JP2012015256A - ウエーハの分割方法 - Google Patents

ウエーハの分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012015256A
JP2012015256A JP2010149121A JP2010149121A JP2012015256A JP 2012015256 A JP2012015256 A JP 2012015256A JP 2010149121 A JP2010149121 A JP 2010149121A JP 2010149121 A JP2010149121 A JP 2010149121A JP 2012015256 A JP2012015256 A JP 2012015256A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
acrylic
protective film
liquid resin
dividing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010149121A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5600035B2 (ja
Inventor
Makoto Shimotani
誠 下谷
Kazuya Miyazaki
一弥 宮崎
Hisataka Ikehata
久貴 池端
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2010149121A priority Critical patent/JP5600035B2/ja
Priority to US13/166,984 priority patent/US8513096B2/en
Publication of JP2012015256A publication Critical patent/JP2012015256A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5600035B2 publication Critical patent/JP5600035B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】デバイスの角に欠けを生じさせることなく、ウエーハを個々のデバイスに分割できるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数のストリートに沿って半導体ウエーハ2を個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハ表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝24を形成する溝形成工程と、紫外線照射により硬化するアクリル系液状樹脂5を溝に充填するとともに保護フィルム6を配設し、保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめるアクリル系液状樹脂硬化工程と、ウエーハの裏面を研削して裏面に溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、ウエーハの裏面に環状のフレームに装着された粘着テープを貼着した後、表面から保護フィルムとともに硬化したアクリル系樹脂を剥離する保護フィルム剥離工程とを含む。
【選択図】図8

Description

本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ライン(ストリート)によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体デバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般に切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが30μm程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体デバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体デバイスが要求されている。より薄く半導体デバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ(半導体デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ)の切削溝を形成し、その後、表面に切削溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に切削溝を表出させ個々の半導体デバイスに分割する技術であり、半導体デバイスの厚さを50μm以下に加工することが可能である。(例えば、特許文献1参照。)
特開平11−40520号公報
而して、上述した所謂先ダイシング法によってウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ(半導体デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ)の切削溝を形成した後に、ウエーハの裏面を研削して裏面に切削溝を表出させ個々のデバイスに分割すると、個々のデバイスに分割された瞬間にデバイスの拘束力がなくなり、各デバイスが微細に振動してデバイスの角に欠けが生じ、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
また、ウエーハが個々のデバイスに分割された後にデバイスの仕上がり厚さに達するまで研削が継続すると、デバイスの角に欠けが生じ、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの角に欠けを生じさせることなく、所謂先ダイシング法によってウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの分割方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程が実施されたウエーハの表面に紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂を塗布して該溝にアクリル系液状樹脂を充填するとともに保護フィルムを配設し、該保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめるアクリル系液状樹脂硬化工程と、
該アクリル系液状樹脂硬化工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該粘着テープの表面に貼着されたウエーハの表面から該保護フィルムとともに硬化したアクリル系樹脂を剥離する保護フィルム剥離工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
上記保護フィルムは、アクリル系樹脂フィルムからなっている。
また、上記保護フィルムは、アクリル系以外の樹脂フィルムからなり、表面にアクリル処理が施されている。
また、上記溝形成工程によって形成される溝は、幅がデバイスの仕上がり厚さに相当する深さに対して1/2以上に設定されていることが望ましい。
本発明によるウエーハの分割方法においては、ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、ウエーハの表面に紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂を塗布して溝にアクリル系液状樹脂を充填するとともに保護フィルムを配設し、該保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめた後に、ウエーハの裏面を研削して裏面に溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するので、溝が裏面に表出しても溝内にはアクリル系樹脂が硬化した状態で充填されているため、ウエーハが個々のデバイスに分割されてもデバイスは溝内に充填されているアクリル系樹脂によって拘束された状態が維持される。従って、各デバイスに微細な振動が発生することがなく、各デバイスが微細に振動することによる欠けの発生を防止することができる。
また、本発明によるウエーハの分割方法においては、ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着した後、ウエーハの表面から保護フィルムとともに硬化したアクリル系樹脂を剥離するので、溝に充填されているアクリル系樹脂も同時に除去することができる。
本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における切削溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの分割方法における溝形成工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法のアクリル系液状樹脂硬化工程におけるアクリル系液状樹脂塗布工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法のアクリル系液状樹脂硬化工程における保護フィルム配設工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるアクリル系液状樹脂硬化工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ分割工程の説明図。 図7に示すウエーハ分割工程が実施されたウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程の説明図。 本発明によるウエーハの分割方法における保護フィルム剥離工程の説明図。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、例えば厚さが600μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aには複数のストリート21が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ2の表面2aには、格子状に形成された複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。以下、この半導体ウエーハ2を個々の半導体デバイスに分割する方法について説明する。
半導体ウエーハ2を個々の半導体デバイスに分割するには、先ず半導体ウエーハ2の表面2aに形成されたストリート21に沿って所定深さ(各デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ)の溝を形成する(溝形成工程)。この溝形成工程は、図2に示す切削装置3を用いて実施する。図2に示す切削装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31に保持された被加工物を切削する切削手段32と、該チャックテーブル31に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図2において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記切削手段32は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に支持された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322の先端部に装着された切削ブレード323を含んでおり、回転スピンドル322がスピンドルハウジング321内に配設された図示しないサーボモータによって矢印Aで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード323の厚みは、図示の実施形態においては30μmに設定されている。従って、切削ブレード323によって切削される切削溝の幅は30μmとなる。
図2に示す切削装置3によって溝形成工程を実施するには、チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2の裏面2b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ2をチャックテーブル31上に吸引保持する。従って、チャックテーブル31上に保持された半導体ウエーハ2は、表面2aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない切削送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、撮像手段33および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段33および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されているストリート21と、切削ブレード323との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン21に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル31上に保持されている半導体ウエーハ2の切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ2を保持したチャックテーブル31を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、図3の(a)で示すように半導体ウエーハ2の切削すべきストリート21の一端(図3の(a)において左端)が切削ブレード323の直下より所定量右側に位置するように位置付ける(加工送り開始位置位置付け工程)。このようにして半導体ウエーハ2を加工領域の加工開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード323を矢印Aで示す方向に回転しつつ図3の(a)において2点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図3の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図3の(a)に示すように切削ブレード323の外周縁の下端が半導体ウエーハ2の表面2a(上面)から例えば50μm下方の位置に設定されている。なお、切削ブレード323の切り込み深さと切削ブレード323によって形成される溝の幅との関係は、溝の幅がデバイスの仕上がり厚さに相当する深さに対して1/2以上に設定されていることが望ましい。
次に、図3の(a)に示すように切削ブレード323を矢印Aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル31を図3の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で加工送りする(溝形成工程)。この結果、図3の(b)および(c)に示すように半導体ウエーハ2には、ストリート21に沿って深さが50μmで幅が30μmの切削溝24が形成される。この溝形成工程を半導体ウエーハ2に形成された全てのストリート21に沿って実施する。
上述した溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の表面に紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂を塗布して溝24にアクリル系液状樹脂を充填するとともに保護フィルムを配設し、該保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめるアクリル系液状樹脂硬化工程を実施する。このアクリル系液状樹脂硬化工程を実施するには、先ず半導体ウエーハ2の表面に紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂を塗布して溝24にアクリル系液状樹脂を充填するアクリル系液状樹脂塗布工程を実施する。このアクリル系液状樹脂塗布工程は、実施形態においては図4の(a)に示すようにスピンコーター4によって実施する。図4の(a)に示すスピンコーター4は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル41と、該チャックテーブル41の中心部上方に配置されたノズル42を具備している。このスピンコーター4のチャックテーブル41上に上述した溝形成工程が実施された半導体ウエーハ2の裏面側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ2をスピンコーター4上に吸引保持する。従って、スピンコーター4上に保持された半導体ウエーハ2は表面2aが上側となる。次に、チャックテーブル41を矢印Bで示す方向に回転しつつノズル42から紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂5を半導体ウエーハ2の表面中心部に滴下することにより、アクリル系液状樹脂5が遠心力によって外周部まで流動し半導体ウエーハ2の表面2aを被覆するとともに半導体ウエーハ2の表面に形成された溝24に充填される。なお、アクリル系液状樹脂は、株式会社スリーボンドが製造販売している商品名「レジロック」を用いることができる。このようにアクリル系液状樹脂塗布工程を実施することにより、図4の(b)に示すように半導体ウエーハ2の表面2aにアクリル系液状樹脂5による被膜が形成されるとともに溝24にアクリル系液状樹脂5が充填される。
次に、半導体ウエーハ2の表面2aに被覆されたアクリル系液状樹脂5による被膜の表面に保護フィルムを配設し、該保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめるアクリル系液状樹脂硬化工程を実施する。即ち、図5の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ2の表面2aに被覆されたアクリル系液状樹脂5による被膜の表面に保護フィルム6を配設する(保護フィルム配設工程)。この保護フィルム6は、アクリル系液状樹脂と馴染みがよい同種材料からなるアクリル系樹脂フィルムを用いるか、アクリル系以外の樹脂例えばポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂フィルムの表面(アクリル系液状樹脂被膜5と対向する面)にアクリル処理を施すことが望ましい。なお、アクリル処理は、株式会社タイルメントが製造販売している商品名「アクリルプライマー」を用いることができる。このように図示の実施形態においてはアクリル系液状樹脂と馴染みがよいアクリル系樹脂フィルムまたはアクリル処理した保護フィルム6を半導体ウエーハ2の表面2aに被覆されたアクリル系液状樹脂5による被膜の表面に配設することにより、保護フィルム6はアクリル系液状樹脂5による被膜との接着が良好となる。次に、図6の(a)に示すように保護フィルム6側から紫外線照射器7によって紫外線を照射する。この結果、図6の(b)に示すようにアクリル系液状樹脂5が硬化するとともに保護フィルム6の表面(下面)に強固に接着する。
上述したアクリル系液状樹脂硬化工程を実施したならば、半導体ウエーハ2の裏面を研削して裏面に溝24を表出させ、半導体ウエーハ2を個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図7に示す研削装置を用いて実施する。図7に示す研削装置8は、被加工物を保持するチャックテーブル81と、該チャックテーブル81に保持された被加工物の被加工面を研削する研削手段82を具備している。チャックテーブル81は、上面に被加工物を吸引保持し図7において矢印Cで示す方向に回転せしめられる。研削手段82は、スピンドルハウジング821と、該スピンドルハウジング821に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル822と、該回転スピンドル822の下端に装着されたマウンター823と、該マウンター823の下面に取り付けられた研削ホイール824とを具備している。この研削ホイール824は、円板状の基台825と、該基台825の下面に環状に装着された研削砥石826とからなっており、基台825がマウンター823の下面に締結ボルト827によって取り付けられている。
上述した研削装置8を用いてウエーハ分割工程を実施するには、チャックテーブル81の上面(保持面)に上述したアクリル系液状樹脂硬化工程が実施された半導体ウエーハ2の表面2aに貼着された保護フィルム6側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル81に保護フィルム6を介して半導体ウエーハ2を吸引保持する。従って、チャックテーブル81上に保護フィルム6を介して吸引保持された半導体ウエーハ2は裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル81上に半導体ウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル81を矢印Cで示す方向に例えば300rpmで回転し、研削手段82の研削ホイール824を矢印Dで示す方向に例えば6000rpmで回転しつつ半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール824を例えば1μm/秒の研削送り速度で下方に研削送りすることにより半導体ウエーハ2の裏面2bを研削し、その厚みを例えば50μmに形成する。この結果、図8の(a)に示すように溝24が裏面2bに表出する。この結果、半導体ウエーハ2は、個々のデバイスに分割される。このように溝24が裏面2bに表出しても溝24内にはアクリル液状系樹脂5が硬化した状態で充填されているので、半導体ウエーハ2が個々のデバイスに分割されてもデバイスは溝24内に充填されているアクリル系樹脂によって拘束された状態が維持される。従って、各デバイスに微細な振動が発生することがなく、各デバイスが微細に振動することによる欠けの発生を防止することができる。
次に、上述したウエーハ分割工程が実施された半導体ウエーハ2の裏面を環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図9に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープTの表面に半導体ウエーハ2の裏面2bを貼着する。従って、粘着テープTの表面に貼着された半導体ウエーハ2の表面に装着されている保護フィルム6が上側となる。
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、粘着テープの表面に貼着されたウエーハの表面から保護フィルムとともに硬化したアクリル系樹脂を剥離する保護フィルム剥離工程を実施する。即ち、図10に示すように環状のフレームFに装着された粘着テープTの表面に貼着された半導体ウエーハ2の表面に装着されている保護フィルム6を剥離する。このように保護フィルム6を剥離すると、保護フィルム6には硬化したアクリル系樹脂5が強固に接着しているので、半導体ウエーハ2の表面に被覆されるとともに溝24内に充填されたたアクリル系樹脂5は保護フィルム6とともに剥離される。このとき、アクリル系樹脂が充填されている溝24は上述したように幅がデバイスの仕上がり厚さに相当する深さに対して1/2以上に設定されていることにより、溝24内に充填されたたアクリル系樹脂も容易に抜くことができる。このように半導体ウエーハ2の表面から硬化したアクリル系樹脂5が剥離すると、半導体ウエーハ2の表面および溝24の壁面に付着したコンタミも除去される。なお、上述した保護フィルム剥離工程は、半導体ウエーハ2の裏面が貼着された粘着テープT側をチャックテーブル上に載置し、該チャックテーブル上に粘着テープTを介して半導体ウエーハ2を吸引保持した状態で実施することが望ましい。
2:半導体ウエーハ
3:切削装置
31:切削装置のチャックテーブル
32:切削手段
323:切削ブレード
4:スピンコーター
5:アクリル系液状樹脂
6:保護フィルム
7:紫外線照射器
8:研削装置
81:研削装置のチャックテーブル
82:研削手段
824:研削ホイール
F:環状のフレーム
T:粘着テープ

Claims (4)

  1. 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
    ウエーハの表面側からストリートに沿ってデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、
    該溝形成工程が実施されたウエーハの表面に紫外線の照射によって硬化するアクリル系液状樹脂を塗布して該溝にアクリル系液状樹脂を充填するとともに保護フィルムを配設し、該保護フィルム側から紫外線を照射することによりアクリル系液状樹脂を硬化せしめるアクリル系液状樹脂硬化工程と、
    該アクリル系液状樹脂硬化工程が実施されたウエーハの裏面を研削して裏面に該溝を表出させ、ウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、
    該ウエーハ分割工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
    該粘着テープの表面に貼着されたウエーハの表面から該保護フィルムとともに硬化したアクリル系樹脂を剥離する保護フィルム剥離工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。
  2. 該保護フィルムは、アクリル系樹脂フィルムからなっている、請求項1記載のウエーハの分割方法。
  3. 該保護フィルムは、アクリル系以外の樹脂フィルムからなり、表面にアクリル処理が施されている、請求項1記載のウエーハの分割方法。
  4. 該溝形成工程によって形成される溝は、幅がデバイスの仕上がり厚さに相当する深さに対して1/2以上に設定されている、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの分割方法。
JP2010149121A 2010-06-30 2010-06-30 ウエーハの分割方法 Active JP5600035B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010149121A JP5600035B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 ウエーハの分割方法
US13/166,984 US8513096B2 (en) 2010-06-30 2011-06-23 Wafer dividing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010149121A JP5600035B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 ウエーハの分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012015256A true JP2012015256A (ja) 2012-01-19
JP5600035B2 JP5600035B2 (ja) 2014-10-01

Family

ID=45400026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010149121A Active JP5600035B2 (ja) 2010-06-30 2010-06-30 ウエーハの分割方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8513096B2 (ja)
JP (1) JP5600035B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015220266A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 株式会社ディスコ ウェーハ、及びウェーハの製造方法、並びにデバイスチップの製造方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20160123225A (ko) * 2015-04-15 2016-10-25 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 가공 방법
JP2019212754A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法及び樹脂被覆装置
JP2020068342A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8956954B2 (en) * 2012-02-21 2015-02-17 Chih-hao Chen Method of processing wafers for saving material and protecting environment
WO2015059944A1 (ja) * 2013-10-21 2015-04-30 リンテック株式会社 樹脂膜形成用シート
US9576872B2 (en) * 2013-12-18 2017-02-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices
JP2017005158A (ja) 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
JP2017041574A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6500230B2 (ja) * 2015-09-03 2019-04-17 パナソニックIpマネジメント株式会社 マスクパターンの形成方法および基板の加工方法ならびに素子チップの製造方法
JP6732382B2 (ja) * 2016-10-12 2020-07-29 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
JP6837709B2 (ja) * 2016-10-14 2021-03-03 株式会社ディスコ デバイスウェーハのレーザ加工方法
JP6925714B2 (ja) * 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7083572B2 (ja) * 2018-04-09 2022-06-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7083573B2 (ja) * 2018-04-09 2022-06-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010464A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Three M Innovative Properties Co 分割チップの製造方法
JP2009194287A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品集合体の研削方法とこれを用いた電子部品集合体の分割方法並びにこれら方法に用いる接着性樹脂
WO2010047272A1 (ja) * 2008-10-21 2010-04-29 日東電工株式会社 自発巻回性粘着シート
JP2010129607A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング用表面保護テープ及びダイシング用表面保護テープの剥離除去方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1140520A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
JP2005115346A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Fujitsu Ltd 光導波路構造体及び光モジュール
JP2009123835A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010464A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Three M Innovative Properties Co 分割チップの製造方法
JP2009194287A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子部品集合体の研削方法とこれを用いた電子部品集合体の分割方法並びにこれら方法に用いる接着性樹脂
WO2010047272A1 (ja) * 2008-10-21 2010-04-29 日東電工株式会社 自発巻回性粘着シート
JP2010129607A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング用表面保護テープ及びダイシング用表面保護テープの剥離除去方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015220266A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 株式会社ディスコ ウェーハ、及びウェーハの製造方法、並びにデバイスチップの製造方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
KR20160123225A (ko) * 2015-04-15 2016-10-25 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 가공 방법
KR102379433B1 (ko) 2015-04-15 2022-03-28 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 절삭 가공 방법
JP2019212754A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法及び樹脂被覆装置
JP2020068342A (ja) * 2018-10-26 2020-04-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7214309B2 (ja) 2018-10-26 2023-01-30 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120003816A1 (en) 2012-01-05
US8513096B2 (en) 2013-08-20
JP5600035B2 (ja) 2014-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5600035B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP6608694B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6557081B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI645501B (zh) Support plate, support plate forming method and wafer processing method
KR20160033631A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2017041574A (ja) ウエーハの加工方法
KR101779622B1 (ko) 피가공물의 연삭 방법
JP2017092125A (ja) ウエーハの加工方法
JP7430515B2 (ja) ウエーハの処理方法
JP2016119370A (ja) ウエーハの加工方法
JP2012222310A (ja) ウェーハの加工方法
JP5534793B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR20170085949A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2015149386A (ja) ウェーハの加工方法
JP2011238818A (ja) ウエーハの加工方法
JP2011124265A (ja) ウエーハの加工方法
JP4681704B2 (ja) 半導体ウェーハの分割方法
JP7404007B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2017100255A (ja) ウエーハの加工方法
JP6422804B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6013831B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5908672B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20230282486A1 (en) Wafer processing method
JP2016025116A (ja) ウエーハの加工方法
JP2017107988A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130517

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140722

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140814

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5600035

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250