KR101642974B1 - 양면 연마 장치 - Google Patents

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KR101642974B1
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준이치 우에노
카즈야 사토
슈이치 코바야시
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신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 적어도, 연마포가 부착된 상하의 정반과, 상기 상하의 정반 사이에서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지공이 형성된 캐리어와, 상기 상정반의 회전축 방향으로 마련된 관통공에 배치되어, 연마 중인 상기 웨이퍼의 두께를 검출하는 센서와, 상기 센서를 지지하는 센서 홀더를 가지는 양면 연마 장치에 있어서, 상기 센서 홀더의 재질이 석영인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치이다. 이에 따라, 웨이퍼의 연마시에 발생하는 열의 영향에 의한 센서 홀더의 변형을 확실하게 억제함으로써, 웨이퍼의 목표 두께에 대한 오차를 저감시켜 웨이퍼를 연마할 수 있는 양면 연마 장치가 제공된다.

Description

양면 연마 장치{DUAL-SURFACE POLISHING DEVICE}
본 발명은, 양면 연마 장치에 관한 것으로, 구체적으로는, 웨이퍼 제조에 있어서의 양면 연마 공정에서, 웨이퍼 두께가 목표 두께에 도달한 시점에서 연마를 정지시킬 수 있는 양면 연마 장치에 관한 것이다.
고평탄화를 달성한 반도체 웨이퍼를 안정적으로 제조하기 위해서는, 반도체 웨이퍼를 목표한 마감 두께가 되도록 연마할 필요가 있다.
종래의 연마 가공 방법은, 조업 개시시 등의 전(前)가공 배치(batch)의 연마 속도를 기초로 하여, 본 가공 배치의 연마 시간을 산출하여, 목표 두께(target thickness)가 되도록 하고 있다.
그러나, 이 방법으로는, 연마포나 연마 슬러리, 캐리어의 마모 등에 의한 연마 상태의 변화를 받아 연마 속도가 계산했던 것과는 달리, 매 배치, 매 배치, 목표한 마감 두께로 하는 것이 곤란했었다.
그리고, 이 연마 가공시의 마감 두께의 차이가 평탄도 악화의 원인 중 하나가 되고 있다.
그러므로, 연마할 반도체 웨이퍼의 마감 두께를 검출하면서 연마를 행할 필요가 있으며, 두께를 측정하는 장치는 사이징(sizing) 장치라 불리고 있다.
사이징 장치의 일 예로서, 웨이퍼 두께를 직접 계측하는 광학 방식이나, 와전류 방식, 정전용량 방식, 수정판을 넣어 공진에 의해 웨이퍼 두께를 계측하는 방식(트랜젯 방식)이 존재한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
예를 들면, 와전류 센서나 정전용량 센서 등의 측정 범위가 좁은 타입의 센서로 두께를 측정하는 경우, 센서를 웨이퍼에 접근시켜 사용할 필요가 있다. 이 때문에, 종래의 양면 연마 장치에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상정반(102)의 회전축 방향으로 관통공(108)을 마련하고, 센서는 관통공(108) 내의 웨이퍼에 가까운 상정반(102)의 하단 부근에 배치되어 있다.
이때 필요한 것이 센서 홀더(107)이며, 그 센서 홀더(107)의 선단(하단)에 센서(106)가 지지되어 있다.
예를 들면, 센서 홀더(107)는 상정반(102)에 마련된 관통공(108)보다 한층 더 작게 상정반(102)에 직접 접촉되지 않는 크기로, 상정반 상부에서 고정된다. 그리고, 센서(106)는 연마포(104)에서부터 500μm 정도 이격된 위치가 되도록 고정된다.
이 센서 홀더(107)의 내부는 열전도 저감을 위해 캐비티로 이루어져 있으며, 예를 들면, 슈퍼 인바재 등과 같은 금속제 재료로 만들어져, 상정반(102) 상면으로부터 늘어뜨린 형태로 장착되어 있다.
그리고, 이와 같은 센서 홀더로 지지된 센서를 이용하여, 웨이퍼의 두께를 검출하면서 웨이퍼의 양면 연마를 행하여, 목표 두께가 되도록 하고 있다.
일본특허공개 H10-202514호 공보
그러나, 이와 같은 센서를 가진 양면 연마 장치로 웨이퍼의 양면 연마를 행하더라도, 실제 연마 후의 웨이퍼 두께와 목표 두께의 오차를, 예를 들면, 1μm 이하라는 목표 범위 내로 저감시킬 수 없었으므로, 연마 정밀도의 추가적인 향상이 요구되고 있었다.
이에, 본 발명자들이 이 오차가 저감되지 않는 원인에 대해서 조사한 결과, 센서 홀더에 상기한 바와 같은 열팽창 대책을 하고 있음에도 불구하고, 가공 중에 발생하는 열이 상정반에서부터 센서 홀더로 전달되고, 센서 홀더가 팽창·수축되어 센서의 위치 이동이 발생하는 것이 오차의 큰 원인인 것으로 판명되었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼의 연마시에 발생하는 열의 영향에 의한 센서 홀더의 변형을 확실하게 억제함으로써, 웨이퍼의 목표 두께에 대한 오차를 저감시켜 웨이퍼를 연마할 수 있는 양면 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 적어도, 연마포가 부착된 상하의 정반과, 상기 상하의 정반 사이에서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지공이 형성된 캐리어와, 상기 상정반의 회전축 방향으로 마련된 관통공에 배치되어, 연마 중인 상기 웨이퍼의 두께를 검출하는 센서와, 상기 센서를 지지하는 센서 홀더를 가지는 양면 연마 장치로서, 상기 센서 홀더의 재질이 석영인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치가 제공된다.
이와 같이, 상기 센서 홀더의 재질이 석영이라면, 연마시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더가 팽창 및 수축되는 것을 확실하게 억제할 수 있으므로, 센서의 위치 이동을 확실하게 억제할 수 있게 된다. 그 결과, 웨이퍼의 두께를 양호한 정밀도로 검출할 수 있으므로, 웨이퍼의 목표 두께에 대한 오차를 저감시킬 수 있는 것이 된다.
이때, 상기 석영은, 선팽창계수가 5.4×10-7/K 이하인 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 석영이, 선팽창계수가 5.4×10-7/K 이하인 것이라면, 연마시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더가 팽창 및 수축되는 것을 더욱 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 이때, 상기 센서 홀더는 수냉(水冷) 가능한 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 센서 홀더가 수냉 가능한 것이라면, 센서 홀더의 열변동을 억제할 수 있게 되므로, 연마시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더가 팽창 또는 수축되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있는 것이 된다.
또한, 이때, 상기 센서 홀더는, 형상이 상기 상정반의 관통공 내에 수용되는 통 형상이고, 상기 통 형상의 최하단의 위치에 상기 센서를 지지하는 것으로, 상기 통의 내부에 냉각수를 도입하는 도입구와, 상기 냉각수를 배출하는 배출구를 가지는 것으로 할 수 있다.
이와 같이, 상기 센서 홀더가, 형상이 상기 상정반의 관통공 내에 수용되는 통 형상이고, 상기 통 형상의 최하단의 위치에 상기 센서를 지지하는 것으로, 상기 통의 내부에 냉각수를 도입하는 도입구와, 상기 냉각수를 배출하는 배출구를 가지는 것이라면, 간단한 구조로 센서 홀더를 수냉시킬 수 있는 것이 되고, 센서 홀더에 의해 센서를 보다 웨이퍼 가까이 배치하여, 더욱 양호한 정밀도로 웨이퍼의 두께를 검출할 수 있는 것이 된다.
본 발명에서는, 양면 연마 장치에 있어서, 웨이퍼의 두께를 검출하는 센서를 지지하는 센서 홀더의 재질이 석영이므로, 연마시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더가 팽창 및 수축되는 것을 확실하게 억제할 수 있어서, 센서의 위치 이동을 확실하게 억제할 수 있는 것이 된다. 그 결과, 웨이퍼의 두께를 양호한 정밀도로 검출할 수 있으므로, 웨이퍼의 목표 두께에 대한 오차를 저감시킬 수 있는 것이 된다.
도 1은, 본 발명의 양면 연마 장치의 일 예를 나타내는 개략도이다.
도 2는, 본 발명의 양면 연마 장치의 센서 홀더의 일 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 종래의 양면 연마 장치의 일 예의 일부를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 센서 홀더의 가공열에 대한 변형량에 관한 실험 결과를 나타내는 도면으로, (A)는 본 발명의 양면 연마 장치를 이용한 경우를 나타내고, (B)는 종래의 양면 연마 장치를 이용한 경우를 나타낸다.
이하, 본 발명에 대하여 실시의 형태를 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
최근, 고평탄화를 달성한 반도체 웨이퍼를 안정적으로 제조하기 위하여, 연마하는 반도체 웨이퍼의 마감 두께를 검출하면서 연마를 행하는, 소위 치수 연마가 행해지고 있다.
이 웨이퍼의 마감 두께의 검출은, 상정반의 회전축 방향으로 마련된 관통공 내의 웨이퍼에 가까운 곳에 센서 홀더로 지지된 센서를 배치하고, 이 센서를 이용하여 웨이퍼의 두께를 검출하면서 웨이퍼의 양면 연마를 행하여, 목표 두께가 되도록 하고 있다.
그러나, 이와 같은 센서를 가진 양면 연마 장치로 웨이퍼의 양면 연마를 행하더라도, 실제 연마 후의 웨이퍼 두께와 목표 두께의 오차가 목표로 하는 범위 내에 포함되지 않는 경우가 있었으므로, 연마 정밀도의 추가적인 향상이 요구되고 있었다.
이에, 본 발명자들은 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭하였다. 그리고, 본 발명자들의 조사에 의해, 가공 중에 발생하는 열이 상정반에서부터 센서 홀더로 전달되고, 센서 홀더가 팽창·수축되어 센서의 위치에 움직임이 발생하여, 센서의 검출 신호에 기준 위치의 변화에 따른 노이즈가 포함되는 것이, 이 오차의 큰 원인인 것으로로 판명되었다.
그리고, 본 발명자들은, 센서 홀더의 재질을 석영으로 했을 때, 연마 중에 발생하는 열에 의한 센서 홀더의 변형의 억제 효과를 향상시켜 센서의 위치 이동을 확실하게 억제할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.
도 1은 본 발명의 양면 연마 장치의 일 예를 나타내는 개략도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 양면 연마 장치(1)는, 적어도, 연마포(4)가 부착된 상정반(2) 및 하정반(3)과, 상정반(2) 및 하정반(3) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지공(도시생략)이 형성된 캐리어(5)를 구비하는 것이다.
또한, 상정반(2)에는 회전축 방향으로 관통공(8)이 마련되어 있다. 그리고, 이 관통공(8)에 연마 중인 웨이퍼(W)의 두께를 검출하는 센서(6)가 배치되어 있다.
또한, 연마 중에 상정반(2) 및 하정반(3)을 수냉시키기 위해, 냉각수를 순환시키는 냉각 경로(도시생략)를 마련할 수 있다.
또한, 센서(6)는, 예를 들면, 와전류 센서나 정전용량 센서 등과 같은 비접촉으로 웨이퍼(W)의 두께를 양호한 정밀도로 검출할 수 있는 것이 바람직하다.
이 센서(6)는 센서 홀더(7)에 의해 지지되며, 웨이퍼(W) 가까이 배치되도록 되어 있다. 여기서, 센서(6)는 예를 들면, 연마포(4)에서부터 500μm 정도 이격된 위치가 되도록 배치할 수 있다. 이 센서 홀더(7)의 재질은 석영이다.
이와 같이, 본 발명의 양면 연마 장치(1)는, 센서 홀더(7)의 재질이 석영이므로, 선팽창계수가 매우 작고, 연마 가공시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더(7)가 팽창 및 수축되는 것을 확실하게 억제할 수 있어, 센서(6)의 위치의 이동을 확실하게 억제할 수 있게 되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 두께를 양호한 정밀도로 검출할 수 있으므로, 고정밀도로 목표 두께의 웨이퍼로 할 수 있는 양면 연마 장치로 되어 있다.
이때, 석영은, 특히 선팽창계수가 5.4×10-7/K 이하인 것이 바람직하다.
또한, 센서 홀더(7)는 수냉 가능한 것이 더욱 바람직하다.
이와 같이, 센서 홀더(7)가 수냉 가능한 것이라면, 상기한 바와 같이, 센서 홀더(7)의 재질을 선팽창계수가 매우 작아, 변형되기 어려운 것으로 하고 있으며, 나아가 센서 홀더(7)의 열변동 자체를 억제할 수 있게 되므로, 웨이퍼의 연마 가공시에 발생하는 열에 의해 센서 홀더(7)가 팽창 및 수축되는 것을 보다 효과적으로 억제할 수 있는 것이 된다.
도 2는, 본 발명의 양면 연마 장치의 센서 홀더의 일 예를 나타내는 개략도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 센서 홀더(7)의 형상은 통 형상이고, 그 크기는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도 1에 나타내는 바와 같은 상정반(2)의 관통공(8)에 접촉되지 않을 정도로 내경을 감소시킬 수 있다. 센서 홀더(7)의 형상이 통 형상이라면, 냉각 효과를 높일 수 있고, 센서 홀더(7)가 상정반(2)의 관통공(8)에 접촉되지 않으면, 연마 가공 중에 발생하는 열이 상정반(2)으로부터 센서 홀더(7)에 전열되기 어려워지므로 바람직하다.
그리고, 센서 홀더(7)의 몸체부(12)가 상정반(2)의 관통공(8) 내에 수용되도록 되어 있다. 이때, 센서 홀더(7)는 상정반(2)에 고정되지만, 고정 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같은 나사공(11)에 나사를 통해 상정반(2)에 고정할 수 있다.
또한, 센서(6)는 센서 홀더(7)의 최하단의 위치에, 예를 들면, 나사로 고정되거나 하여 지지된다. 이렇게 해서 센서(6)를 센서 홀더(7)에 의해 지지함에 따라, 센서(6)를 보다 웨이퍼 가까이 배치할 수 있으므로, 웨이퍼의 두께를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 센서 홀더(7)는 통 형상의 내부에 냉각수를 도입하는 도입구(9)와, 이 냉각수를 배출하는 배출구(10)를 가지고 있으며, 통 형상의 내부는 냉각수가 순환될 수 있는 수로를 가지는 2중 구조로 되어 있다. 이와 같이, 간단한 구조로 수냉시킬 수 있도록 되어 있다.
여기서, 센서 홀더(7)에 도입되는 냉각수의 양은, 센서 홀더(7)의 크기 등에 따라서도 달라지지만, 예를 들면, 0.1L/min 정도로 할 수 있다.
또한, 여기서, 센서 홀더(7)의 도입구(9)로부터 도입되는 냉각수를, 예를 들면, 상기한 정반을 냉각시키기 위한 냉각 경로로부터 분기되어 도입되는 구성으로 할 수 있다. 이와 같은 구성이라면, 상정반(2)과 센서 홀더(7)의 온도차를 저감시켜 센서 홀더(7)의 온도 변화를 억제할 수 있으므로 바람직하다.
또한, 센서(6)로부터의 웨이퍼(W) 두께의 검출값에 기초하여 웨이퍼(W)의 연마 절삭량을 검출하는 종단 검출 기구와, 이 종단 검출 기구의 검출에 따라 연마를 자동으로 정지시키는 제어 기구를 구비하는 것으로 해도 된다.
이와 같은 본 발명의 양면 연마 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 양면 연마할 때에는, 도시하지 않은 노즐로부터 연마 슬러리를 공급하면서, 상하의 정반(2, 3) 사이에 끼워져, 캐리어(5)의 지지공으로 지지된 웨이퍼(W)를 상하의 연마포(4)로 양면을 동시에 연마하면서, 상정반(2)에 배치된 센서(6)에 의해, 웨이퍼(W)의 두께를 검출하면서 연마를 행한다.
본 발명자들은, 이하의 실험을 행해 본 발명의 양면 연마 장치의 센서 홀더(7)의 연마 가공열에 대한 변형량에 대하여 평가하였다.
도 1에 나타내는 바와 같은 본 발명의 양면 연마 장치(1)의 상정반(2)에 마련된 관통공(8) 바로 아래의 연마포(4)를 관통공(8) 내경보다 한층 더 크게 도려내어, 그 도려낸 부분에 직경 35mm, 두께 1mm의 금속판을 양면 테이프로 고정하였다. 그리고, 이 금속판까지의 거리를 검출하는 센서를 관통공(8)에 배치하고, 그 거리를 검출하면서, 웨이퍼의 양면 연마를 행하였다.
이때, 센서를 도 2에 나타내는 바와 같은 본 발명의 양면 연마 장치의 석영재(선팽창계수 5.4×10-7/K)의 셀서 홀더에 의해 지지한 경우와, 도 3에 나타내는 바와 같은 종래의 양면 연마 장치의 슈퍼인바재(선팽창계수 1.0×10-6/K)의 셀서 홀더에 의해 지지한 경우의 센서로 검출한 금속판까지의 거리의 변화량을 평가하였다.
여기서, 연마 조건은 아래와 같이 하였다.
웨이퍼: 직경 300mm, P-형, 결정 방위 <110>
연마포: 단일 발포 우레탄 패드
연마 슬러리: NaOH 베이스 콜라이달 실리카
가공하중: 100-200g/cm2
결과를 도 4(A)(B)에 나타낸다. 도 4(A)는 본 발명의 양면 연마 장치를 이용한 경우를 나타내고, 도 4(B)는 종래의 양면 연마 장치를 이용한 경우의 각 3회 측정한 결과를 각각 나타내고 있다. 한편, 측정은 장치가 가동되고 나서 안정될 때까지의 약 7분 후부터 행하였다.
도 4(A)(B)에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 양면 연마 장치를 이용한 경우에는, 종래의 양면 연마 장치를 이용한 경우에 비해, 검출한 금속판까지의 거리의 변화량이 상당히 작아지고 있다. 이때, 연마 전과 연마 후의 검출 거리의 차는, 종래의 것에서 0.58μm였던 것에 반해, 본 발명에서는 0.06μm로, 센서 홀더의 변형이 대폭 개선되고 있다.
이와 같이, 본 발명의 양면 연마 장치를 이용하여 웨이퍼(W)를 양면 연마한다면, 연마 중에 발생하는 열에 의해 센서 홀더(7)가 팽창 및 수축되어 센서(6)의 위치가 이동하는 것을 확실하게 억제하면서, 센서(6)에 의해 웨이퍼(W)의 두께를 양호한 정밀도로 검출하면서 연마를 행할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 목표 두께에 대한 오차를 저감시킬 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1, 실시예 2)
도 1에 나타내는 바와 같은 본 발명의 양면 연마 장치를 이용하여, 센서에 의해 웨이퍼의 두께를 검출하면서 웨이퍼의 양면 연마를 행하였다. 이때, 목표 두께를 775μm로 설정하고, 센서에 의한 검출이 목표 두께가 되었을 때 연마를 정지시키도록 하였다.
여기서, 센서는 와전류 센서를 이용하였고, 수냉 구조가 없는 통 형상의 석영재의 센서 홀더(실시예 1) 및 도 2에 나타내는 바와 같은 수냉 구조의 석영재의 센서 홀더(실시예 2)에 의해 센서를 지지하도록 하였다.
또한, 연마 조건은 아래와 같이 하였다.
양면 연마 장치: Fujikoshi Machinery Corp.제 양면 연마 장치
웨이퍼: 직경 300mm, P-형, 결정 방위 <110>
연마포: 단일 발포 우레탄 패드
연마 슬러리: NaOH 베이스 콜라이달 실리카
가공하중: 100-200g/cm2
그리고, 연마 후의 웨이퍼 두께와 목표 두께의 오차를 평가하였다. 또한, 연마 후의 웨이퍼의 평탄도를 평탄도 테스터(Kuroda Manufacturing Co., Ltd.제, Nanometro 300TT-A)를 이용하여 SFQR(max)을 측정하고 평가하였다.
두께의 오차에 관한 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1, 2 모두 후술하는 비교예의 결과에 비해 오차의 평균값이 작아지고 있음을 알 수 있다. 또한, 수냉 구조의 센서 홀더를 이용한 실시예 2는 실시예 1에 비해 오차의 평균값이 대락 절반 정도 줄어들고 있는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1, 2에서는 표준편차의 결과도 비교예에 비해 작고, 오차의 평균값뿐만 아니라 분포도 작아지므로, 불균일이 개선되고 있다는 것이 확인되었다.
또한, SFQR(max)의 결과를 표 2에 나타낸다. 표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1, 2의 결과는 후술하는 비교예의 결과에 비해 작아지고 있는 것을 알 수 있다. 이러한 점으로부터, 본 발명의 양면 연마 장치에 의해, 웨이퍼 두께를 양호한 정밀도로 검출하여, 목표 두께에 대하여 적절한 타이밍으로 연마를 정지시킴으로써 평탄도 또한 개선 가능하다고 할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 양면 연마 장치는, 웨이퍼의 연마시에 발생하는 열의 영향에 의한 센서 홀더의 변형을 확실하게 억제함으로써, 웨이퍼의 목표 두께에 대한 오차를 저감시켜 웨이퍼를 연마할 수 있다는 것이 확인되었다.
(비교예)
도 3에 나타내는 바와 같은 슈퍼 인바재로 이루어지고, 수냉도 되어 있지 않은 센서 홀더를 가지는 종래의 양면 연마 장치를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 웨이퍼를 양면 연마하고, 실시예 1과 동일하게 평가하였다.
그 결과, 표 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 두께와 목표 두께의 오차는, 실시예 1, 2에 비해 악화되고 있음을 알 수 있다.
또한, 표 2에 나타내는 바와 같이, SFQR(max)도 마찬가지로 실시예 1, 2에 비해 악화되고 있음을 알 수 있다.
이는, 종래의 양면 연마 장치의 센서 홀더가 연마 중에 발생하는 열에 의해 변형되어 센서의 위치 이동이 발생했기 때문으로, 센서에 의한 두께의 검출에 노이즈가 포함되었기 때문이라 생각된다.
비교예 실시예 1 실시예 2
오차의 평균값(μm) 0.044 0.022 0.010
오차의 최대값(μm) 0.91 0.51 0.45
오차의 최소값(μm) -1.00 -0.55 -0.33
표준편차 0.547 0.333 0.185
웨이퍼 측정매수 50 40 40
비교예 실시예 1 실시예 2
SFQR(max)의 평균값(μm) 0.0335 0.0259 0.0244
SFQR(max)의 최대값(μm) 0.048 0.034 0.033
SFQR(max)의 최대값(μm) 0.026 0.020 0.019
표준편차 0.0049 0.0032 0.0027
웨이퍼 측정매수 50 40 40
한편, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시일 뿐으로, 본 발명의 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지고, 같은 작용 효과를 나타내는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (5)

  1. 연마포가 부착된 상정반 및 하정반; 상기 상정반과 상기 하정반 사이에서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지공이 형성된 캐리어; 상기 상정반의 회전축 방향으로 마련된 관통공에 배치되어, 연마 중인 상기 웨이퍼의 두께를 검출하는 센서; 및 상기 센서를 지지하는 센서 홀더를 가지는 양면 연마 장치에 있어서,
    상기 센서 홀더는 상기 상정반의 관통공 내에 수용되고, 재질이 석영인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 석영은, 선팽창계수가 5.4×10-7/K 이하인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센서 홀더는 수냉식인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 센서 홀더는 수냉식인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서 홀더는, 형상이 상기 상정반의 관통공 내에 수용되는 통 형상이고, 상기 통 형상의 최하단의 위치에 상기 센서를 지지하는 것으로, 상기 통의 내부에 냉각수를 도입하는 도입구와, 상기 냉각수를 배출하는 배출구를 가지는 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치.
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