JP4980140B2 - ウェーハの研削加工方法 - Google Patents
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Description
[1]半導体ウェーハ
図1の符合1は、図2に示す一実施形態の研削加工装置によって研削される円盤状の半導体ウェーハ(以下ウェーハと略称)を示している。このウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度である。ウェーハ1の表面には、LSIなどの電子回路を構成するための金、銅、アルミニウムなどからなる金属膜やポリイミドなどによる樹脂膜などの被膜(積層物)2が形成される。この被膜2は、例えば蒸着法の一つである化学気相成長を行う拡散炉装置やCVD装置によって形成される。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)3が形成されている。
図2に示す一実施形態の研削加工装置10は、上面が水平な直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部(奥側の端部)には、X方向に並ぶ一対のコラム12が立設されている。基台11上のコラム12側である奥側は、ウェーハ1を研削加工する加工エリア11Aとされ、手前側は、加工エリア11Aに加工前のウェーハ1を供給し、かつ、加工後のウェーハ1を回収する着脱エリア11Bとされている。
以上が研削加工装置10の基本動作であるが、この装置10では、一次研削である粗研削において、ウェーハ1の被膜2が研削される。以下、その研削方法を図2〜図6を用いて説明する。
1a…ウェーハの研削面
2…被膜(積層物)
2a…被膜の表面(積層物の表面)
4a、4b、4c…測定位置(複数位置)
20…チャックテーブル(保持手段)
21a…吸着エリアの上面(保持面)
30…研削ユニット(研削手段)
35…砥石ホイール(研削ホイール)
50…厚さ測定ゲージ(厚さ測定手段)
52a…変動プローブ(測定端子)
72…記憶手段
71…送り制御手段
Claims (2)
- 少なくとも一の面に積層物を有するウェーハの該積層物を有する面を、該積層物の厚さを超える第一の研削量を少なくとも含む所望の研削量のみ研削加工する加工方法であって、
前記ウェーハを、前記積層物を有する面が露出するよう保持手段の保持面に回転可能に保持する保持工程と、
該保持手段を適宜間欠的に回転させ、該保持手段に保持されたウェーハにおける前記積層物の表面の複数位置に、該保持手段の回転が停止した状態で厚さ測定手段の測定端子を接触させ、積層物を含んだウェーハの厚さを測定する第一厚さ測定工程と、
該第一厚さ測定工程で測定された複数の厚さ測定値と、前記所望の研削量のデータとを記憶手段に記憶する厚さ記憶工程と、
前記厚さ測定手段の測定端子を前記積層物の表面から退避させ、前記保持手段の回転軸と略平行な回転軸を有する研削ホイールを、回転可能かつ前記保持手段の保持面に対して進退可能に保持する研削手段を、該研削手段の送り動作を制御する送り制御手段によって該ウェーハの積層物の表面に第一の研削量送り込み、少なくとも前記積層物を除去するまで研削する第一研削工程と、
該第一研削工程後に前記厚さ測定手段の測定端子を該ウェーハの研削面に接触させ、測定端子のウェーハの研削面への接触状態を維持して該ウェーハの厚さを測定する第二厚さ測定工程と、
前記記憶手段に記憶された複数の厚さ測定値のうち最も厚い測定値から前記第二厚さ測定工程にて測定している測定値を差し引いた値が、前記記憶手段に記憶されている所望の研削量と一致するまで研削手段を送り制御手段によって該ウェーハに向けて送り込む第二研削工程とを備えることを特徴とする研削加工方法。 - 請求項1に記載の研削加工方法で前記ウェーハを連続で研削加工する加工方法であって、
研削加工した該ウェーハの前記第二研削工程完了時の前記厚さ測定手段により測定された厚さ測定値を、前記保持手段の前記保持面からの刃先位置として前記記憶手段に記憶する刃先位置記憶工程と、
後続のウェーハが研削される第一研削工程時に、前記第一厚さ測定工程にて測定された後続のウェーハの厚さ測定値と、前記記憶手段に記憶された前記刃先位置とに基づき、前記送り制御手段により該研削手段の刃先位置を、保持手段に保持された後続のウェーハの表面に接触しない直前の位置へ、研削加工時に送り込む速度より速い速度で送り込む早送り工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の研削加工方法。
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