JP2008246614A - 加工装置 - Google Patents
加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008246614A JP2008246614A JP2007089659A JP2007089659A JP2008246614A JP 2008246614 A JP2008246614 A JP 2008246614A JP 2007089659 A JP2007089659 A JP 2007089659A JP 2007089659 A JP2007089659 A JP 2007089659A JP 2008246614 A JP2008246614 A JP 2008246614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- grinding
- start position
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 80
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 34
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
【解決手段】研削加工装置10に加工開始位置補正手段111を設ける。加工開始位置補正手段111は、加工開始位置hをチャックテーブル20の傾き角度に応じた適正な位置に補正する補正値を記憶している。この加工開始位置補正手段111は、チャックテーブル20を傾かせたときに、傾き角度とともに、その角度に応じた補正値を読み取り、加工開始位置データを補正することにより、加工開始位置hを基板表面に限りなく近接した位置に設定する。その結果、エアカット動作を研削ユニット30が基板1と接触する直前まで行うことができる。
【選択図】図2
Description
[1]研削加工装置
図2は、本発明が適用された研削加工装置を示している。この研削加工装置(加工装置)10は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)の表面を研削するものである。図1は、研削加工するウェーハの一例を示しており、このウェーハ(基板)1は、原材料のインゴットをスライスして得た後、ラッピングによって厚さが調整され、次いでラッピングで形成された両面の機械的ダメージ層をエッチングによって除去した素材段階のものである。ウェーハ1の外周縁には、結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)2が形成されている。ウェーハ1の厚さは、例えば800μm程度であるが、その厚さは均一ではなく、エッチングによる2〜3μm程度の面内厚さムラがある。よってウェーハ1は研削加工装置10により、例えば10〜20μm程度の厚さが除去される。
以下、研削加工エリア11Aと着脱エリア11Bについて説明する。
研削加工エリア11Aには、矩形状のピット14が形成されている。このピット14内には、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル13が回転自在に設けられている。このターンテーブル13は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印方向に回転させられる。ターンテーブル13上の外周部には、複数(この場合は2つ)の円盤状のチャックテーブル(保持手段)20が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。
図2に示すように、着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そして、このピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給手段73、回収手段76、スピンナ式洗浄装置80、回収カセット81が、それぞれ配置されている。供給手段73は、水平な下面にウェーハ1を真空作用で吸着する吸着パッド74と、この吸着パッド74が先端に固定された水平旋回式の供給アーム75とにより構成されている。また、回収手段76は、水平な下面にウェーハ1を真空作用で吸着する吸着パッド78と、この吸着パッド78が先端に固定された水平旋回式の供給アーム79とにより構成されている。カセット71,81は、複数のウェーハ1を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台11上の所定位置にセットされる。また、供給手段73と回収手段76との間には、着脱位置にあるチャックテーブル20に水を噴射して研削後のウェーハ1を洗浄する洗浄ノズル77が設けられている。
次に、本発明に係る加工開始位置補正手段111を説明する。
以上が本実施形態の研削加工装置10の構成であり、次に該装置10の動作を説明する。
研削加工されるウェーハ1は、はじめにピックアップロボット70によって供給カセット71内から取り出され、位置合わせ台72上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウェーハ1は、供給アーム73によって位置合わせ台72から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル20上に被研削面を上に向けて載置される。
10…研削加工装置(加工装置)
20…チャックテーブル(保持手段)
20a…回転軸
21a…吸着エリアの上面(保持面)
30…研削ユニット(加工手段)
40…スライダ(送り手段)
41…ガイドレール(送り手段)
42…サーボモータ(送り手段)
43…送り機構(送り手段)
110…送り動作制御手段
111…加工開始位置補正手段
P…待機位置
h…加工開始位置
Claims (1)
- 基板を吸着保持する保持面を有する回転可能な保持手段と、
該保持手段の回転軸の傾きを基本角度から任意の角度に調整する傾斜調整手段と、
該保持手段の前記保持面に対向配置され、前記基本角度の状態の前記保持手段の前記回転軸と平行な回転軸を有する加工手段と、
前記保持手段と前記加工手段とを、加工手段の前記回転軸に沿って相対移動させて互いに接近・離間させるとともに、接近時に加工手段によって前記基板に所望の加工を施す送り手段と、
予め記憶している加工開始位置データに基づいて、前記加工手段が待機位置から基板の加工開始位置まで、基板加工時の送り速度より高速で移動するように前記送り手段を制御する送り動作制御手段とを有する加工装置において、
前記傾斜調整手段により調整された前記保持手段の回転軸の傾き角度に基づいて、前記送り動作制御手段が記憶している前記加工開始位置データを補正する加工開始位置補正手段を備えることを特徴とする加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007089659A JP4966069B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007089659A JP4966069B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008246614A true JP2008246614A (ja) | 2008-10-16 |
JP4966069B2 JP4966069B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=39972175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007089659A Active JP4966069B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4966069B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004726A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
KR20200101836A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
CN111805328A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-23 | 清华大学 | 用于晶圆磨削的可倾斜的主轴组件 |
CN113195159A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-07-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106272029B (zh) * | 2016-10-10 | 2018-05-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 基板研磨装置及调整基板研磨位置的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0985619A (ja) * | 1995-05-26 | 1997-03-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 表面研削方法及びその装置 |
JPH11309653A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの平面加工装置 |
JP2002001653A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 微調整装置 |
JP2007054922A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 板状被研削物の研削装置及び研削方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007089659A patent/JP4966069B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0985619A (ja) * | 1995-05-26 | 1997-03-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 表面研削方法及びその装置 |
JPH11309653A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの平面加工装置 |
JP2002001653A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | 微調整装置 |
JP2007054922A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 板状被研削物の研削装置及び研削方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004726A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
CN113195159A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-07-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN113195159B (zh) * | 2018-12-19 | 2024-02-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
KR20200101836A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 장치 |
CN111805328A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-23 | 清华大学 | 用于晶圆磨削的可倾斜的主轴组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4966069B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5276823B2 (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
JP5025200B2 (ja) | 研削加工時の厚さ測定方法 | |
JP5025297B2 (ja) | 加工装置 | |
US7462094B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP5064102B2 (ja) | 基板の研削加工方法および研削加工装置 | |
JP4980140B2 (ja) | ウェーハの研削加工方法 | |
JP4916833B2 (ja) | 研削加工方法 | |
JP7046573B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
KR102507675B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2008258554A (ja) | ウェーハの研削加工装置 | |
JP6336772B2 (ja) | 研削研磨装置 | |
JP2009164414A (ja) | ウェーハの研磨方法および研磨装置 | |
JP4966069B2 (ja) | 加工装置 | |
JP6457275B2 (ja) | 研削装置 | |
JP7127994B2 (ja) | ドレッシングボード及びドレッシング方法 | |
JP5335245B2 (ja) | ウェーハの研削方法および研削加工装置 | |
JP2008062353A (ja) | 研削加工方法および研削加工装置 | |
JP2007059524A (ja) | 基板の切削方法および切削装置 | |
JP7413103B2 (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JP2017204606A (ja) | ウエーハ製造方法 | |
JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 | |
TW201707861A (zh) | 磨削方法 | |
JP5654365B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2022092770A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP7525268B2 (ja) | 平面研削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120327 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4966069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |