JP2011119524A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウエーハの表面を切削屑で汚染しないと共にウエーハの外周に欠けを生じさせないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、該外周余剰領域を補助リングとして残存させる補助リング形成工程と、ウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】 複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、該外周余剰領域を補助リングとして残存させる補助リング形成工程と、ウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
IC,LSI等のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域にそれぞれ形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有する半導体ウエーハは、裏面が研削されて所定の厚さに薄化された後、ダイシング装置(切削装置)によって分割予定ラインに沿って切削することにより個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ところで、半導体ウエーハには、半導体ウエーハ前半プロセス中におけるウエーハの割れや発塵防止のために、ウエーハの外周に面取り部が形成されている。よって、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、ウエーハの外周に形成された面取り部が鋭利なナイフエッジ状になり、ウエーハが破損し易くなると共にオペレーターがナイフエッジで負傷する恐れがあるという問題がある。そこで、ウエーハの裏面を研削する前にウエーハの外周に形成された面取り部を除去する技術が特許第3515917号公報で提案されている。
しかし、ウエーハの外周から面取り部を除去するために、特許文献1に開示されたようにウエーハの表面に切削ブレードの切刃を位置づけてウエーハを切削すると、ウエーハの表面に形成されたデバイスが切削屑で汚染されるという問題がある。
また、ウエーハの外周を円形に切削して面取り部を除去すると、ウエーハの外周が垂直な断面に形成されることから、研削工程でウエーハの裏面を研削するとウエーハの外周が研削砥石の衝撃を受け欠けが生じ易いという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面を切削屑で汚染しないとともにウエーハの外周に欠けを生じさせないウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、該外周余剰領域を補助リングとして残存させる補助リング形成工程と、ウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明によると、ウエーハの表面に保護テープを貼着した後、ウエーハの裏面からデバイス領域と外周余剰領域の境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、デバイス領域と外周余剰領域とを分離して外周余剰領域を補助リングとして残存させるので、ウエーハの表面を切削屑により汚染することがない。
また、外周余剰領域がデバイス領域を囲繞したまま保護テープに貼着された状態でウエーハの裏面を研削するので、研削砥石の衝撃はウエーハのデバイス領域の外周エッジ部分で緩和され、ウエーハの外周に欠けを生じさせることがない。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1に示した半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された複数の領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、ウエーハ11の外周にはシリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
本発明のウエーハ加工方法では、ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、図1に示すようにウエーハ11の表面11aに保護テープ23が貼着される。この保護テープ23は、紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着層を有する保護テープ、即ち紫外線硬化型保護テープである。
次いで、図2に示すように切削装置のチャックテーブル10で保護テープ23側を吸引保持し、デバイス領域17と外周余剰領域19との境界部を切削してリング状の切削溝を形成する補助リング形成工程を実施する。
この補助リング形成工程では、図3に示すようにチャックテーブル10で保護テープ23側が吸引保持されるため、ウエーハ11の裏面11bが露出する。切削ユニット12のスピンドルハウジング14中に回転可能に収容されたスピンドル16の先端には切削ブレード18が装着されており、切削ブレード18は図示しないモータにより矢印A方向に高速で回転される。
そして、ウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界部に対応するウエーハ11の裏面11bに高速回転している切削ブレード18を位置付け、チャックテーブル10を矢印B方向に低速で回転させながらデバイス領域17と外周余剰領域19との境界部を図4に示すように保護テープ23に至る深さまで切削してリング状の切削溝20を形成し、外周余剰領域19を補助リングとして残存させる(補助リング形成工程)。図4において22は面取り部を示している。
切削ブレード18でウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19の境界部を円形に切削する補助リング形成工程では、ウエーハの切削屑が飛散するが、ウエーハ11の表面11aは保護テープ23で保護されているため、ウエーハ11の表面が切削屑により汚染されることがない。
補助リング形成工程を実施後、研削装置を用いてウエーハ11の裏面11bを研削する裏面研削工程を実施する。即ち、図5に示すように、研削装置のチャックテーブル24で保護テープ23側を吸引保持し、リング状切削溝20が形成されたウエーハ11の裏面11bを露出させる。
図5において、研削装置のスピンドル28の先端部にはホイールマウント30が固定されており、このホイールマウント30には研削ホイール26がねじ31で装着されている。研削ホイール26は、環状基台32の自由端部に例えば粒径0.3〜1.0μmのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。
この裏面研削工程では、チャックテーブル24を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール26をチャックテーブル24と同一方向に、即ち矢印b方向に6000rpmで回転させると共に、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石34をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール26を所定の研削送り速度(例えば3〜5μm/秒)で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11のデバイス領域17及び外周余剰領域19に対応する裏面11bを研削する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハ11を所望の厚み、例えば50μmに仕上げる。
裏面研削の終了した状態のウエーハ11の断面図が図6に示されている。本実施形態の裏面研削工程では、外周余剰領域19を保護テープ23に貼着したまま研削を遂行するため、研削砥石34が当たる外周余剰領域19のエッジ部分は衝撃を受けて欠けが生じ易くなるが、デバイス領域17のエッジ部分は外周余剰領域19が存在するため、研削砥石34の衝撃が緩和されてデバイス領域17の外周に欠けが生じることがない。
ウエーハ11が薄く研削されると、面取り部22は符号22aで示すようにナイフエッジ形状となり欠けが生じ易いが、外周余剰領域19は後で廃棄されるため問題となることはない。
10 チャックテーブル
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
18 切削ブレード
19 外周余剰領域
20 リング状切削溝
22 面取り部
23 保護テープ
24 チャックテーブル
26 研削ホイール
34 研削砥石
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
17 デバイス領域
18 切削ブレード
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22 面取り部
23 保護テープ
24 チャックテーブル
26 研削ホイール
34 研削砥石
Claims (1)
- 複数のデバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、
保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
チャックテーブルで該保護テープ側を吸引保持してウエーハの裏面から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に切削ブレードを位置づけてウエーハを切削してリング状の切削溝を形成し、該外周余剰領域を補助リングとして残存させる補助リング形成工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する裏面と該外周余剰領域に対応する裏面を研削して、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。
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