JP2003209085A - 半導体ウエハの研削装置及び研削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 大小あらゆる大きさの半導体ウエハの厚みを
ミクロン単位以下の超高精度に加工できる研削装置、及
び研削方法を提供することにある。 【解決手段】 研削テーブル１と、研削具２と、研削加
工面２０ａの高さを測定する第１測定子３及び半導体ウ
エハ設置面１ａの高さを測定する第２測定子４を有し、
これらの測定値から半導体ウエハ２０の厚みを求める厚
み測定器５と、厚みに不足があれば追加研削すべく各部
に作動を指令する作動指令部とを備え、厚み測定器５
が、第１測定子３及び第２測定子４を、測定位置と待機
位置とに切換移動させる測定子切換移動手段をさらに備
え、作動指令部が、第１測定子３および第２測定子４
を、厚みを測定しない時は待機位置に、厚みを測定する
時は測定位置にそれぞれ切換移動させ、かつ厚みを測定
する時はさらに研削を停止すべく、測定子切換移動手段
および研削具２に作動を指令するよう構成された半導体
ウエハの研削装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの研
削装置および研削方法に関し、さらに詳しくは半導体ウ
エハを研削テーブルに設置し、研削具により半導体ウエ
ハを所望の厚みに研削するに際して半導体ウエハの厚み
測定を２点式で行う半導体ウエハの研削装置及び研削方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハを研削する研削装置として
は、例えば、特開平５−２４３３５５号公報に記載のも
のが公知である。この研削装置では、半導体ウエハを円
盤型のチャック機構にバキューム吸着させ、チャック機
構とともに半導体ウエハを水平面上で回転させ、逆方向
または同方向に回転するスピンドル軸に取り付けられた
カップ状の砥石を半導体ウエハの上方から下降させるこ
とにより研削する。この際、半導体ウエハの厚みをミク
ロン単位以下の超高精度に加工するためには、半導体ウ
エハの研削加工中の厚みを絶えず計測しながら研削加工
を行う必要があった。その方法として、研削加工時の摩
擦熱によるチャック機構の熱膨張や砥石の磨耗等の影響
を受けないよう、研削加工中の半導体ウエハの厚みを２
点式厚み測定器により、半導体ウエハの上面（研削加工
面）の高さとチャック機構の上面の高さを各々測定し、
各測定値の差を監視しながら研削加工を行っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の研削装置（特開平５−２４３３５５号公報）では、
研削加工中の半導体ウエハの厚みを絶えず計測すること
から、研削の際生じる砥石の回転による風圧の影響や、
研削中に供給される研削水の水圧の影響を受け、正確に
半導体ウエハの厚みを測定することができなかった。ま
た、半導体ウエハのサイズが直径３０ｍｍ以下と極端に
小さい場合や、半導体ウエハが矩形であってその短辺が
３０ｍｍ以下と極端に短い場合は、研削中に厚み測定を
行おうとすると２点式厚み測定器の半導体ウエハ用測定
子が砥石に接触してしまうため、この２点式厚み測定器
を使用することができず、砥石の下降位置の座標制御、
即ち、砥石の昇降用モータの下降停止位置の制御だけで
半導体ウエハの研削を行っている。しかしながらこの場
合、研削加工中のチャック機構の熱膨張や砥石の磨耗等
の影響を受けてしまう。従って、このような問題から、
従来では半導体ウエハの厚みをミクロン単位以下の超高
精度に加工することができなかった。

【０００４】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、大小あらゆる大きさの半導体ウエハの厚みをミクロ
ン単位以下の超高精度に加工できる研削装置、及び研削
方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体ウエハの研削装置は、研削テ
ーブルと、該研削テーブルに設置される半導体ウエハを
研削する研削具と、半導体ウエハの研削加工面に接触
し、その研削加工面の高さを測定する第１測定子及び研
削テーブルの半導体ウエハ設置面に接触し、その設置面
の高さを測定する第２測定子を有し、これらの測定子に
よって得られた測定値から半導体ウエハの厚みを求める
半導体ウエハの厚み測定器と、求められた半導体ウエハ
の厚みに不足があれば追加研削すべく各部に作動を指令
する作動指令部とを備え、厚み測定器が、第１測定子及
び第２測定子を、測定位置とこの測定位置から離れた待
機位置とに切換移動させる測定子切換移動手段をさらに
備え、作動指令部が、第１測定子および第２測定子を、
半導体ウエハの厚みを測定しない時は待機位置に、半導
体ウエハの厚みを測定する時は測定位置にそれぞれ切換
移動させ、かつ半導体ウエハの厚みを測定する時はさら
に研削を停止すべく、測定子切換移動手段および研削具
に作動を指令するよう構成される。

【０００６】すなわち、本発明は、半導体ウエハの厚み
を測定するときには、厚み測定器の第１測定子及び第２
測定子を待機位置から測定位置に移動させ、かつ研削を
停止させるよう構成しているので、研削加工中における
研削テーブルの熱膨張の影響や、研削具の磨耗の影響を
受けることなく、半導体ウエハの厚みを正確に測定する
ことができる。また、従来では高精度な研削加工が困難
であった極く小さな半導体ウエハであっても、研削時
は、厚み測定器の第１測定子を研削具に接触しない位置
へ待機させているので破損を防止することができ、一方
研削後は、研削を停止してから、厚み測定器の第１測定
子と第２測定子を半導体ウエハの研削加工面と研削テー
ブルの測定基準面に接近当接させて各々の高さを測定で
きるので、研削具が邪魔とならずかつ研削具の回転によ
る風圧の影響を受けずに、半導体ウエハの厚みを正確に
測定することができる。

【０００７】従って、あらゆる大きさの半導体ウエハを
ミクロン単位以下で超高精度に研削加工することが可能
となる。ここで、研削を停止するとは、半導体ウエハに
接触する研削具(例えば砥石)を少なくとも半導体ウエハ
から離す（例えば砥石を上昇させて回転を停止させる）
ことを意味し、もし研削水を用いている場合にはその研
削水の供給も停止することを意味する。

【０００８】本発明において、測定位置は、第１測定子
が半導体ウエハの研削加工面に、第２測定子が研削テー
ブルの半導体ウエハ設置面、つまり測定基準面にそれぞ
れ接触して半導体ウエハの厚みを測定する両測定子の位
置を意味し、待機位置は、両測定子が測定位置から離
れ、研削具（例えば砥石）や研削水供給部と干渉しない
両測定子の位置を意味する。本発明においては、第１測
定子及び第２測定子は、このように測定位置と待機位置
との間で切換移動する必要があり、そのために測定子切
換移動手段が用いられる。この測定子切換移動手段とし
ては、具体的には測定子の保持部を回動させる回転モー
タや、保持部を測定子の長手方向に移動させたり、横方
向にスライド移動させる往復動シリンダ、ボールネジ機
構などを挙げることができる。

【０００９】本発明において、それらの測定子によって
得られた測定値から半導体ウエハの厚みを求め、求めら
れた半導体ウエハの厚みに研削不足があれば追加研削さ
れる。この追加研削を行うべく各部に作動を指令するの
は、作動指令部であり、具体的には手動の各種スイッ
チ、自動の電子回路や制御回路などを挙げることができ
る。

【００１０】本発明において、厚み測定器は、第１測定
子及び第２測定子と、これらの測定子を保持する保持部
と、その保持部を回転移動またはスライド移動させる保
持部移動手段とで構成すると、各測定子をそれぞれ移動
させるのではなく保持部を移動させるので、第１測定子
と第２測定子との位置関係を保持して移動でき、ずれを
生じることなく移動できる。従って、高精度な厚み測定
を繰り返し安定して行うことができるので好ましい。

【００１１】本発明は、別の観点によれば、半導体ウエ
ハを研削テーブル上に設置して研削具による研削を行
い、第１測定子を研削加工面に接触させてその研削加工
面の高さを、第２測定子を半導体ウエハ設置面に接触さ
せてその半導体ウエハ設置面の高さをそれぞれ研削を停
止して測定し、得られた測定値から半導体ウエハの厚み
を求め、求められた半導体ウエハの厚みに不足があると
きは追加研削することを特徴とする半導体ウエハの研削
方法を提供できる。ここでさらに、第１測定子および第
２測定子を、半導体ウエハの厚みを測定する時は測定位
置に、半導体ウエハの厚みを測定しない時は、測定位置
から離れた待機位置にそれぞれ切換移動させると、特
に、従来では高精度な研削加工が困難であった極く小さ
な半導体ウエハであっても、研削時は、厚み測定器の第
１測定子を研削具に接触しない位置へ待機させているの
で破損を防止することができる。

【００１２】ここで、半導体ウエハを研削し（予備研
削）、その厚みが所望の値に達する前に厚み測定器によ
り半導体ウエハの厚みを測定して不足の研削量を求め、
次いで、求められた不足の研削量に対応して追加研削す
ると、予備研削では精度を要求されずに大部分を研削で
き、それによって後の追加研削の研削量を少量とするこ
とができる。従って、追加研削の加工時間が短くて済む
ことから、追加研削時の研削テーブルの熱膨張を大幅に
抑えることができ、さらに、研削量も少ないことから研
削具の磨耗量が僅かであり、研削具の下降位置制御への
影響はほとんどなく、より高精度に半導体ウエハの研削
加工を行うことができる。

【００１３】また、予備研削と追加研削を別の位置で研
削することができ、能率良く順次半導体ウエハを研削加
工することができる。なお、追加研削するに際しては、
その開始を、直前の研削終了時の研削具の下降停止位置
座標からにすることができ、さらに、研削具が回転モー
タで駆動される場合に、その開始を、研削具が半導体ウ
エハに接触して回転モータの電圧が変化したときからに
することもでき、それによって追加研削を開始する正確
な座標位置を容易に設定することができると共に、高精
度な追加研削を維持することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体ウエハの
研削装置及び研削方法を、図面に基づいて詳しく説明す
る。

【００１５】実施の形態１ 図１は本発明の実施の形態１に係る半導体ウエハの研削
装置による研削加工の状態を示す模式図であり、図２は
同実施の形態１において半導体ウエハの厚みを測定して
いる状態を示す模式図であり、図３は同実施の形態１に
おいて研削方法を説明する説明図である。なお、図３
は、後述の実施の形態２に係る半導体ウエハの研削方法
の説明も兼ねるものである。

【００１６】図１〜図３を参照しつつ説明すると、この
実施の形態１に係る半導体ウエハの研削装置は、研削テ
ーブル１と、研削テーブル１に設置された半導体ウエハ
２０を研削する回転昇降可能な研削具２と、半導体ウエ
ハ２０の研削加工面２０ａの高さを測定する第１測定子
３及び研削テーブル１の半導体ウエハ設置面側の測定基
準面１ａの高さを測定する第２測定子４を有する半導体
ウエハの厚み測定器５と、研削位置の近傍に設けられて
研削中の半導体ウエハ２０の研削加工面２０ａと砥石の
接触面に研削水１４を供給するための、研削水供給部と
してのノズル１３を備えている。

【００１７】研削テーブル１は、例えば間欠的に回動、
停止を繰り返すターンテーブル（図示省略）に周方向等
間隔に複数設けられたうちの一つであり、その設置面
（上面）に載置された半導体ウエハ２０をバキューム吸
着により保持し、かつ、研削具２の下方の研削加工位置
に移動して回転するよう構成されている。

【００１８】また、円板状の研削具２は砥石（例えばダ
イヤモンド砥石）であり、スピンドル軸６の下端に設け
られており、このスピンドル軸６は、砥石駆動手段とし
ての回転モータ８を備えた回転昇降手段７によって回転
昇降可能として鉛直状に支持されている。

【００１９】厚み測定器５は、棒状の２本の上記第１測
定子３及び第２測定子４と、第１測定子３及び第２測定
子４を保持する保持部としての基幹部９と、第１測定子
３及び第２測定子４を半導体ウエハ２０の研削加工面２
０ａ及び研削テーブル１の測定基準面１ａに対して接触
離間させる方向に上記基幹部９を移動させる移動機構部
１０とを備えた２点式厚み測定器である。

【００２０】さらに詳しく説明すると、移動機構部１０
は、正逆回転可能な回動モータ１１と、回動モータ１１
の鉛直方向のシャフトに一体回転可能に連結された回動
軸１２とを備える。この回動モータ１１は、研削テーブ
ル１及びそれを搭載するターンテーブルに干渉しない周
辺近傍位置の別部材（図示省略）に設置されている。直
方体型の基幹部９は、その基端９ｂが移動機構部１０の
回動軸１２の上端に片持梁状に連結され、それによって
先端９ａを上下揺動可能としている。第１測定子３及び
第２測定子４は、基幹部９の先端９ａから基幹部９の略
長手方向に突出状に設けられており、その各測定子３，
４の先端には下方突出状の先端当接子３ａ、４ａを有し
ている。

【００２１】次に、上述した研削装置を用いた本発明の
半導体ウエハの研削方法を、図１〜図３を参照しつつ説
明する。

【００２２】先ず、半導体ウエハ２０を研削テーブル１
の設置面に設置すると共に、設置した半導体ウエハ２０
をバキューム吸着によりしっかりと保持し、半導体ウエ
ハ２０を設置した研削テーブル１をターンテーブルの間
欠的な回動、停止によって研削加工位置に移動させる。
なお、本実施の形態では、例えば直径が３０ｍｍ以下の
小さい半導体ウエハ２０を研削加工する場合について説
明する。一方、半導体ウエハの厚み測定器５の第１測定
子３及び第２測定子４を、研削加工位置から離間した位
置、即ち研削中の研削具２に接触しない位置に待機させ
ておくと共に、研削具２を研削加工位置の上方に待機さ
せておく。

【００２３】そして、図１及び図３（イ）に示すよう
に、研削加工位置の研削テーブル１を（矢印Ａ方向に）
回転させると共に、回転昇降手段７によって研削具２を
研削テーブル１とは逆方向（矢印Ｂ方向）に回転させか
つ下降させて、半導体ウエハ２０の上面を、予め設定し
た研削量ΔＴ1、例えば目標とする半導体ウエハ２０の
厚みよりも１０μｍ程度厚いところまで予備研削する。
なお、研削中はノズル１３から研削水１４が半導体ウエ
ハ２０の研削加工面（上面）２０ａと砥石の接触面に供
給される。

【００２４】そして、回転昇降手段７によって研削具２
の回転速度や下降速度を制御しつつ予備研削を進め、図
３（ロ）に示すように、予定の研削量ΔＴ1を研削した
ところで研削具２の下降を停止する。即ち、目標厚みに
達する前に半導体ウエハ２０の予備研削（荒研削）を終
了する。このとき、予備研削終了時の研削具２の下降停
止位置座標Ｚを、例えば回転昇降手段７内あるいは外部
に設けた記憶部に記憶させておく。

【００２５】続いて、図２と図３（ハ）に示すように、
研削具２を上昇させかつ回転を停止すると共に、ノズル
１３からの研削水の供給を停止する。その後、厚み測定
器５において、移動機構部１０の回動モータ１１を駆動
して回動軸１２を（矢印Ｃ方向に）回動させ基幹部９を
同方向に揺動させることにより、第１測定子３を半導体
ウエハ２０の研削加工面２０ａに接近させかつ第２測定
子４を研削テーブル１の半導体ウエハ設置面側の測定基
準面１ａに接近させ、各先端当接子３ａ、４ａを研削加
工面２０ａ及び測定基準面１ａに当接させて、半導体ウ
エハ２０の厚み測定を行う。このとき、図１と図２に示
すように、基幹部９の揺動によって、第１測定子３の先
端当接子３ａ及び第２測定子４の先端当接子４ａが半導
体ウエハ２０の側面及び研削テーブル１の側面に当たら
ないよう、基幹部９は先端９ａが少し持ち上げられた状
態で揺動し、各先端当接子３ａ、４ａが研削加工面２０
ａ及び測定基準面１ａの所定直上位置に達したところ
で、基幹部９の先端９ａが降りて各先端当接子３ａ、４
ａが研削加工面２０ａ及び測定基準面１ａに乗るよう
に、基幹部９の動きを制御するように構成するのが好ま
しい。

【００２６】厚み測定では、半導体ウエハ２０の回転状
態において、第１測定子３にて半導体ウエハ２０の研削
加工面２０ａの高さＨ1が測定されると共に、第２測定
子４にて研削テーブル１の測定基準面１ａの高さＨ2が
測定され、［研削加工面２０ａの高さＨ1］−［研削テ
ーブル１の測定基準面１ａの高さＨ2］から予備研削終
了時の半導体ウエハ２０の厚みＴ1を算出する。そし
て、［予備研削終了時の半導体ウエハ２０の厚みＴ1］
−［目標とする半導体ウエハ２０の厚みＴ2］から不足
の研削量ΔＴ2を算出する。

【００２７】その後、厚み測定器５の第１測定子３及び
第２測定子４を測定位置、つまり研削加工位置から元の
待機位置へ移動させ、図３（ニ）に示すように、研削具
２を再び回転しつつ下降させて不足の研削量ΔＴ2を追
加研削する。この際、（図３(ロ）で説明した）予備研
削終了時の研削具２の下降停止位置座標Ｚから開始して
不足の研削量ΔＴ2が研削され、半導体ウエハ２０が目
標の厚みＴ2とされる。

【００２８】追加研削後、厚み測定器５により半導体ウ
エハ２０の厚み測定を行い、目標とする厚みよりも厚け
れば、目標とする厚みになるまで繰り返し追加研削を行
えば良い。そして目標とする厚みに仕上がっていれば、
ターンテーブルを回動させ、上述した研削方法と同じ研
削方法により次の半導体ウエハの研削加工が行われる。
このように構成された本実施の形態１によれば、２点式
の厚み測定器５にて半導体ウエハ２０の研削加工面２０
ａの高さと研削テーブル１の測定基準面１ａの高さを測
定することにより、研削加工を停止した状態で半導体ウ
エハ２０の厚みを測定することができるので、研削加工
時における研削テーブルの熱膨張の影響や、研削具の磨
耗等の影響を受けることなく、半導体ウエハの厚みを正
確に測定することができる。

【００２９】また、直径３０ｍｍ以下と極端に小さい半
導体ウエハや、短辺が３０ｍｍ以下と極端に短い矩形の
半導体ウエハ等の極く小さな半導体ウエハであっても、
研削時は厚み測定器の第１測定子を研削具に接触しない
位置へ待機させれば破損を防止することができ、一方研
削後は、研削具を上昇させ回転を停止してから、厚み測
定器の第１測定子と第２測定子を半導体ウエハの研削加
工面と研削テーブルの測定基準面に接近当接させて各々
の高さを測定できるので、研削具が邪魔とならず、かつ
研削具の回転による風圧の影響を受けずに、半導体ウエ
ハの厚みを正確に測定することができる。従って、あら
ゆる大きさの半導体ウエハをミクロン単位以下（例えば
半導体ウエハの厚み：１００±０．５μｍ）で超高精度
に研削加工することが可能となる。

【００３０】また、厚み測定器において、基幹部９にて
第１測定子３及び第２測定子４を保持し、これらの各測
定子ではなく、この基幹部９を移動機構部１０にて移動
させるので、第１測定子３と第２測定子４とが位置関係
にずれを生じることなく移動でき、高精度な厚み測定を
繰り返し安定して行うことができる。さらに、厚み測定
時は半導体ウエハ２０の研削加工面２０ａへの研削水１
４の供給を停止することで、第１測定子３及び第２測定
子４が研削水１４の水圧の影響を受けることがなくな
り、より高精度な厚み測定を行える。

【００３１】また、予備研削（荒研削）した後に半導体
ウエハ２０の厚みを測定して不足の研削量ΔＴ2を算出
し、この不足の研削量ΔＴ2を追加研削する２段階研削
方式とすることにより、予備研削では精度を要求されず
に大部分を研削でき、それによって後の追加研削の研削
量を少量とすることができる。従って、追加研削の加工
時間が短くて済むことから、追加研削時の研削テーブル
１の熱膨張を大幅に抑えることができ、さらに、研削量
も少ないことから研削具２の磨耗量が極く僅かであり、
よって研削具２の下降位置制御にはほとんど影響がなく
なり、より高精度に半導体ウエハの研削加工を行うこと
ができる。また、２段階研削方式とすることにより、予
備研削と追加研削を別の位置で研削することができ、能
率良く順次半導体ウエハを研削加工することができる。
また、追加研削において、予備研削終了時の研削具の下
降停止位置座標から開始して不足の研削量を研削するこ
とで、追加研削を開始する正確な座標位置を容易に設定
することができると共に、高精度な追加研削を維持する
ことができる。

【００３２】実施の形態２ 本発明の実施の形態２に係る半導体ウエハの研削装置お
よび研削方法は、図３で説明した実施の形態１とは追加
研削において異なるだけである。すなわち、研削具２が
半導体ウエハ２０に接触して生ずる抵抗により回転モー
タ８の電圧（または電流）が変化したときの研削具２の
下降停止位置座標Ｚ′から不足の研削量ΔＴ2を追加研
削するものである。この場合、（実施の形態１では必要
であった）予備研削終了時に研削具２の下降停止位置座
標Ｚを記憶することを、実施の形態２では省くことがで
きる。

【００３３】このように構成された本実施の形態２によ
っても、実施の形態１と同様に、追加研削を開始する正
確な座標位置を容易に設定することができると共に、高
精度な追加研削を維持することができる。

【００３４】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れない。例えば、本実施の形態では、厚み測定器５の移
動機構部１０に回動モータ１１を用いて、基幹部９を回
動、揺動させて第１測定子３及び第２測定子４を半導体
ウエハ２０の研削面２０ａ及び研削テーブル１の測定基
準面１ａに接触離間する方向に移動させるよう構成した
が、例えば往復動シリンダやボールネジ機構などを用い
て、基幹部９を長手方向に対して垂直にスライド移動さ
せたり、あるいは基幹部９を長手方向に移動させるよう
に構成してもよい。また、研削具２は１箇所の研削加工
位置のみに設けられることに限定されず、複数箇所に設
けるも良く、それに伴って厚み測定器５も複数箇所に配
設すれば良い。これによって、大量の半導体ウエハを効
率良く研削加工処理することができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、次のような効果を奏する。すなわち、本発明によれ
ば、半導体ウエハの厚みを測定するときには、厚み測定
器の第１測定子及び第２測定子を待機位置から測定位置
に移動させ、かつ研削を停止させるよう構成しているの
で、研削加工中における研削テーブルの熱膨張の影響
や、研削具の磨耗の影響を受けることなく、半導体ウエ
ハの厚みを正確に測定することができる。また、従来で
は高精度な研削加工が困難であった極く小さな半導体ウ
エハであっても、研削時は、厚み測定器の第１測定子を
研削具に接触しない位置へ待機させているので破損を防
止することができ、一方研削後は、研削を停止してか
ら、厚み測定器の第１測定子と第２測定子を半導体ウエ
ハの研削加工面と研削テーブルの測定基準面に接近当接
させて各々の高さを測定できるので、研削具が邪魔とな
らずかつ研削具の回転による風圧の影響を受けずに、半
導体ウエハの厚みを正確に測定することができる。従っ
て、あらゆる大きさの半導体ウエハをミクロン単位以下
で超高精度に研削加工することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体ウエハの研
削装置による研削加工の状態を示す模式図である。

【図２】同実施の形態１において半導体ウエハの厚みを
測定している状態を示す模式図である。

【図３】同実施の形態１において研削方法を説明し、か
つ実施の形態２に係る半導体ウエハの研削方法の説明を
兼ねる説明図である。

【符号の説明】

１ 研削テーブル １ａ 測定基準面（半導体ウエハ設置面） ２ 研削具 ３ 第１測定子 ３ａ 先端当接子（第１測定子） ４ 第２測定子 ４ａ 先端当接子（第２測定子） ５ 厚み測定器 ６ スピンドル軸 ７ 回転昇降手段 ８ 回転モータ ９ 基幹部（保持部） ９ａ 先端 ９ｂ 基端 １０ 移動機構部 １１ 回動モータ（正逆回転可能） １２ 回動軸 １３ ノズル １４ 研削水 ２０ 半導体ウエハ ２０ａ 研削加工面 Ｈ1 高さ（半導体ウエハの研削加工面） Ｈ2 高さ（研削テーブルの測定基準面） Ｔ1 厚み（予備研削終了時の半導体ウエハ） Ｔ2 厚み（目標とする半導体ウエハ） ΔＴ1 設定した研削量 ΔＴ2 不足の研削量 ｚ 下降停止位置座標

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研削テーブルと、該研削テーブルに設置
   される半導体ウエハを研削する研削具と、半導体ウエハ
   の研削加工面に接触し、その研削加工面の高さを測定す
   る第１測定子及び研削テーブルの半導体ウエハ設置面に
   接触し、その設置面の高さを測定する第２測定子を有
   し、これらの測定子によって得られた測定値から半導体
   ウエハの厚みを求める半導体ウエハの厚み測定器と、求
   められた半導体ウエハの厚みに研削不足があれば追加研
   削すべく各部に作動を指令する作動指令部とを備え、 厚み測定器が、第１測定子及び第２測定子を、測定位置
   とこの測定位置から離れた待機位置とに切換移動させる
   測定子切換移動手段をさらに備え、 作動指令部が、第１測定子および第２測定子を、半導体
   ウエハの厚みを測定しない時は待機位置に、半導体ウエ
   ハの厚みを測定する時は測定位置にそれぞれ切換移動さ
   せ、かつ半導体ウエハの厚みを測定する時はさらに研削
   を停止すべく、測定子切換移動手段および研削具に作動
   を指令するよう構成されたことを特徴とする半導体ウエ
   ハの研削装置。
2. 【請求項２】 厚み測定器が、第１測定子及び第２測定
   子と、これらの測定子を保持する保持部と、この保持部
   を回転移動またはスライド移動させる保持部移動手段と
   からなり、 作動指令部が、第１測定子及び第２測定子を、半導体ウ
   エハの厚みを測定しない時は待機位置に、半導体ウエハ
   の厚みを測定する時は測定位置にそれぞれ切換移動させ
   るべく保持部移動手段に作動を指令するよう構成された
   請求項１記載の半導体ウエハの研削装置。
3. 【請求項３】 研削具が、砥石と、この砥石を回転およ
   び昇降させる砥石駆動手段とからなり、 作動指令部が、半導体ウエハの厚みを測定する時は、砥
   石を半導体ウエハの研削加工面から離すために上昇さ
   せ、次いで砥石の回転を停止させるべく砥石駆動手段に
   作動を指令するよう構成された請求項１または２に記載
   の半導体ウエハの研削装置。
4. 【請求項４】 半導体ウエハの研削加工面へ研削水を供
   給する研削水供給部をさらに備え、 作動指令部が、半導体ウエハの厚みを測定する時は、研
   削水の供給を停止させるべく研削水供給部に作動を指令
   するよう構成された請求項１〜３のいずれか一つに記載
   の半導体ウエハの研削装置。
5. 【請求項５】 半導体ウエハを研削テーブル上に設置し
   て研削具による研削を行い、第１測定子を研削加工面に
   接触させてその研削加工面の高さを、第２測定子を半導
   体ウエハ設置面に接触させてその半導体ウエハ設置面の
   高さをそれぞれ研削を停止して測定し、得られた測定値
   から半導体ウエハの厚みを求め、求められた半導体ウエ
   ハの厚みに研削不足があるときは、追加研削することを
   特徴とする半導体ウエハの研削方法。
6. 【請求項６】 第１測定子および第２測定子を、半導体
   ウエハの厚みを測定する時は測定位置に、半導体ウエハ
   の厚みを測定しない時は測定位置から離れた待機位置に
   それぞれ切換移動させる請求項５記載の半導体ウエハの
   研削方法。
7. 【請求項７】 半導体ウエハの厚みが所望の値に達する
   前に厚み測定器により半導体ウエハの厚みを測定して不
   足の研削量を求め、次いで、求められた不足の研削量に
   対応して追加研削する請求項５または６記載の半導体ウ
   エハの研削方法。
8. 【請求項８】 追加研削するに際して、その開始を、直
   前の研削終了時の研削具の下降停止位置座標からにする
   請求項５〜７のいずれか一つに記載の半導体ウエハの研
   削方法。
9. 【請求項９】 研削具が回転モータで駆動され、 追加研削するに際して、その開始を、研削具が半導体ウ
   エハに接触して回転モータの電圧が変化したときからに
   する請求項５〜７のいずれか一つに記載の半導体ウエハ
   の研削方法。