JP2002373871A - Ｉｃチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ５０μｍ程度の厚さのシリコンウエハを加工
する場合であっても、シリコンウエハの破損等を防止
し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行え
るＩＣチップの製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも研削工程又はダイシング工程
において、補強シリコンウエハ薄膜を研削用テープ又は
ダイシングテープに貼り付けた状態でシリコンウエハの
加工を行うＩＣチップの製造方法であって、前記補強シ
リコンウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることによ
り粘着力が低下する粘着剤層を介してシリコンウエハが
支持体により補強されてなるものであるＩＣチップの製
造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、５０μｍ程度の厚
さの半導体ウエハを加工する場合であっても、半導体ウ
エハの破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチ
ップへの加工が行えるＩＣチップの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常
高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたの
ち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路
パターンを形成して、次いでウエハ裏面を研削機により
研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで
薄くし、最後にダイシングしてチップ化することによ
り、製造されている。

【０００３】ここで、上記研削時には、ウエハ表面に粘
着シート類（研削用テープ）を貼り付けて、ウエハの破
損を防止したり、研削加工を容易にしており、上記ダイ
シング時には、ウエハ裏面側に粘着シート類（ダイシン
グテープ）を貼り付けて、ウエハを接着固定した状態で
ダイシングし、形成されるチップをダイシングテープの
フイルム基材側よりニードルで突き上げてピックアップ
し、ダイパッド上に固定させている。

【０００４】近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれ
て、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりする
ことができる５０μｍ程度の薄さの半導体ウエハも要求
されるようになってきた。しかしながら、厚さが５０μ
ｍ程度の半導体ウエハは、従来の厚さが１００〜６００
μｍ程度の半導体ウエハに比べて反りが大きく衝撃によ
り割れやすくなるので取扱性に劣り、従来の半導体ウエ
ハと同様に加工しようとすると、破損する場合がある。

【０００５】なかでも、厚さが５０μｍ程度の半導体ウ
エハは、衝撃を受けやすい研削工程又はダイシング工程
で破損する危険性が高い。またＩＣチップの電極上にバ
ンプを作製する際にも破損しやすいため歩留まりが悪
い。このためＩＣチップの製造過程における５０μｍ程
度の厚さの半導体ウエハの取扱性の向上が重要な課題と
なっていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、５０μｍ程度の厚さの半導体ウエハを加工する場
合であっても、半導体ウエハの破損等を防止し、取扱性
を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチッ
プの製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも研
削工程又はダイシング工程において、補強半導体ウエハ
薄膜を研削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた
状態で半導体ウエハの加工を行うＩＣチップの製造方法
であって、前記補強半導体ウエハ薄膜は、エネルギーを
付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層を介し
て半導体ウエハが支持体により補強されてなるものであ
るＩＣチップの製造方法である。なお、本発明において
ＩＣチップとは、ＬＳＩチップ、ＶＬＳＩチップ、ＵＬ
ＳＩチップ等を含むものである。以下に本発明を詳述す
る。

【０００８】本発明のＩＣチップの製造方法は、少なく
とも研削工程又はダイシング工程において、補強半導体
ウエハ薄膜の状態で半導体ウエハの加工を行うものであ
る。上記半導体としては、例えば、シリコン、ガリウム
砒素等が挙げられる。上記研削工程は、高純度なシリコ
ン単結晶やガリウム砒素単結晶等をスライスして半導体
ウエハとし、ウエハ表面に所定の回路パターンを形成し
た後に行われる。なお、上記研削工程は、ウエハ裏面を
研削機により研削して、ウエハの厚さを薄くする工程で
ある。

【０００９】上記ダイシング工程は、表面に回路が形成
されたウエハを、ダイヤモンドカッターでチップに切り
分ける工程である。半導体ウエハが５０μｍ程度まで薄
くなった場合、ＩＣチップの製造工程のなかでも、研削
工程又はダイシング工程において半導体ウエハが破損す
る危険性が高い。

【００１０】上記補強半導体ウエハ薄膜は、エネルギー
を付与される前は充分な粘着力を有するものの、エネル
ギーを付与されることにより粘着力が低下する粘着剤層
を介して半導体ウエハが支持体により補強されてなるも
のである。このような補強半導体ウエハ薄膜もまた、本
発明の１つである。本発明に適用される半導体ウエハの
厚さとしては特に限定されないが、半導体ウエハが薄い
ほど破損防止の効果が発揮されやすく、５０μｍ程度、
例えば２０〜８０μｍの厚さの半導体ウエハである場合
に優れた破損防止の効果が発揮される。研削工程におい
ては、ウエハ裏面が研削されるため半導体ウエハの面の
うち粘着剤層と接する面は、回路が形成されている半導
体ウエハ表面に限定される。ダイシング工程において
は、粘着剤層と接する半導体ウエハの面は回路が形成さ
れている面であっても、回路が形成されていない面であ
ってもよい。

【００１１】本発明で用いられる粘着剤層は、エネルギ
ーを付与されることにより粘着力が低下するものであ
る。上記エネルギーとしては、電離放射線、紫外線、可
視光線等の光（以下、単に放射線ということがある）や
熱が挙げられる。本発明においては、補強半導体ウエハ
薄膜を研磨用テープ又はダイシングテープに貼り付けた
状態で加工した後、該補強半導体ウエハ薄膜を研削用テ
ープ又はダイシングテープから剥離しなくてはならな
い。このため、補強半導体ウエハ薄膜を研削用テープ又
はダイシングテープから剥離する際には、半導体ウエハ
を補強する支持体が剥離しないよう粘着剤層の粘着力が
低下しないことが必要である。

【００１２】上記粘着剤層が、光により粘着力が低下す
るものである場合、このような粘着剤層としては、例え
ば、分子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなるア
クリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸ア
ルキルエステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の
多官能オリゴマーとを主成分として含んでなる光硬化型
粘着剤等からなるものが挙げられる。

【００１３】このような光硬化型粘着剤は、放射線の照
射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋
して一体化するため、重合硬化による弾性率の増加が著
しくなって、粘着力の低下が大きくなる。

【００１４】上記重合性ポリマーは、例えば分子内に官
能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじ
め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基と放
射線重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能
基含有不飽和化合物という）と反応させることにより、
得ることができる。

【００１５】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の
（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル
基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アル
キルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステル
を主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと更に必
要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーと
を常法により共重合させることにより、得られるもので
あって、その分子量は、重量平均分子量で通常２０〜２
００万程度である。

【００１６】上記官能基含有モノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有
モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸
ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；ア
クリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポ
キシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチ
ル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネ
ート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタク
リル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げ
られる。

【００１７】また、共重合可能な他の改質用モノマーと
しては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチ
レン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられ
ている各種のモノマーが挙げられる。

【００１８】このような官能基含有（メタ）アクリル系
ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有
モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記ポリ
マーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有
モノマーやイソシアネート基含有モノマーが、同官能基
がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマ
ーが、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含
有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマー
が、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが、それぞれ用いられる。

【００１９】上記多官能オリゴマーは、その分子量が通
常１万以下であるのが好ましく、より好ましくは放射線
の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされ
るように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内の
放射線重合性の不飽和結合の数が２〜６個のものであ
る。このような特に好適な多官能オリゴマーとしては、
例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テ
トラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙
げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴ
エステルアクリレート又は上記同様のメタクリレート類
等も使用することができる。

【００２０】これらの多官能オリゴマーは、単独で用い
られてもよく、２種以上が併用されてもよい。

【００２１】上記光硬化型粘着剤は、上記重合性ポリマ
ー及び多官能オリゴマーを必須成分とするほか、その重
合硬化のための放射線として紫外線等の活性光線を用い
るときは、通常光重合開始剤を配合するのが好ましい。

【００２２】上記光重合開始剤としては、例えば、３７
０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化
されるものが用いられ、このような光重合開始剤として
は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノ
ン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル等のベン
ゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等
のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセ
ン誘導体化合物等の光ラジカル重合開始剤が挙げられ
る。このような光重合開始剤を用いることにより、通常
研削用テープやダイシングテープを剥離する際に使用さ
れる高圧又は超高圧水銀ランプによる紫外線照射によっ
ても粘着剤の粘着力は低下しない。これらの光重合開始
剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されて
もよい。

【００２３】上記光硬化型粘着剤には、以上の成分のほ
か、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望に
よりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ
化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化
合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面
活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加
えることもできる。

【００２４】研削工程又はダイシング工程終了後、得ら
れた半導体ウエハやＩＣチップを粘着剤層から剥離する
には、粘着剤層に紫外線等の活性光線やその他電子線、
γ線のような電離性放射線を照射して重合硬化させる。
これにより、粘着剤層の粘着性はほとんど失われる。こ
のため、５０μｍ程度の厚さの半導体ウエハの取扱性が
大幅に改良されて、半導体ウエハの加工が良好に行え
る。

【００２５】上記粘着剤層が、熱により粘着性が低下す
るものである場合、このような粘着剤層としては、例え
ば、下記（１）や（２）に掲げる粘着剤等が挙げられ
る。

【００２６】（１）室温より低いＴｇを有するアクリル
系粘着性ポリマーを架橋させた架橋ポリマーを主成分と
し、室温より高い融点を有する可塑剤を含有することを
特徴とするアクリル系粘着剤。

【００２７】上記室温より低いＴｇを有するアクリル系
粘着性ポリマーとしては、例えば、エチルアクリレート
（Ｔｇ：−２２℃）、ブチルアクリレート（Ｔｇ：−５
５℃）、２−エチルヘキシルアクリレート（Ｔｇ：−７
０℃）、メチルアクリレート（Ｔｇ：８℃）等をモノマ
ーとして重合したポリマーが挙げられる。なお、これら
の単独重合体に限らず、得られるアクリル系粘着剤ポリ
マーが室温より低いＴｇを有するものであれば共重合体
であってもよく、例えば、酢酸ビニル（Ｔｇ：３２
℃）、アクリロニトリル（Ｔｇ：９７℃）、アクリルア
マイド（Ｔｇ：１６５℃）、スチレン（Ｔｇ：８０
℃）、メチルメタクリレート（Ｔｇ：１０５℃）、メタ
クリル酸（Ｔｇ：２２８℃）、アクリル酸（Ｔｇ：１０
６℃）、ヒドロキシエチルメタクリレート（Ｔｇ、５５
℃）、ヒドロキシプロピルメタクリレート（Ｔｇ：７６
℃）、ジエチルアミノエチルメタクリレート（Ｔｇ１３
℃）等のモノマーと共重合されてあってもよい。

【００２８】上記アクリル系粘着性ポリマーは架橋され
ており、架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート
系架橋剤、アジリジン系架橋剤、ポリグリシジルアミン
系架橋剤、アクリル酸等が挙げられる。また、電子線等
により放射線架橋を行ってもよい。

【００２９】上記ポリイソシアネート系架橋剤として
は、例えば、トリレンジイソシアネート若しくはその水
素化物又はトリレンジイソシアネートのトリメチロール
プロパンとの付加物、トリフェニルメタントリイソシア
ネート、メチレンビス−ジ−フェニルイソシアネート若
しくはその水素化物、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロ
ヘキシルメタンジイソシアネート、あるいはこれらが重
合された分子内に２個以上のイソシアネート基を有する
重合物が挙げられる。

【００３０】上記アジリジン系架橋剤としては、１分子
中に少なくともアジリジニル基又は置換アジリジニル基
を２個以上有する化合物であり、例えば、Ｎ，Ｎ’−ヘ
キサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキ
シアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジ
リジニルプロピオネート、ビスイソフタロイル−１−
（２−メチルアジリジン）、トリ−１−アジリジニルホ
スフィンオキサイド、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−
４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、
Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカ
ルボキシアミド）、トリス−１−（２−メチルアジリジ
ン）ホスフィン、トリメチロールプロパン−トリ−β−
（２メチルアジリジン）プロピオネート等が挙げられ
る。これらの２種以上のアジリジン系架橋剤を併用して
もよい。

【００３１】上記ポリグリシジルアミン系架橋剤として
は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−
ジグリシジルトルイジン、ｍ−Ｎ，Ｎ−ジグリシジルア
ミノフェニルグリシジルエーテル、ｐ−Ｎ，Ｎ−ジグリ
シジルアミノフェニルグリシジルエーテル、トリグリシ
ジルイソシアネート、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリ
シジルアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラグリシジル−ｍ−キシジレンアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’−ペンタグリシジルエチレントリア
ミン等が挙げられる。架橋ポリマーは、アクリル系粘着
性ポリマーに架橋剤を混合したのち、必要に応じて有機
溶剤を加え加熱することにより得ることができる。

【００３２】「室温より低いＴｇを有する」とは、補強
半導体ウエハを取り扱う際の雰囲気温度より低いＴｇを
有することを意味する。より好ましいＴｇは２５℃以下
である。なお、ここでＴｇとは、周波数１０Ｈｚ、歪み
０．１％、温度−５０〜２００℃、昇温速度３℃／分の
条件でアクリル系粘着剤の動的粘弾性試験を行ったとき
の、アクリル系樹脂に関する損失正接（ｔａｎδ）のピ
ークにもとづくガラス転移温度のことである。

【００３３】室温より高い融点を有する可塑剤とは、ア
クリル系粘着性ポリマーのＴｇよりも高い融点を有する
可塑剤のことであり、アクリル系粘着性ポリマーの種類
により任意に選定されるものである。

【００３４】具体的には、アクリル酸の高級脂肪酸エス
テル、高級脂肪酸、フタル酸エステル及び燐酸エステル
であり、高級脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリ
ルアクリレート、ラウリルメタクリレート、ステアリル
アクリレート等が挙げられ、高級脂肪酸としては、例え
ば、ステアリン酸、ミリスチル酸、ラウリル酸等が挙げ
られ、フタル酸エステルとしては、例えば、フタル酸ジ
シクロヘキシルが挙げられ、燐酸エステルとしては、例
えば、燐酸トリフェニル等が挙げられる。なかでも、通
常、補強半導体ウエハを取り扱う雰囲気温度は１８℃〜
２５℃であることから、好ましくは、融点が２６℃以上
の可塑剤が好ましく、例えばステアリルアクリレート
（融点３０℃）等が挙げられる。なお、ステアリルアク
リレートはアクリル系粘着性ポリマーと相溶性にも優れ
るので好ましい。

【００３５】更に、上記加熱発泡型粘着剤には、必要に
応じて、既知の各種添加剤、例えば、軟化剤、充填剤、
安定剤、酸化防止剤、顔料、染料等が添加されてもよ
い。

【００３６】（２）粘着性ポリマーを主成分とし、熱発
泡剤を含有することを特徴とする加熱発泡型粘着剤。 上記粘着性ポリマーとしては、通常の粘着テープに用い
られるものであればよく、例えば、ゴム系、アクリル系
等の粘着性樹脂が挙げられる。上記熱発泡剤としては、
加熱により発泡するものであれば特に限定されず、有機
系発泡剤であっても無機系発泡剤であってもよい。

【００３７】上記有機系発泡剤としては、例えば、２，
２’−アゾビスイソブチロニトリル、アゾヘキサヒドロ
ベンゾニトリル、アゾジカルボンアミド、ジアゾアミノ
ベンゼン等のアゾ化合物、ベンゼンスルホヒドラジド、
ベンゼン−１，３−ジスルホヒドラジド、ジフェニルス
ルホン−３，３’−ジスルホヒドラジド、ジフェニルス
ルホキシド−４，４’−ジスルホヒドラジド等のスルホ
ヒドラジド化合物、Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレ
ンテトラミン、Ｎ，Ｎ’−ジニトロソ−Ｎ，Ｎ’−ジメ
チルテレフタルアミド等のニトロソ化合物、テレフタル
アジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド等のアジド
等のアジド化合物が挙げられる。また、無機系発泡剤と
しては、例えば、炭酸アンモニウム、重炭酸ナトリウム
等が挙げられる。上記熱発泡剤の含有量は特に限定され
ないが、発泡による粘着力の低下は、加熱前後の粘着剤
層の発泡倍率の影響が大きいので、発泡により粘着剤層
の体積が１．３倍以上となるように発泡剤を含有させる
ことが好ましい。

【００３８】上記加熱発泡型粘着剤には、凝集力を高め
るために、架橋剤を混合してもよい。上記架橋剤として
は、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架
橋剤、エポキシ系架橋剤等が挙げられる。また、電子線
等により放射線架橋を行ってもよい。更に、上記熱発泡
型粘着剤には、必要に応じて、既知の各種添加剤、例え
ば、可塑剤、軟化剤、充填剤、安定剤、酸化防止剤、顔
料、染料等が添加されてもよい。

【００３９】上記粘着剤層が熱により粘着力が低下する
ものである場合、研削工程又はダイシング工程終了後、
得られた半導体ウエハやＩＣチップを粘着剤層から剥離
するには、粘着剤層を加熱する。粘着剤層を加熱するこ
とにより、上記（１）に掲げる粘着剤では粘着剤層の表
面に可塑剤がしみだして粘着剤層の粘着性はほとんど失
われる。また、上記（２）に掲げる粘着剤では粘着剤層
に含まれる熱発泡剤が分解発泡して粘着剤層の表面及び
粘着剤層中に多数の気泡が生じ粘着力を著しく低減す
る。上記接着剤層の厚みとしては、５〜１００μｍであ
ることが好ましく、より好ましくは１０〜３０μｍであ
る。

【００４０】本発明で用いられる支持体としては特に限
定されず、例えば、ステンレス、銅、アルミ等の金属；
セラミック、ガラス等の無機材；アクリル、オレフィ
ン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、
ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂等からなる板
状体、箔又はシートが挙げられる。上記粘着剤層が、光
により粘着力が低下するものである場合、用いられる支
持体としては、その粘着剤層が硬化する波長の光を透過
するものであることが必要である。上記支持体の厚みと
しては、５０〜５００μｍであることが好ましく、より
好ましくは１００〜３００μｍである。そして上記支持
体としては、熱伝導性の高いものが好ましく、上記支持
体の熱伝導率としては、０．２Ｗ／ｍ・ｋ以上であるこ
とが好ましい。

【００４１】本発明においては、研削工程又は／及びダ
イシング工程において、上記補強半導体ウエハ薄膜を研
削用テープ又はダイシングテープに貼り付けた状態で加
工する。上記補強半導体ウエハ薄膜を研削用テープ又は
ダイシングテープに貼り付けた状態としては、図１に示
すように支持体が研削用テープ又はダイシングテープに
接している態様であってもよく、図２に示すように半導
体ウエハが研削用テープ又はダイシングテープに接して
いる態様であってもよい。ただし、半導体ウエハの裏面
が研削される際には支持体が研削用テープに接している
態様が好ましい。上記研削用テープ又はダイシングテー
プとしては特に限定されないが、公知の光硬化性粘着テ
ープを用いることができ、例えば、古河電工社製のＡｄ
ｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−シリーズや、日東電工社製の
エレップホルダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープ
が挙げられる。また、公知の加熱発泡型粘着テープも用
いられており、例えば、日東電工社製のリバアルファ
（登録商標）が挙げられる。

【００４２】研削用テープ又はダイシングテープとして
公知の光硬化性粘着テープを補強半導体ウエハ薄膜に貼
り付けた態様としては、図１に示すような態様において
は研削用テープやダイシングテープを硬化させるために
照射される紫外線により補強半導体ウエハの粘着剤層の
粘着力が低下する可能性があるため、加熱により粘着力
が低下する粘着剤であることが好ましい。また、研削用
テープ又はダイシングテープとして公知の加熱発泡型粘
着テープを補強半導体ウエハ薄膜に貼り付けた態様とし
ては、図１に示すような態様においては研削用テープや
ダイシングテープを加熱した際に補強半導体ウエハの粘
着剤層も加熱されるおそれがあるので、補強半導体ウエ
ハ薄膜の粘着剤層は光により粘着力が低下する粘着剤で
あることが好ましい。

【００４３】本発明のＩＣチップの製造方法において
は、まず、補強半導体ウエハ薄膜がダイシングされるこ
とにより、ＩＣチップに粘着剤層を介して支持体が付着
している補強半導体ウエハ小片が得られる。このような
補強半導体ウエハ小片もまた、本発明の１つである。上
記補強半導体ウエハ小片の大きさは、通常１辺数１００
μｍ〜数１０ｍｍである。上記補強半導体ウエハ小片を
半導体ウエハ側から基板上に固着した後、エネルギーを
付与することにより粘着剤層の粘着力を低下させて粘着
剤層からＩＣチップを剥離することにより導電接続構造
体が得られる。このような導電接続構造体の製造方法も
また、本発明の１つである。

【００４４】上記基板としては、例えば、紙フェノール
樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ガラスポリイミド樹脂等を
ベースとするプリント配線基板、ポリイミド、飽和ポリ
エステル樹脂等からなるフレキシブルプリント配線基
板、セラミック基板等が挙げられる。上記基板の構造と
しては、単層構造であってもよいし、複層構造であって
もよい。また他のチップに積層しても構わない。

【００４５】上記基板には、金、銀、銅、アルミニウ
ム、カーボン等の材料からなる配線が設けられており、
この配線の特定の位置に電極部が形成されている。上記
電極部は、これに接続する電子部品素子や他の基板の電
極部に対応した位置に形成されている。

【００４６】上記基板とＩＣチップとの接続方法として
は特に限定されず、例えば、ボンディング、ハンダ、導
電性微粒子、異方性導電膜等が挙げられる。

【００４７】

【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。

【００４８】（実施例１）２−エチルヘキシルアクリレ
ート、メチルアクリレート、アクリル酸を重量比２．７
／６．３／１の割合で酢酸エチルにて溶液重合を行い、
固形分３５％のアクリル系粘着性ポリマー溶液を得た。
次いで、得られた固形分３５％のポリマー溶液を固形分
換算で１００重量部用意し、これにエポキシ系架橋剤
（商品名Ｅ−５ＸＭ、総研化学社製）３５．５重量部、
可塑剤（フタル酸ジシクロヘキシル、融点６１℃）３
５．５重量部を加え混合し粘着剤を調製した。コロナ処
理した厚み５０μｍのＰＥＴフィルムのコロナ処理面に
粘着剤を乾燥後の厚みが１０μｍとなるように塗工し、
９０℃に加熱してアクリル系粘着性ポリマーを架橋させ
るとともに酢酸エチルを蒸発させて半導体ウエハ補強用
粘着テープを作製した。また、離型処理されたＰＥＴフ
ィルムに粘着剤を乾燥後の厚みが５００μｍとなるよう
に塗工し９０℃に加熱した後、離型ＰＥＴフィルムから
剥離して粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィル
ムを５ｍｍ×２０ｍｍの大きさに切り抜き、周波数１０
Ｈｚ、歪み０．１％、温度−５０〜２００℃、昇温速度
３℃／分の条件で動的粘弾性試験を行った。動的粘弾性
試験の結果からアクリル系樹脂に関する損失正接（ｔａ
ｎδ）のピークにもとづくガラス転移温度は１０℃であ
った。

【００４９】半導体ウエハ補強用粘着テープを厚み５０
μｍのシリコンウエハの上に貼りつけて補強半導体ウエ
ハを作製した。得られた補強半導体ウエハは、研削工程
において裏面を研削される際や、ダイシング工程におい
て半導体ウエハ小片に加工される際においても破損する
ことなく良好に取り扱うことができ、研削工程終了後も
しくはダイシング工程終了後に半導体ウエハ補強用粘着
テープを８０℃に加熱することにより、半導体ウエハ又
はＩＣチップから容易に半導体ウエハ補強用粘着テープ
を取り除くことができた。

【００５０】また、補強半導体ウエハ小片を回路基板に
接着させた後、半導体ウエハ補強用粘着テープを８０℃
に加熱してから半導体ウエハ補強用粘着テープを取り除
き、ＩＣチップと回路基板との間を配線で接続して導電
接続構造体を作製した。ここで、補強半導体ウエハ小片
は破損することなく取扱性に優れていた。

【００５１】（半導体ウエハ補強用粘着テープの剥離強
度評価）半導体ウエハ補強用粘着テープを厚さ５０μｍ
のシリコンウエハの上に貼りつけて補強半導体ウエハ薄
膜を作製した。粘着テープが貼りつけられていない半導
体ウエハ面を硬い板の上に市販の両面粘着テープで接着
した後、テンシロン型引張強度計に固定し、粘着テープ
の１８０度剥離強度を２５℃にて剥離速度３００ｍｍ／
ｍｉｎで測定した。次いで、８０℃に達した粘着テープ
の１８０度剥離強度を同様に測定した。なお、８０℃に
て１８０度剥離強度を測定するに際しては、粘着テープ
を収納したまま剥離強度を測定できる恒温槽をテンシロ
ン型引張強度計に取り付け、測定に先立ち恒温槽を用い
て粘着テープが８０℃に達するまで充分に加熱した。測
定された剥離強度は２５℃では５００ｇ／２５ｍｍであ
ったが、８０℃に加熱されると５０ｇ／２５ｍｍにまで
低下し粘着テープはシリコンウエハから剥離しやすくな
った。

【００５２】

【発明の効果】本発明は、上述の構成よりなるので、５
０μｍ程度の厚さの半導体ウエハを加工する場合であっ
ても、半導体ウエハの破損等を防止し、取扱性を改善
し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチップの製
造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】補強半導体ウエハ薄膜が支持体側で研削用テー
プ又はダイシングテープに貼り付いている態様を示す図
である。

【図２】補強半導体ウエハ薄膜がウエハ側で研削用テー
プ又はダイシングテープに貼り付いている態様を示す図
である。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２ 粘着剤層 ３ 支持体 ４ 研削用テープ又はダイシングテープ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも研削工程又はダイシング工程
   において、補強半導体ウエハ薄膜を研削用テープ又はダ
   イシングテープに貼り付けた状態で半導体ウエハの加工
   を行うＩＣチップの製造方法であって、前記補強半導体
   ウエハ薄膜は、エネルギーを付与されることにより粘着
   力が低下する粘着剤層を介して半導体ウエハが支持体に
   より補強されてなるものであることを特徴とするＩＣチ
   ップの製造方法。
2. 【請求項２】 エネルギーは、光又は熱であることを特
   徴とする請求項１記載のＩＣチップの製造方法。
3. 【請求項３】 半導体ウエハがエネルギーを付与される
   ことにより粘着力が低下する粘着剤層を介して支持体に
   より補強されてなることを特徴とする補強半導体ウエハ
   薄膜。
4. 【請求項４】 エネルギーは、光又は熱であることを特
   徴とする請求項３記載の補強半導体ウエハ薄膜。
5. 【請求項５】 請求項３又は４記載の補強半導体ウエハ
   薄膜がダイシングされてなることを特徴とする補強半導
   体ウエハ小片。
6. 【請求項６】 請求項５記載の補強半導体ウエハ小片を
   半導体ウエハ側から基板上に固着した後、エネルギーを
   付与することにより粘着剤層の粘着力を低下させて粘着
   剤層からＩＣチップを剥離することを特徴とする導電接
   続構造体の製造方法。
7. 【請求項７】 エネルギーは、光又は熱であることを特
   徴とする請求項６記載の導電接続構造体の製造方法。