JP2012231057A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエーハの外周切削時に切削屑がウエーハ表面に付着することのないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】外周に面取り部23を有するとともに表面に複数のデバイスが形成されたウエーハを所定厚みへ薄化するウエーハの加工方法であって、切削ブレード16を少なくとも該所定厚みまでウエーハの外周縁に切り込ませつつチャックテーブル10を回転させてウエーハの外周縁を切削し、ウエーハの表面から少なくとも該所定厚みに至る領域の該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを該所定厚みへと薄化する研削ステップとを具備し、該面取り部除去ステップは、ウエーハの中央部上方からウエーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施する。
【選択図】図3

Description

本発明は、ウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの加工方法に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが格子状に形成された複数の分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスへと分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。
ところで、従来より、半導体ウエーハには、半導体前半プロセス中における割れや発塵防止のために、その外周に表面から裏面に至る円弧状の面取り部が形成されている。通常、半導体ウエーハに対する面取りは半導体ウエーハ製造過程で実施される。
このように外周に面取り部を有するウエーハの裏面を研削してウエーハを薄くすると、面取り部に円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存して危険であるとともに外周に欠けが生じてデバイスの品質を低下させることがある。
この問題を解決するために、特開2000−173961号公報は、半導体ウエーハの外周に形成された面取り部と平坦部との境界部分の表面に切り込みを形成して面取り部を部分的に除去した後、ウエーハの厚みが切り込み深さよりも薄くなるまでウエーハの裏面研削を行う半導体装置の製造方法を開示している。このウエーハ外周部分の切削はエッジトリミングと称される。
ウエーハのエッジトリミングは、ウエーハの裏面側から実施されるのが一般的であるが、以下の理由からウエーハの表面を露出させた状態で遂行される場合がある。即ち、ウエーハの表面をチャックテーブルで保持するには、表面に形成されたデバイスを保護する保護テープが必要になるが、ウエーハ毎に保護テープをウエーハの表面に貼着するには、作業工数が増えて作業が煩雑になる上、保護テープのコストがかかるという問題がある。
一方、ウエーハの裏面は後に研削されるため、ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持する際にウエーハの裏面に保護テープを貼着する必要はない。エッジトリミングでは、少なくともウエーハの表面から仕上げ厚み(所定厚み)に至る領域の外周面取り部が除去されていれば十分である。即ち、ウエーハの外周をフルカットする必要は無いので、エッジトリミングの際にウエーハの表面から切り込む場合には裏面に保護テープは必要ない。
特開2000−173961号公報
ところが、ウエーハの表面が露出した状態でウエーハの外周縁を切削ブレードで切削すると、切削により発生した切削屑(コンタミ)がウエーハ表面のデバイスに付着して後のボンディング工程やパッケージング時に不具合を発生させる他、デバイスを損傷させる恐れがあるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面側から外周トリミングを実施しても切削屑がウエーハ表面に付着することのないウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、外周に面取り部を有するとともに表面に複数のデバイスが形成されたウエーハを所定厚みへ薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持してウエーハの表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを少なくとも該所定厚みまでウエーハの外周縁に切り込ませつつ該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切削し、ウエーハの表面から少なくとも該所定厚みに至る領域の該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを該所定厚みへと薄化する研削ステップとを具備し、該面取り部除去ステップは、ウエーハの中央部上方からウエーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施することを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本発明の加工方法によると、ウエーハの裏面側をチャックテーブルで保持しながらウエーハの中央部上方からウエーハ表面に向かって洗浄液を供給しつつウエーハ外周の切削が遂行されるため、切削屑がウエーハの回転に伴ってウエーハ外周方向に飛散する洗浄液に取り込まれ、ウエーハ表面から排出される。
半導体ウエーハの表面側斜視図である。 保持ステップを示す側面図である。 面取り部除去ステップを示す側面図である。 保護部材としての表面保護テープをウエーハの表面に貼着した状態の側面図である。 研削装置の斜視図である。 研削ステップを示す側面図である。 保護部材としてのサポートウエーハをウエーハの表面に配設する様子を示す側面図である。 研削ステップを示す側面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された、半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aの平坦部に備えている。
半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されているとともに、その外周には表面11aから裏面11bに至る円弧状の面取り部23が形成されている。
本発明のウエーハの加工方法では、図2に示すように、半導体ウエーハ11の裏面11bを切削装置のチャックテーブル10で保持してウエーハ表面11aを露出させる保持ステップを実施する。
このように半導体ウエーハ11をチャックテーブル10で保持した後、切削ブレードでウエーハ11を所定厚みt1まで円形に切削して面取り部23を部分的に除去する面取り部除去ステップを実施する。
この面取り部除去ステップでは、図3に示すように、切削ユニット12のスピンドル14の先端に取り付けられた切削ブレード16を表面11aから所定厚み(仕上げ厚み)t1までウエーハ11の外周縁に切り込ませつつ、チャックテーブル10を矢印a方向に低速で回転させてウエーハ11の外周縁を円形に切削して、ウエーハ11の表面11aから所定厚みt1に至る領域の面取り部23を除去して、ウエーハ11の外周に環状切削部25を形成する。
切削ブレード16による面取り部除去ステップは、ウエーハ11の中央部上方に配設された洗浄液供給ノズル18から洗浄液20を供給しながら実施する。洗浄液20としては、純水又は純水に炭酸ガスを混入した洗浄液が使用される。
本実施形態の面取り部除去ステップは、ウエーハ11の中央部上方からウエーハ表面11aに向かって洗浄液20を供給しながら遂行されるため、切削屑はウエーハ11の回転に伴ってウエーハ11の外周方向に飛散する洗浄液20に取り込まれてウエーハ表面11aから排出されるので、切削屑がウエーハ11の表面11aに付着することが防止される。
面取り部除去ステップを実施後、図4に示すように、ウエーハ11の表面11aに保護部材としての表面保護テープ27を貼着する保護部材配設ステップを実施する。次いで、図5に示すような研削装置22を使用して、ウエーハ11の裏面11bを研削する研削ステップを実施する。
図5において、24は研削装置22のベースであり、ベース24の後方にはコラム26が立設されている。コラム26には、上下方向に伸びる一対のガイドレール28が固定されている。
この一対のガイドレール28に沿って研削ユニット(研削手段)30が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット30は、スピンドルハウジング32と、スピンドルハウジング32を保持する支持部34を有しており、支持部34が一対のガイドレール28に沿って上下方向に移動する移動基台36に取り付けられている。
研削ユニット30は、スピンドルハウジング32中に回転可能に収容されたスピンドル38と、スピンドル38を回転駆動するモータ40と、スピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42と、ホイールマウント42に着脱可能に装着された研削ホイール44とを含んでいる。
研削装置22は、研削ユニット30を一対の案内レール28に沿って上下方向に移動するボールねじ50とパルスモータ52とから構成される研削ユニット送り機構54を備えている。パルスモータ52を駆動すると、ボールねじ50が回転し、移動基台36が上下方向に移動される。
ベース24の上面には凹部24aが形成されており、この凹部24aにチャックテーブル機構56が配設されている。チャックテーブル機構56はチャックテーブル58を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット30に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。60,62は蛇腹である。ベース24の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル64が配設されている。
ウエーハ11の裏面11bに表面保護テープ27を配設する保護部材配設ステップを実施した後、図6に示すように、研削装置22のチャックテーブル58でウエーハ11の表面保護テープ27側を吸引保持し、ウエーハ22の裏面11bを露出させる。
図6において、スピンドル38の先端に固定されたホイールマウント42には、複数のねじにより研削ホイール44が着脱可能に装着されている。研削ホイール44は、ホイール基台46の自由端部(下端部)に複数の研削砥石48を環状に配設して構成されている。
研削ステップでは、チャックテーブル58を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構54を駆動して研削ホイール44の研削砥石48をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚みを測定しながら、ウエーハ11を所定厚みt1、例えば100μmの厚みに研削する。この研削ステップにより、ウエーハ11の裏面側の面取り部23は除去される。
図7を参照すると、保護部材配設ステップの他の実施形態が示されている。本実施形態では、保護部材としてのサポートウエーハ29をウエーハ11の表面11aに貼着する。そして、図8に示すように、研削装置22のチャックテーブル58でサポートウエーハ29側を吸引保持しウエーハ11の裏面11bを露出させる。
図6を参照して説明した実施形態と同様に、チャックテーブル58を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール44を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ホイール44を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りしてウエーハ11の裏面11bの研削を実施して、ウエーハ11を所定の厚みt1に仕上げる。
本実施形態では、保護部材としてサポートウエーハ29を使用しているため、研削ステップ終了後にはサポートウエーハ29を研削済みのウエーハ11の表面11aから剥離して、サポートウエーハ29を保護部材として再利用することができる。サポートウエーハ29は、ガラス又はシリコン等から形成することができる。
10 チャックテーブル
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
15 デバイス
16 切削ブレード
18 洗浄液供給ノズル
20 洗浄液
22 研削装置
23 面取り部
27 表面保護テープ
29 サポートウエーハ
44 研削ホイール
48 研削砥石
58 チャックテーブル

Claims (1)

  1. 外周に面取り部を有するとともに表面に複数のデバイスが形成されたウエーハを所定厚みへ薄化するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持してウエーハの表面を露出させる保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、切削ブレードを少なくとも該所定厚みまでウエーハの外周縁に切り込ませつつ該チャックテーブルを回転させてウエーハの外周縁を切削し、ウエーハの表面から少なくとも該所定厚みに至る領域の該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、
    該面取り部除去ステップを実施した後、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
    該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削してウエーハを該所定厚みへと薄化する研削ステップとを具備し、
    該面取り部除去ステップは、ウエーハの中央部上方からウエーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施することを特徴とするウエーハの加工方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050296A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20190010444A (ko) 2017-07-21 2019-01-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173961A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2010109228A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハ面取り部除去装置及びウェーハ面取り部の除去方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173961A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2010109228A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハ面取り部除去装置及びウェーハ面取り部の除去方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015050296A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
KR20190010444A (ko) 2017-07-21 2019-01-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

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