のコラム12が立設されている。基台11上のコラム12側である奥側は、ウェーハ1を研削加工する加工エリア11Aとされ、手前側は、加工エリア11Aに加工前のウェーハ1を供給し、かつ、加工後のウェーハ1を回収する着脱エリア11Bとされている。
以上が研削加工装置10の基本動作であるが、この装置10では、一次研削および二次研削の双方において、研削ユニット30のスパークアウトがモータ33の最大負荷電流値に基づいて制御される。以下、その制御方法を説明する。
10…研削加工装置
20…チャックテーブル(保持手段)
21a…吸着エリアの上面(保持面)
30…研削ユニット(研削手段)
33…モータ
43…送り手段
50…厚さ測定ゲージ(基板厚さ測定手段)
71…送り制御手段
72…記憶手段
73…負荷電流値モニタ(モータ負荷電流値モニタ手段)
Claims (2)
- 基板を、該基板の被研削面が露出する状態に保持する保持面を有する保持手段と、
該保持手段の前記保持面に対向配置され、前記保持手段の回転軸と略平行な回転軸を有する研削手段と、
該研削手段を回転駆動するモータと、
該モータの負荷電流値をモニタするモータ負荷電流値モニタ手段と、
前記保持手段と前記研削手段とを、研削手段の前記回転軸の延びる方向に沿って相対移動させて互いに接近・離間させるとともに、接近時に研削手段によって前記基板の前記露出面を研削して該基板の厚さを減じさせる送り手段と、
前記保持手段に保持された基板の厚さを、前記研削手段によって基板研削中に測定する基板厚さ測定手段と、
該基板厚さ測定手段によって測定された基板厚さが所望値に到達した時点で、前記送り手段による前記研削手段の研削送りを停止させ、その停止位置で、前記モータによる研削手段の回転を所定時間継続させるスパークアウトを行わせる送り制御手段と
を備える研削加工装置によって、基板の被研削面を研削する研削加工方法であって、
予め、前記スパークアウト時に生じる前記研削手段の惰性研削量と、前記モータ負荷電流値モニタ手段でモニタされる前記モータの負荷電流値との相関関係を把握しておき、
前記送り制御手段は、前記厚さ測定手段によって測定された基板厚さが、所望値に前記モータの負荷電流値に応じた惰性研削量を加えた厚さに到達したら、前記スパークアウトを開始させることを特徴とする基板の研削加工方法。 - 基板を、該基板の被研削面が露出する状態に保持する保持面を有する保持手段と、
該保持手段の前記保持面に対向配置され、前記保持手段の回転軸と略平行な回転軸を有する研削手段と、
該研削手段を回転駆動するモータと、
該モータの負荷電流値をモニタするモータ負荷電流値モニタ手段と、
前記保持手段と前記研削手段とを、研削手段の前記回転軸の延びる方向に沿って相対移動させて互いに接近・離間させるとともに、接近時に研削手段によって前記基板の前記露出面を研削して該基板の厚さを減じさせる送り手段と、
前記保持手段に保持された基板の厚さを、前記研削手段によって基板研削中に測定する基板厚さ測定手段と、
該基板厚さ測定手段によって測定された基板厚さが所望値に到達した時点で、前記送り手段による前記研削手段の研削送りを停止させ、その停止位置で、前記モータによる研削手段の回転を所定時間継続させるスパークアウトを行わせる送り制御手段と、
前記スパークアウト時に生じる前記研削手段の惰性研削量と、前記モータ負荷電流値モニタ手段でモニタされる前記モータの負荷電流値との相関関係を記憶する記憶手段とを備え、
前記送り制御手段は、前記厚さ測定手段によって測定された基板厚さが、所望値に前記モータの負荷電流値に応じた惰性研削量を加えた厚さに到達したら、前記スパークアウトを開始させることを特徴とする基板の研削加工装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007118623A JP5064102B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 基板の研削加工方法および研削加工装置 |
US12/099,424 US7848844B2 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-08 | Substrate grinding method and device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007118623A JP5064102B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 基板の研削加工方法および研削加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008272866A JP2008272866A (ja) | 2008-11-13 |
JP5064102B2 true JP5064102B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=39887551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007118623A Active JP5064102B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 基板の研削加工方法および研削加工装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7848844B2 (ja) |
JP (1) | JP5064102B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246240A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウェーハ裏面の研削方法及びそれに用いる半導体ウェーハ裏面研削装置 |
JP5192355B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-05-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの面取り部除去方法および研削装置 |
JP2011040511A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
JP5465042B2 (ja) | 2010-03-01 | 2014-04-09 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の加工方法 |
JP2011245610A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9153462B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spin chuck for thin wafer cleaning |
JP5743817B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-07-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP5964637B2 (ja) * | 2012-04-03 | 2016-08-03 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2014079838A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
TWI635929B (zh) * | 2013-07-11 | 2018-09-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置及研磨狀態監視方法 |
JP2015160260A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社東芝 | 研削装置及び研削方法 |
JP6305212B2 (ja) | 2014-05-28 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び矩形基板の研削方法 |
JP2015223665A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び矩形基板の研削方法 |
CN106563980B (zh) * | 2015-10-12 | 2020-04-10 | 株式会社迪思科 | 磨削方法 |
US9881896B2 (en) * | 2015-12-17 | 2018-01-30 | International Business Machines Corporation | Advanced chip to wafer stacking |
JP6970492B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2021-11-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2018114573A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2022040720A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN112757055B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-01-03 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸晶圆片减薄工艺 |
JP2022168925A (ja) * | 2021-04-27 | 2022-11-09 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
CN117817448B (zh) * | 2024-03-05 | 2024-05-07 | 华侨大学 | 一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0632894B2 (ja) * | 1985-03-20 | 1994-05-02 | 豊田工機株式会社 | カム研削装置 |
JPH03121775A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-23 | Hitachi Seiko Ltd | 研削盤の自動定寸方法 |
US5402354A (en) * | 1990-10-12 | 1995-03-28 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Control apparatus and control method for machine tools using fuzzy reasoning |
JP2003275957A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-09-30 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 研削加工方法及び装置 |
JP2003300155A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法及び研削装置 |
JP4326974B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2009-09-09 | コマツNtc株式会社 | ウェーハの研削装置及び研削方法 |
JP4615275B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-01-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハ研磨装置及びウェーハの研磨方法 |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007118623A patent/JP5064102B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-08 US US12/099,424 patent/US7848844B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7848844B2 (en) | 2010-12-07 |
JP2008272866A (ja) | 2008-11-13 |
US20080268752A1 (en) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5064102B2 (ja) | 基板の研削加工方法および研削加工装置 | |
US7462094B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP5025200B2 (ja) | 研削加工時の厚さ測定方法 | |
JP4980140B2 (ja) | ウェーハの研削加工方法 | |
JP5276823B2 (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
US7758402B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP2008264913A (ja) | 研削加工装置 | |
JP4916833B2 (ja) | 研削加工方法 | |
JP2009043931A (ja) | ウェーハの裏面研削方法 | |
JP2008258554A (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
JP2007335458A (ja) | ウエーハ研削装置 | |
JP2010199227A (ja) | 研削装置 | |
JP2009004406A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP2008093735A (ja) | 加工装置 | |
JP2008049445A (ja) | 加工装置 | |
JP5357477B2 (ja) | 研削方法および研削装置 | |
JP5230982B2 (ja) | 板状物加工用トレイおよび加工装置 | |
JP5072020B2 (ja) | 研削部材のドレス方法および研削装置 | |
JP2008062353A (ja) | 研削加工方法および研削加工装置 | |
JP5335245B2 (ja) | ウェーハの研削方法および研削加工装置 | |
JP5121390B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2009072851A (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP4966069B2 (ja) | 加工装置 | |
TW202031424A (zh) | 研削裝置 | |
JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5064102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |