JP2017195219A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017195219A
JP2017195219A JP2016082781A JP2016082781A JP2017195219A JP 2017195219 A JP2017195219 A JP 2017195219A JP 2016082781 A JP2016082781 A JP 2016082781A JP 2016082781 A JP2016082781 A JP 2016082781A JP 2017195219 A JP2017195219 A JP 2017195219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ring
shaped reinforcing
reinforcing portion
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016082781A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6672053B2 (ja
Inventor
利夫 土屋
Toshio Tsuchiya
利夫 土屋
仁志 星野
Hitoshi Hoshino
仁志 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2016082781A priority Critical patent/JP6672053B2/ja
Priority to TW106107996A priority patent/TWI706455B/zh
Priority to MYPI2017701178A priority patent/MY179206A/en
Priority to US15/484,799 priority patent/US10211076B2/en
Priority to CN201710235954.4A priority patent/CN107305863B/zh
Priority to DE102017206400.5A priority patent/DE102017206400B4/de
Priority to KR1020170048977A priority patent/KR102327962B1/ko
Priority to ATA50315/2017A priority patent/AT518580A3/de
Publication of JP2017195219A publication Critical patent/JP2017195219A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6672053B2 publication Critical patent/JP6672053B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0838—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt
    • B23K26/0846—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction by using an endless conveyor belt for moving elongated workpieces longitudinally, e.g. wire or strip material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】外周側にリング状補強部が形成されたウェーハからリング状補強部を除去しても、ウェーハを適切に位置合わせすること。【解決手段】デバイス領域（Ａ１）の周囲にリング状補強部（７１）が形成されたウェーハ（Ｗ）からリング状補強部を除去するウェーハの加工方法であって、保持テープ（Ｔ）を介してウェーハをフレーム（Ｆ）に支持させるステップと、リング状補強部とデバイス領域との境界部（７３）よりも内径側にノッチ（Ｎ）に対応するマーク（Ｍ）を形成するステップと、リング状補強部とデバイス領域との境界部を保持テープとともに切断してデバイス領域とリング状補強部とを分離するステップと、リング状補強部をフレームとともに保持テーブルから離脱させてリング状補強部を除去するステップとを有する構成にした。【選択図】図４

Description

本発明は、デバイス領域の周囲に形成されたリング状補強部をウェーハから除去するウェーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されたウェーハはダイシング装置等によってデバイス毎に個々のチップに分割され、分割後のチップは各種電子機器に組み込まれて広く利用されている。電子機器の小型化、軽量化等を図るために、ウェーハの厚さが例えば５０μｍ〜１００μｍになるように薄く形成される。このようなウェーハは剛性が低下する上、反りが発生するため取り扱いが困難になっている。そこで、ウェーハのデバイスが形成されるデバイス領域に対応した裏面側のみを研削して、ウェーハの外周にリング状補強部を形成してウェーハの剛性を高める方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
リング状補強部が形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って分割する前に、ウェーハからリング状補強部を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の方法では、ウェーハの表面に保持テープが貼着されて、保持テープを介してリング状のフレームの内側にウェーハが支持されて一体化される。この状態で、ウェーハのデバイス領域とリング状補強部（外周余剰領域）との境界部が保持テープと共にレーザー加工によって切断されてから、ウェーハから分離したリング状補強部がフレームと共に除去される。
特開２００７−０１９４６１号公報 特開２０１５−１４７２３１号公報
しかしながら、特許文献２に記載のウェーハの加工方法においては、ウェーハからリング状補強部を除去すると、リング状補強部に形成された位置合わせ用のノッチが無くなってしまうため、後続の工程で位置合わせを行うことが困難になるという問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、外周側にリング状補強部が形成されたウェーハからリング状補強部を除去しても、ウェーハを適切に位置合わせすることができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
本発明のウェーハの加工方法は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成され且つ外周縁に結晶方位を示すノッチが形成されたウェーハについて、該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域の裏側を研削して該外周余剰領域の裏側にリング状補強部を形成し、該リング状補強部が形成されたウェーハに所定の加工を施した後、該リング状補強部を除去するウェーハの加工方法であって、ウェーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部にウェーハを収容し該ウェーハの表面及び該フレームに保持テープを貼着し、該保持テープを介して該ウェーハを該フレームに支持させるウェーハ貼着ステップと、該フレームに支持されたウェーハを保持テーブルに保持し、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することによって該リング状補強部と該デバイス領域との境界部を該保持テープとともに切断して該デバイス領域と該リング状補強部とを分離するリング状補強部分離ステップと、該保持テープを介して該フレームに支持されたリング状補強部を該フレームとともに該保持テーブルから離脱させて該リング状補強部を除去するリング状補強部除去ステップと、から構成され、該リング状補強部分離ステップの前又は後に、該リング状補強部分離ステップにおけるレーザー加工痕の内径側に、ノッチに対応するマークを形成するマーク形成ステップを更に備えること、を特徴とする。
この構成によれば、デバイス領域とリング状補強部の境界部に沿ってレーザー光線が照射されて、ウェーハのデバイス領域からリング状補強部が分離される。そして、分離後のリング状補強部を保持テーブルから離脱させることで、ウェーハからリング状補強部が除去される。このとき、リング状補強部の外周縁のノッチに対応するマークがデバイス領域とリング状補強部の境界部よりも内径側に形成されているため、ウェーハからリング状補強部が除去されてもウェーハからマークが無くなることがない。よって、後続の工程では、ノッチの代わりにマークを基準にしてウェーハを適切に位置合わせすることができる。
本発明のウェーハの加工方法において、該マーク形成ステップの後で且つ該リング状補強部分離ステップの前に、ウェーハ上に形成された該マークと該ノッチとの位置関係を検出手段で検出する位置関係検出ステップ、を備える。
本発明によれば、リング状補強部の外周縁のノッチに対応するマークをデバイス領域とリング状補強部の境界部よりも内径側に形成することで、ウェーハからリング状補強部を除去しても、後続の工程においてウェーハを適切に位置合わせすることができる。
本実施の形態のレーザー加工装置の斜視図である。 本実施の形態のウェーハ及び保持テーブルの断面模式図である。 本実施の形態のウェーハ貼着ステップの一例を示す図である。 本実施の形態のマーク形成ステップの一例を示す図である。 本実施の形態のリング状補強部分離ステップの一例を示す図である。 本実施の形態のリング状補強部除去ステップの一例を示す図である。 本実施の形態の位置関係検出ステップの一例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法について説明する。図１は、本実施の形態のウェーハの加工方法に用いられるレーザー加工装置の斜視図である。なお、レーザー加工装置は、本実施の形態のウェーハの加工方法で使用可能であればよく、図１に示す構成に限定されない。
図１に示すように、レーザー加工装置１は、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４０とウェーハＷを保持した保持テーブル３０とを相対移動させて、ウェーハＷを加工するように構成されている。ウェーハＷは、表面に配列された格子状の分割予定ライン（不図示）によって複数の領域に区画されており、分割予定ラインに区画された各領域にはデバイス（不図示）が形成されている。ウェーハＷの表面は複数のデバイスが形成されたデバイス領域Ａ１とデバイス領域Ａ１を囲繞する外周余剰領域Ａ２とに分かれている。また、ウェーハＷの外周縁には、結晶方位を示すノッチＮ（図４Ｂ参照）が形成されている。
ウェーハＷは、いわゆるＴＡＩＫＯウェーハであり、デバイス領域Ａ１の裏面が研削されて外周余剰領域Ａ２の裏面に凸状のリング状補強部７１が形成されている。ウェーハＷのデバイス領域Ａ１だけが薄化されるため、デバイス領域Ａ１の周囲のリング状補強部７１によってウェーハＷの剛性が高められている。これにより、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１が薄化して不足した剛性を、リング状補強部７１で補うことでウェーハＷの反りが抑えられて搬送時等の破損が防止される。なお、ウェーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の光デバイスウェーハでもよい。
また、ウェーハＷの表面には保持テープＴの中央部分が貼着されており、保持テープＴの外周部分にはリング状のフレームＦが貼着されている。このリング状補強部７１が形成されたウェーハＷは所定の加工が施された後に、レーザー加工装置１でリング状補強部７１が除去される。レーザー加工では、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングと比べて、リング状補強部７１に干渉することなく切り離すことが可能になっている。なお、所定の加工は、リング状補強部７１が形成されたウェーハＷに対して実施される加工であり、例えば、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１の裏面に反射膜を形成する加工である。
レーザー加工装置１の基台１０上には、保持テーブル３０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる保持テーブル移動機構２０が設けられている。保持テーブル移動機構２０は、基台１０上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール２１と、一対のガイドレール２１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル２２とを有している。また、保持テーブル移動機構２０は、Ｘ軸テーブル２２の上面に配置されＹ軸方向に平行な一対のガイドレール２３と、一対のガイドレール２３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル２４とを有している。
Ｘ軸テーブル２２及びＹ軸テーブル２４の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成されており、これらのナット部にボールネジ２５、２６が螺合されている。そして、ボールネジ２５、２６の一端部に連結された駆動モータ２７、２８が回転駆動されることで、保持テーブル３０がガイドレール２１、２３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。また、Ｙ軸テーブル２４上には、ウェーハＷを保持する保持テーブル３０がＺ軸回りに回転可能に設けられている。保持テーブル３０の上面には保持面３１が形成されており、保持テーブル３０の周囲にはウェーハＷの周囲のフレームＦを挟持固定するクランプ部３２が設けられている。
保持テーブル３０の後方の立壁部１１にはアーム部１２が突設されており、アーム部１２の先端には保持テーブル３０に上下方向で対向するようにレーザー光線照射手段４０が設けられている。レーザー光線照射手段４０の加工ヘッド４１では、不図示の発振器から発振されたレーザー光線が集光器によって集光され、保持テーブル３０上に保持されたウェーハＷに向けて照射される。この場合、レーザー光線はウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、ウェーハＷに対するレーザー光線の照射によってウェーハＷの一部が昇華されてレーザーアブレーションされる。
なお、アブレーションとは、レーザー光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。
また、レーザー光線照射手段４０の側方には、ウェーハＷの外周エッジ７２（図４Ｂ参照）を撮像する撮像手段４５が設けられている。撮像手段４５によってウェーハＷの外周エッジ７２の任意の３箇所が撮像されて、各撮像画像に対して各種画像処理が施されて外周エッジ７２の３点の座標が検出される。この外周エッジ７２の３点の座標に基づいてウェーハＷの中心が算出されて、ウェーハＷの中心を基準にして加工ヘッド４１がアライメントされる。このアライメントによって加工ヘッド４１がデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１（外周余剰領域Ａ２）と境界部７３に精度よく位置付けられる。
また、レーザー加工装置１には、装置各部を統括制御する制御部５０が設けられている。制御部５０は、各種処理を実行するプロセッサやメモリ等により構成される。メモリは、用途に応じてＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。制御部５０のＲＯＭには、後述する各ステップの各種処理を実行するプログラムが記憶されている。このようなレーザー加工装置１では、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１の境界部７３に沿ったレーザー加工によりウェーハＷからリング状補強部７１が切り離される。
ところで、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１の裏面に金属製の反射膜等が形成されている場合には、ＩＲカメラ等ではウェーハＷの裏面側から表面パターンを見ることができず、ウェーハＷの方向を確認することができない。このため、本実施の形態のウェーハＷの外周縁には裏面側からでもウェーハＷの方向を確認できるように位置合わせ用にノッチＮが形成されている。しかしながら、ウェーハＷからリング状補強部７１が除去されると、リング状補強部７１に形成された位置合わせ用のノッチＮが無くなってしまうため、後続の工程ではノッチＮを基準として位置合わせすることができない。
そこで、本実施の形態のウェーハＷの加工方法では、ウェーハＷからリング状補強部７１が切断される前に、ノッチＮに対応するマークＭをデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３よりも内径側に形成するようにしている（図４Ｃ参照）。これにより、ウェーハＷからリング状補強部７１を除去しても、後続の工程においてウェーハＷを適切に位置合わせすることが可能になっている。
ここで、本実施の形態のウェーハの加工方法で使用される保持テーブルについて簡単に説明する。図２は、本実施の形態のウェーハ及び保持テーブルの断面模式図である。なお、保持テーブルは図２に示す構成に限定されず、適宜変更が可能である。
図２に示すように、保持テーブル３０の上面には、アブレーション加工時にレーザー光線を逃がす環状の逃げ溝３３が形成されている。逃げ溝３３は、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３に対応しており、保持テーブル３０の外周に沿って形成されている。保持テーブル３０の上面において逃げ溝３３の半径方向内側は、ウェーハＷを保持する保持面３１になっており、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１に対応している。保持テーブル３０の保持面３１には、中心で直交する十字状の吸引溝３４（図１参照）と、十字状の吸引溝３４の交点を中心とした同心円状のリング状の吸引溝３５とが形成されている。
十字状の吸引溝３４及びリング状の吸引溝３５は、保持テーブル３０内の流路を通じて吸引源（不図示）に接続されている。この吸引溝３４、３５に生じる負圧によって、ウェーハＷが保持テープＴを介して保持面３１に吸引保持される。また、保持テーブル３０の上面において逃げ溝３３の半径方向外側のリング状の支持面３６は、保持面３１と同じ高さに形成されており、ウェーハＷの外側の保持テープＴに対応している。これにより、保持面３１と支持面３６とによって保持テープＴが水平状態で支持されて、逃げ溝３３内へのリング状補強部７１の落ち込みが防止される。
逃げ溝３３の溝底３７は、保持テーブル３０の中心に向かって深くなるように傾斜している。溝底３７のテーパ形状の表面には、レーザー光線を散乱させる微細な凹凸がサンドブラスト等で形成されている。この溝底３７の傾斜でレーザー光線の反射光の向きが光源から外れ、微細な凹凸によってレーザー光線の強度が弱まることで、反射光による光源の破損が抑えられている。また、ウェーハＷを撮像する際も同様に、撮像光の反射光の向きが撮像手段４５（図４Ａ参照）から外れ、微細な凹凸によって撮像光の反射光が弱まるため、撮像画像でウェーハＷの外周エッジ７２を示す明暗のコントラストが明確にされる。
続いて、図３から図７を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法について詳細に説明する。図３はウェーハ貼着ステップ、図４はマーク形成ステップ、図５はリング状補強部分離ステップ、図６はリング状補強部除去ステップ、図７は位置関係検出ステップのそれぞれ一例を示す図である。なお、以下のウェーハの加工方法は一例を示すものであり、適宜変更が可能である。なお、図４Ａはウェーハに対する撮像処理、図４Ｂは及び図４Ｃはウェーハに対するマーキング処理をそれぞれ示している。
図３に示すように、先ずウェーハ貼着ステップが実施される。ウェーハ貼着ステップでは、フレームＦの開口部にウェーハＷが収容され、ウェーハＷの表面及びフレームＦに保持テープＴが貼着される。これにより、リング状補強部７１を上方に向けた状態で、ウェーハＷが保持テープＴを介してフレームＦに支持される。ウェーハＷは、保持テープＴを介してフレームＦの内側に支持された状態で上記したレーザー加工装置１（図１参照）に搬入される。なお、ウェーハ貼着工程は、オペレータの手作業で実施されてもよいし、不図示のテープマウンタによって実施されてもよい。
図４に示すように、ウェーハ貼着ステップの後にはマーク形成ステップの撮像処理が実施される。図４Ａに示すように、マーク形成ステップの撮像処理では、レーザー加工装置１（図１参照）の保持テーブル３０にウェーハＷが保持され、ウェーハＷの周囲のフレームＦがクランプ部３２によって挟持固定される。そして、撮像手段４５の下方にウェーハＷのリング状補強部７１が位置付けられ、ウェーハＷの外周エッジ７２が撮像手段４５によって撮像される。このとき、撮像手段４５からウェーハＷの外周エッジ７２周辺に撮像光が照射され、外周エッジ７２周辺の反射光が取り込まれることで撮像画像が生成される。
外周エッジ７２の内側にはリング状補強部７１の水平な上面７６が存在しており、撮像手段４５からの落射光（撮像光）は、リング状補強部７１の上面７６で反射（ハレーション）されて撮像手段４５に取り込まれる。一方、外周エッジ７２の外側には逃げ溝３３が存在しており、撮像手段４５からの落射光は、保持テープＴを透過して逃げ溝３３のテーパ形状の溝底３７で反射する。溝底３７で反射された光がウェーハＷの中心に向かうと共に溝底３７の微細な凹凸によって散乱される。よって、外周エッジ７２の外側で反射した反射光は、撮像手段４５に取り込まれ難くなっている。
外周エッジ７２周辺の撮像画像では、撮像手段４５に反射光が取り込まれる外周エッジ７２の内側が明るく表示される一方、撮像手段４５に反射光が取り込まれ難い外周エッジ７２の外側が暗く表示される。よって、ウェーハＷの外周エッジ７２における明暗のコントラストが明確になってウェーハＷの外周エッジ７２が正確に認識される。このようにして、ウェーハＷの複数箇所（本実施の形態では３箇所）においてウェーハＷの外周エッジ７２が撮像され、各撮像画像から外周エッジ７２の座標が検出される。そして、複数の外周エッジ７２の座標に基づいてウェーハＷの中心Ｏ（図４Ｂ参照）が算出される。
図４Ｂに示すように、マーク形成ステップの撮像処理の後にはマーキング処理が実施される。マーキング処理では、リング状補強部７１とデバイス領域Ａ１との境界部７３、すなわち後続のリング状補強部分離ステップにおいて形成されるレーザー加工痕７９よりも内径側にノッチＮに対応するマークＭ（図４Ｃ参照）が形成される。この場合、ウェーハＷの中心ＯとノッチＮとを結ぶ直線Ｌ１上で境界部７３よりも内側のマーキング位置Ｐが加工ヘッド４１（図４Ｃ参照）の真下に位置付けられる。なお、ノッチＮの位置は、予め記憶されたウェーハＷの中心Ｏからの距離や方向に基づいて検出されてもよいし、撮像手段４５によって外周エッジ７２と共に検出されてもよい。
そして、図４Ｃに示すように、ウェーハＷの表面付近に集光位置が調整された後、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３よりも内側のマーキング位置Ｐに向けてレーザー光線が照射される。上記したように、レーザー光線がウェーハＷに対して吸収性を有する波長であるため、マーキング位置ＰでウェーハＷの表面が部分的に除去されて、ノッチＮに対応した位置決め用のマークＭが形成される。なお、ウェーハＷの表面にマーキングするマーキング手段は、上記のレーザー光線照射手段４０に限らず、ウェーハＷの表面にインクをマーキングするインクジェット式の塗布手段でもよい。
図５に示すように、マーク形成ステップの後にはリング状補強部分離ステップが実施される。リング状補強部分離ステップでは、保持テーブル３０にウェーハＷが保持された状態で、ウェーハＷに対して吸収性を有するレーザー光線によってデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３が分離される。この場合、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３が加工ヘッド４１の真下に位置付けられる。そして、レーザー光線の集光点が調整された後、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３に向けてレーザー光線が照射される。
レーザー光線が照射された状態で保持テーブル３０が回転されることにより、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３が保持テープＴと共に切断されて、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１とが分離される。このとき、レーザー光線は、ウェーハＷ及び保持テープＴを貫通して逃げ溝３３の溝底３７で保持テーブル３０の中心に向かって反射される。また、溝底３７には微細な凹凸が設けられているため、レーザー光線が散乱されて強度が弱められる。このため、溝底３７で反射したレーザー光線が加工ヘッド４１に向けて反射され難くなり、仮にレーザー光線が加工ヘッド４１に向けて反射されても、強度が低下しているため光源にダメージを与えることがない。
なお、リング状補強部分離ステップでは、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１の境界部７３に沿って切断されるが、切断幅が狭いとアブレーション加工で生じるデブリで切断幅が埋まる可能性がある。このため、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１の境界部７３の切断幅を拡大するようにリング状補強部分離ステップを同心円状に繰り返し実施して、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１を完全に分離させるようにしてもよい。
図６に示すように、リング状補強部分離ステップの後にはリング状補強部除去ステップが実施される。リング状補強部除去ステップでは、クランプ部３２によるフレームＦの挟持固定が解除され、搬送手段６０が保持テーブル３０の上方に位置付けられる。そして、搬送手段６０の吸着パッド６１によってフレームＦが保持され、保持テープＴを介してフレームＦに支持されたリング状補強部７１がフレームＦと共に保持テーブル３０から離脱される。これにより、保持テーブル３０上には、ウェーハＷからリング状補強部７１が除去されて、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１のみが残される。
ところで、ウェーハＷからリング状補強部７１が除去されると、ノッチＮとマークＭが正確に対応しているかを検査することができない。そこで、図７に示すように、マーク形成ステップの後で且つリング状補強部分離ステップの前に、ウェーハＷ上に形成されたマークＭとノッチＮとの位置関係を検出する位置関係検出ステップが実施されてもよい。位置関係検出ステップでは、撮像手段４５（図４Ａ参照）の真下にウェーハＷのマークＭが位置付けられ、撮像手段４５によってウェーハＷ上のマークＭが撮像される。そして、撮像画像からマークＭの正確な座標が検出されて、ノッチＮに対するマークＭの詳細な位置関係が検出される。
この場合、ウェーハＷの中心ＯとマークＭとを結ぶ直線Ｌ２に対するウェーハＷの中心ＯとノッチＮとを結ぶ直線Ｌ１の角度θが求められてもよい。これにより、ウェーハＷの中心Ｏから見たノッチＮの向きとマークＭの向きとの角度ズレが確認される。このノッチＮに対するマークＭの角度ズレやマークＭの座標は、後続の工程でウェーハＷの分割予定ライン（不図示）に対する加工手段の位置合わせ等に利用される。なお、マークＭとノッチＮの詳細な位置関係を検出する検出手段は、上記の撮像手段４５に限らず、ウェーハＷ上のマークＭを認識可能な構成であれば特に限定されない。
以上のように、本実施の形態のウェーハＷの加工方法では、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１の境界部７３に沿ってレーザー光線が照射されて、ウェーハＷのデバイス領域Ａ１からリング状補強部７１が分離される。そして、分離後のリング状補強部７１を保持テーブル３０から離脱させることで、ウェーハＷからリング状補強部７１が除去される。このとき、リング状補強部７１の外周縁のノッチＮに対応するマークＭがデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１の境界部７３よりも内径側に形成されているため、ウェーハＷからリング状補強部７１が除去されてもウェーハＷからマークＭが無くなることがない。よって、後続の工程では、ノッチＮの代わりにマークＭを基準にしてウェーハＷを適切に位置合わせすることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記した実施の形態において、保持テーブル３０の上面に逃げ溝３３が形成される構成としたが、この構成に限定されない。レーザー光線の反射によって光源にダメージを与えることがなければ、保持テーブル３０の上面に逃げ溝３３が形成されていなくてもよい。
例えば、上記した実施の形態において、リング状補強部分離ステップの前にマーク形成ステップを実施する構成にしたが、この構成に限定されない。リング状補強部分離ステップの後にマーク形成ステップを実施してもよい。
また、上記した実施の形態において、ウェーハＷの中心ＯとノッチＮとを結ぶ直線Ｌ１上でデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３よりも内径側にマークＭを形成する構成にしたが、この構成に限定されない。マークＭは、デバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３よりも内径側でノッチＮに対応する位置に形成されていればよい。例えば、ウェーハＷの中心ＯとノッチＮとを結ぶ直線Ｌ１に直交する直線上でデバイス領域Ａ１とリング状補強部７１との境界部７３よりも内径側に形成されてもよい。すなわち、ノッチＮに対応するマークＭとは、ノッチＮとの位置関係が明確なマークＭを示している。
また、上記の実施の形態において、マーク形成ステップ、リング状補強部分離ステップ、リング状補強部除去ステップ、位置関係検出ステップが同一のレーザー加工装置１で実施される構成にしたが、この構成に限定されない。各ステップは、別々の装置で実施されてもよい。
以上説明したように、本発明は、外周側にリング状補強部が形成されたウェーハからリング状補強部を除去しても、ウェーハを適切に位置合わせすることができるという効果を有し、特に、デバイス領域の裏面に金属製の反射膜がウェーハからリング状補強部を除去するウェーハの加工方法に有用である。
１ レーザー加工装置
３０ 保持テーブル
７１ リング状補強部
７２ 外周エッジ
７３ 境界部
Ａ１ デバイス領域
Ａ２ 外周余剰領域
Ｆ フレーム
Ｍ マーク
Ｎ ノッチ
Ｔ 保持テープ
Ｗ ウェーハ

Claims (2)

  1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成され且つ外周縁に結晶方位を示すノッチが形成されたウェーハについて、
    該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域の裏側を研削して該外周余剰領域の裏側にリング状補強部を形成し、該リング状補強部が形成されたウェーハに所定の加工を施した後、該リング状補強部を除去するウェーハの加工方法であって、
    ウェーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部にウェーハを収容し該ウェーハの表面及び該フレームに保持テープを貼着し、該保持テープを介して該ウェーハを該フレームに支持させるウェーハ貼着ステップと、
    該フレームに支持されたウェーハを保持テーブルに保持し、ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することによって該リング状補強部と該デバイス領域との境界部を該保持テープとともに切断して該デバイス領域と該リング状補強部とを分離するリング状補強部分離ステップと、
    該保持テープを介して該フレームに支持されたリング状補強部を該フレームとともに該保持テーブルから離脱させて該リング状補強部を除去するリング状補強部除去ステップと、から構成され、
    該リング状補強部分離ステップの前又は後に、リング状補強部分離ステップにおけるレーザー加工痕の内径側に、ノッチに対応するマークを形成するマーク形成ステップを更に備えること、
    を特徴とするウェーハの加工方法。
  2. 該マーク形成ステップの後で且つ該リング状補強部分離ステップの前に、ウェーハ上に形成された該マークと該ノッチとの位置関係を検出手段で検出する位置関係検出ステップ、を備える請求項１記載のウェーハの加工方法。
JP2016082781A 2016-04-18 2016-04-18 ウェーハの加工方法 Active JP6672053B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016082781A JP6672053B2 (ja) 2016-04-18 2016-04-18 ウェーハの加工方法
TW106107996A TWI706455B (zh) 2016-04-18 2017-03-10 晶圓之加工方法
MYPI2017701178A MY179206A (en) 2016-04-18 2017-04-04 Wafer processing method
US15/484,799 US10211076B2 (en) 2016-04-18 2017-04-11 Wafer processing method
CN201710235954.4A CN107305863B (zh) 2016-04-18 2017-04-12 晶片的加工方法
DE102017206400.5A DE102017206400B4 (de) 2016-04-18 2017-04-13 Bearbeitungsverfahren für einen wafer
KR1020170048977A KR102327962B1 (ko) 2016-04-18 2017-04-17 웨이퍼의 가공 방법
ATA50315/2017A AT518580A3 (de) 2016-04-18 2017-04-18 Waferbearbeitungsverfahren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016082781A JP6672053B2 (ja) 2016-04-18 2016-04-18 ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017195219A true JP2017195219A (ja) 2017-10-26
JP6672053B2 JP6672053B2 (ja) 2020-03-25

Family

ID=59980466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016082781A Active JP6672053B2 (ja) 2016-04-18 2016-04-18 ウェーハの加工方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10211076B2 (ja)
JP (1) JP6672053B2 (ja)
KR (1) KR102327962B1 (ja)
CN (1) CN107305863B (ja)
AT (1) AT518580A3 (ja)
DE (1) DE102017206400B4 (ja)
MY (1) MY179206A (ja)
TW (1) TWI706455B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019016692A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP2019016693A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP2019016691A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7089136B2 (ja) * 2018-03-22 2022-06-22 株式会社デンソー ウエーハの研削方法
EP3782189A1 (en) * 2018-04-20 2021-02-24 AGC Glass Europe Precision positioning device
JP7061012B2 (ja) * 2018-05-01 2022-04-27 株式会社ディスコ 加工装置
KR102217780B1 (ko) 2018-06-12 2021-02-19 피에스케이홀딩스 (주) 정렬 장치
TWI716931B (zh) * 2019-07-10 2021-01-21 昇陽國際半導體股份有限公司 太鼓晶圓環形切割製程方法
JP7358107B2 (ja) * 2019-07-31 2023-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7370265B2 (ja) * 2020-01-30 2023-10-27 株式会社ディスコ 加工方法及び加工装置
DE102020203479A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Lage für Brennstoffzellen
JP7464472B2 (ja) * 2020-07-17 2024-04-09 株式会社ディスコ 加工装置
JP2022059711A (ja) * 2020-10-02 2022-04-14 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
US11551923B2 (en) * 2021-01-15 2023-01-10 Phoenix Silicon International Corp. Taiko wafer ring cut process method
JP2023025560A (ja) * 2021-08-10 2023-02-22 株式会社ディスコ 加工装置
CN114256083B (zh) * 2022-03-01 2022-06-03 江苏京创先进电子科技有限公司 太鼓环移除方法
CN114628299B (zh) * 2022-03-16 2023-03-24 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆对中确认方法及太鼓环切割方法
KR20240002660A (ko) * 2022-06-29 2024-01-05 (주)미래컴퍼니 표시 장치 제조에 사용되는 레이저 가공 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195314A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社東京精密 ウエハマーキング・研削装置及びウエハマーキング・研削方法
JP2015213955A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3213563B2 (ja) * 1997-03-11 2001-10-02 株式会社スーパーシリコン研究所 ノッチレスウェーハの製造方法
JP4408351B2 (ja) * 2002-10-24 2010-02-03 リンテック株式会社 アライメント装置
JP4296885B2 (ja) * 2003-09-17 2009-07-15 オムロン株式会社 円形物におけるマーク検出方法、ノッチ検出方法、半導体ウェーハの向き検査方法、および半導体ウェーハの向き検査装置
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR100802596B1 (ko) * 2006-05-11 2008-02-13 (주)와이티에스 아이디위치 검사기능을 갖는 레이저마킹 시스템 및 그검사방법
JP2009064801A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ
JP2013055139A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ及び識別マーク形成方法
JP2013248624A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Disco Corp レーザー加工装置
JP6317935B2 (ja) 2014-02-05 2018-04-25 株式会社ディスコ 保持テーブル

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015195314A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社東京精密 ウエハマーキング・研削装置及びウエハマーキング・研削方法
JP2015213955A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019016692A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP2019016693A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP2019016691A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP7045811B2 (ja) 2017-07-06 2022-04-01 リンテック株式会社 除去装置および除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170119297A (ko) 2017-10-26
DE102017206400B4 (de) 2022-03-03
AT518580A2 (de) 2017-11-15
MY179206A (en) 2020-11-01
KR102327962B1 (ko) 2021-11-17
US20170301571A1 (en) 2017-10-19
TW201738950A (zh) 2017-11-01
AT518580A3 (de) 2019-04-15
US10211076B2 (en) 2019-02-19
CN107305863A (zh) 2017-10-31
CN107305863B (zh) 2021-04-23
JP6672053B2 (ja) 2020-03-25
DE102017206400A1 (de) 2017-10-19
TWI706455B (zh) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102327962B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6317935B2 (ja) 保持テーブル
TWI708285B (zh) 被加工物的檢查方法、檢查裝置、雷射加工裝置、及擴張裝置
KR102336955B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR101418613B1 (ko) 웨이퍼 분할 방법
TWI574314B (zh) Wafer processing method
TWI657495B (zh) 晶圓的加工方法
TWI751354B (zh) 切割裝置及晶圓的加工方法
TWI571922B (zh) Processing of wafers (5)
KR20140095424A (ko) 웨이퍼 가공 방법
US20160240424A1 (en) Chuck table of processing apparatus
JP2011054715A (ja) レーザー加工装置
JP7325897B2 (ja) 加工装置及び被加工物の加工方法
JP2020068316A (ja) ウェーハの加工方法
KR20170107900A (ko) 피가공물의 내부 검출 장치 및 내부 검출 방법
JP2005251986A (ja) ウエーハの分離検出方法および分離検出装置
US10818554B2 (en) Laser processing method of wafer using plural laser beams
TW201834049A (zh) 加工方法
JP2015170675A (ja) 板状物の加工方法
TW201816863A (zh) 脈衝雷射光線的光點形狀檢測方法
JP6808525B2 (ja) ウエーハの加工方法
TW201938315A (zh) 被加工物之磨削方法
JP5288785B2 (ja) ウェーハ加工装置
JP2023112771A (ja) 加工装置
TW202215522A (zh) 被加工物的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191029

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200304

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6672053

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250