JP2000006018A - 研削装置 - Google Patents
研削装置Info
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- JP2000006018A JP2000006018A JP17578898A JP17578898A JP2000006018A JP 2000006018 A JP2000006018 A JP 2000006018A JP 17578898 A JP17578898 A JP 17578898A JP 17578898 A JP17578898 A JP 17578898A JP 2000006018 A JP2000006018 A JP 2000006018A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 計測アームの計測値によって被加工物の厚さ
を計測できるようにした研削装置において、摩擦によっ
て加熱された研削水が飛散した場合にも、厚さ計測用の
計測アームに熱ひずみが生じないようにして被加工物の
厚さを正確に計測できるようにする。 【解決手段】 少なくとも、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに対峙して配設され被
加工物を研削する研削手段と、被加工物の厚さを計測す
る計測アームを含む厚さ計測手段と、研削水を供給する
研削水供給手段とから構成される研削装置において、厚
さ計測手段に、計測アームが被加工物に接触して厚さを
計測する際に計測アームに研削水がかかるのを防止する
防水カバーを配設する。
を計測できるようにした研削装置において、摩擦によっ
て加熱された研削水が飛散した場合にも、厚さ計測用の
計測アームに熱ひずみが生じないようにして被加工物の
厚さを正確に計測できるようにする。 【解決手段】 少なくとも、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに対峙して配設され被
加工物を研削する研削手段と、被加工物の厚さを計測す
る計測アームを含む厚さ計測手段と、研削水を供給する
研削水供給手段とから構成される研削装置において、厚
さ計測手段に、計測アームが被加工物に接触して厚さを
計測する際に計測アームに研削水がかかるのを防止する
防水カバーを配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研削水を供給しな
がら半導体ウェーハ等の被加工物を研削すると共に、研
削時に被加工物の厚さを計測することができる研削装置
に関する。
がら半導体ウェーハ等の被加工物を研削すると共に、研
削時に被加工物の厚さを計測することができる研削装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ等の被加工物を研削する
装置においては、図４に示すように、被加工物５２はチ
ャックテーブル５１に保持されており、被加工物５２の
上面に研削水５７を供給しながら、下部に研削砥石（図
示せず）を備えた回転する研削手段５３によって所望の
押圧力が加えられることにより被加工物５２の上面が研
削される。
装置においては、図４に示すように、被加工物５２はチ
ャックテーブル５１に保持されており、被加工物５２の
上面に研削水５７を供給しながら、下部に研削砥石（図
示せず）を備えた回転する研削手段５３によって所望の
押圧力が加えられることにより被加工物５２の上面が研
削される。
【０００３】また、チャックテーブル５１の近傍には、
２本の計測アーム５４、５５を備えた厚さ計測手段５０
が配設されており、被加工物５２の厚さを計測する際
は、一方の計測アーム５４の先端をチャックテーブル５
１の上面に接触させ、もう一方の計測アーム５５の先端
を被加工物５２の上面に接触させる。
２本の計測アーム５４、５５を備えた厚さ計測手段５０
が配設されており、被加工物５２の厚さを計測する際
は、一方の計測アーム５４の先端をチャックテーブル５
１の上面に接触させ、もう一方の計測アーム５５の先端
を被加工物５２の上面に接触させる。
【０００４】そして、厚さ計測手段５０の本体部５６が
各アームの垂直方向の位置を示す計測値を読み取り、２
つの計測値の差から被加工物の厚さを求めることによっ
て、所望の厚さに研削できたか否かを判断することがで
きるのである。
各アームの垂直方向の位置を示す計測値を読み取り、２
つの計測値の差から被加工物の厚さを求めることによっ
て、所望の厚さに研削できたか否かを判断することがで
きるのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚さ計
測手段５０によって被加工物の厚さを計測しながら研削
を行っているにもかかわらず、仕上がった被加工物の厚
さを実測すると、数μｍの狂いが生じている場合があ
る。これは、研削によって生ずる摩擦熱により研削水が
加熱され、加熱された研削水が研削手段５３の回転によ
って飛散すると、計測アーム５４、５５にもその研削水
がかかり、計測アーム５４、５５に熱ひずみが生じるこ
とがあるからであり、このようにして計測アーム５４、
５５に熱ひずみが生じると、各計測アームの計測値が正
確でなくなり、被加工物５２の厚さを正確に求められな
くなるという知見を得た。
測手段５０によって被加工物の厚さを計測しながら研削
を行っているにもかかわらず、仕上がった被加工物の厚
さを実測すると、数μｍの狂いが生じている場合があ
る。これは、研削によって生ずる摩擦熱により研削水が
加熱され、加熱された研削水が研削手段５３の回転によ
って飛散すると、計測アーム５４、５５にもその研削水
がかかり、計測アーム５４、５５に熱ひずみが生じるこ
とがあるからであり、このようにして計測アーム５４、
５５に熱ひずみが生じると、各計測アームの計測値が正
確でなくなり、被加工物５２の厚さを正確に求められな
くなるという知見を得た。
【０００６】従って、計測アームによる計測値によって
被加工物の厚さを計測できるようにした研削装置におい
ては、加熱された研削水が飛散しても計測アームに熱ひ
ずみが生じないようにして、被加工物の厚さの計測を正
確に行うことができるようにすることに解決すべき課題
を有している。
被加工物の厚さを計測できるようにした研削装置におい
ては、加熱された研削水が飛散しても計測アームに熱ひ
ずみが生じないようにして、被加工物の厚さの計測を正
確に行うことができるようにすることに解決すべき課題
を有している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、少なくとも、被加工物を
保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに対
峙して配設され被加工物を研削する研削手段と、被加工
物の厚さを計測する計測アームを含む厚さ計測手段と、
研削水を供給する研削水供給手段とから構成される研削
装置であって、該厚さ計測手段には、計測アームが被加
工物に接触して厚さを計測する際に、計測アームに研削
水がかかるのを防止する防水カバーが配設されている研
削装置を提供するものである。
の具体的手段として本発明は、少なくとも、被加工物を
保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに対
峙して配設され被加工物を研削する研削手段と、被加工
物の厚さを計測する計測アームを含む厚さ計測手段と、
研削水を供給する研削水供給手段とから構成される研削
装置であって、該厚さ計測手段には、計測アームが被加
工物に接触して厚さを計測する際に、計測アームに研削
水がかかるのを防止する防水カバーが配設されている研
削装置を提供するものである。
【０００８】そして、計測アームは、被加工物の上面に
接触する被加工物用計測アームとチャックテーブルの上
面に接触するチャックテーブル用計測アームとから構成
され、厚さ計測手段は各計測アームの計測値の差によっ
て該被加工物の厚さを計測するものであり、防水カバー
は、被加工物用計測アームとチャックテーブル用計測ア
ームとに研削水がかからないように配設されること、被
加工物は、半導体ウェーハであることを付加的要件とす
るものである。
接触する被加工物用計測アームとチャックテーブルの上
面に接触するチャックテーブル用計測アームとから構成
され、厚さ計測手段は各計測アームの計測値の差によっ
て該被加工物の厚さを計測するものであり、防水カバー
は、被加工物用計測アームとチャックテーブル用計測ア
ームとに研削水がかからないように配設されること、被
加工物は、半導体ウェーハであることを付加的要件とす
るものである。
【０００９】このように構成される研削装置を用いて研
削水を供給しながら被加工物の研削を行うと、防水カバ
ーによって、加熱されて飛散する研削水が計測アームに
かかるのを防止することができるため、計測アームに熱
ひずみが生じなくなり、被加工物の厚さを正確に計測で
きるようになる。
削水を供給しながら被加工物の研削を行うと、防水カバ
ーによって、加熱されて飛散する研削水が計測アームに
かかるのを防止することができるため、計測アームに熱
ひずみが生じなくなり、被加工物の厚さを正確に計測で
きるようになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図１
から図３を参照して説明する。図１に示す研削装置１０
は、被加工物を所望の厚さに研削する装置であり、被加
工物を収容するカセット１１、１２と、カセット１１か
らの被加工物の搬出またはカセット１２への被加工物の
搬入を行う搬出入手段１３と、被加工物の位置合わせを
行うセンター合わせテーブル１４、１５と、被加工物を
搬送する第一の搬送手段１６及び第二の搬送手段１７
と、被加工物が載置されて保持される４つのチャックテ
ーブル１８、１９、２０、２１を備えたターンテーブル
２２と、各チャックテーブルに保持された被加工物を研
削する研削手段２３、２４と、被加工物の厚さを計測す
る厚さ計測手段２５とを有している。以下においては、
被加工物として半導体ウェーハを研削する場合を例に挙
げて説明する。
から図３を参照して説明する。図１に示す研削装置１０
は、被加工物を所望の厚さに研削する装置であり、被加
工物を収容するカセット１１、１２と、カセット１１か
らの被加工物の搬出またはカセット１２への被加工物の
搬入を行う搬出入手段１３と、被加工物の位置合わせを
行うセンター合わせテーブル１４、１５と、被加工物を
搬送する第一の搬送手段１６及び第二の搬送手段１７
と、被加工物が載置されて保持される４つのチャックテ
ーブル１８、１９、２０、２１を備えたターンテーブル
２２と、各チャックテーブルに保持された被加工物を研
削する研削手段２３、２４と、被加工物の厚さを計測す
る厚さ計測手段２５とを有している。以下においては、
被加工物として半導体ウェーハを研削する場合を例に挙
げて説明する。
【００１１】カセット１１には研削前の半導体ウェーハ
Ｗが複数段に重ねて収納されており、搬出入手段１３に
よって１枚ずつピックアップされてセンター合わせテー
ブル１４に載置される。そしてここで半導体ウェーハＷ
の位置合わせが行われた後、第一の搬送手段１６に吸着
されると共に第一の搬送手段１６が旋回動することによ
って、洗浄領域４３において洗浄されてからチャックテ
ーブル１８に半導体ウェーハＷが載置される。
Ｗが複数段に重ねて収納されており、搬出入手段１３に
よって１枚ずつピックアップされてセンター合わせテー
ブル１４に載置される。そしてここで半導体ウェーハＷ
の位置合わせが行われた後、第一の搬送手段１６に吸着
されると共に第一の搬送手段１６が旋回動することによ
って、洗浄領域４３において洗浄されてからチャックテ
ーブル１８に半導体ウェーハＷが載置される。
【００１２】次に、ターンテーブル２２が所要角度回転
して半導体ウェーハＷが載置されたチャックテーブル１
８が研削手段２３の直下に位置付けられる。このとき、
ターンテーブル２２の回転前にチャックテーブル１８が
位置していた位置には、チャックテーブル１９が自動的
に位置付けられる。そして、カセット１１から次に研削
する半導体ウェーハＷが搬出されてセンター合わせテー
ブル１４に載置され、位置合わせがなされた後、第一の
搬送手段１６によって洗浄領域４３に搬送されて洗浄さ
れてからチャックテーブル１９に搬送されて載置され
る。一方、研削手段２３の直下に位置付けられた半導体
ウェーハＷは、研削手段２３の作用を受けて上面を研削
される。ここでは例えば粗仕上げが行われる。
して半導体ウェーハＷが載置されたチャックテーブル１
８が研削手段２３の直下に位置付けられる。このとき、
ターンテーブル２２の回転前にチャックテーブル１８が
位置していた位置には、チャックテーブル１９が自動的
に位置付けられる。そして、カセット１１から次に研削
する半導体ウェーハＷが搬出されてセンター合わせテー
ブル１４に載置され、位置合わせがなされた後、第一の
搬送手段１６によって洗浄領域４３に搬送されて洗浄さ
れてからチャックテーブル１９に搬送されて載置され
る。一方、研削手段２３の直下に位置付けられた半導体
ウェーハＷは、研削手段２３の作用を受けて上面を研削
される。ここでは例えば粗仕上げが行われる。
【００１３】そして粗仕上げが行われると、ターンテー
ブル２２が所要角度回転し、チャックテーブル１８は研
削手段２４の直下に位置付けられ、研削手段２４の作用
を受けて上面を研削される。ここでは例えば最終仕上げ
が行われる。またこのときチャックテーブル１９は研削
手段２３の直下に位置付けられ、ここで研削手段２３の
作用を受けて同様の研削が行われる。
ブル２２が所要角度回転し、チャックテーブル１８は研
削手段２４の直下に位置付けられ、研削手段２４の作用
を受けて上面を研削される。ここでは例えば最終仕上げ
が行われる。またこのときチャックテーブル１９は研削
手段２３の直下に位置付けられ、ここで研削手段２３の
作用を受けて同様の研削が行われる。
【００１４】研削手段２３、２４は、起立して設けられ
た壁体２６に対して上下動可能となっている。ここで、
研削手段２３と研削手段２４とは同様に構成されるた
め、共通の符号を付して説明すると、壁体２６の内側の
面には一対のレール２８が垂直方向に併設され、駆動源
２７に駆動されてレール２８に沿ってスライド板２９が
上下動するのに伴い、スライド板２９に固定された研削
手段２３、２４が上下動するようになっている。
た壁体２６に対して上下動可能となっている。ここで、
研削手段２３と研削手段２４とは同様に構成されるた
め、共通の符号を付して説明すると、壁体２６の内側の
面には一対のレール２８が垂直方向に併設され、駆動源
２７に駆動されてレール２８に沿ってスライド板２９が
上下動するのに伴い、スライド板２９に固定された研削
手段２３、２４が上下動するようになっている。
【００１５】研削手段２３、２４においては、図２に示
すように、回転可能に支持されたスピンドル３０の先端
にマウンタ３１を介して研削ホイール３２が装着されて
おり、研削ホイール３２の下部には研削砥石３３が突設
されている。研削砥石３３としては、研削手段２３には
粗仕上げ用の砥石、研削手段２４には最終仕上げ用の砥
石が用いられる。また、研削水供給手段３４がスピンド
ル３０、マウンタ３１、研削ホイール３２を貫通してお
り、研削水供給口３５から半導体ウェーハＷに対して研
削水３６が供給される。
すように、回転可能に支持されたスピンドル３０の先端
にマウンタ３１を介して研削ホイール３２が装着されて
おり、研削ホイール３２の下部には研削砥石３３が突設
されている。研削砥石３３としては、研削手段２３には
粗仕上げ用の砥石、研削手段２４には最終仕上げ用の砥
石が用いられる。また、研削水供給手段３４がスピンド
ル３０、マウンタ３１、研削ホイール３２を貫通してお
り、研削水供給口３５から半導体ウェーハＷに対して研
削水３６が供給される。
【００１６】更に、研削手段２４の近傍には、図２及び
図３に示すように、半導体ウェーハＷの厚さを計測する
厚さ計測手段２５が配設されている。厚さ計測手段２５
には、図３に示すように、２本のＬ字型の計測アームを
備えており、そのうちの１本は半導体ウェーハＷの上面
に接触する被加工物用計測アーム３７、もう１本は研削
手段２４の直下に位置付けられたチャックテーブルの上
面に接触するチャックテーブル用計測アーム３８であ
る。
図３に示すように、半導体ウェーハＷの厚さを計測する
厚さ計測手段２５が配設されている。厚さ計測手段２５
には、図３に示すように、２本のＬ字型の計測アームを
備えており、そのうちの１本は半導体ウェーハＷの上面
に接触する被加工物用計測アーム３７、もう１本は研削
手段２４の直下に位置付けられたチャックテーブルの上
面に接触するチャックテーブル用計測アーム３８であ
る。
【００１７】各計測アーム３７、３８は、所要範囲上下
動可能となっており、被加工物用計測アーム３７のＬ字
の短辺部の先端を半導体ウェーハＷの上面に接触させた
ときの計測値とチャックテーブル用計測アーム３８のＬ
字の短辺部の先端をチャックテーブルの上面に接触させ
たときの計測値との差によって、半導体ウェーハＷの厚
さを求めることができる。
動可能となっており、被加工物用計測アーム３７のＬ字
の短辺部の先端を半導体ウェーハＷの上面に接触させた
ときの計測値とチャックテーブル用計測アーム３８のＬ
字の短辺部の先端をチャックテーブルの上面に接触させ
たときの計測値との差によって、半導体ウェーハＷの厚
さを求めることができる。
【００１８】各計測アーム３７、３８には、研削水がか
かるのを防止するために、ゴム等によって形成された２
つの防水カバー３９、４０が配設されている。防水カバ
ー３９、４０は、その一端が厚さ計測手段２５の本体部
４１に固定されており、各計測アーム３７、３８の全体
を覆うようにして配設され、各計測アーム３７、３８に
加熱した研削水が付着するのを阻止している。なお、防
水カバー３９、４０は、図２及び図３に示したように、
各計測アーム毎に設けてもよいし、１つの防水カバーで
２本の計測アームの両方を覆うように形成してもよい。
かるのを防止するために、ゴム等によって形成された２
つの防水カバー３９、４０が配設されている。防水カバ
ー３９、４０は、その一端が厚さ計測手段２５の本体部
４１に固定されており、各計測アーム３７、３８の全体
を覆うようにして配設され、各計測アーム３７、３８に
加熱した研削水が付着するのを阻止している。なお、防
水カバー３９、４０は、図２及び図３に示したように、
各計測アーム毎に設けてもよいし、１つの防水カバーで
２本の計測アームの両方を覆うように形成してもよい。
【００１９】半導体ウェーハＷは、研削手段２３によっ
て粗仕上げがなされた後、研削手段２４によって最終仕
上げがなされるが、半導体ウェーハＷを所望の厚さに研
削するために、上記のようにして半導体ウェーハＷの厚
さを計測しながら最終仕上げの研削が行われる。研削時
は研削水供給手段３４から研削水が供給され、供給され
た研削水は、研削砥石３３と半導体ウェーハＷとの摩擦
によって加熱される。そして、加熱された研削水は、研
削砥石３３の回転によって飛散する。
て粗仕上げがなされた後、研削手段２４によって最終仕
上げがなされるが、半導体ウェーハＷを所望の厚さに研
削するために、上記のようにして半導体ウェーハＷの厚
さを計測しながら最終仕上げの研削が行われる。研削時
は研削水供給手段３４から研削水が供給され、供給され
た研削水は、研削砥石３３と半導体ウェーハＷとの摩擦
によって加熱される。そして、加熱された研削水は、研
削砥石３３の回転によって飛散する。
【００２０】図４に示した従来の厚さ計測手段５０で
は、防水カバーが配設されていなかったために、各計測
アームに加熱された研削水がかかり、各アームに熱ひず
みが生じて半導体ウェーハＷの厚さを正確に計測できな
いことがあった。しかし、本発明においては防水カバー
３９、４０を配設したことにより、各アームに加熱され
た研削水がかからなくなるために各アームに熱ひずみが
生じることがなく、半導体ウェーハＷの厚さを正確に計
測することが可能となる。
は、防水カバーが配設されていなかったために、各計測
アームに加熱された研削水がかかり、各アームに熱ひず
みが生じて半導体ウェーハＷの厚さを正確に計測できな
いことがあった。しかし、本発明においては防水カバー
３９、４０を配設したことにより、各アームに加熱され
た研削水がかからなくなるために各アームに熱ひずみが
生じることがなく、半導体ウェーハＷの厚さを正確に計
測することが可能となる。
【００２１】こうして半導体ウェーハＷの厚さを正確に
計測することにより所望の厚さに研削された半導体ウェ
ーハＷが載置されたチャックテーブル１８は、ターンテ
ーブル２２の回転によって第二の搬送手段１７の近傍に
位置付けられる。そして、第二の搬送手段１７によって
洗浄領域４２に搬送されて洗浄された後、更に第二の搬
送手段１７によってセンター合わせテーブル１５に搬送
される。
計測することにより所望の厚さに研削された半導体ウェ
ーハＷが載置されたチャックテーブル１８は、ターンテ
ーブル２２の回転によって第二の搬送手段１７の近傍に
位置付けられる。そして、第二の搬送手段１７によって
洗浄領域４２に搬送されて洗浄された後、更に第二の搬
送手段１７によってセンター合わせテーブル１５に搬送
される。
【００２２】センター合わせテーブル１５において位置
合わせが行われると、搬出入手段１３によって研削され
た半導体ウェーハＷがピックアップされてカセット１２
の内部に収納される。以上のようにして順次研削を行
い、最終的には研削された半導体ウェーハＷがすべてカ
セット１２に収納される。
合わせが行われると、搬出入手段１３によって研削され
た半導体ウェーハＷがピックアップされてカセット１２
の内部に収納される。以上のようにして順次研削を行
い、最終的には研削された半導体ウェーハＷがすべてカ
セット１２に収納される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る研削
装置を用いて研削水を供給しながら被加工物の研削を行
うと、防水カバーによって、加熱されて飛散する研削水
が計測アームにかかるのを防止することができるため、
被加工物の厚さを正確に計測できるようになり、所望の
厚さの被加工物を形成することができる。
装置を用いて研削水を供給しながら被加工物の研削を行
うと、防水カバーによって、加熱されて飛散する研削水
が計測アームにかかるのを防止することができるため、
被加工物の厚さを正確に計測できるようになり、所望の
厚さの被加工物を形成することができる。
【図１】本発明に係る研削装置の実施の形態の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】同研削装置において研削水を供給しながら半導
体ウェーハを研削する様子を示す説明図である。
体ウェーハを研削する様子を示す説明図である。
【図３】同研削装置に配設される厚さ測定手段を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】従来の厚さ測定手段を示す斜視図である。
１０……研削装置 １１、１２……カセット １３……
搬出入手段 １４、１５……センター合わせテーブル １６……第一
の搬送手段 １７……第二の搬送手段 １８、１９、２０、２１……
チャックテーブル ２２……ターンテーブル ２３、２４……研削手段 ２
５……計測手段 ２６……壁体 ２７……駆動源 ２８……レール ２９
……スライド板 ３０……スピンドル ３１……マウンタ ３２……研削
ホイール ３３……研削砥石 ３４……研削水供給手段 ３５……
研削水供給口 ３６……研削水 ３７……被加工物用計測アーム ３８……チャックテーブル用計測アーム ３９、４０…
…防水カバー ４１……本体部 ４２、４３……洗浄領域 ５０……厚さ計測手段 ５１……チャックテーブル ５
２……被加工物 ５３……研削手段 ５４、５５……計測アーム ５６…
…本体部
搬出入手段 １４、１５……センター合わせテーブル １６……第一
の搬送手段 １７……第二の搬送手段 １８、１９、２０、２１……
チャックテーブル ２２……ターンテーブル ２３、２４……研削手段 ２
５……計測手段 ２６……壁体 ２７……駆動源 ２８……レール ２９
……スライド板 ３０……スピンドル ３１……マウンタ ３２……研削
ホイール ３３……研削砥石 ３４……研削水供給手段 ３５……
研削水供給口 ３６……研削水 ３７……被加工物用計測アーム ３８……チャックテーブル用計測アーム ３９、４０…
…防水カバー ４１……本体部 ４２、４３……洗浄領域 ５０……厚さ計測手段 ５１……チャックテーブル ５
２……被加工物 ５３……研削手段 ５４、５５……計測アーム ５６…
…本体部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松澤 稔 東京都大田区東糀谷２−14−３ 株式会社 ディスコ内 Ｆターム(参考） 3C034 AA08 AA13 BB91 CA02 DD20
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、該チャックテーブルに対峙して配設され
該被加工物を研削する研削手段と、該被加工物の厚さを
計測する計測アームを含む厚さ計測手段と、研削水を供
給する研削水供給手段とから構成される研削装置であっ
て、 該厚さ計測手段には、該計測アームが被加工物に接触し
て厚さを計測する際に、該計測アームに研削水がかかる
のを防止する防水カバーが配設されている研削装置。 - 【請求項２】 計測アームは、被加工物の上面に接触す
る被加工物用計測アームとチャックテーブルの上面に接
触するチャックテーブル用計測アームとから構成され、
厚さ計測手段は各計測アームの計測値の差によって該被
加工物の厚さを計測するものであり、 防水カバーは、該被加工物用計測アームと該チャックテ
ーブル用計測アームとに研削水がかからないように配設
される請求項１に記載の研削装置。 - 【請求項３】 被加工物は、半導体ウェーハである請求
項１または２に記載の研削装置。
Priority Applications (1)
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