JP2021034414A - ワークの確認方法、及び、加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ワークの裏面側の撮像画像に基づいて裏面側のチッピングやクラックを確実に自動判別するための新規な技術を提案する。
【解決手段】 裏面がテープ7に固定され表面5aが露出するとともに分割されたワークの裏面5bを確認するワークの確認方法であって、テープ7を介してワークを裏面5b側から赤外線カメラ(第二の撮像ユニット106b)で撮像し、撮像画像を形成する撮像ステップと、撮像ステップで形成された撮像画像から裏面5nに生じたチッピング5c及び/またはクラック5dを検出する検出ステップと、を備えたワークの確認方法とする。
【選択図】図11

Description

本発明は、裏面がテープに固定され表面が露出するとともに分割されたワークの裏面を確認する確認方法に関する。
板状のワークである半導体ウェーハをダイシングする前のプリカット工程において、切削ブレードのコンディショニングが十分か否かを裏面チッピングの状態から判別することが知られている。
この判別を行うためには、プリカット用のワークを一度加工装置から搬出してワークの裏面を観察することで行われるが、搬出や観察を省略する方法も知られている。
特許文献1では、ワークの裏面チッピング状態と、チャックテーブルが切削ブレードから受ける加工負荷との間に正の相関があること、つまり、当該加工負荷が大きいほど裏面チッピングが大きくなるという相関関係に基づき、プリカット中にチャックテーブルに作用する加工負荷を測定することによって、当該測定された加工負荷によってプリカット時の裏面チッピング状態を好適に把握することとしている。
特開2006−303367号公報
一方、ダイシング後のワークは顕微鏡で観察されることで、チッピング(欠け)やクラック(亀裂)のサイズが測定され、加工品質が管理されるが、従来の方法には改善が切望されていた。
即ち、裏面側のチッピングやクラックを測定するために、一度転写作業(テープの貼替え作業)を行う、或いは、抜き取りでチップをピックアップし、そのチップの表面側をテープに貼着して裏面を露出した状態にしてから観察する必要があり、作業が繁雑であった。
そこで、テープに貼着されて分割されたワークを裏面側からテープ越しにカメラで撮像して観察する方法も考えられる。
しかし、裏面側は表面側と異なり、裏面に微小なチッピングやクラックが生じていてもテープに貼着されているため撮像画像上において鮮明に現れることがない。この点、目視による観察によればチッピングやクラックも判別も不可能ではないが、撮像画像を画像処理してチッピングやクラックを自動判別するには難しいという問題があった。
以上に鑑み、本願発明は、ワークの裏面側の撮像画像に基づいて裏面側のチッピングやクラックを確実に自動判別するための新規な技術を提案するものである。
本発明の一態様によれば、裏面がテープに固定され表面が露出するとともに分割されたワークの該裏面を確認するワークの確認方法であって、該テープを介して該ワークを該裏面側から赤外線カメラで撮像し、撮像画像を形成する撮像ステップと、該撮像ステップで形成された該撮像画像から該裏面に生じたチッピング及び/またはクラックを検出する検出ステップと、を備えたワークの確認方法とする。
また、該撮像ステップでは、該赤外線カメラの焦点を該ワークの表面に位置付けた状態で撮像する。
また、ワークの加工方法であって、該ワークの裏面側をテープに貼着して該ワークの表面を露出させる貼着ステップと、該テープが貼着された該ワークを分割する分割ステップと、該テープを介して該ワークの該裏面側から赤外線カメラで該ワークを撮像して撮像画像を形成する撮像ステップと、該撮像ステップで形成した該撮像画像をもとに該裏面に生じたチッピング及び/またはクラックを検出する検出ステップと、を有するワークの加工方法とする。
本発明によれば、裏面側からテープを介して赤外線カメラで撮像した撮像画像をもとに被加工物の裏面状態が確認可能となり、作業工数の削減とともに時間短縮を図ることができる。また、赤外線カメラを用いることで裏面側のチッピングやクラックを確実に検出でき、検査の信頼性を高めることができる。
また、チッピングやクラックなどの欠陥箇所は撮像画像上において輝度が低く黒く映ることになり、これに基づいて、チッピングやクラックの検出やサイズを測定することが可能となる。具体的には、撮像画像を多値化処理し、エッジ検出処理をして検出したエッジを基準とし、輝度が所定範囲のエリアをクラックやチッピングが生じたエリアとして検出する。また、当該エリアの画素数を元に、クラックやチッピングのサイズが測定可能となる。
また、ワークの分割加工から裏面のチッピング及び/またはクラックの検出までの一連の工程を短時間で実施可能となり、また、検出の精度が高いため検査の信頼性を高めることができる。
被検査物を模式的に示す斜視図である。 デバイスに分割された被検査物を模式的に示す斜視図である。 検査装置を備える加工装置を模式的に示す斜視図である。 検査装置を備える加工装置を模式的に示す上面図である。 検査装置を模式的に示す斜視図である。 図6(A)は、被検査物保持機構を模式的に示す斜視図であり、図6(B)は、撮像機構を模式的に示す斜視図である。 図7(A)は、載置部を模式的に示す上面図であり、図7(B)は、載置部を模式的に示す断面図である。 被検査物を検査する際の被検査物保持機構、撮像機構、及び被検査物の位置関係を模式的に示す断面図である。 赤外線カメラで構成される第2の撮像ユニットの模式図である。 被検査物を側面からみた模式図である。 図11(A)は、撮像画像の例について示す図である。図11(B)は、デバイス側面からみたチッピングの形状を模式的に示す図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る検査装置は、例えば、加工装置により加工されたワーク(被加工物)を被検査物として、該被検査物を上面及び下面から同時に撮像して検査できるものである。
まず、被検査物について説明する。被検査物は、例えば、Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)、GaAs(ヒ化ガリウム)、若しくは、その他の半導体等の材料からなる略円板状のウェーハである。または、被検査物は、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる基板等である。また、被検査物は、モールド樹脂等で封止された複数のデバイスチップが含まれるパッケージ基板等でもよい。
図1は、被検査物1の一例であるウェーハを模式的に示す斜視図である。被検査物1の表面1aは、例えば、互いに交差する複数のストリート3と呼ばれる分割予定ラインで区画されている。被検査物1であるウェーハの表面1aのストリート3で区画された各領域にはIC(Integrated Circuit)、LSI(Large−Scale Integrated circuit)等のデバイス5が形成されている。ウェーハをストリート3に沿って分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
被検査物1の分割には、例えば、ストリート3に沿って被検査物1にレーザビームを照射して被検査物1をレーザ加工するレーザ加工装置が使用される。または、円環状の切削ブレードによりストリート3に沿って被検査物1を切削できる切削装置が使用される。
被検査物1を切削装置やレーザ加工装置等の加工装置に搬入する前に、図1に示す通り、被検査物1は、環状のフレーム9と、該フレーム9の開口を塞ぐように貼られたテープ7と、が一体化されて、フレームユニット11が形成される。テープ7が貼着され、該テープ7を介してフレーム9に装着された被検査物1は、この状態で加工装置に搬入され加工される。
図2は加工装置によって加工されてデバイス5,5に分割された後の被検査物1の様子を示すものであり、この例では、ブレードダイシングによる切削がなされた場合を示している。
被検査物1がストリート3に沿って適切に加工されたことを確認するために、本実施形態に係る検査装置では、被検査物1の加工箇所が撮像され被検査物1が検査される。該検査装置では、例えば、被検査物1がストリート3に沿って検査され、加工痕の形成位置や、加工痕に沿って被検査物1に形成されるチッピングと呼ばれる欠けの形状や大きさ、分布、クラック(亀裂)等が調査される。また、被検査物1が分割されて形成されたデバイスチップの大きさが確認される。ただし、該検査装置の使用用途はこれに限定されない。
以下、複数のデバイス5が形成され、ストリート3に沿って分割されたウェーハが被検査物1である場合を例に本実施形態について説明するが、被検査物1はこれに限定されない。本実施形態に係る検査装置で検査される被検査物1は、加工装置等により加工されていなくてもよい。
本実施形態に係る検査装置は、例えば、被加工物として被検査物1を加工する加工ユニットを備える加工装置に組み込まれて使用される。ただし、該検査装置は加工装置に組み込まれていなくてもよく、独立していてもよい。図3は、本実施形態に係る検査装置が組み込まれた加工装置2を模式的に示す斜視図である。
加工装置2は、各構成要素を支持する基台4を備える。基台4の前方の角部には、昇降可能なカセット支持台6が設けられている。カセット支持台6の上面には、複数のフレームユニット11を収容するカセットが載せられる。
基台4の上面のカセット支持台6に隣接した位置には、X軸方向(加工送り方向)に長い矩形の開口10が形成されている。開口10には、被加工物保持ユニット14と、該被加工物保持ユニット14が載る移動テーブル12をX軸方向に移動させるX軸方向移動機構(不図示)と、該X軸方向移動機構を覆う防塵防滴カバー10aと、が設けられている。
加工装置2には、カセット支持台6に載せられたカセットに収容されたフレームユニット11を搬出入する搬送ユニット16が設けられている。搬送ユニット16は、基台4の立設部の前面に配設されたY軸方向に平行な一対のガイドレール18を有する。該一対のガイドレール18には、移動体20がスライド可能に取り付けられている。移動体20の後面側にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部にはガイドレール18に平行なボールネジ22が螺合されている。
ボールネジ22の一端部には、パルスモータ24が連結されている。パルスモータ24でボールネジ22を回転させると、移動体20はガイドレール18に沿ってY軸方向に移動する。移動体20の下端には、X軸方向に沿って伸長した腕部26が昇降機構を介して接続されている。腕部26の下面には、フレーム9の大きさに対応して配設された複数の吸引部28が配設されている。さらに、腕部26の中央には、カセット支持台6に向いたプッシュプル機構30が配設されている。
また、基台4の上面には、開口10を跨ぐように設けられた一対の搬送レール8が配設されている。該一対の搬送レール8は、フレーム9の径よりも小さい幅で互いに離間して配設されているが、互いに離れる方向に移動可能である。
搬送ユニット16は、Y軸方向に移動してカセット支持台6に載置されたカセットにプッシュプル機構30の先端を差し入れて該カセットに収容されたフレームユニット11のフレーム9を把持できる。プッシュプル機構30でフレーム9を把持し、Y軸方向に沿って逆方向に腕部26を移動させると、フレームユニット11を一対の搬送レール8上に引き出せる。
その後、プッシュプル機構30によるフレーム9の把持を解除し、搬送ユニット16の吸引部28を上方からフレーム9に接触させ、吸引部28によりフレーム9を吸引保持する。そして、フレームユニット11を搬送レール8から上方に引き上げ、該一対の搬送レール8の間隔を広げ、フレームユニット11を下降させることで、被加工物保持ユニット14上にフレームユニット11を搬送できる。
被加工物保持ユニット14は、例えば、被検査物1(ウェーハ)を保持するチャックテーブルである。被加工物保持ユニット14の上面には多孔質部材が配設されており、該多孔質部材の上面がフレームユニット11を保持する保持面となる。該多孔質部材は、被加工物保持ユニット14の内部に形成された吸引路(不図示)を介して吸引源(不図示)に接続されている。被加工物保持ユニット14は、フレームユニット11を吸引保持できる。
図4は、加工装置2の構成を模式的に示す上面図である。加工装置2は、被検査物1を被加工物として加工する加工ユニット32を備える。加工ユニット32は、例えば、円環状の切削ブレード34と、該切削ブレード34の貫通孔に挿通され該切削ブレード34を回転させる際の回転軸となるスピンドルが収容されたスピンドルハウジング36と、該スピンドルを回転させる図示しないモータと、を備える切削ユニットである。被加工物保持ユニット14に保持された被加工物に回転する切削ブレード34を切り込ませると、被加工物が切削加工される。
ただし、図4に示す加工装置2には、被検査物1を切削する2つの加工ユニット32が装着されているが、加工装置2はこれに限定されない。例えば、加工装置2が備える加工ユニット32は一つでもよい。また、加工ユニット32は、被検査物1をレーザ加工するレーザ加工ユニットでもよい。
図3及び図4に示す通り、加工装置2は、基台4の上面の開口10に隣接する位置に開口38を有する。開口38の内部には、加工ユニット32により加工された被検査物1を洗浄できる洗浄装置40が配設される。搬送ユニット16等により加工後の被検査物1を洗浄装置40の洗浄テーブル上に搬送し、被検査物1が載る該洗浄テーブルを高速に回転させながら図示しないノズルから被検査物1に高圧の洗浄水を噴出させると被検査物1を洗浄できる。
なお、洗浄装置40への被検査物1の搬入は、搬送ユニット42により実施されてもよい。搬送ユニット42は、基台4の立設部の前面に配設されたY軸方向に平行な一対のガイドレール44を有する。該一対のガイドレール44には、移動体46がスライド可能に取り付けられている。移動体46の後面側にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部にはガイドレール44に平行なボールネジ48が螺合されている。
ボールネジ48の一端部には、パルスモータ50が連結されている。パルスモータ50でボールネジ48を回転させると、移動体46はガイドレール44に沿ってY軸方向に移動する。移動体46の下端には、腕部52が昇降機構を介して接続されている。腕部52には、フレーム9の大きさに対応して配設された複数の吸引部(不図示)が配設された保持機構54が設けられている。
例えば、被検査物1の表面に複数のデバイス5が形成されており、該被検査物1を加工装置2の加工ユニット32によりデバイス5毎に分割すると、個々のデバイスチップが形成される。被検査物1が適切に加工されていることを確認するために、加工後の被検査物1が本実施形態に係る検査装置56で検査される。
洗浄装置40による被検査物1の洗浄が完了した後、保持機構54により被検査物1を保持し、搬送ユニット42で検査装置56に搬送する。なお、被検査物1は、搬送ユニット42に代えて搬送ユニット16で検査装置56に搬送されてもよい。ここで、搬送ユニット16,42に被検査物1を保持させる前に予め洗浄テーブルの向きを調整すると、検査装置56に搬入される被検査物1の向きを所定の向きに合わせられる。
例えば、検査装置56では、被検査物1に形成された分割溝に沿って被検査物1が検査され、該分割溝に沿って被検査物1に形成されるチッピングと呼ばれる欠けの形状や大きさ、分布、クラック(亀裂)等が調査される。また、被検査物1が分割されて形成されたデバイスチップの大きさが確認される。
検査装置56は、被検査物1の同一位置を上面側(表面1a側)と、下面側(裏面1b側)と、の双方から同時に観察できる検査装置である。検査装置56は、図3等に示す通り、加工装置2に組み込まれており、加工後の被検査物1を直ちに検査できる。次に、加工装置2に組み込まれている場合を例に本実施形態に係る検査装置56について説明するが、検査装置56はこれに限定されない。
図5は、検査装置56を模式的に示す斜視図である。検査装置56は、該検査装置56の各構成を支持する基台60を備える。基台60には、X軸方向に沿った開口62が形成されている。検査装置56は、基台60の開口62を跨ぐように配設され被検査物1を保持できる被検査物保持機構58と、被検査物保持機構58に保持された被検査物1を撮像できる撮像機構82と、を備える。
検査装置56は、被検査物保持機構58と、撮像機構82と、をX軸方向に沿って相対的に移動できるX軸移動ユニット64aと、Y軸方向に沿って相対的に移動できるY軸移動ユニット64bと、を備える。図6(A)には、検査装置56のX軸移動ユニット64a及び被検査物保持機構58の斜視図が模式的に示されている。図6(B)には、撮像機構82の斜視図が模式的に示されている。
該X軸移動ユニット64aは、基台60の上面の開口62の側方にX軸方向に沿って伸長したガイドレール66aを備える。また、基台60の上面のガイドレール66aとは反対側の開口62の側方には、ガイドレール66aに平行に伸長したガイドレール66bを備える。ガイドレール66aには移動体68aがスライド可能に装着されており、ガイドレール66bには移動体68bがスライド可能に装着されている。
移動体68a及び移動体68bの上には、両移動体68a,68bを跨るように橋状の支持構造74が配設されている。また、移動体68a及び移動体68bの一方の下端にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部にはガイドレール66a,66bに平行なボールネジ70が螺合されている。
ボールネジ70の一端部には、パルスモータ72が連結されている。パルスモータ72でボールネジ70を回転させると、移動体68a,68bはガイドレール66a,66bに沿ってX軸方向に移動し、橋状の支持構造74がX軸方向に移動する。被検査物保持機構58は、基台60の開口62と重なる位置で支持構造74に支持される。X軸移動ユニット64aは、支持構造74をX軸方向に沿って移動させることで被検査物保持機構58をX軸方向に沿って移動できる。
被検査物保持機構58は、上下に露出した透明体を有する載置部76を有する。該透明体は、例えば、ガラス、樹脂等の材料で形成される。該透明体の上面は、テープ7を介して被検査物1が載置される載置面76aとなる。被検査物保持機構58は、載置面76aに載せられた被検査物1を支持できる。
図7(A)は、被検査物保持機構58を模式的に示す上面図であり、図7(B)は、被検査物保持機構58を模式的に示す断面図である。該透明体は載置面76aとは反対側の裏面側にも露出しているため、載置面76aに載る被検査物1を下面側から観察可能である。
被検査物保持機構58は、テープ吸引保持面78bを該載置部76の外周側に備えるテープ保持部78を備える。テープ保持部78は、テープ吸引保持面78bに形成された吸引溝78aを有する。吸引溝78aには、図示しない吸引路を経て、図示しない吸引源が接続されている。被検査物保持機構58は、さらに、テープ保持部78の周囲に配置され、フレームユニット11のフレーム9を支持できる環状のフレーム支持部80を備える。
フレーム支持部80と、フレーム9と、が重なるように被検査物保持機構58の上にフレームユニット11を載せ、該吸引源を作動させると、テープ7を介して被検査物保持機構58に被検査物1が吸引保持される。このとき、被検査物保持機構58と、テープ7と、の間が吸引されて載置面76aの全面にテープ7が密着するため、被検査物保持機構58に保持された被検査物1が検査中にずれることはない。
例えば、被検査物1が反りを有したウェーハ等である場合においても、被検査物保持機構58に被検査物1を保持させるとき、載置面76aの全体にテープ7が密着する。そのため、被検査物1は、反りが緩和された状態で被検査物保持機構58に吸引保持される。被検査物保持機構58に保持された被検査物1の反りが緩和されていると、被検査物1の各領域を次々に撮像する際に撮像ユニットの焦点が被検査物1からずれにくくなるため、被検査物1をより鮮明に撮像できる。特に、本願構成において、裏面側に赤外線カメラを配置し、焦点を表面に位置付けた状態で撮像する場合においては、被検査物1の反りを緩和することは有効となる。
ここで、載置部76の載置面76aの高さは、テープ保持部78のテープ吸引保持面78bの高さより低くてもよい。また、テープ吸引保持面78bに形成された吸引溝78aは、図7(A)に示すように、載置部76に達していてもよい。この場合、被検査物保持機構58の上にフレームユニット11を載せたときにテープ7と、載置面76aと、の間に隙間が形成され、吸引溝78aに接続された吸引源を作動させたときに該隙間を通じてテープ7の被検査物1と重なる領域が早く吸引される。
具体的には、載置部76の載置面76aの高さは、テープ保持部78のテープ吸引保持面78bの高さよりも1mm程度低くすることが考えられる。
図8には、被検査物保持機構58により被検査物1が吸引保持されている際のフレームユニット11及び被検査物保持機構58の断面図が模式的に示されている。図8に示す通り、該吸引源を作動させると、テープ7及び載置面76aの隙間が排気され、テープ7及び載置面76aが密着する。
なお、被検査物1の検査が完了した後、吸引源を停止させてフレームユニット11を被検査物保持機構58から搬出する際に、載置面76aからのテープ7の剥離が容易となるように、例えば、載置面76aはフッ素樹脂でコーティングされていてもよい。
次に撮像機構82について説明する。図5に示す通り、撮像機構82は、例えば、開口62、X軸移動ユニット64a、及び被検査物保持機構58を跨ぐように基台60の上に配設された門型の支持構造84により支持される。支持構造84の上には、撮像機構82をY軸方向に沿って移動させるY軸移動ユニット64bが配設されている。
Y軸移動ユニット64bは、支持構造84の上面にY軸方向に沿って配設された一対のガイドレール86を備える。一対のガイドレール86には、撮像機構82を支持する移動体88がスライド可能に装着されている。移動体88の下面にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部には一対のガイドレール86に平行なボールネジ90が螺合されている。
ボールネジ90の一端部には、パルスモータ92が連結されている。パルスモータ92でボールネジ90を回転させると、移動体88はガイドレール86に沿ってY軸方向に移動し、撮像機構82がY軸方向に移動する。X軸移動ユニット64a及びY軸移動ユニット64bは、協働して、被検査物保持機構58及び撮像機構82を載置面76aに平行な方向に相対的に移動できる移動ユニットとして機能する。
撮像機構82は、被検査物保持機構58の載置部76の上方に配設された第1の撮像ユニット106aと、該載置部76の下方に配設された第2の撮像ユニットと106bと、を備える。図6(B)に示す通り、撮像機構82は、第1の撮像ユニット106a及び該第2の撮像ユニット106bを連結する連結部108をさらに備える。
第1の撮像ユニット106aは、柱状の支持構造94aに支持される。柱状の支持構造94aの前面には、第1の撮像ユニット106aを昇降させる昇降機構96aが配設されている。昇降機構96aは、Z軸方向に沿った一対のガイドレール98aと、該ガイドレール98aにスライド可能に装着された移動体100aと、該移動体100aの後面に設けられたナット部に螺合されたボールネジ102aと、を有する。
移動体100aの前面には、第1の撮像ユニット106aが固定されている。そして、ボールネジ102aの一端部にはパルスモータ104aが連結されている。パルスモータ104aでボールネジ102aを回転させると、移動体100aがガイドレール98aに沿ってZ軸方向に沿って移動し、移動体100aに固定された第1の撮像ユニット106aが昇降する。
連結部108の上端部は、例えば、支持構造94aの後面側下端部に接続されており、連結部108の下端部は、第2の撮像ユニット106bを支持する柱状の支持構造94bの後面側上端部に接続されている。支持構造94bの前面には、支持構造94aに配設された昇降機構96aと同様に構成された昇降機構96bが配設されている。
昇降機構96bは、Z軸方向に沿った一対のガイドレール98bと、該ガイドレール98bにスライド可能に装着された移動体100bと、該移動体100bの後面に設けられたナット部に螺合されたボールネジ102bと、を有する。ボールネジ102bの一端部にはパルスモータ104bが連結されている。パルスモータ104bでボールネジ102bを回転させると、移動体100bの前面に固定された第2の撮像ユニット106bが昇降する。
第1の撮像ユニット106aは下方を向いており、被検査物保持機構58の上面に載る被検査物1を上方から撮像できる。また、第2の撮像ユニット106bは上方を向いており、該被検査物1を透明体で構成された載置部76及びテープ7を通して被検査物1を下方から撮像できる。第1の撮像ユニット106a及び第2の撮像ユニット106bは、例えば、エリアカメラ、ラインカメラ、3Dカメラ、又は赤外線カメラ等である。
なお、撮像機構82においては、該載置面76aに平行な方向における位置が概略同一となるように第1の撮像ユニット106a及び第2の撮像ユニット106bが連結部108により互いに連結される。すなわち、被検査物1の上面側と下面側の同一位置を撮像できる。そして、連結部108は、被検査物1のいずれの箇所を撮像箇所とした場合においても、被検査物保持機構58と干渉しない形状とされる。
次に、撮像ユニットによる撮像、及び、検査の実施形態について説明する。
図8において、上側に位置する被検査物1の表面は、可視光カメラで構成される第1の撮像ユニット106aで撮像される。
被検査物1の表面は露出しており、可視光カメラで構成される第1の撮像ユニット106aにより、鮮明な画像が撮像され、撮像画像をもとに被検査物1の表面に生じたチッピングやクラックの自動判別が実施可能となる。
他方、下側に位置しテープ7に貼着される被検査物1の裏面は、赤外線カメラで構成される第2の撮像ユニット106bで撮像される。
図9は、赤外線カメラで構成される第2の撮像ユニット106bの模式図であり、焦点距離が調整可能な対物レンズユニット201と、赤外線CCD202と、を有して構成される。光源203は対物レンズユニット201と一体で設けてもよく、別体で設けても良い。また、第2の撮像ユニット106bの具体的な構成については特に限定されるものではない。
図10は、被検査物1を側面からみた模式図であり、被検査物保持機構58の透明体からなる載置部76の上面には、テープ7に貼着されたデバイス5が配列されている。各デバイス5の間には加工痕3aが形成されており、デバイス5の裏面5b側にチッピング5cが生じた様子が示されている。
第二の撮像ユニット106bにおいて、その焦点をデバイス5の表面5aに合わせて撮像すると、チッピング5cの箇所には破断等により界面が形成されているため、チッピング5cの箇所の赤外光R1は表面5a(パターン面)に到達せず、当該表面5aからの反射の量が低下する。これにより、撮像画像において他の部位と比較して輝度の低い領域が画成されることになる(黒く撮像される)。
他方、チッピング5cのない箇所での赤外光R2は、表面5aに到達することから、撮像画像においてチッピング5cの箇所と比較して輝度の高い領域が画成されることになる。
図11(A)は、撮像画像の例であり、デバイス5の裏面5bのエリアM1において、X方向に長いチッピング5cが生じた場合を示している。このエリアM1に対応する箇所では、図11(B)に示すように、裏面側において横方向にチッピング5cが生じている。そして、このチッピング5cの領域は、撮像画像上においてデバイス5の他の部位や加工痕3aとは輝度が異なる領域として画成されることになる。
より具体的には、撮像画像上のエリアM1において、加工痕3aよりも明るく、デバイスの裏面5bよりも暗い領域が画成される。そして、輝度が所定範囲のエリアをチッピング5cが生じたエリアとして検出することが可能となり、また、当該エリアの画素数に基づいてそのサイズ等も容易に測定することが可能となる。
同様に、別のエリアM2においては、半円状のチッピング5cが生じることにより、デバイス5の他の部位や加工痕3aとは輝度が異なる領域が画成される。そして、輝度が所定範囲のエリアをチッピングが生じたエリアとして検出することが可能となり、また、当該エリアの画素数に基づいてそのサイズ等も容易に測定することが可能となる。
同様に、別のエリアM3においては、線状のクラック(亀裂)5dが生じることにより、デバイス5の領域において輝度の低い線状のラインが形成される。そして、輝度が所定範囲のラインにより、当該ラインをクラック(亀裂)5dが生じたエリアとして検出することが可能となり、また、当該ラインの画素数に基づいてそのサイズ等も容易に測定することが可能となる。なお、線状のクラック(亀裂)5dの場合においても、図10で示した破断界面と同様の界面が形成されるため、線状のラインとして画像に表すことが可能となる。
次に、以上の装置構成を利用するワークの加工方法、被検査物の検査方法おいて、実施される各ステップについて説明する。
<貼着ステップ>
ワークの裏面側をテープに貼着して該ワークの表面を露出させるステップである。
図1は、ワークとしてのウェーハ(被検査物1)をテープ7に貼着し、表面1aを露出させる例を示すものである。
ワークは、例えば、半導体ウェーハであり、パターンの形成されていないウェーハなども想定される。
貼着は、糊層による接着の他、糊層のない基材のみのテープの圧着、熱圧着などで行われる。
<分割ステップ>
テープが貼着されたワークを分割するステップである。
分割とは、ストリートと呼ばれる分割予定ラインに沿って区画された各領域に分割することをいうものであり、ブレードでワークを切削して分割するブレードダイシングの他、ワークに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してワークを分割するレーザダイシング、ワークに対して透過性を有する波長のレーザビームで改質層を形成するSD加工(STEALTH DICING:登録商標)を施したワークをテープエキスパンドで分割する加工、ブレードで分割予定ラインに沿ってワーク表面にハーフカット溝を形成した後裏面研削でワークを分割する所謂DBG(Dicing Before Grinding)加工、SD加工を施した後ワークの裏面を研削して分割するSDBG(Stealth Dicing Before Grinding)加工、などを利用することができる。
図2は、ブレードダイシングにより分割された後のウェーハ(被検査物1)の様子を示すものである。
<撮像ステップ>
テープを介してワークの裏面側から赤外線カメラでワークを撮像して撮像画像を形成する撮像ステップである。
図7及び図10に示すように、赤外線カメラを構成する第二の撮像ユニット106bにより、ワークの裏面5b側から撮像をするものである。この撮像では、図10に示すように、チッピング5cの箇所と、他の箇所の赤外光R1,R2の透過性の違いを利用することで、撮像画像において両箇所の輝度を異ならせることを可能とするものである。
なお、この撮像ステップにおいて、ワークの表面側については、可視光カメラで構成される第1の撮像ユニット106aによる撮像を同時に行うことができる。
<検出ステップ>
撮像ステップで形成した撮像画像をもとに裏面に生じたチッピングまたはクラックを検出する検出ステップである。
図11(A)に示すように、デバイス5の裏面5bを示す撮像画像上には輝度の違う部位が画成されることになる。そして、撮像画像を多値化処理し、エッジ検出処理をして検出したエッジを基準とし、輝度が所定範囲のエリアをクラックやチッピングが生じたエリアとして検出される。また、当該エリアの画素数を元に、クラックやチッピングのサイズが測定される。
以上のようにして本発明を実施することができる。
即ち、図10及び図11(A)に示すように、裏面がテープ7に固定され表面5aが露出するとともに分割されたワークの裏面5bを確認するワークの確認方法であって、
テープ7を介してワークを裏面5b側から赤外線カメラ(第二の撮像ユニット106b)で撮像し、撮像画像を形成する撮像ステップと、
撮像ステップで形成された撮像画像から裏面5nに生じたチッピング5c及び/またはクラック5dを検出する検出ステップと、を備えたワークの確認方法とすることである。
これにより、裏面側からテープを介して赤外線カメラで撮像した撮像画像をもとに被加工物の裏面状態が確認可能となり、作業工数の削減とともに時間短縮を図ることができる。また、赤外線カメラを用いることで裏面側のチッピングやクラックを確実に検出でき、検査の信頼性を高めることができる。
また、図10及び図11(A)に示すように、撮像ステップでは、赤外線カメラ(第二の撮像ユニット106b)の焦点をワークの表面に位置付けた状態で撮像する、こととするものである。
これにより、チッピングやクラックなどの欠陥箇所を撮像画像上において黒く映らせる(輝度を低くする)ことが可能となり、これに基づいて、チッピングやクラックの検出やサイズを測定することが可能となる。
また、ワークの加工方法であって、
ワークの裏面側をテープに貼着してワークの表面を露出させる貼着ステップと、
テープが貼着されたワークを分割する分割ステップと、
テープを介してワークの裏面側から赤外線カメラでワークを撮像して撮像画像を形成する撮像ステップと、
撮像ステップで形成した撮像画像をもとに裏面に生じたチッピング及び/またはクラックを検出する検出ステップと、
を有するワークの加工方法とするものである。
これにより、ワークの分割加工から裏面のチッピング及び/またはクラックの検出までの一連の工程を短時間で実施可能となり、また、検出の精度が高いため検査の信頼性を高めることができる。
1 被検査物
1a 表面
1b 裏面
2 加工装置
3 ストリート
3a 加工痕
4 基台
5 デバイス
5a 表面
5b 裏面
5c チッピング
5d クラック
5n 裏面
7 テープ
9 フレーム
11 フレームユニット
76 載置部
76a 載置面
78 テープ保持部
78a 吸引溝
78b テープ吸引保持面
82 撮像機構
84 支持構造
106a 第一の撮像ユニット
106b 第二の撮像ユニット
201 対物レンズユニット
202 赤外線CCD
203 光源
R1 赤外光
R2 赤外光

Claims (3)

  1. 裏面がテープに固定され表面が露出するとともに分割されたワークの該裏面を確認するワークの確認方法であって、
    該テープを介して該ワークを該裏面側から赤外線カメラで撮像し、撮像画像を形成する撮像ステップと、
    該撮像ステップで形成された該撮像画像から該裏面に生じたチッピング及び/またはクラックを検出する検出ステップと、を備えたワークの確認方法。
  2. 該撮像ステップでは、該赤外線カメラの焦点を該ワークの表面に位置付けた状態で撮像する、
    ことを特徴とする請求項1に記載のワークの確認方法。
  3. ワークの加工方法であって、
    該ワークの裏面側をテープに貼着して該ワークの表面を露出させる貼着ステップと、
    該テープが貼着された該ワークを分割する分割ステップと、
    該テープを介して該ワークの該裏面側から赤外線カメラで該ワークを撮像して撮像画像を形成する撮像ステップと、
    該撮像ステップで形成した該撮像画像をもとに該裏面に生じたチッピング及び/またはクラックを検出する検出ステップと、
    を有するワークの加工方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7354340B2 (ja) 2021-04-20 2023-10-02 株式会社ディスコ 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114577816A (zh) * 2022-01-18 2022-06-03 广州超音速自动化科技股份有限公司 一种氢燃料双极板检测方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08220008A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 赤外検査装置
JPH10312979A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
JP2003203883A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 顕微鏡及び観察方法
JP2008045965A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Yamaha Corp ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置
JP2014203836A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 株式会社ディスコ ターゲットパターン設定方法、及び、キーパターン検出方法
JP2019025583A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社ディスコ 切削方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4754864B2 (ja) 2005-04-25 2011-08-24 株式会社ディスコ 切削方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08220008A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 赤外検査装置
JPH10312979A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
JP2003203883A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 顕微鏡及び観察方法
JP2008045965A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Yamaha Corp ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置
JP2014203836A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 株式会社ディスコ ターゲットパターン設定方法、及び、キーパターン検出方法
JP2019025583A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社ディスコ 切削方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7354340B2 (ja) 2021-04-20 2023-10-02 株式会社ディスコ 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法

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