JPH10312979A - ウェーハの切削状況の検出方法 - Google Patents

ウェーハの切削状況の検出方法

Info

Publication number
JPH10312979A
JPH10312979A JP12064897A JP12064897A JPH10312979A JP H10312979 A JPH10312979 A JP H10312979A JP 12064897 A JP12064897 A JP 12064897A JP 12064897 A JP12064897 A JP 12064897A JP H10312979 A JPH10312979 A JP H10312979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
detecting
visible light
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12064897A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yoshii
政弘 吉井
Munejiro Umagami
宗二郎 馬上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP12064897A priority Critical patent/JPH10312979A/ja
Publication of JPH10312979A publication Critical patent/JPH10312979A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェーハのダイシング時において、表面に生じ
る細かな欠け(チッピング)だけでなく、裏面に生じる
チッピングをも検出することにより、不良チップが形成
されるのを防止する。 【解決手段】ウェーハの切削の途中または切削後におい
て、ウェーハに赤外線を照射することにより、ウェーハ
の裏面の状態を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
ダイシング時における切削状況を検出する方法に関する
ものであり、詳しくは、赤外線を照射して半導体ウェー
ハを撮像することにより、裏面の切削状況を検出できる
ようにしたウェーハの切削状況の検出方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図6に示すような半導体ウェーハ40の
表面には、所定間隔を置いて格子状に配列された直線状
領域であるストリート41が存在する。そして、ストリ
ート41によって区画された多数の矩形領域42には、
回路パターンが施されている。このような半導体ウェー
ハは、ストリート41において切削(ダイシング)さ
れ、各矩形領域42ごとに分離されてチップとなる。
【0003】半導体ウェーハ40のダイシングは、例え
ば、図7に示すダイシング装置50において行われる。
このダイシング装置50においては、保持テープ51を
介してフレーム52に表面側を上にしてウェーハ53を
保持させてチャックテーブル54に載置し、アライメン
トユニット10において切削位置のアライメントを行っ
た後、切削ブレード55よってウェーハ53の表面に形
成されたストリート41をダイシングすることにより、
チップが形成される。
【0004】アライメントは、アライメントユニット1
0に備えた撮像手段によって撮像されたウェーハ53の
表面の画像に基づいて行われる。この撮像手段における
ウェーハ53の表面の撮像は、撮像手段内に備えた光源
から発せられる可視光線をウェーハ53の表面に照射
し、反射する光を撮像することにより行われるが、切削
の途中若しくは切削後においてもウェーハ53の表面を
撮像することができる。
【0005】切削の途中若しくは切削後に、撮像手段に
よりウェーハ53の表面が撮像されると、図8に示すよ
うに、切削溝34がモニター56に表示される。
【0006】この切削溝34は完全に直線状に形成され
ているものではなく、両側にチッピング37と呼ばれる
細かな欠けが生じている。このチッピング37は、切削
ブレード55の切れ味の低下等に起因して発生するもの
である。
【0007】従って、モニター56に表示された表面の
チッピング37の状態を観察すれば、切削ブレード55
の切れ味等の状態をある程度予測することができる。具
体的には、チッピング37の大きさや量、切削溝34の
幅等について、予め許容値を設定しておき、これらが許
容値以内か否かを画像処理により判断し、許容値を超え
ている場合には自動的にダイシングを中止し、切削ブレ
ード55をドレッシングしたり、新しい切削ブレードに
交換する等の対策を講じている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、裏面に
も表面と同じようにチッピングが生じる場合があり、ダ
イシングの途中で裏面のチッピング状態を観察するため
には、ダイシングを一度終了させてチャックテーブル5
4から一度ウェーハ53を取り外し、裏返してから観察
した後、問題がなければ再度チャックテーブル54に載
置しなければならず、全てのウェーハについてこのよう
な煩雑な作業をしていたのでは、作業効率が悪い。
【0009】また、作業効率を改善させるために、全て
のウェーハについては上記のような作業を行わず、抜き
取り検査によって一部のウェーハについて上記作業を行
ったとしても、抜き取ったウェーハの裏面のチッピング
が所定の許容値を超えていた場合には、その前に既にダ
イシングを終了しているウェーハの裏面のチッピングも
同様に許容値を超えている場合があり、不良チップが形
成されたのを看過してしまうことがある。
【0010】一方、裏面のチッピング状態を観察せずに
ダイシングを行うと、裏面に生じたチッピングが所定の
許容値を超えていたとしても、それを検出することがで
きないため、そのままダイシングを続行してしまい、そ
の結果、不良チップが大量に形成されてしまう可能性が
ある。
【0011】従って、従来のウェーハの切削状況の検出
においては、裏面に生じたチッピングを簡便に検出する
ことに解決しなければならない課題を有している。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを保持す
るチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持され
た半導体ウェーハを撮像する撮像手段と、該チャックテ
ーブルに保持された半導体ウェーハを切削する切削手段
とを少なくとも含むダイシング装置によって半導体ウェ
ーハを切削した際の切削状況を検出するためのウェーハ
の切削状況の検出方法であって、チャックテーブルに保
持された半導体ウェーハを切削手段によって切削する切
削工程と、該切削工程の途中で、または該切削工程の後
に、チャックテーブルを撮像手段の直下に移動させて切
削溝の状態を検出する切削溝検出工程と、該切削溝検出
工程において、半導体ウェーハの裏面に撮像手段の焦点
を合わせて切削溝の裏面の状態を赤外線によって検出す
る裏面検出工程が遂行されるウェーハの切削状況の検出
方法を提供するものである。
【0013】このように、切削工程の途中、または切削
工程の後に切削溝の状態を検出して切削溝検出工程を遂
行し、切削溝検出工程において裏面検出工程を遂行する
ことにより、切削の途中、切削後における裏面のチッピ
ングを検出することができる。
【0014】また本発明は、撮像手段には、可視光線及
び赤外線を捕らえて電気信号に変換する撮像素子が含ま
れており、可視光線のみを透過する可視光線狭帯域フィ
ルタと、赤外線のみを透過する赤外線狭帯域フィルタと
を具備し、ウェーハの表面を撮像する場合は可視光線狭
帯域フィルタを選択し、ウェーハの裏面を撮像して裏面
検出工程を遂行する場合は赤外線狭帯域フィルタを選択
すること、撮像手段に含まれる撮像素子によって生成さ
れる電気信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信号
を多値デジタル信号に変換して裏面の状態が許容値を超
えているか否かを判別し、許容値を超えている場合はオ
ペレータに信号を発すること、裏面検出工程は、定期的
に遂行されることを付加的要件とするものである。
【0015】ウェーハの表面を撮像する場合は可視光線
狭帯域フィルタを選択し、ウェーハの裏面を撮像して裏
面検出工程を遂行する場合は赤外線狭帯域フィルタを選
択することにより、表面及び裏面に生じるチッピングを
随時切り替えて検出することができる。
【0016】また、撮像手段に含まれる撮像素子によっ
て生成される電気信号をデジタル信号に変換し、該デジ
タル信号を多値デジタル信号に変換して裏面の状態が許
容値を超えているか否かを判別し、許容値を超えている
場合はオペレータに信号を発することにより、オペレー
タは、ダイシングを続行すべきか否かを客観的に判断す
ることができる。
【0017】更に、裏面検出工程は、定期的に遂行され
ることにより、チッピングが発生しているか否かを定期
的にチェックすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態の一例
について図面を参照して説明する。なお、従来例と共通
する部分については、理解を容易とするため、従来例と
同一の符号を付して説明する。
【0019】図1に示す検出手段10は、例えば、従来
例で示したダイシング装置50に装備されるもので、ア
ライメントユニット10を兼ねており、照明手段11
と、光学手段12と、撮像手段13とから構成されてい
る。なお、検出手段10は、アライメントユニット10
とは別体として別途設けてもよい。
【0020】照明手段11は、内部に発光体14を備え
ており、この発光体14は、調光器15を介して電源
(図示せず)に接続され、可視光線及び赤外線を発する
ことができる。また、発光体14の下方には熱線吸収フ
ィルタ16が取り付けられている。
【0021】光学手段12には、対物レンズ17と、ハ
ーフミラー18と、フィルタ19とを備えている。対物
レンズ17は、ウェーハ30と対峙する位置に配設さ
れ、その上方に配設されたハーフミラー18はグラスフ
ァイバー20を介して照明手段11と接続されている。
【0022】また、ハーフミラー18の上方にはフィル
タ19が配設されており、このフィルタ19には、可視
光線狭帯域フィルタ21及び赤外線狭帯域フィルタ22
を備えている。両者は水平方向に移動することにより、
切り替え可能となっており、可視光線のみを透過させる
ときは可視光線狭帯域フィルタ21を、赤外線のみを透
過させるときは赤外線狭帯域フィルタ22を、それぞれ
光軸が一致するように位置させる。
【0023】撮像手段13は、例えば、光域が広く可視
光線から赤外線までを認識可能なCCDカメラ等の撮像
素子を含んでおり、光学手段12に対して光軸が一致す
るよう配設されており、撮像した画像はモニター56に
表示される。
【0024】ダイシングされるウェーハ30は、保持テ
ープ31を介して表面側を上にして(裏面を保持テープ
31に貼着して)フレーム32に保持されて、従来例で
示したダイシング装置50のチャックテーブル54に吸
引保持されている。
【0025】ウェーハ30をダイシングする際は、ウェ
ーハ30の表面30aに形成されたストリート33を検
出し、切削ブレード55との位置合わせ、即ち、アライ
メントが行われるが、本実施の形態においては、検出手
段10がアライメントユニットを兼ねているため、検出
手段10によって前記アライメントが行われる。
【0026】アライメントの後、図2に示すように、ス
トリート33は切削ブレード55によって切削されて、
切削工程が遂行される。そして、切削された位置には切
削溝34が形成される。
【0027】撮像時、ウェーハ30には、照明手段11
の発光体14から発せられる光がグラスファイバー2
0、ハーフミラー18を介して照射されている。ここで
照射される光には、可視光線成分と赤外線成分の双方の
成分が含まれている。
【0028】そして、図3に示すように、ウェーハ30
に照射される光のうち、可視光線35は、ウェーハ30
の表面30aにおいて反射する。また、図4に示すよう
に、赤外線36は、ウェーハ30を透過し、ウェーハ3
0の裏面30bにおいて反射する。そして、それぞれ反
射した可視光線35及び赤外線36は、対物レンズ17
によって捕らえられ、フィルタ19に供給される。
【0029】ここで、フィルタ19を左方向にスライド
させておくと、光軸位置には、フィルタ19の右部分に
ある可視光線狭帯域フィルタ21が位置し、右方向にス
ライドさせておくと、光軸位置には、フィルタ19の左
部分にある赤外線狭帯域フィルタ22が位置することに
なる。従って、フィルタ19を左方向にスライドさせれ
ば、可視光線狭帯域フィルタ21によって、赤外線36
は遮断され、ウェーハ30の表面30aにおいて反射し
た可視光線35のみが透過されて撮像手段13に供給さ
れる。一方、フィルタ19を右方向にスライドさせれ
ば、赤外線狭帯域フィルタ22によって、可視光線35
は遮断され、ウェーハ30の裏面30bにおいて反射し
た赤外線36のみが透過されて撮像手段13に供給され
る。
【0030】そして、撮像手段13は、ウェーハ30の
表面30aの状態を表示させたいときは、表面30aに
焦点を合わせて可視光線で撮像することにより、また、
ウェーハ30の裏面30bの状態を表示させたいとき
は、裏面30bに焦点を合わせて赤外線で撮像すること
により、どちらか片方のみの画像をモニター56に表示
させることができる。
【0031】即ち、ウェーハ30の表面30aにおいて
反射し、可視光線狭帯域フィルタ21を透過した可視光
線が撮像手段13によって撮像されると、表面13aを
撮った画像がモニター56に表示される。一方、裏面1
3bにおいて反射し、赤外線狭帯域フィルタ22を透過
した赤外線が撮像手段13によって撮像されると、裏面
30bを撮った画像がモニター56に表示されて、裏面
検出工程が遂行される。このようにして切削溝検出工程
が遂行されるのである。
【0032】切削途中若しくは切削後のウェーハ30の
表面30aにできた切削溝34を撮った画像は、従来と
同様に図8のようにモニター56に表示される。図8に
示す画像においては、切削溝34の両側に細かな欠け
(チッピング)37が存在する。
【0033】一方、図5は、切削工程の途中若しくは切
削工程の後のウェーハ30の裏面30bにできた切削溝
34を撮った画像の一例であり、裏面30bにおいても
同じように切削溝34の両側にチッピング38が発生し
ている。
【0034】従来は、可視光線によって表面30aを撮
像し、表面30aのみのチッピングの状態を検出してダ
イシングを続行すべきか否かを判断することがあり、こ
の場合は裏面に発生したチッピングを検出することがで
きないため、不良チップが形成されてしまうのを完全に
回避することは困難であった。
【0035】また、裏面30bのチッピングの状態を検
出する場合もあったが、その場合には、ダイシングを一
度終了させてチャックテーブル54からウェーハ30を
取り外し、裏返してから再度チャックテーブル54に載
置して撮像するという煩雑な作業を必要としていた。
【0036】しかしながら、本発明では、図4において
示したように、赤外線を照射し、赤外線の透過性によっ
てウェーハ30を裏返すことなく裏面30bを撮像する
ことができるため、裏面のチッピング38の状態を容易
に検出することができる。しかも、フィルタ19を左右
にスライドさせて切り替えるのみで、表面30a及び裏
面30bの撮像を自在に切り替えて表面及び裏面のチッ
ピングの状態を検出することができるのである。
【0037】従って、撮像した画像に基づき、画像処
理、例えば、反射した可視光線または赤外線の多値デジ
タル信号への変換等を行い、変換後のデータに基づいて
表面30a及び裏面30bのチッピング35、38の大
きさや量、切削溝34の幅等を算出し、算出した値が予
め設定した許容値を超えている場合には、切削ブレード
55に切れ味の低下等の何らかの問題があると判断する
ことができる。そして、切削ブレード55のドレッシン
グ、新しい切削ブレードへの交換等の策を講ずることに
より、チッピングによる不良チップが大量に発生してし
まうのを未然に防止することができるのである。
【0038】また、裏面検出工程を定期的に行えば、チ
ッピングが発生しているか否かを定期的にチェックする
ことができ、不良チップが形成されないようきめ細かく
チェックすることができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、切削工程
の途中、または切削工程の後に切削溝の状態を検出して
切削溝検出工程を遂行し、切削溝検出工程において裏面
検出工程を遂行することにより、切削の途中、切削後に
おける裏面のチッピングを検出することができるため、
チッピングの程度によってはダイシングを中止すること
により、不良チップが形成されるのを未然に防止するこ
とができる。
【0040】また、ウェーハの表面を撮像する場合は可
視光線狭帯域フィルタを選択し、ウェーハの裏面を撮像
して裏面検出工程を遂行する場合は赤外線狭帯域フィル
タを選択することにより、表面及び裏面に生じるチッピ
ングを随時切り替えて検出することができるため、ウェ
ーハを裏返す必要がなく、作業効率が改善される。ま
た、表面の撮像及び裏面の撮像の双方の機能を一つの装
置で実現することができる。
【0041】更に、撮像手段に含まれる撮像素子によっ
て生成される電気信号をデジタル信号に変換し、該デジ
タル信号を多値デジタル信号に変換して裏面の状態が許
容値を超えているか否かを判別し、許容値を超えている
場合はオペレータに信号を発することにより、オペレー
タは、ダイシングを続行すべきか否かを客観的に判断す
ることができるため、オペレータは、切削ブレードのド
レッシング、新しい切削ブレードへの交換等の策を講ず
ることができる。
【0042】また、裏面検出工程は、定期的に遂行され
ることにより、チッピングが発生しているか否かを定期
的にチェックすることができるため、不良チップが形成
されないようきめ細かくチェックすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェーハの切削状況の検出方法に
使用する検出手段の実施の形態の一例を示す説明図であ
る。
【図2】切削されるウェーハを示す説明図である。
【図3】本発明に係るウェーハの切削状況の検出方法に
おける表面の切削状況の検出方法を示す説明図である。
【図4】同ウェーハの切削状況の検出方法における裏面
の切削状況の検出方法を示す説明図である。
【図5】同ウェーハの切削状況の検出方法により撮像し
たウェーハの裏面の状態を示す説明図である。
【図6】切削前のウェーハの表面を示す説明図である。
【図7】従来の、及び、本発明に係るウェーハの切削状
況の検出方法に使用するダイシング装置を示す斜視図で
ある。
【図8】従来の、及び、本発明に係るウェーハの切削状
況の検出方法により検出した、ウェーハの切削途中また
は切削後の表面の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
10:検出手段 11:照明手段 12:光学手段 1
3:撮像手段 14:発光体 15:調光器 16:熱線吸収フィルタ
17:対物レンズ 18:ハーフミラー 19:フィルタ 20:グラスフ
ァイバー 21:可視光線狭帯域フィルタ 22:赤外線狭帯域フ
ィルタ 30:ウェーハ 30a:表面 30b:裏面 31:
保持テープ 32:フレーム 33:ストリート 34:切削溝 35:可視光線 36:赤外線 37:表面のチッピング 38:裏面のチッピング 40:半導体ウェーハ 41:ストリート 42:矩形
領域 50:ダイシング装置 51:保持テープ 52:フレ
ーム 53:ウェーハ 54:チャックテーブル 55:切削ブレード 56:
モニター

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウェーハを保持するチャックテーブ
    ルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウェーハ
    を撮像する撮像手段と、該チャックテーブルに保持され
    た半導体ウェーハを切削する切削手段とを少なくとも含
    むダイシング装置によって半導体ウェーハを切削した際
    の切削状況を検出するためのウェーハの切削状況の検出
    方法であって、チャックテーブルに保持された半導体ウ
    ェーハを切削手段によって切削する切削工程と、該切削
    工程の途中で、または該切削工程の後に、前記チャック
    テーブルを前記撮像手段の直下に移動させて切削溝の状
    態を検出する切削溝検出工程と、該切削溝検出工程にお
    いて、前記半導体ウェーハの裏面に前記撮像手段の焦点
    を合わせて切削溝の裏面の状態を赤外線によって検出す
    る裏面検出工程が遂行されるウェーハの切削状況の検出
    方法。
  2. 【請求項2】撮像手段には、可視光線及び赤外線を捕ら
    えて電気信号に変換する撮像素子が含まれており、可視
    光線のみを透過する可視光線狭帯域フィルタと、赤外線
    のみを透過する赤外線狭帯域フィルタとを具備し、ウェ
    ーハの表面を撮像する場合は前記可視光線狭帯域フィル
    タを選択し、ウェーハの裏面を撮像して裏面検出工程を
    遂行する場合は前記赤外線狭帯域フィルタを選択する請
    求項1に記載のウェーハの切削状況の検出方法。
  3. 【請求項3】撮像手段に含まれる撮像素子によって生成
    される電気信号をデジタル信号に変換し、該デジタル信
    号を多値デジタル信号に変換して裏面の状態が許容値を
    超えているか否かを判別し、許容値を超えている場合は
    オペレータに信号を発する請求項1または2に記載のウ
    ェーハの切削状況の検出方法。
  4. 【請求項4】裏面検出工程は、定期的に遂行される請求
    項1、2または3に記載のウェーハの切削状況の検出方
    法。
JP12064897A 1997-05-12 1997-05-12 ウェーハの切削状況の検出方法 Pending JPH10312979A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12064897A JPH10312979A (ja) 1997-05-12 1997-05-12 ウェーハの切削状況の検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12064897A JPH10312979A (ja) 1997-05-12 1997-05-12 ウェーハの切削状況の検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10312979A true JPH10312979A (ja) 1998-11-24

Family

ID=14791436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12064897A Pending JPH10312979A (ja) 1997-05-12 1997-05-12 ウェーハの切削状況の検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10312979A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333309A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング測定装置及び方法
JP2003214822A (ja) * 2002-01-25 2003-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd 深さ計測装置及び深さ計測方法並びに切削装置
JP2008093791A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク切削用治具テーブル
JP2011023540A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝検出装置および切削加工機
CN102019648A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 株式会社迪思科 切削装置
JP2011165847A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 分割加工装置
US8224062B2 (en) 2006-08-14 2012-07-17 Yamaha Corporation Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device
JP2016179505A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社ディスコ 切削ブレードの検査方法
KR20170009740A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
JP2017228653A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 株式会社ディスコ 切削方法、及び、切削装置
CN108844503A (zh) * 2018-08-01 2018-11-20 宁国市挚友合金钢材料有限公司 一种用于检测金属件的平面度的治具
JP2019025583A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社ディスコ 切削方法
JP2019212797A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び研削装置
JP2020027902A (ja) * 2018-08-15 2020-02-20 株式会社ディスコ 切削装置
JP2020113635A (ja) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP2020131398A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 株式会社ディスコ 研削ホイールのコンディション確認方法
CN111771267A (zh) * 2018-07-23 2020-10-13 爱立发株式会社 安装装置以及安装方法
JP2021034414A (ja) * 2019-08-16 2021-03-01 株式会社ディスコ ワークの確認方法、及び、加工方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002333309A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング測定装置及び方法
JP2003214822A (ja) * 2002-01-25 2003-07-30 Disco Abrasive Syst Ltd 深さ計測装置及び深さ計測方法並びに切削装置
US8224062B2 (en) 2006-08-14 2012-07-17 Yamaha Corporation Method and apparatus for inspection of wafer and semiconductor device
JP2008093791A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク切削用治具テーブル
JP2011023540A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝検出装置および切削加工機
CN102019648A (zh) * 2009-09-17 2011-04-20 株式会社迪思科 切削装置
JP2011165847A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 分割加工装置
JP2016179505A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社ディスコ 切削ブレードの検査方法
KR20170009740A (ko) * 2015-07-17 2017-01-25 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20180000294A (ko) * 2016-06-22 2018-01-02 가부시기가이샤 디스코 절삭 방법 및 절삭 장치
JP2017228653A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 株式会社ディスコ 切削方法、及び、切削装置
JP2019025583A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社ディスコ 切削方法
DE102018212588B4 (de) 2017-07-28 2024-05-16 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
JP2019212797A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び研削装置
CN111771267A (zh) * 2018-07-23 2020-10-13 爱立发株式会社 安装装置以及安装方法
CN108844503A (zh) * 2018-08-01 2018-11-20 宁国市挚友合金钢材料有限公司 一种用于检测金属件的平面度的治具
JP2020027902A (ja) * 2018-08-15 2020-02-20 株式会社ディスコ 切削装置
CN110834385A (zh) * 2018-08-15 2020-02-25 株式会社迪思科 切削装置
CN110834385B (zh) * 2018-08-15 2023-08-18 株式会社迪思科 切削装置
JP2020113635A (ja) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP2020131398A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 株式会社ディスコ 研削ホイールのコンディション確認方法
JP2021034414A (ja) * 2019-08-16 2021-03-01 株式会社ディスコ ワークの確認方法、及び、加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10312979A (ja) ウェーハの切削状況の検出方法
JP3667302B2 (ja) 光分析装置
US9358637B2 (en) Laser beam spot shape detecting method
US8492676B2 (en) Laser dicing device
JP2011033449A (ja) ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
WO2006038885A1 (en) System for 2-d and 3-d vision inspection
KR100876471B1 (ko) 결상 시스템
JP2005214974A (ja) 光を利用している観察システムのウインドウ表面上の汚染物質を検出するための方法及び装置
KR20050009272A (ko) 반도체 웨이퍼의 분할방법 및 분할장치
KR20160002353A (ko) 레이저 가공 장치
JP3868056B2 (ja) ウェーハのチッピング検出方法
JP7323323B2 (ja) 分割装置
US11476137B2 (en) Dividing apparatus including an imaging unit for detecting defects in a workplace
JP2017090080A (ja) 検査装置
JPH112510A (ja) 切削溝深さの検出方法
JP3813692B2 (ja) ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法
JPH0868942A (ja) 光学顕微鏡用照明装置
CN114144662A (zh) 半导体装置中的内部裂痕的组合透射及反射光的成像
CN112530837A (zh) 加工装置和晶片的加工方法
TWI840592B (zh) 用於缺陷偵測之系統及方法
JP2919192B2 (ja) レチクル洗浄装置
JP2000061671A (ja) レーザ加工方法及び装置
JP2023050704A (ja) 加工装置
KR920004272B1 (ko) Nd : YAG 레이저 가공기에서 가공물체 관찰을 위한 조명 및 감시장치
CN117483938A (zh) 激光加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040407

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070222

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070521