JP2008010464A - 分割チップの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 207
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 206
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 7
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 235000019271 petrolatum Nutrition 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004264 Petrolatum Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920001710 Polyorthoester Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004204 candelilla wax Substances 0.000 description 1
- 235000013868 candelilla wax Nutrition 0.000 description 1
- 229940073532 candelilla wax Drugs 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000012185 ceresin wax Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- IUJAMGNYPWYUPM-UHFFFAOYSA-N hentriacontane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC IUJAMGNYPWYUPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 1
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004209 oxidized polyethylene wax Substances 0.000 description 1
- 235000013873 oxidized polyethylene wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 235000019809 paraffin wax Nutrition 0.000 description 1
- 229940066842 petrolatum Drugs 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002745 poly(ortho ester) Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
【解決手段】各チップの境界に沿ってその厚さ方向に少なくとも部分的にカットして、各々のチップに分割された複数のチップを含んでなる被研削体の裏面を研削することによる分割チップの製造方法であって、各々のチップの間の間隙を液体の接着剤12で充填し、前記被研削体の裏面が露出するようにして剛性支持体10に積層し、次いで、該接着剤12を硬化又は固化して、複数のチップを有する被研削体13と、接着剤固形物12と、剛性支持体10との順に並んだ積層体を形成すること、前記積層体を前記被研削体13の裏面側から研削すること、前記積層体から前記剛性支持体10を除去すること、接着剤固形物に対して可とう性接着性シートを付着させること、個々のチップをピックアップして回収することを含む、分割チップの製造方法。
【選択図】図3
Description
まず、ウエハの回路面を接合層を介して支持体に貼り付け、ウエハ/接合層/支持体からなる積層体構造を作製する。この積層体のウエハ側を研削することで裏面研削が行われる。裏面研削後は、支持体及び接合層を除去して、その後、ダイシングして個々のチップに分割する。
ウエハ/接合層/支持体からなる積層体の構成方法および剥離方法としては、例えば、透明な樹脂製支持体上に紫外線硬化により接着力を失う粘着剤層を設けた粘着シート上にウエハを貼り付け、裏面研削後に紫外線を照射して粘着シートの接着力を失わせることで接合層及び支持体を剥離除去する方法(特許文献1(特開2002−373871号公報)、特許文献2(特開2003−209160号公報)及び特許文献3(特開2005−303068号公報))が挙げられる。別の方法としては、透明なガラス製支持体上に、紫外線により発泡し、接着力を失う粘着剤層を設けた粘着基板上にウエハを貼り付け、裏面研削後に紫外線を照射して粘着支持体を剥離除去する方法(特許文献4(特開2005−197630号公報))が挙げられる。さらに別の方法として、多数の貫通孔を有する金属製またはセラミック製またはガラス製の支持体上に、液体接着剤層を介してウエハを貼り付け、接着剤を固化させて裏面研削を行った後に、接着剤層に溶解する薬液を貫通孔から供給することで支持体を剥離除去する方法(特許文献5(特開2005−191535号公報))が挙げられる。あるいは、表面に特殊な剥離層を有するガラス製支持体上に、熱又は紫外線などの外部刺激により硬化する硬化性接着剤層を介してウエハを貼り付け、接着剤を硬化させて保持した状態で裏面研削を行、次いで、レーザーを用いて剥離層を剥離させて支持体を剥離除去する方法(特許文献6(特開2004−64040号公報))が挙げられる。
前記カットにより形成された各々のチップの間の間隙を液体の接着剤で充填し、前記被研削体の裏面が露出するようにして剛性支持体に積層し、次いで、該接着剤を硬化又は固化して、複数のチップを有する被研削体と、接着剤固形物と、剛性支持体との順に並んだ積層体を形成すること、
前記積層体を前記被研削体の裏面側から研削することで、薄化され、個々に分離されたチップを積層体上で得ること、
前記積層体から前記剛性支持体を除去すること、
前記剛性支持体を除去した積層体の接着剤固形物に対して可とう性接着性シートを付着させること、
前記可とう性接着性シート上の接着剤固形物で保持された個々のチップをピックアップして回収すること、
を含む、分割チップの製造方法を提供する。
なお、本発明において、「接着剤の充填」は裏面研削中のチップ跳びやチップ破損を防止できるかぎり、必ずしも間隙を接着剤で完全に充填していなくてもよいことを意味する。
本発明の方法において、まず、複数のチップを有する被研削体と、接着剤固形物と、剛性支持体との順に並んだ積層体を形成する。被研削体としては、薄肉化されることが期待されるシリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハや、水晶、サファイヤ、ガラスなどの脆性材料が挙げられる。被研削体は、接着性のある支持体上でその厚さ方向に部分的にカット(「ハーフカット」とも呼ぶ)され又は完全にカット(「フルカット」とも呼ぶ)される。カットは、ダイヤモンドブレードやレーザースクライバーにより行うことができる。カットはチップの境界にそって行い、通常、被研削体の表面上に格子パターンをもって形成される。ハーフカットを用いる場合には、カットの深さはチップの仕上がり厚さ又はそれ以上に相当する。
たとえば、図2に示すように、各々のチップを画定するようにチップの境界にそってハーフカットされた被研削体13上に、液体の接着剤12をスピンコートする。被研削体13上の接着剤12と、剛性支持体10上の剥離層11を対向させるように配置し、一方または両方から加圧することで貼り合わせる。このとき、層間に空気が混入すると積層体の厚さ均一性が妨げられ、結果として被研削体13を均一に研削することができない。このような層間への空気混入を防止するために、貼り合わせは真空下で行われることが好ましい。
上述のとおりに得られた積層体を研削装置に固定し、積層体の被研削体13の裏面側から、ハーフカット部深さに相当する厚みまで裏面研削を行い、図4に示すような分割チップ13’を得ることができる。隣接する分割チップ13’間のストリート部には接着剤12が充填されているため、ハーフカット部が深い高アスペクト比の分割チップであっても、チップ間の接触による損傷やチップ跳びを回避することができる。
裏面研削を行って分割されたチップ13’を形成した後に、剛性支持体10を除去する。剥離層11としては、例えば、薬液浸漬、加熱、レーザー照射などの外部刺激付与により溶解、融解または分解するものが考えられる。
図5に示すように、ローラー16を用いて、リングフレーム15に装着した第一の接着性シート14を積層体の研削面へラミネートする。搬送時や剛性支持体10を剥離する際に積層体(分割チップ)が脱落しないために、第一の接着性シート14の初期接着力は積層体の研削面に対して0.2 〜 2.0 N/cm であることが好ましい。なお、接着力はJIS Z 0237 に準拠した方法(幅25mmの試験片を切り取り、試験板に2.0Kgのゴムローラで毎秒5mmの速さで一往復させて圧着する。圧着後20〜40分間の間に、引張り試験機にて毎分300±30mmの速さで180°方向に引き剥がす。被着体はSUS430BA板とする。)で測定される値である。第一の接着性シート14の厚さは特に限定されないが、典型的には10〜200 μm である。搬送や拡張、破断に耐えうるため、引張り強さが10 N/cm 以上で、200%以上の破断点伸び率を有するものが好ましい。なお、引張強さ及び破断点伸び率はJIS Z 0237 に準拠した方法で測定される値である(幅15mmの試験片を切り取り、標線間距離を50mmとして引張り試験機にて毎秒約5mmの速さで引張り、切断時の荷重および伸びを測定する)。第一の接着性シートとしては粘着シートを用いることができる。また、第一の接着性シート14は外部刺激によって接着力が低下する性質を有するものであると特に好ましい。なお、第一の接着性シートについては、後述の「転写工程」(フリップチップ移載工程)の欄において詳述する。
次に、剛性支持体を除去した、分割チップ13’を含む積層体を第一の接着性シート14上に付着させ、リングフレーム15にて固定したものを図9〜13に示すように転写工程(フリップチップ移載工程)に付す。まず、平坦面の寸法が積層体の寸法よりも大きく、そのため、積層体の研削面を包含する平坦面を有する円筒状台座21を用意し、図9に示すように、この円筒状台座21上に、上述した積層体を載せたリングフレーム15を載せる。そして図10に示すように、少なくともリングフレーム15の上面が台座21の上面の高さよりも下にくるまで、リングフレーム15を鉛直下方に押し付ける。これにより、第一の接着性シート14は拡張せしめられ、積層体部分だけが突出した状態を得る。
次に、ピックアップ装置にて研削面(分割チップ13’)を露出面とする積層体を載せたリングフレーム24をピックアップ装置の固定テーブル上に載せ、第二の接着性シート23に均一な張力を作用させて拡張せしめる。簡単には、図15に示すようなドーナツ状の円筒リング部材25を、第二の接着性シート23の背面より突き上げることで、第二の接着性シート23に均一な引張力を作用させる。このとき、接着剤層12も同時に拡張せしめられるため、分割チップ13’同士の距離が拡がり、分割チップ13’と接着剤層12の間に空隙が形成される。これにより、後述する分割チップのピックアップが容易になるだけでなく、チップ位置の認識が容易になる。第二の接着性シート23に均一な張力を作用させて拡張せしめる際の破断に耐えうるため、第二の接着性シート23は引張り強さが10 N/cm 以上で、破断点伸び率が200%以上の伸びを有するものが好ましい。なお、かかる測定値は、JIS Z 0237 に準拠した方法で測定される値である(幅15mmの試験片を切り取り、標線間距離を50mmとして引張り試験機にて毎秒約5mmの速さで引張り、切断時の荷重および伸びを測定する)。
実施例1
表1に示す組成の10 wt%溶液(溶剤:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート)を調製し、この溶液を直径152mm ×厚さ1mmのガラス製基板(TEMPAX(登録商標))上にスピンコートし、該溶液を乾燥させることで、剥離層となる光熱変換層を有するガラス支持体(剛性支持体)とした。一方、表2に示す紫外線硬化型の液状接着剤と、3mm四方の格子状で420μm深さのハーフカットを有する6インチのシリコンベアウエハを用意した。液状接着剤は、ブルックフィールド型粘度計(BM)で、ローター形状はNo.2、回転数 12 rpmで測定して、25℃での粘度が1050 cpsであった。ガラス支持体は、SCHOTT社のデータシートによれば、曲げ弾性率が約63000 MPaと推察された。
一方、比較例2〜5の粘着シートを用いて同様の手順を試みたところ、フリップ移載工程またはピックアップ工程において不具合が発生した。比較例2及び3においては第二の接着性シートとして使用した#3305(住友スリーエム社製)の伸びが不十分であったため、ピックアップ工程においてシート拡張とチップのピックアップ時に不具合が生じた。また、比較例4、5では第一の接着性シートと第二の接着性シートの接着力差が不十分であったために、フリップ移載工程においてウエハを含む積層体の移載時に剥がれの問題が発生した。
2 粘着シート
3 ウエハ
4 チップ
10 剛性支持体
11 剥離層
12 接着剤
13 被研削体
13’ 分割チップ
14 第一の接着性シート
15 リングフレーム
16 ローラー
17 台座
18 台座表面
19 減圧源
20 外部刺激
21 円筒状台座
22 ローラー
23 第二の接着性シート
24 リングフレーム
25 円筒リング部材
26 突き上げピン
27 コレット
Claims (9)
- 各チップの境界に沿ってその厚さ方向に少なくとも部分的にカットして、各々のチップに分割された複数のチップを含んでなる被研削体の裏面を研削することによる分割チップの製造方法であって、
前記カットにより形成された各々のチップの間の間隙を液体の接着剤で充填し、前記被研削体の裏面が露出するようにして剛性支持体に積層し、次いで、該接着剤を硬化又は固化して、複数のチップを有する被研削体と、接着剤固形物と、剛性支持体との順に並んだ積層体を形成すること、
前記積層体を前記被研削体の裏面側から研削することで、薄化され、個々に分離されたチップを積層体上で得ること、
前記積層体から前記剛性支持体を除去すること、
前記剛性支持体を除去した積層体の接着剤固形物に対して可とう性接着性シートを付着させること、
前記可とう性接着性シート上の接着剤固形物で保持された個々のチップをピックアップして回収すること、
を含む、分割チップの製造方法。 - 裏面からの研削の前の被研削体は部分的にカットされたものである、請求項1記載の分割チップの製造方法。
- 裏面からの研削の前の被研削体は完全にカットされたものである、請求項1記載の分割チップの製造方法。
- 接着性支持体上で被研削体のカットが行なわれ、次いで、その上で液体の接着剤の充填が行われる、請求項3記載の分割チップの製造方法。
- 前記研削の後に、前記チップの裏面が接するようにして前記積層体を第一の可とう性接着性シート上に付着させ、次に、前記積層体から前記剛性支持体を除去し、そして前記剛性支持体を除去した積層体の接着剤固形物に対して第二の可とう性接着性シートを付着させて、前記第一の可とう性接着性シートを除去する転写工程を含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の分割チップの製造方法。
- 前記転写工程において、前記第一の可とう性接着性シート及び第二の可とう性接着性シートがともに粘着シートであり、第二の可とう性接着性シートの接着力が前記第一の可とう性接着性シートよりも2倍以上高い、請求項5記載の分割チップの製造方法。
- 前記転写工程において、前記第一の可とう性接着性シートは熱又は放射線により接着力が第二の可とう性接着性シートよりも低くなるものであり、それにより、転写を行なう、請求項5記載の分割チップの製造方法。
- 前記液体接着剤は充填時には粘度が25℃で10000cps未満であり、そして硬化又は固化後の接着剤固形物は、25℃での貯蔵弾性率が100MPa以上であり、かつ50℃での貯蔵弾性率が10MPa以上である、請求項1〜7のいずれか1項記載の分割チップの製造方法。
- 前記可とう性接着性シート上の接着剤固形物で保持された個々のチップをピックアップして回収する工程において、前記可とう性接着性シートに張力を作用させて接着剤固形物を水平方向に拡張させ、これにより、ピックアップを容易にする、請求項1〜8のいずれか1項記載の分割チップの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006176356A JP5275553B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 分割チップの製造方法 |
EP07784470A EP2041778A4 (en) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | PROCESS FOR PRODUCING SEGMENTED CHIPS |
MYPI20085305A MY147717A (en) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | Method of producing segmented chips |
CN2007800246851A CN101479835B (zh) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | 制备分割芯片的方法 |
KR1020087031590A KR20090033187A (ko) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | 분할된 칩의 제조 방법 |
PCT/US2007/071455 WO2008002790A1 (en) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | Method of producing segmented chips |
US12/303,813 US8021964B2 (en) | 2006-06-27 | 2007-06-18 | Method of producing segmented chips |
TW096123061A TW200822196A (en) | 2006-06-27 | 2007-06-26 | Method of producing segmented chips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006176356A JP5275553B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 分割チップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010464A true JP2008010464A (ja) | 2008-01-17 |
JP5275553B2 JP5275553B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=38845963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006176356A Expired - Fee Related JP5275553B2 (ja) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 分割チップの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8021964B2 (ja) |
EP (1) | EP2041778A4 (ja) |
JP (1) | JP5275553B2 (ja) |
KR (1) | KR20090033187A (ja) |
CN (1) | CN101479835B (ja) |
MY (1) | MY147717A (ja) |
TW (1) | TW200822196A (ja) |
WO (1) | WO2008002790A1 (ja) |
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EP2041778A4 (en) | 2011-11-16 |
WO2008002790A1 (en) | 2008-01-03 |
EP2041778A1 (en) | 2009-04-01 |
TW200822196A (en) | 2008-05-16 |
US8021964B2 (en) | 2011-09-20 |
KR20090033187A (ko) | 2009-04-01 |
CN101479835A (zh) | 2009-07-08 |
CN101479835B (zh) | 2010-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |