JP5276823B2 - ウェーハの研削加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハを研削して薄化する研削加工装置に係り、特にウェーハを研削する研削手段の研削面の角度調整が可能な研削加工装置に関する。

ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハ）の表面に、ストリートと呼ばれる切断予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、ウェーハをストリートに沿って切断し、分割するといった工程で製造される。

このような製造工程において、ウェーハは、半導体チップに分割されるに先だち、電子回路が形成されたデバイス面とは反対側の裏面が研削加工装置によって研削され、所定の厚さに薄化されている。裏面の研削は、電子機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させて性能を維持させることなどを目的としており、例えば、当初厚さの７００μｍ前後から、５０μｍ以下の厚さまで薄化することが行われる。

ウェーハの研削加工装置は、ウェーハの保持手段である真空吸引式のチャックテーブルの保持面に裏面側を露出させてウェーハを吸着、保持し、チャックテーブルに対向配置させた研削手段の砥石を高速回転させながら裏面に押し付けて研削する構成のものが一般的である。このような研削加工装置にウェーハを供する際には、ウェーハの表面を保護部材で被覆し、チャックテーブルの保持面に表面が直接接触することにより電子回路が傷付くことや、研削廃液によって汚染されることを防止している。一般的に用いられる保護部材としては、例えば、厚さ１００〜２００μｍ程度のポリエチレンやポリオレフィンシートの基材の片面に１０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成の保護テープがある。保護テープは、デバイスの形成状況により、基材や粘着材の厚さや弾力性の違うものを各々選択して使用している。例えば、ウェーハの表面に形成されたデバイスに突起状の電極などが形成されている場合、保護テープは、この電極などの凹凸による影響を緩衝するために、粘着材や基材の厚さが大きいものや弾力性が大きいものが使用される。このような比較的厚く弾力性のある保護テープは、ウェーハに加工荷重がかかる際の弾性変形する量が、薄く弾力性の少ない保護テープに比べ多くなる。

ところで、ウェーハを自転させながら加工するインフィード研削では、自転中心付近と外周付近とで単位時間当たりの仕事量に差が生じる。一般的な傾向としては、自転中心から外周へ行くほど加工負荷が大きくなる。すなわち、加工負荷でウェーハの表面を被覆している保護テープの弾性変形する量が自転中心からの距離に比例して増加する。このため、外周部は、自転中心付近に比べウェーハが沈んでしまい厚み方向の研削量が少なくなる。その結果、研削加工後のウェーハの厚さは、自転中心からの距離に比例して厚くなり、均一な厚さを得られなくなる。この傾向は、保護テープの厚さや弾力性を増加させるほど顕著に現れてくる。また、ウェーハの外径を大きくさせるほど同様な傾向が現れてくる。

このように、保護テープの種類やウェーハの外径は、研削後のウェーハの厚さを均一にする場合、研削時の条件として考慮しなければならない要素になる。そこで、研削後のウェーハの厚さを均一にするには、研削手段の回転軸もしくはウェーハを保持するチャックテーブルの回転軸のどちらか一方を各条件に適合した角度に傾かせて研削する方策が考えられる。これにより、回転軸を各条件に適合した角度に傾かせることで、所定の時間でのウェーハの研削量を各地点で均一にすることができるため、厚さのばらつきを最小限に抑えることができる。このような構成の研削加工装置は、例えば特許文献１、２で知られている。

特開平８−９０３７６公報 特開昭５７−１３２９６９公報

上記特許文献１、２では、保持手段または研削手段の回転軸の傾きを上記条件に対応して作業者が手動で調整している。このような研削装置を用いてウェーハの厚さを均一にするには、研削条件に対応する傾斜角度を作業者が熟知していなければならない。このように、研削手段の傾斜を調整することは、誰でも容易にできるわけではなく、熟練を要する。

よって本発明は、研削手段の回転軸の傾きを容易に調整することができるとともに、研削手段の回転軸を各ウェーハの研削条件に適合した傾きに調整し研削することでウェーハを均一な厚さに仕上げることができる研削加工装置を提供することを目的としている。

本発明の研削加工装置は、表面にデバイスが形成され、表面に保護部材が被覆されたウェーハを、裏面が露出する状態で保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、保持手段の前記保持面に対向配置され、保持手段の回転軸と平行な回転軸を有する研削手段と、研削手段の回転軸の傾きを任意の角度に調整する傾斜調整手段と、保持手段と研削手段とを、研削手段の前記回転軸に沿って相対移動させて互いに接近・離間させるとともに、接近時に研削手段によってウェーハの裏面を研削して該ウェーハの厚さを減じさせる送り手段とを有するウェーハ研削装置において、保護部材の種別に応じたウェーハの研削条件を記憶する研削条件記憶手段が設けられるとともに、研削条件記憶手段に記憶された保護部材の種別に応じた研削手段の回転軸の傾き角度に基づいて、傾斜調整手段によって研削手段の回転軸の傾きが調整可能であることを特徴としている。

本発明の研削加工装置によれば、傾斜調整手段と研削条件記憶手段とにより、研削手段の回転軸の傾き角度を調整することができる。すなわち、予めウェーハの各研削条件として保護部材の種別と、保護部材の種別に対応する研削手段の傾き角度とを研削条件記憶手段に記憶させておき、ウェーハを研削するときに保護部材の種別を選択することによって、その保護部材の種別に対応した傾き角度が選択される。本発明の研削加工装置では、一定の使用期間ごとに、保持手段の保持面を平坦に調整するセルフグラインドが行われる。セルフグラインド後にダミーのウェーハを研削して得られる面内厚さばらつきを基準にして、適宜ウェーハの面内ばらつきが均一となるように、研削手段の傾きが傾斜調整機構によって調整される。この傾きが調整された状態を基準にして、選択された傾き角度に沿って研削手段を傾かせてウェーハを研削すれば、使用される保護部材の付加要因に影響されることなくウェーハの面内厚さばらつきを均一に仕上げたり、所望の厚さ分布を有するウェーハに仕上げたりすることができる。したがって、従来のように熟練を要することなく、経験の浅い作業者であっても研削条件記憶手段により選択された傾き角度に沿って研削手段を傾かせれば、ウェーハの厚さを均一に仕上げることができる。これらの結果、研削手段の傾き角度を、研削条件に対応して容易に調整することができるとともに、作業時間のロスや人為的ミスを抑えることができる。

本発明の研削条件は、保護部材である。すなわち、研削条件記憶手段に記憶される保持手段の傾き角度が、保護部材の種別に応じたものとされる。ウェーハの厚さにばらつきを生じさせる主な要因は、上記保護部材の種類やウェーハの外径によるものである。そのため、本発明では、予め、研削加工時に保護テープの種類の違いで生じるウェーハの厚さのばらつきのデータを収集し、研削条件記憶手段に記憶させておく。

本発明によれば、研削加工で保護テープの種類の違いにより生じていたウェーハの厚さのばらつきを最小限に抑えることができるとともに、熟練を要することなく容易に研削手段の回転軸の傾きを各研削条件に適合した角度に調整することができる。その結果、作業時間のロスや人為的ミスなどを最小限に抑えることができるとともに、作業効率の向上が図れるといった効果を奏する。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウェーハ
図１の符合１は、図２に示す一実施形態の研削加工装置によって裏面が研削されて薄化される円盤状の半導体ウェーハ（以下ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば７００μｍ程度である。ウェーハ１の表面には格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）４が形成されている。ウェーハ１は、最終的には分割予定ライン２に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ３に個片化される。

ウェーハ１を裏面研削する際には、電子回路を保護するなどの目的で、図１（ｂ）に示すように電子回路が形成された側の表面に保護テープ５（保護部材）が貼着される。保護テープ５は、例えば厚さ１００〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に１０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、粘着剤をウェーハ１の裏面に合わせて貼り付けられる。ウェーハ１は、図２に示す研削加工装置で裏面研削されることにより、例えば５０μｍあるいは３０μｍまで薄化される。

［２］研削加工装置
次に、図１に示したウェーハ１の裏面を研削加工する一実施形態の研削加工装置を説明する。
図２は、その研削加工装置１０の全体を示しており、該装置１０は、上面が水平な直方体状の基台１１を備えている。図２では、基台１１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台１１のＹ方向一端部には、Ｘ方向に並ぶコラム１２が一対の状態で立設されている。基台１１上には、Ｙ方向のコラム１２側にウェーハ１を研削加工する加工エリア１１Ａが設けられ、コラム１２とは反対側には、加工エリア１１Ａに加工前のウェーハ１を供給し、かつ、加工後のウェーハ１を回収する着脱エリア１１Ｂが設けられている。
以下、研削加工エリア１１Ａと着脱エリア１１Ｂについて説明する。

（Ｉ）研削加工エリア
研削加工エリア１１Ａには、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル１３が回転自在に設けられている。このターンテーブル１３は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印Ｒ方向に回転させられる。ターンテーブル１３上の外周部には、複数（この場合は３つ）の円盤状のチャックテーブル２０（保持手段）が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。

これらチャックテーブル２０は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウェーハ１を吸着、保持する。図３（ｂ）に示すように、チャックテーブル２０は、上面に多孔質のセラミックからなる円形の吸着エリア２１を有しており、この吸着エリア２１の上面２１ａにウェーハ１は吸着して保持されるようになっている。吸着エリア２１の周囲には環状の枠体２２が形成されており、この枠体２２の上面２２ａは、吸着エリア２１の上面２１ａと連続して同一平面をなしている。各チャックテーブル２０は、それぞれがターンテーブル１３内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転すなわち自転するようになっており、ターンテーブル１３が回転すると公転の状態になる。

図２に示すように２つのチャックテーブル２０がコラム１２側でＸ方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル２０の直上には、研削ユニット３０（研削手段）がそれぞれ配されている。各チャックテーブル２０は、ターンテーブル１３の回転によって、各研削ユニット３０の下方の研削位置と、着脱エリア１１Ｂに最も近付いた着脱位置との３位置にそれぞれ位置付けられるようになっている。研削位置は２箇所あり、これら研削位置ごとに研削ユニット３０が配備されている。この場合、ターンテーブル１３の回転によるチャックテーブル２０の矢印Ｒで示す移送方向上流側（図２で奥側）の研削位置が一次研削位置、下流側の研削位置が二次研削位置とされている。

コラム１２には、スライダ４０が昇降自在に取り付けられている。スライダ４０は、Ｚ方向に延びるガイドレール４１に摺動自在に装着されており、サーボモータ４２によって駆動されるボールねじ式の送り機構４３（送り手段）によってＺ方向に移動可能とされている。各スライダ４０のＹ方向手前側の前面４０ａは、基台１１の上面に対しては垂直面であるが、Ｘ方向の端部から中央に向かうにしたがって奥側に所定角度で斜めに後退するテーパ面に形成されている。

スライダ４０のテーパ面４０ａには、傾斜調整機構１００を介して上記研削ユニット３０が取り付けられている。各コラム１２に対する各研削ユニット３０の取付構造は同一であってＸ方向で左右対称となっている。各研削ユニット３０は、送り機構４３によってＺ方向に昇降し、下降してチャックテーブル２０に接近する送り動作により、チャックテーブル２０に保持されたウェーハ１の露出面を研削する。また、図６に示す研削ユニット３０の回転軸３０ａは、後に説明する傾斜調整機構１００（傾斜調整手段）によって傾きが調整される。

研削ユニット３０は、図３に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング３１と、このスピンドルハウジング３１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト３２と、スピンドルハウジング３１の上端部に固定されてスピンドルシャフト３２を回転駆動するモータ３３と、スピンドルシャフト３２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ３４とを具備している。そしてフランジ３４には、砥石ホイール３５がねじ止め等の取付手段によって着脱自在に取り付けられる。

砥石ホイール３５は、環状のフレーム３６の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって複数の砥石３７が環状に配列されて固着されたものである。一次研削位置の上方に配された一次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯３２０〜♯４００の砥粒を含む砥石ホイール３５が取り付けられる。また、二次研削位置の上方に配された二次研削用の研削ユニット３０のフランジ３４には、砥石３７が例えば♯２０００〜♯８０００以上の砥粒を含む砥石ホイール３５が取り付けられる。フランジ３４および砥石ホイール３５には、研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示省略）が設けられ、該機構には給水ラインが接続されている。砥石ホイール３５の研削外径、すなわち複数の砥石３７の外周縁の直径は、少なくともウェーハ１の半径と同等以上で、一般的にはウェーハの直径に等しい大きさに設定されている。

図２の符号５０は、基準側ハイトゲージ５１とウェーハ側ハイトゲージ５２との組み合わせで構成される厚さ測定ゲージである。図３（ａ）に示すように、基準側ハイトゲージ５１は、揺動する基準プローブ５１ａの先端が、ウェーハ１で覆われないチャックテーブル２０の枠体２２の上面２２ａに接触し、該上面２２ａの高さ位置を検出するものである。ウェーハ側ハイトゲージ５２は、揺動する変動プローブ５２ａの先端がチャックテーブル２０に保持されたウェーハ１の上面すなわち被研削面に接触することで、ウェーハ１の上面の高さ位置を検出するものである。厚さ測定ゲージ５０によれば、ウェーハ側ハイトゲージ５２の測定値から基準側ハイトゲージ５１の測定値を引いた値に基づいてウェーハ１の厚さが測定される。

ウェーハ１は、最初に一次研削位置で研削ユニット３０により一次研削（粗研削）された後、ターンテーブル１３が図２に示すＲ方向に回転することにより二次研削位置に移送され、ここで研削ユニット３０により二次研削（仕上げ研削）される。

図４は、上から見た砥石３７の回転軌跡３７ａとチャックテーブル２０の位置関係を示したものである。チャックテーブル２０の吸着エリア２１ａは、セルフグラインドを行うことで、図６に示すように、中心を頂点とする傘状に形成される。そのため、ウェーハ１と砥石３７とが接触するとともに砥石３７がウェーハ１を研削する領域は、中心から外周縁までの太線で示す接触域３７ｂの範囲に限られる。また、セルフグラインド後にダミーのウェーハを研削して得られる面内厚さばらつきを基準にして、適宜ウェーハの面内ばらつきが均一になるように傾斜調整機構１００により研削ユニット３０の傾きが調整される。本実施形態では、面内厚さばらつきが均一になるように研削ユニット３０の傾きが調整された状態を基準にして、後に説明する傾斜調整値だけ研削ユニット３０を傾かせてウェーハ１を研削する。

（II）着脱エリア
図２に示すように、着脱エリア１１Ｂの中央には、上下移動する２節リンク式のピックアップロボット７０が設置されている。そして、このピックアップロボット７０の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット７１、位置合わせ台７２、供給手段７３、洗浄ノズル７６、回収手段７７、スピンナ式洗浄装置８０、回収カセット８１が、それぞれ配置されている。供給手段７３は、多孔質材料で形成され、水平な下面にウェーハ１を真空作用で吸着する吸着パッド７４と、この吸着パッド７４が先端に固定された水平旋回式の供給アーム７５とにより構成されている。また、回収手段７７は、多孔質材料で形成され、水平な下面にウェーハ１を真空作用で吸着する吸着パッド７８と、この吸着パッド７８が先端に固定された水平旋回式の供給アーム７９とにより構成されている。カセット７１，８１は、複数のウェーハ１を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台１１上の所定位置にセットされる。

（III）傾斜調整機構および研削条件記憶手段の詳細
次に、図４および図５を参照して、本発明に係る傾斜調整機構１００を説明する。
この傾斜調整機構１００は、研削ユニット３０の前後方向（図４のＡ方向）の傾きを調整する前後調整用スペーサ１０１と、研削ユニット３０の左右方向（図４のＢ方向）の傾きを調整する左右調整用スペーサ１０５とにより構成される。前後調整用スペーサ１０１は、各スライダ４０のテーパ面４０ａに固定されている前後用支持ピン１０２によって支持されている。前後調整用スペーサ１０１は、前後用支持ピン１０２を支点として前後方向に傾動自在になっており、テーパ面４０ａに設けられたねじ孔に螺合する前後調整用ねじ１０３によって傾きが調整される。前後調整用スペーサ１０１には、前後調整用ねじ１０３の横に前後固定ねじ１０４が設けられており、この前後固定ねじ１０４をテーパ面４０ａに押し付けることにより、前後調整用スペーサ１０１は前後方向に揺れ動くことなく固定される。

前後調整用スペーサ１０１の表面のほぼ中心には、左右用支持ピン１０６が設けられており、この左右用支持ピン１０６に左右調整用スペーサ１０５が傾動自在に支持されている。すなわち、左右調整用スペーサ１０５はテーパ面４０ａと平行な面に沿って傾動自在である。左右調整用スペーサ１０５の上部の左右端部には、左右に長い長穴１０７が形成されている。左右固定ねじ１０８は、長穴１０７を貫通して前後調整用スペーサ１０１の表面に形成されたねじ孔１０１ａに螺合される。この左右固定ねじ１０８を締め付けることにより、左右調整用スペーサ１０５は前後調整用スペーサ１０１に固定される。

また、研削加工装置１０には、様々なウェーハの研削条件を記憶する研削条件記憶手段１１０が接続されている。この研削条件記憶手段１１０には、この場合ウェーハの研削条件として、図１０に示すように、保護テープの種類と、ウェーハの直径と、研削加工後の研磨加工の有無とを予め入力しておくとともに、それらの研削条件に適合した研削ユニット３０の回転軸３０ａの角度調整値を記憶させておく。この角度調整値は、ウェーハの研削条件に応じた角度に研削ユニット３０の回転軸３０ａの角度を傾斜させるための、チャックテーブル２０の回転軸２０ａと研削ユニット３０の回転軸３０ａが平行の状態を基準としたＣ点およびＤ点での研削ユニット３０の傾斜量である。作業者は、この角度調整値に応じた方向に前後調整用スペーサ１０１および左右調整用スペーサ１０５を傾かせる。角度調整値は、ウェーハの研削で生じる厚さのばらつきの傾向を研削条件ごとに収集、分析することで得られる。

［３］研削加工装置の一連の動作
以上が本実施形態の研削加工装置１０の構成であり、次に該装置１０の動作を説明する。
まずはじめに、ウェーハ１の研削条件を研削条件記憶手段１１０に入力する。そうすると、ウェーハ１の研削条件に対応する角度調整値が選択される。次いで、選択された角度調整値に基づいて前後調整用スペーサ１０１と左右調整用スペーサ１０５を動かし、各研削ユニット３０の回転軸３０ａの傾きが調整される。このときの基準となる傾きは、セルフグラインド後にダミーウェーハなどを研削した結果に基づき調整された傾きで、そこから前記角度調整値に基づいてさらに傾きを調整する。次に、研削加工されるウェーハ１は、はじめにピックアップロボット７０によって供給カセット７１内から取り出され、位置合わせ台７２上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウェーハ１は、供給アーム７３によって位置合わせ台７２から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル２０上に被研削面（半導体チップ３が形成されていない裏面）を上に向けて載置される。

ウェーハ１はターンテーブル１３のＲ方向への回転によって一次研削位置と二次研削位置にこの順で移送され、これら研削位置で、研削ユニット３０により上記のようにして表面が研削される。ウェーハ１の研削にあたっては、いずれの研削位置においても、厚さ測定ゲージ５０によってウェーハ１の厚さを逐一測定しながら研削量が制御される。二次研削が終了したウェーハ１は、さらにターンテーブル１３がＲ方向に回転することにより着脱位置に戻される。

着脱位置に戻ったチャックテーブル２０上のウェーハ１は、洗浄ノズル７６により洗浄される。次いで、回収アーム７７によって取り上げられ、スピンナ式洗浄装置８０に移されて水洗、乾燥される。そして、スピンナ式洗浄装置８０で洗浄処理されたウェーハ１は、ピックアップロボット７０によって回収カセット８１内に移送、収容される。以上が本実施形態の研削加工装置１０の全体動作であり、この動作が繰り返し行われて多数のウェーハ１が連続的に研削加工される。

本実施形態によれば、研削ユニット３０の回転軸３０ａの角度を調整して研削することで、研削後のウェーハの厚さを均一に仕上げることができる。図６に示すように研削ユニット３０の回転軸３０ａの角度を調整しない場合では、ウェーハは外周部に行くほど沈んでしまい、厚み方向の研削量が少なくなる傾向があるため、外側が厚くなってしまい厚さを均一に仕上げることができない。しかしながら、図７に示す本実施形態では、傾斜調整機構１００および研削条件記憶手段１１０を使用することで、容易に研削ユニット３０の回転軸３０ａの角度を調整することが可能である。これにより、図１０に示すような予め分析した数値に基づいて研削ユニット３０の回転軸３０ａを傾かせて研削をすれば、ウェーハ１の厚さを均一に仕上げることができる。

また、研削加工後に後工程である研磨工程を行う場合、研削加工後のウェーハ１の厚さは、均一にするのではなく、例えば外周部へ行くにしたがい厚くさせる必要がある。その理由として、研磨加工後のウェーハ１は、研削加工とは逆に自転中心から外へ行くほど薄くなる場合がある。そのため、図８（ａ）に示すように、ウェーハ１は、研削ユニット３０の回転軸３０ａを図１０に示す角度調整値に基づいた角度に傾かせてから研削される。その結果、図８（ｂ）に示す外周に向かうにしたがい厚くなるウェーハ１を得る。この後、ウェーハ１は、研磨加工装置で研磨され、図９（ｂ）に示すように厚さが均一になる。図９（ａ）は、研磨加工装置の一部を示したものである。図示せぬモータによってシリカなどの酸化金属砥粒を含浸した研磨布４４が回転し、この研磨布４４をウェーハ１に押し当てウェーハ１の裏面を研磨する。

本実施形態の研削加工装置１０によれば、傾斜調整機構１００と研削条件記憶手段１０１により、研削ユニット３０の回転軸３０ａの傾きを調整できる。すなわち、予めウェーハ１の各研削条件と、各研削条件に対応する研削ユニット３０の角度調整値とを研削条件記憶手段に記憶させておき、ウェーハを研削するときに研削条件を選択することによって、その研削条件に対応した角度調整値が選択される。この選択された角度調整値に沿って研削ユニット３０の回転軸３０ａを傾けてウェーハ１を研削すれば、ウェーハの厚さを均一に仕上げることができる。したがって、従来のように熟練を要することなく、経験の浅い作業者であっても研削条件記憶手段１１０により選択された角度調整値に沿って研削ユニット３０を傾かせれば、ウェーハの厚さを均一に仕上げることができる。これらの結果、研削ユニット３０の回転軸３０ａの傾きを、研削条件に対応して容易に調整することができるとともに、作業時間のロスや人為的ミスを抑えることができる。また、様々な条件のウェーハの研削傾向を分析し、それをフィードバックすることで、より高品質なウェーハを得ることができる。

本発明の一実施形態で研削加工が施されるウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 本発明の傾斜調整機構と研削条件記憶手段とを備える研削加工装置の斜視図である。 図２に示した研削加工装置が備えるスピンドルユニットによってウェーハ表面を研削している状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 研削加工装置の砥石の回転軌跡とチャックテーブルの位置関係を示した平面図である。 図２に示した研削加工装置が備える傾斜調整機構を示す（ａ）側面図、（ｂ）正面図である。 （ａ）は、従来の研削加工装置でウェーハを研削する様子を示した側面図、（ｂ）は、その研削加工で得られたウェーハの側面図である。 （ａ）は、本発明の傾斜調整機構により研削ユニットの回転軸を傾かせてウェーハを研削する様子を示した側面図、（ｂ）は、その研削加工で得られたウェーハの側面図である。 （ａ）は、研磨工程有りの研削条件でウェーハを研削する様子を示した側面図、（ｂ）は、その研削加工で得られたウェーハの側面図である。 （ａ）図８で得られたウェーハを研磨する様子を示した側面図、（ｂ）は、その研磨加工で得られたウェーハの側面図である。 各研削条件と、その研削条件に適合する研削ユニットの回転軸の角度調整値を示す表である。

符号の説明

１…ウェーハ
５…保護テープ（保護部材）
１０…研削加工装置
２０…チャックテーブル（保持手段）
２０ａ…チャックテーブルの回転軸（保持手段の回転軸）
２１ａ…保持面
３０…研削ユニット（研削手段）
３０ａ…研削ユニットの回転軸（回転軸）
４３…送り機構（送り手段）
１００…傾斜調整機構（傾斜調整手段）
１１０…研削条件記憶手段

Claims (1)

1. 表面にデバイスが形成され、該表面に保護部材が被覆されたウェーハを、裏面が露出する状態で保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、
   該保持手段の前記保持面に対向配置され、前記保持手段の回転軸と平行な回転軸を有する研削手段と、
   該研削手段の回転軸の傾きを任意の角度に調整する傾斜調整手段と、
   前記保持手段と前記研削手段とを、研削手段の前記回転軸に沿って相対移動させて互いに接近・離間させるとともに、接近時に前記研削手段によって前記ウェーハの裏面を研削して該ウェーハの厚さを減じさせる送り手段とを有するウェーハ研削装置において、
   前記保護部材の種別に応じたウェーハの研削条件を記憶する研削条件記憶手段が設けられるとともに、該研削条件記憶手段に記憶された前記保護部材の種別に応じた該研削手段の回転軸の傾き角度に基づいて、前記傾斜調整手段によって研削手段の回転軸の傾きが調整可能であることを特徴とするウェーハの研削加工装置。

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