JP2015213955A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015213955A
JP2015213955A JP2014099269A JP2014099269A JP2015213955A JP 2015213955 A JP2015213955 A JP 2015213955A JP 2014099269 A JP2014099269 A JP 2014099269A JP 2014099269 A JP2014099269 A JP 2014099269A JP 2015213955 A JP2015213955 A JP 2015213955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
tape
device region
protective film
annular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014099269A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6385131B2 (ja
Inventor
プリワッサー カール
Priewasser Karl
プリワッサー カール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2014099269A priority Critical patent/JP6385131B2/ja
Priority to TW104111791A priority patent/TWI641036B/zh
Priority to MYPI2015001108A priority patent/MY170046A/en
Priority to KR1020150061238A priority patent/KR20150130228A/ko
Priority to US14/707,636 priority patent/US9472442B2/en
Priority to DE202015009750.2U priority patent/DE202015009750U1/de
Priority to CN201510242728.XA priority patent/CN105097483B/zh
Priority to DE102015208893.6A priority patent/DE102015208893A1/de
Priority to ATA50400/2015A priority patent/AT515730A3/de
Publication of JP2015213955A publication Critical patent/JP2015213955A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6385131B2 publication Critical patent/JP6385131B2/ja
Priority to KR1020220038931A priority patent/KR102601856B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】環状凸部を破損することなく容易に除去できるウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１１の表面に第一テープＴ１を貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームＦ１に装着する第一テープ貼着ステップと、該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブル３８で保持し、環状凸部２０とデバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、を備える。
【選択図】図８

Description

本発明は、裏面に円形凹部及び円形凹部を囲繞する環状凸部が形成されたウェーハから環状凸部を除去するウェーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）の表面に格子状に配列されたストリートとよばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウェーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウェーハが個々の半導体チップ（デバイス）に分割される。
分割されるウェーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削して所定の厚みに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウェーハの厚さをより薄く、例えば５０μｍ程度にすることが要求されている。
このように薄く形成されたウェーハは紙のように腰がなくなり取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウェーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウェーハの裏面に補強用の環状凸部を形成する研削方法が、例えば特開２００７−１９４６１号公報で提案されている。
このように裏面の外周に環状凸部が形成されたウェーハをストリート（分割予定ライン）に沿って分割する方法として、環状凸部を除去した後、ウェーハの表面側から切削ブレードで切削する方法が提案されている（特開２００７−１９３７９号公報参照）。
特開２００７−１７３７９号公報では、環状凸部を除去する方法として、研削によって環状凸部を除去する方法と、切削ブレードで円形凹部と環状凸部との界面を円形に切削した後、環状凸部を除去する方法が開示されている。
特開２００７−１９４６１号公報 特開２００７−１９３７９号公報
しかし、デバイス領域から環状凸部を除去する際、環状凸部が破損しやすいこと、環状凸部が破損してデバイス領域を傷つけること、環状凸部を除去するための特別な装置が必要になること等の問題があり、環状凸部を除去するのに困難を有する。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、環状凸部を破損することなく容易に除去できるウェーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面が所定の厚みへと研削された円形凹部と該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部とが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に第一テープを貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ貼着ステップと、該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブルで保持し、該環状凸部と該デバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
好ましくは、ウェーハの加工方法は、該除去ステップを実施した後、該デバイス領域のみからなるウェーハの裏面に第二テープを貼着するとともに該第二テープを介してウェーハを第二環状フレームに装着する第二テープ貼着ステップと、該第二テープ貼着ステップを実施する前又は後に、該第一テープをウェーハの表面から除去する第一テープ除去ステップと、該第二テープ貼着ステップと該第一テープ除去ステップとを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップと、を更に備えている。
好ましくは、ウェーハの加工方法は、該分離ステップを実施する前に、ウェーハの裏面に水溶性保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、少なくとも該保護膜被覆ステップと該分離ステップとを実施した後、ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に備えている。
本発明の加工方法によると、レーザビームの照射による分離ステップを実施した後、第一テープに貼着された環状凸部を第一環状フレームと共にウェーハのデバイス領域から除去するので、環状凸部を破損することなく容易にデバイス領域から除去することができる。
分離ステップをレーザビームの照射により実施するので、円形凹部の底部であるウェーハの裏面に金属膜が被覆されていても腐食が発生することがない。また、レーザビームを使用して分離ステップを行うため、カーフを切削ブレードで切る時よりも狭くできるので、有効デバイスの領域を最大限にすることができる。
半導体ウェーハの表面側斜視図である。 表面に保護テープが貼着された状態のウェーハの裏面側斜視図である。 研削ステップを示す斜視図である。 研削ステップ終了後のウェーハの断面図である。 第一テープ貼着ステップを示す斜視図である。 レーザ加工装置の斜視図である。 保護膜被覆ステップを示す断面図である。 分離ステップを示す斜視図である。 分離ステップを示す拡大断面図である。 除去ステップを示す斜視図である。 洗浄ステップを示す断面図である。 第二テープ貼着ステップを示す斜視図である。 第一テープ除去ステップを示す斜視図である。 分割ステップを示す斜視図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。半導体ウェーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウェーハからなっており、表面１１ａに複数のストリート（分割予定ライン）１３が格子状に形成されているとともに、複数のストリート１３によって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
このように構成された半導体ウェーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、半導体ウェーハ１１の外周には、シリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削するに当たり、ウェーハ１１の表面１１ａには保護テープ２３が貼着される。従って、ウェーハ１１の表面１１ａは保護テープ２３によって保護され、図２に示すように裏面１１ｂが露出する形態となる。
本発明の加工方法の加工対象となるウェーハ１１は、デバイス領域１７に対応するウェーハ１１の裏面１１ｂが所定の厚みへと研削されて円形凹部が形成され、円形凹部を囲繞する外周余剰領域１９に対応した環状凸部が形成されたウェーハであり、図３及び図４を参照してウェーハの研削方法について説明する。
図３において、符号２は研削装置の研削ユニットであり、スピンドルハウジング４中に回転可能に収容されたスピンドル６と、スピンドル６の先端に固定されたホイールマウント８と、ホイールマウント８に着脱自在に装着された研削ホイール１０とを含んでいる。研削ホイール１０は、環状のホイール基台１２と、ホイール基台１２の下端外周部に環状に貼着された複数の研削砥石１４とから構成される。
裏面研削ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａに貼着された保護テープ２３を研削装置のチャックテーブル１６で吸引保持し、ウェーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、チャックテーブル１６を矢印Ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール１０を矢印Ｂで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して研削砥石１４をウェーハ１１の裏面１１ｂに接触させる。そして、研削ホイール１０を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
その結果、半導体ウェーハ１１の裏面１１ｂには、図４に示すように、デバイス領域１７に対応する領域が研削除去されて円形凹部１８が形成されるとともに、外周余剰領域１９が残存されて環状凸部２０が形成される。
ウェーハ１１の裏面研削終了後、本発明のウェーハの加工方法では、図５に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａに貼着されていた保護テープ２３を剥離し、ウェーハ表面１１ａに粘着テープである第一ダイシングテープＴ１を貼着するとともに、第一ダイシングテープＴ１を介してウェーハ１１を第一環状フレームＦ１に装着する第一テープ貼着ステップを実施する。即ち、外周部が第一環状フレームＦ１に貼着された第一ダイシングテープＴ１にウェーハ１１の表面１１ａを貼着する。
ウェーハ１１の表面１１ａに貼着された保護テープ２３を剥離せず、保護テープ２３を介してウェーハ表面１１ａに第一ダイシングテープＴ１を貼着するようにしてもよい。
図６を参照すると、デバイス領域１７と環状凸部２０とを分離するのに使用するレーザ加工装置２２の斜視図が示されている。レーザ加工装置２２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル２４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示モニタ２６が設けられている。
図５に示すように、ウェーハ１１は第１ダイシングテープＴ１を介して第１環状フレームＦ１に支持された状態となり、図６に示したウェーハカセット２８中にウェーハが複数枚（例えば２５枚）収容される。ウェーハカセット２８は上下動可能なカセットエレベータ２９上に載置される。
ウェーハカセット２８の後方には、ウェーハカセット２８からレーザ加工前のウェーハ１１を搬出するとともに、加工後のウェーハをウェーハカセット２８に搬入する搬出入手段３０が配設されている。
ウェーハカセット２８と搬出入手段３０との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域３２が設けられており、仮置き領域３２にはウェーハ１１を一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段３４が配設されている。
５０は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置５０は加工後のウェーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域３２の近傍には、ウェーハ１１と一体となった第１フレームＦ１を吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段３６が配設されている。
仮置き領域３２に搬出されたウェーハ１１は、搬送手段３６により吸着されて保護膜被覆装置５０に搬送される。保護膜被覆装置５０は、後で詳細に説明するようにウェーハ１１の裏面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する。
裏面に保護膜が被覆されたウェーハ１１は、搬送手段３６により吸着されてチャックテーブル３８上に搬送され、チャックテーブル３８に吸引されるとともに、複数の固定手段（クランプ）３９により第１フレームＦが固定されることでチャックテーブル３８上に保持される。
チャックテーブル３８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル３８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウェーハ１１のレーザ加工すべき領域を検出するアライメントユニット４０が配設されている。
アライメントユニット４０は、ウェーハ１１を撮像する撮像ユニット４２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべき領域を検出することができる。撮像ユニット４２によって取得された画像は、表示ユニット２６に表示される。
アライメントユニット４０の左側には、チャックテーブル３８に保持されたウェーハ１１に対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット４４が配設されている。レーザビーム照射ユニット４４はＹ軸方向に移動可能である。
レーザビーム照射ユニット４４は、ケーシング４６中に収容されたＹＡＧレーザ発振器等のレーザ発振器を有するレーザビーム発生ユニットを含んでおり、レーザビーム発生ユニットから出射されたレーザビームはケーシング４６の先端に装着された集光器４８からチャックテーブル３８に保持されたウェーハ１１上に照射される。
レーザ加工の終了したウェーハ１１は、搬送手段５２に保持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置５０まで搬送され、洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置５０で洗浄される。
次に、図７を参照して、ウェーハ１１の裏面１１ｂに保護膜を被覆する保護膜被覆ステップについて説明する。この保護膜被覆ステップはオプションであり、通常はこのステップは必要ないが、ウェーハ１１の裏面１１ｂ、即ち凹部１８の底面に金属膜が形成されているウェーハ１１について実施する。
図７において、保護膜被覆装置５２は、スピンナーテーブル５４と、スピンナーテーブル５４を包囲して配設された洗浄水受け容器５６とを具備している。スピンナーテーブル５４は、ポーラスセラミックス等の多孔性材料から形成された吸引保持部と、吸引保持部を囲繞する枠体とから構成され、第一環状フレームＦ１をクランプする複数のクランプ５８を有している。スピンナーテーブル５４は、電動モータ５８の出力軸６０に連結されている。
保護膜被覆装置５２は、スピンナーテーブル５４に保持されたレーザ加工前の半導体ウェーハ１１に水溶性樹脂を供給する水溶性樹脂供給ノズル６２と、レーザ加工後のウェーハ１１に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル６６を有している。水溶性樹脂供給ノズル６２はモータ６４により待避位置と供給位置との間で回動され、洗浄水供給ノズル６６はモータ６８により待避位置と供給位置との間で回動される。
保護膜被覆ステップを実施するには、搬送手段３６により、図５に示す第一テープ貼着ステップ実施後のウェーハ１１を保護膜被覆装置５０まで搬送し、保護膜被覆装置５０のスピンナーテーブル５４上に載置する。
そして、モータ６４を駆動して水溶性樹脂供給ノズル６２を図７に示す供給位置に回動し、水溶性樹脂をウェーハ１１上に供給してから、電動モータ５８を駆動してスピンナーテーブル５４をＲ１方向に約２０００ｒｐｍで回転させて供給された水溶性樹脂をウェーハ１１の裏面に形成された円形凹部１８の全面にスピンコーティングする。
スピンナーテーブル５４は２０００ｒｐｍという比較的高速で回転するので、振り子式のクランプ５８は遠心力により回動して第一環状フレームＦ１をクランプして固定する。これにより、ウェーハ１１の円形凹部１８中に供給された水溶性樹脂は凹部１８の底部に万遍なくスピンコーティングされ水溶性保護膜が被覆される。
水溶性保護膜を形成する水溶性樹脂としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）、ＰＥＯ（酸化ポリエチレン）等の水溶性のレジストが望ましい。
第一テープ貼着ステップ実施後、又は第一テープ貼着ステップ及び保護膜被覆ステップ実施後、ウェーハ１１のデバイス領域１７と環状凸部２０とを分離する分離ステップを実施する。この分離ステップについて図８を参照して説明する。
レーザ加工装置２２のチャックテーブル３８で第一ダイシングテープＴ１を介して円形凹部１８及び環状凸部２０の形成されたウェーハ１１を吸引保持する。そして、撮像ユニット４２でウェーハ１１を撮像し、環状凸部２０とデバイス領域１７（円形凹部１８）との境界を検出するアライメントを実施し、検出した境界の座標値をアライメントユニット４０のメモリに記憶する。
アライメント実施後、レーザビーム照射ユニット４４の集光器４８からウェーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｍｍ）のレーザビームを環状凸部２０と円形凹部１８との境界に向けて照射し、チャックテーブル３８を回転させて、集光器４８から照射されたレーザビームで環状凸部２０と円形凹部１８との境界をアブレーションにより円形に除去する。
好ましくは、図９に示すように、チャックテーブル３８の枠体３８ｂに環状凸部２０と円形凹部１８との境界部分に対応する環状溝２７を形成し、この環状溝２７中にレーザビーム吸収部材２９を配設する。これにより、集光器４８から照射されたレーザビームでチャックテーブル３８の枠体３８ｂ部分を加工してしまうことが防止される。
レーザビームを環状凸部２０と円形凹部１８との境界の全周に照射することにより、ウェーハ１１のデバイス領域１７と環状凸部２０とが第一ダイシングテープＴ１と共に分離される（分離ステップ）。
分離ステップ実施後、図１０に示すように、第一ダイシングテープＴ１を介して第一環状フレームＦ１に装着された環状凸部２０を、第一環状フレームＦ１と共にウェーハ１１のデバイス領域１７から除去する除去ステップを実施する。
除去ステップ実施後、保護膜被覆ステップを実施したケースの場合には、ウェーハ１１の裏面１１ｂに洗浄水を供給して保護膜を除去する保護膜除去ステップを実施する。この保護膜除去ステップについて図１１を参照して説明する。
保護膜被覆装置５２のスピンナーテーブル５４でデバイス領域１７の裏面に保護膜の被覆されたウェーハ１１を吸引保持する。そして、モータ６８を駆動して洗浄水供給ノズル６６を待避位置から図１１に示す供給位置に回動する。
次いで、洗浄水供給ノズル６６から洗浄水を供給しながら電動モータ５８を駆動して、スピンナーテーブル５４を約１０００ｒｐｍで回転させる。保護膜は水溶性保護膜であるため、この洗浄ステップ（保護膜除去ステップ）で、保護膜はデバイス領域１７の裏面から除去される。
分離ステップ及び保護膜除去ステップ実施後、図１０に示すように、第一ダイシングテープＴ１を介して第一環状フレームＦ１に装着された環状凸部２０を第一環状フレームＦ１と共にデバイス領域１７から除去する除去ステップを実施する。従って、チャックテーブル３８には第一ダイシングテープＴ１に貼着されたデバイス領域１７が残ることになる。
除去ステップを実施した後、図１２に示すように、デバイス領域１７のみからなるウェーハ１１の裏面１１ｂに第二ダイシングテープＴ２を貼着するとともに、第二ダイシングテープＴ２を介して第二環状フレームＦ２に装着する第二テープ貼着ステップを実施する。
この第二テープ貼着ステップを実施したことにより、デバイス領域１７のみからなるウェーハ１１は第二ダイシングテープＴ２を介して第二環状フレームＦ２に支持されたことになり、ウェーハ１１の表面１１ａであるデバイス領域１７が上側となる。
第二テープ貼着ステップを実施した後、図１３に示すように、第一ダイシングテープＴ１をウェーハ１１の表面１１ａから除去する第一テープ除去ステップを実施する。尚、この第一テープ除去ステップは、第二テープ貼着ステップを実施する前に行っても良い。
第二テープ貼着ステップと第一テープ除去ステップを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップを実施する。この分割ステップは、例えば図１４に要部が示されている切削装置により実施する。
７４は切削装置７０の切削ユニットであり、スピンドルハウジング７６中に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドルと、スピンドルの先端に着脱可能に装着された切削ブレード７８とを含んでいる。
切削ブレード７８は、ホイールカバー８０で覆われている。ホイールカバー８０に取り付けられたパイプ８２は図示しない切削水供給源に接続されている。パイプ８２から導入された切削水は、切削ブレード７８を挟むように配置された切削水供給ノズル８４から噴出され、デバイス領域１７の切削が遂行される。
デバイス領域１７の切削時には、切削水供給ノズル８４から切削水を噴射しながら、切削ブレード７８を矢印Ａ方向に高速（例えば３００００ｒｐｍ）で回転させて、チャックテーブル７２をＸ軸方向に加工送りすることにより、デバイス領域１７がストリート１３に沿って切削されて切削溝３１が形成される。
切削ユニット７４をＹ軸方向にストリート１３のピッチずつ割り出し送りしながら第１の方向に伸長するストリート１３を次々と切削する。第１の方向に伸長する全てのストリート１３の切削終了後、チャックテーブル７２を９０°回転してから、第２の方向に伸長するストリート１３に沿って同様な切削を実行し、ウェーハ１１のデバイス領域１７を個々のデバイス１５に分割する。
分割ステップは切削装置によるダイシングに限られるものではなく、レーザビームを利用したアブレーション加工又はレーザビームを照射してウェーハ内部に改質層を形成し、改質層の形成されたウェーハに外力を付与することにより、ウェーハ１１のデバイス領域１７を個々のデバイス１５に分割するようにしてもよい。尚、レーザビームを利用した加工時におけるレーザビームはウェーハの表面側から入射させてもよいし裏面側から入射させてもよい。
また、本実施形態ではウェーハの表面に表面保護テープを貼着して裏面を研削して円形凹部と環状凸部を形成したが、ウェーハの研削前にウェーハ表面に粘着テープである第一ダイシングテープを貼着するとともに、第一ダイシングテープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ装着ステップを実施してもよい。
１０ 研削ホイール
１１ 半導体ウェーハ
１４ 研削砥石
１７ デバイス領域
１８ 円形凹部
１９ 外周余剰領域
２０ 環状凸部
２３ 保護テープ
４４ レーザビーム照射ユニット
４８ 集光器
５０ 保護膜被覆装置
５４ スピンナーテーブル
６２ 水溶性樹脂供給ノズル
６６ 洗浄水供給ノズル
７４ 切削ユニット
７８ 切削ブレード
Ｔ１ 第一ダイシングテープ
Ｔ２ 第二ダイシングテープ
Ｆ１ 第一環状フレーム
Ｆ２ 第二環状フレーム

Claims (3)

  1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有し、該デバイス領域に対応する裏面が所定の厚みへと研削された円形凹部と該円形凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部とが形成されたウェーハの加工方法であって、
    ウェーハの表面に第一テープを貼着するとともに該第一テープを介してウェーハを第一環状フレームに装着する第一テープ貼着ステップと、
    該第一テープ貼着ステップを実施した後、該第一テープを介してウェーハをチャックテーブルで保持し、該環状凸部と該デバイス領域との境界にレーザビームを照射してウェーハを該第一テープとともに分断し、該デバイス領域と該環状凸部とに分離する分離ステップと、
    該分離ステップを実施した後、該第一テープを介して該第一環状フレームに装着された該環状凸部を該第一環状フレームと共にウェーハの該デバイス領域から除去する除去ステップと、
    を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
  2. 該除去ステップを実施した後、該デバイス領域のみからなるウェーハの裏面に第二テープを貼着するとともに該第二テープを介してウェーハを第二環状フレームに装着する第二テープ貼着ステップと、
    該第二テープ貼着ステップを実施する前又は後に、該第一テープをウェーハの表面から除去する第一テープ除去ステップと、
    該第二テープ貼着ステップと該第一テープ除去ステップとを実施した後、ウェーハを個々のデバイスへと分割する分割ステップと、
    を更に備えた請求項１記載のウェーハの加工方法。
  3. 該分離ステップを実施する前に、ウェーハの裏面に水溶性保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、
    少なくとも該保護膜被覆ステップと該分離ステップとを実施した後、ウェーハの裏面に洗浄水を供給して該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
    を更に備えた請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
JP2014099269A 2014-05-13 2014-05-13 ウェーハの加工方法 Active JP6385131B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014099269A JP6385131B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 ウェーハの加工方法
TW104111791A TWI641036B (zh) 2014-05-13 2015-04-13 晶圓之加工方法
MYPI2015001108A MY170046A (en) 2014-05-13 2015-04-28 Wafer processing method
KR1020150061238A KR20150130228A (ko) 2014-05-13 2015-04-30 웨이퍼 가공 방법
US14/707,636 US9472442B2 (en) 2014-05-13 2015-05-08 Wafer processing method
CN201510242728.XA CN105097483B (zh) 2014-05-13 2015-05-13 晶片的加工方法
DE202015009750.2U DE202015009750U1 (de) 2014-05-13 2015-05-13 Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102015208893.6A DE102015208893A1 (de) 2014-05-13 2015-05-13 Waferbearbeitungsverfahren
ATA50400/2015A AT515730A3 (de) 2014-05-13 2015-05-13 Verfahren zum Bearbeiten von Wafern
KR1020220038931A KR102601856B1 (ko) 2014-05-13 2022-03-29 웨이퍼 가공 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014099269A JP6385131B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015213955A true JP2015213955A (ja) 2015-12-03
JP6385131B2 JP6385131B2 (ja) 2018-09-05

Family

ID=54361910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014099269A Active JP6385131B2 (ja) 2014-05-13 2014-05-13 ウェーハの加工方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9472442B2 (ja)
JP (1) JP6385131B2 (ja)
KR (2) KR20150130228A (ja)
CN (1) CN105097483B (ja)
AT (1) AT515730A3 (ja)
DE (2) DE102015208893A1 (ja)
MY (1) MY170046A (ja)
TW (1) TWI641036B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017195219A (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017228732A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021072353A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112015006857B4 (de) * 2015-08-31 2023-10-05 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzabdeckung zur Verwendung in diesem Verfahren
US9852997B2 (en) * 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
JP6908464B2 (ja) * 2016-09-15 2021-07-28 株式会社荏原製作所 基板加工方法および基板加工装置
JP6707291B2 (ja) * 2016-10-14 2020-06-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP6739873B2 (ja) * 2016-11-08 2020-08-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10829866B2 (en) * 2017-04-03 2020-11-10 Infineon Technologies Americas Corp. Wafer carrier and method
JP6866217B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-28 株式会社ディスコ 切削装置
JP6909621B2 (ja) * 2017-04-24 2021-07-28 株式会社ディスコ ウォータージェット加工装置
JP6906843B2 (ja) * 2017-04-28 2021-07-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7034809B2 (ja) * 2018-04-09 2022-03-14 株式会社ディスコ 保護シート配設方法
CN109864752B (zh) 2018-07-17 2021-06-01 山东麦德盈华科技有限公司 一种整体全角度符合脑部pet探测器及整体设备
WO2020163995A1 (zh) * 2019-02-12 2020-08-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硬脆性产品的加工方法、装置以及系统
US20210305082A1 (en) * 2020-03-30 2021-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Superstrate and method of making it
DE102020206233B3 (de) 2020-05-18 2021-08-12 Disco Corporation Verfahren zum herstellen eines substrats und system zum herstellen eines substrats
JP7442938B2 (ja) * 2020-06-05 2024-03-05 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法、及び加工装置
CN111604604A (zh) * 2020-06-28 2020-09-01 安徽富信半导体科技有限公司 一种半导体元件加工用成型设备及其使用方法
JP7464472B2 (ja) * 2020-07-17 2024-04-09 株式会社ディスコ 加工装置
CN112475627A (zh) * 2020-11-17 2021-03-12 华虹半导体(无锡)有限公司 Taiko减薄晶圆的去环方法
DE102020133071A1 (de) 2020-12-11 2022-06-15 Phoenix Silicon International Corp. Taiko-wafer-ringschneideverfahren
CN112974324B (zh) * 2021-03-01 2022-04-12 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗刷及晶圆清洗装置
JP2023025560A (ja) * 2021-08-10 2023-02-22 株式会社ディスコ 加工装置
DE102021209979A1 (de) * 2021-09-09 2023-03-09 Disco Corporation Verfahren zur bearbeitung eines substrats
CN114473216A (zh) * 2022-01-28 2022-05-13 Oppo广东移动通信有限公司 激光磨削加工装置及磨削加工的方法、陶瓷件和壳体组件
CN114582713B (zh) * 2022-03-11 2023-01-24 江苏京创先进电子科技有限公司 晶圆加工方法及晶圆加工装置
CN114843207B (zh) * 2022-04-14 2023-02-28 江苏京创先进电子科技有限公司 去环方法、系统及设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080242052A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Tao Feng Method of forming ultra thin chips of power devices
JP2008283025A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008294287A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの保持方法
JP2014053510A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 端面加工方法及び端面加工装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001819A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
JP2005101290A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
JP4342992B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置のチャックテーブル
CN100501932C (zh) * 2005-04-27 2009-06-17 株式会社迪斯科 半导体晶片及其加工方法
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4791772B2 (ja) * 2005-07-14 2011-10-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2008153349A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP5296386B2 (ja) * 2008-01-11 2013-09-25 株式会社ディスコ 積層デバイスの製造方法
JP2010062375A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5133855B2 (ja) * 2008-11-25 2013-01-30 株式会社ディスコ 保護膜の被覆方法
JP5443102B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2011243906A (ja) * 2010-05-21 2011-12-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5544228B2 (ja) * 2010-07-14 2014-07-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5654810B2 (ja) * 2010-09-10 2015-01-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5755043B2 (ja) * 2011-06-20 2015-07-29 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
JP6004705B2 (ja) * 2012-04-02 2016-10-12 株式会社ディスコ 接着フィルム付きチップの形成方法
US8975162B2 (en) * 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US9206037B2 (en) * 2014-03-04 2015-12-08 Disco Corporation MEMS device chip manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080242052A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Tao Feng Method of forming ultra thin chips of power devices
JP2008283025A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008294287A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの保持方法
JP2014053510A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 端面加工方法及び端面加工装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017195219A (ja) * 2016-04-18 2017-10-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20170119297A (ko) * 2016-04-18 2017-10-26 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
CN107305863A (zh) * 2016-04-18 2017-10-31 株式会社迪思科 晶片的加工方法
TWI706455B (zh) * 2016-04-18 2020-10-01 日商迪思科股份有限公司 晶圓之加工方法
CN107305863B (zh) * 2016-04-18 2021-04-23 株式会社迪思科 晶片的加工方法
KR102327962B1 (ko) * 2016-04-18 2021-11-17 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2017228732A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2021072353A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7407561B2 (ja) 2019-10-30 2024-01-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220043103A (ko) 2022-04-05
CN105097483A (zh) 2015-11-25
JP6385131B2 (ja) 2018-09-05
CN105097483B (zh) 2019-11-29
KR102601856B1 (ko) 2023-11-13
US20150332928A1 (en) 2015-11-19
MY170046A (en) 2019-06-26
US9472442B2 (en) 2016-10-18
DE202015009750U1 (de) 2019-11-25
DE102015208893A1 (de) 2015-11-19
AT515730A2 (de) 2015-11-15
TW201543562A (zh) 2015-11-16
KR20150130228A (ko) 2015-11-23
TWI641036B (zh) 2018-11-11
AT515730A3 (de) 2017-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6385131B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6739873B2 (ja) ウェーハの加工方法
US9685377B2 (en) Wafer processing method
KR20170077029A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US9627242B2 (en) Wafer processing method
JP2013207170A (ja) デバイスウェーハの分割方法
TW201601210A (zh) 晶圓之加工方法
KR102084269B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
JP2011108746A (ja) ウエーハの加工方法
JP5995616B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6890495B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2011124265A (ja) ウエーハの加工方法
JP2011071289A (ja) ウエーハの加工方法
JP2013021211A (ja) ウエーハの加工方法
JP6422804B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7450426B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP7325903B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6692577B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6475060B2 (ja) レーザー加工方法
JP2015138819A (ja) スピンナー装置
JP2014041885A (ja) ウエーハの加工方法
JP2011124262A (ja) ウエーハの加工方法
JP2011071377A (ja) ウエーハの加工方法
JP2010021484A (ja) ウエーハの研削方法
JP2011124261A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180807

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6385131

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250