JP2011124265A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011124265A JP2011124265A JP2009278357A JP2009278357A JP2011124265A JP 2011124265 A JP2011124265 A JP 2011124265A JP 2009278357 A JP2009278357 A JP 2009278357A JP 2009278357 A JP2009278357 A JP 2009278357A JP 2011124265 A JP2011124265 A JP 2011124265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- region
- ring
- outer peripheral
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 94
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】 ウエーハの表面を汚染しないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に紫外線硬化型保護テープを貼付してから、ウエーハのデバイス領域と外周余剰領域の境界部を切削ブレードで切削してリング状の堀を形成し、外周余剰領域をデバイス領域から分離する。次いで、ウエーハの裏面研削を実施してから、ウエーハを環状フレームで支持されたダイシングテープに移し替え、保護テープを剥離する。保護テープを剥離すると、ウエーハのデバイス領域及び外周余剰領域がダイシングテープに貼着されて残存するので、切削水を供給しながらウエーハのデバイス領域のみを分割予定ラインに沿って切削してウエーハを個々のデバイスに分割する。
【選択図】図9
【解決手段】 ウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に紫外線硬化型保護テープを貼付してから、ウエーハのデバイス領域と外周余剰領域の境界部を切削ブレードで切削してリング状の堀を形成し、外周余剰領域をデバイス領域から分離する。次いで、ウエーハの裏面研削を実施してから、ウエーハを環状フレームで支持されたダイシングテープに移し替え、保護テープを剥離する。保護テープを剥離すると、ウエーハのデバイス領域及び外周余剰領域がダイシングテープに貼着されて残存するので、切削水を供給しながらウエーハのデバイス領域のみを分割予定ラインに沿って切削してウエーハを個々のデバイスに分割する。
【選択図】図9
Description
本発明は、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
IC,LSI等のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域にそれぞれ形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに薄化された後、ダイシング装置(切削装置)によって分割予定ラインに沿って切削することにより個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ところで、半導体ウエーハには、半導体ウエーハ前半プロセス中におけるウエーハの割れや発塵防止のために、ウエーハの外周に面取り部が形成されている。よって、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、ウエーハの外周に形成された面取り部が鋭利なナイフエッジ状になり、ウエーハが破損し易くなると共にオペレーターがナイフエッジで負傷する恐れがあるという問題がある。そこで、ウエーハの裏面を研削する前にウエーハの外周に形成された面取り部を除去する技術が特許第3515917号公報で提案されている。
しかし、ウエーハの外周から面取り部を除去するために、特許文献1に開示されたようにウエーハの表面に切削ブレードの切刃を位置づけてウエーハを切削すると、ウエーハの表面に形成されたデバイスが切削屑で汚染されるという問題がある。
また、ウエーハの外周を円形に切削して面取り部を除去すると、ウエーハの外周が垂直な断面に形成されることから、研削工程でウエーハの裏面を研削するとウエーハの外周が研削砥石の衝撃を受け欠けが生じ易いという問題がある。
更に、薄く形成されたウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持するようにした後、分割予定ラインに切削ブレードを位置づけてダイシングすると、ウエーハの表面に切削屑が付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面を切削屑で汚染しないウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、保護テープをウエーハの表面に貼付する保護テープ貼付工程と、チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハをリング状に切削して該デバイス領域の外周にリング状の堀を形成し、該外周余剰領域を該デバイス領域から分離する堀形成工程、該リング状の堀を含むウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、ウエーハを囲繞する開口部を有する環状フレームにウエーハの裏面を位置づけてダイシングテープをウエーハの裏面に貼着するとともに該環状フレームに貼着してウエーハを該環状フレームで支持し、該保護テープをウエーハの表面から剥離して該リング状の堀を含むウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、該チャックテーブルで該ダイシングテープを介して該リング状の堀を含むウエーハを保持するとともに、ウエーハの表面に切削水を供給して該リング状の堀に充満した切削水によって該デバイス領域の表面を切削水で覆いながら該分割予定ラインに切削ブレードを位置づけてウエーハを切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明によると、ウエーハの表面に保護テープを貼付した後、ウエーハの裏面からデバイス領域と外周余剰領域の境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハをリング状に切削してデバイス領域の外周にリング状の堀を形成し、外周余剰領域をデバイス領域から分離しても、ウエーハの表面に保護テープが貼付されているためウエーハの表面を汚染することがない。
また、デバイス領域の分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割する際は、切削水を供給してリング状の堀に充満した切削水によってデバイス領域の表面を切削水で覆いながら分割予定ラインに切削ブレードを位置づけてウエーハを切削して個々のデバイスに分割するので、常に切削水でデバイス領域の表面が満たされているため乾燥することがなく切削屑がデバイスに付着することが防止される。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1に示した半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された複数の領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、ウエーハ11の外周にはシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
本発明のウエーハ加工方法では、ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、図1に示すようにウエーハ11の表面11aに保護テープ23が貼着される。この保護テープ23は、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を有する保護テープ、即ち紫外線硬化型保護テープである。
次いで、図2に示すように切削装置のチャックテーブル10で保護テープ23側を吸引保持し、デバイス領域17と外周余剰領域19との境界部を切削してリング状の切削溝を形成する補助リング形成工程を実施する。
この補助リング形成工程では、図3に示すようにチャックテーブル10で保護テープ23側が吸引保持されるため、ウエーハ11の裏面11bが露出する。切削ユニット12のスピンドルハウジング14中に回転可能に収容されたスピンドル16の先端には切削ブレード18が装着されており、切削ブレード18は図示しないモータにより矢印A方向に高速で回転される。
そして、ウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界部に対応するウエーハ11の裏面11bに高速回転している切削ブレード18を位置付け、チャックテーブル10を矢印B方向に低速で回転させながらデバイス領域17と外周余剰領域19との境界部を図4に示すように保護テープ23に至る深さまで切削してリング状の切削溝20を形成し、デバイス領域17からリング状の外周余剰領域(補助リング)19を切り離す。図4において22は面取り部を示している。
切削ブレード18でウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19の境界部を円形に切削する補助リング形成工程では、ウエーハの切削屑が飛散するが、ウエーハ11の表面11aは保護テープ23で保護されているため、ウエーハ11の表面が切削屑により汚染されることがない。
補助リング形成工程を実施後、研削装置を用いてウエーハ11の裏面11bを研削する裏面研削工程を実施する。即ち、図5に示すように、研削装置のチャックテーブル24で保護テープ23側を吸引保持し、リング状切削溝20が形成されたウエーハ11の裏面11bを露出させる。
図5において、研削装置のスピンドル28の先端部にはホイールマウント30が固定されており、このホイールマウント30には研削ホイール26がねじ31で装着されている。研削ホイール26は、環状基台32の自由端部に例えば粒径0.3〜1.0μmのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。
この裏面研削工程では、チャックテーブル24を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール26をチャックテーブル24と同一方向に、即ち矢印b方向に6000rpmで回転させると共に、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石34をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール26を所定の研削送り速度(例えば3〜5μm/秒)で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11のデバイス領域17及び外周余剰領域19に対応する裏面11bを研削する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を所望の厚み、例えば50μmに仕上げる。
裏面研削の終了した状態のウエーハ11の断面図が図6に示されている。本実施形態の裏面研削工程では、外周余剰領域19を保護テープ23に貼着したまま研削を遂行するため、研削砥石34が当たる外周余剰領域19のエッジ部分は衝撃を受けて欠けが生じ易くなるが、デバイス領域17のエッジ部分は外周余剰領域19が存在するため、研削砥石34の衝撃が緩和されてデバイス領域17の外周に欠けが生じることがない。
ウエーハ11が薄く研削されると、面取り部22は符号22aで示すようにナイフエッジ形状となり欠けが生じ易いが、外周余剰領域19は後で廃棄されるため問題となることはない。
裏面研削工程実施後、ウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持するウエーハ支持工程を実施する。このウエーハ支持工程は、図7に示すように外周部分が環状フレームFに貼着されているダイシングテープTに、表面11aに保護テープ23が貼着されている状態のウエーハ11の裏面11bを貼着することにより実施する。
ダイシングテープTは、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を有する粘着テープ、即ち紫外線硬化型粘着テープである。ウエーハ支持工程を実施したことにより、ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFで支持されたことになる。
ウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持した後、保護テープ23の裏面側から紫外線を照射して保護テープ23の粘着力を低下させてから、図8に示すように保護テープ23をウエーハ11から剥離する。
図7に示すウエーハ支持工程と図8に示す保護テープ剥離工程とを合わせた工程を、デバイス領域17と外周余剰領域19を有するウエーハ11をダイシングテープTに移し替える移し替え工程と称する。
次いで、図9(A)に示すような切削装置のチャックテーブル10でダイシングテープTを介してウエーハ11を吸引保持するとともに、クランプ43で環状フレームFを固定して図9(B)に示すように環状フレームFを引き落とす。
切削ユニット12のスピンドル16に装着された切削ブレード18Aはブレードカバー36で覆われており、ウエーハ切削時にはノズル38から切削水を供給しながら切削を遂行する。ノズル38は純水等を供給する切削水源40に接続されている。
ノズル38から切削水を供給しながら切削ブレード18Aを矢印A方向に高速回転させながらウエーハ11のデバイス領域17に切り込ませると共に、チャックテーブル10を矢印X1方向に加工送りして外周余剰領域19を切削せずにデバイス領域17を分割予定ライン13に沿って切削して切削溝45を形成する。この切削時に、リング状の堀20に充満した切削水によってデバイス領域17の表面を切削水で覆いながら切削を遂行する。
第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って切削溝45を形成したならば、チャックテーブル10を90度回転してから第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿って同様な切削溝45を形成することにより、ウエーハ11のデバイス領域17を個々のデバイス15に分割する(ウエーハ分割工程)。
本実施形態のウエーハ分割工程では、ノズル38から切削水を供給してリング状の堀20に充満した切削水によってデバイス領域17の表面を切削水で覆いながら分割予定ライン13に切削ブレード18Aを位置づけて切削してウエーハ11を個々のデバイス15に分割するので、常に切削水でデバイス領域17の表面が満たされているため乾燥することがなく、切削屑がデバイス15に付着することが防止される。
次いで、ダイシングテープTの下方から外周余剰領域19に対応した形状の紫外線照射器によりダイシングテープTに紫外線を照射して、外周余剰領域19に対応する領域のダイシングテープの粘着力を低減してから、図10に示すように外周余剰領域19をダイシングテープTから剥離する。
外周余剰領域19をダイシングテープTから剥離してから、デバイスピックアップ工程に供され、個々のデバイス15がダイシングテープTからピックアップされる。デバイスピックアップ工程では、図11に示すようなテープ拡張装置42によりダイシングテープTを半径方向に拡張し、ピックアップしようとするデバイス間の間隙を広げてからデバイス15をピックアップする。
図11(A)に示すように、テープ拡張装置42は固定円筒44と、固定円筒44の外側に配置された駆動手段により上下方向に移動される移動円筒46とから構成される。分割済みのウエーハ11を支持した環状フレームFを移動円筒46上に搭載し、クランプ48で固定する。この時、固定円筒44の上面と移動円筒46の上面とは概略同一平面状に保持されている。
図11(A)で矢印A方向に移動円筒46を移動すると、移動円筒46は図11(B)に示すように固定円筒44に対して降下し、それに伴いダイシングテープTは半径方向に拡張される。
次いで、ダイシングテープTの下側からダイシングテープTに紫外線を照射すると、ダイシングテープTの粘着力が低下する。よって、ピックアップ装置50による個々のデバイス15のピックアップ作業を容易に且つ円滑に行うことができる。
10 チャックテーブル
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
18 切削ブレード
19 外周余剰領域
20 リング状の堀
22 面取り部
23 保護テープ
24 チャックテーブル
26 研削ホイール
34 研削砥石
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
42 テープ拡張装置
50 ピックアップ装置
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
18 切削ブレード
19 外周余剰領域
20 リング状の堀
22 面取り部
23 保護テープ
24 チャックテーブル
26 研削ホイール
34 研削砥石
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
42 テープ拡張装置
50 ピックアップ装置
Claims (1)
- 格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、
保護テープをウエーハの表面に貼付する保護テープ貼付工程と、
チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハをリング状に切削して該デバイス領域の外周にリング状の堀を形成し、該外周余剰領域を該デバイス領域から分離する堀形成工程、
該リング状の堀を含むウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
ウエーハを囲繞する開口部を有する環状フレームにウエーハの裏面を位置づけてダイシングテープをウエーハの裏面に貼着するとともに該環状フレームに貼着してウエーハを該環状フレームで支持し、該保護テープをウエーハの表面から剥離して該リング状の堀を含むウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
該チャックテーブルで該ダイシングテープを介して該リング状の堀を含むウエーハを保持するとともに、ウエーハの表面に切削水を供給して該リング状の堀に充満した切削水によって該デバイス領域の表面を切削水で覆いながら該分割予定ラインに切削ブレードを位置づけてウエーハを切削して個々のデバイスに分割する分割工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278357A JP2011124265A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278357A JP2011124265A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124265A true JP2011124265A (ja) | 2011-06-23 |
Family
ID=44287901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009278357A Pending JP2011124265A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011124265A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154606A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 紫外線照射装置 |
JP2016082191A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 株式会社ディスコ | バイト切削装置 |
JP2016180351A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | マツダ株式会社 | 金属製基材上に樹脂含有皮膜を有するワークの加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111647A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウエハの切断方法及びその切断装置 |
JP2005123263A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハの加工方法 |
JP2006179868A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
-
2009
- 2009-12-08 JP JP2009278357A patent/JP2011124265A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11111647A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Matsushita Electron Corp | 半導体ウエハの切断方法及びその切断装置 |
JP2005123263A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハの加工方法 |
JP2006179868A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154606A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 紫外線照射装置 |
JP2016082191A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | 株式会社ディスコ | バイト切削装置 |
JP2016180351A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | マツダ株式会社 | 金属製基材上に樹脂含有皮膜を有するワークの加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011124266A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6385131B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TWI497578B (zh) | Wafer processing method | |
KR102432506B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 및 중간 부재 | |
KR20160072775A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2010062375A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US9768049B2 (en) | Support plate and method for forming support plate | |
JP2015217461A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2010186971A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013247135A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012015256A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP2006352031A (ja) | 板状部材の分割装置及び分割方法 | |
JP5534793B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011124265A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011119524A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5318537B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5553586B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5553585B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5545624B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6045426B2 (ja) | ウェーハの転写方法および表面保護部材 | |
JP6890495B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2010093005A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011124264A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2021044373A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20140401 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |