JP5553586B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :355nm
出力 :1W
パルス幅 :40ns
集光スポット径 :φ5μm
繰り返し周波数 :50kHz
送り速度 :100mm/s
入射面 :パターン面(表面)
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
18 切削ブレード
19 外周余剰領域
20 リング状切削溝
22 面取り部
23 保護テープ
24 チャックテーブル
26 研削ホイール
34 研削砥石
35 レーザビーム照射ユニット
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
42 テープ拡張装置
45 集光器
50 ピックアップ装置
Claims (1)
- 複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、
紫外線を照射することにより粘着力が低下する保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、該外周余剰領域を補助リングとして残存させる補助リング形成工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面とウエーハを囲繞する開口部を有する環状フレームに、紫外線を照射することにより粘着力が低下するダイシングテープを貼着してウエーハを環状フレームで支持し、該保護テープに紫外線を照射して粘着力を低下させ、該保護テープをウエーハの表面から剥離して該デバイス領域と該外周余剰領域とを有するウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
ウエーハの該分割予定ラインにレーザビームを照射するレーザ加工工程と、
該レーザ加工工程の後に、該ダイシングテープに紫外線を照射して粘着力を低下させ、該ダイシングテープから該補助リングを剥離する剥離工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
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