JP2008192917A - ダイシングテープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】裏面研削終了後直ちに研削面にダイシングテープを貼着するインライン化工程を含む半導体装置の製造方法において、ダイシング工程後のチップのピックアップ工程におけるピックアップ不良を、簡便な手段により解消すること。
【解決手段】本発明に係るダイシングテープは、粘着成分と、遊離のエポキシ基含有化合物とを含み、エポキシ硬化剤を含まない粘着剤層が、基材上に剥離不能に積層されてなることを特徴としている。
【選択図】なし

Description

本発明は、ダイシングテープおよび半導体装置の製造方法に関し、特に、いわゆるインライン化プロセスを採用した際に、チップのピックアップ工程におけるピックアップ不良の低減を実現するダイシングテープおよび該テープを使用する半導体装置の製造方法に関する。

近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μm程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μmあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。裏面研削の際、回路面に表面保護シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行っている。その後、ダイシング、ピックアップ、ダイボンド、樹脂封止等の各種の工程を経て、半導体装置が製造されることになる。

半導体ウエハをダイシングし、チップ化する際には、半導体ウエハの裏面（研削面）にダイシングテープが貼着され、ダイシングテープ上にウエハを保持しつつウエハのダイシングを行っている。ダイシングテープとしては、種々のものが上市されているが、特にＵＶテープと呼ばれる紫外線硬化型粘着テープが好ましく用いられている。ＵＶテープは、紫外線照射により粘着剤層が硬化し、接着力が消失または激減する性質を有する。したがって、ウエハのダイシング時には、十分な接着力でウエハを固定することができ、ダイシング終了後には粘着剤層を紫外線硬化させることで、チップを容易にピックアップできる。

ダイシングテープを貼着するために、裏面研削が終了したウエハは、その後、ダイシングテープ貼着装置（マウンター）に移送される。この際、ウエハはウエハカセットと呼ばれる収容装置に収容され、マウンターへと移送される。

しかし、ウエハを極薄に研削するとウエハ自身に自己支持性がなくなり、自重でさえ破損する可能性がある。このため、極薄にまで研削されたウエハを、それ自体でウエハカセットに収容することは困難である。

強度が低下した半導体ウエハに支持機能を与えるため、プロセスのインライン化、すなわち、裏面研削終了後、直ちに研削面にダイシングテープを貼着し、その後、ダイシング工程に移送することが提案されている。たとえば、特許文献１には、このようなインライン化プロセスの一例が記載されている。このようなプロセスによれば、極薄にまで研削され強度が低下したウエハであっても、その裏面がダイシングテープにより補強されるため、支持機能が向上し、前記したウエハカセットによる移送が可能になる。

しかし、このようなインライン化の結果、チップのピックアップ不良の増大という予期せぬ問題が発生した。これは、チップ裏面と粘着剤層との接着力が増大し、チップのピックアップが困難になるという問題であり、ダイシングテープとしてＵＶテープを使用した場合においてもピックアップ不良は増大した。

この原因として、特許文献２においては、ウエハ裏面の酸化物層の形成不足が指摘されている。すなわち、裏面研削直後のウエハ裏面は酸化物層が除去され活性化状態にある。この状態で裏面にダイシングテープを貼着すると、裏面と粘着剤層との間の親和性が強いため、ウエハと粘着剤層とが過度に密着し、これがピックアップ不良の原因となると考え
られている。特許文献２では、かかる問題を解消するため、裏面研削終了後、ウエハ裏面に酸化物層を形成し、ウエハ裏面の活性を低下させることが提案されている。

しかし、特許文献２の方法では、酸化物層を形成するための工程が新たに加わるため、プロセスが複雑となり、また酸化物層を形成するための装置も必要になる。
また、近年は生産性向上のため、ピックアップ速度は高速化している。すなわち、チップのピックアップ時には、突き上げピンでチップを押し上げ、吸引コレットにてチップを保持し剥離を行うが、その際の突き上げピンの押し上げ速度が速くなっている。この結果、チップとダイシングテープとの剥離が不十分となり、チップのピックアップが困難となったり、あるいはチップの損傷が多発するようになった。
特開２００２−３４３７５６号公報 特開２００５−７２１４０号公報

したがって、上記のような裏面研削終了後直ちに研削面にダイシングテープを貼着するインライン化工程を含む半導体装置の製造方法において、より簡便な手段により、ピックアップ不良を解消することが要請される。本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ダイシングテープに使用される粘着剤の組成に検討を加え、上記要請に応えることを目的としている。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）粘着成分と、遊離のエポキシ基含有化合物とを含み、エポキシ硬化剤を含まない粘着剤層が、基材上に剥離不能に積層されてなるダイシングテープ。
（２）基材の粘着剤層側の面の表面張力が、４５ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする上記（１）に記載のダイシングテープ。
（３）粘着成分がエネルギー線硬化性であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のダイシングテープ。
（４）表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削する工程、
該半導体ウエハ裏面に上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、および
半導体チップをピックアップする工程
を含む半導体装置の製造方法。

本発明によれば、特殊な組成の粘着剤層を有するダイシングテープを用いるため、裏面研削直後のウエハ面に対して粘着剤層が過度に密着せず、ダイシング後のチップのピックアップを確実に行えるようになる。

以下、本発明についてさらに具体的に説明する。まず、本発明に係るダイシングテープについて説明する。
本発明に係るダイシングテープは、基材上に粘着剤層が剥離不能に積層されてなる。ここで、剥離不能とは、通常の使用条件下では、ダイシングテープの貼着、剥離を行っても、粘着剤層が被着体に転写されず、基材と一体化して被着体から剥離されることを意味する。

本発明に係るダイシングテープの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。
基材は、特に限定はされないが、耐水性および耐熱性に優れているものが適し、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、エチレン・プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エチレン・塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、アイオノマー等からなるフィルムなどが用いられる。また、これら合成樹脂フィルムは、２種以上を積層したり、組み合わせて用いることもできる。さらに、これらフィルムを着色したもの、あるいは印刷を施したもの等も使用することができる。また、フィルムは熱可塑性樹脂を押出成形によりシート化したものであってもよく、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化、硬化してシート化したものが使われてもよい。

基材の厚さは、特に限定はされないが、通常５〜５００μｍであり、好ましくは１０〜３００μｍである。また、基材の粘着剤層と接する面には接着剤層との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。粘着剤層との密着性が良好な基材は、通常、表面張力が高い値を示す。本発明に用いる基材の粘着剤層側の面の表面張力は、好ましくは４５ｍＮ／ｍ以上であり、５０〜８０ｍＮ／ｍがより好ましい。

なお、本発明の半導体装置の製造方法を実施する際には、チップのピックアップ時にダイシングテープをエキスパンドし、チップ間隔を離間することがある。この場合には、基材としては、延伸性に優れたエチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エチレン・塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体等が好ましく使用される。

また、粘着成分として、紫外線などのエネルギー線により硬化するタイプの粘着剤を使用する場合には、紫外線等に対して透明な基材が使用される。
基材上に形成される粘着剤層は、粘着成分と、エポキシ基含有化合物とを含み、エポキシ硬化剤を含まない。

粘着成分は、適度な再剥離性があればその種類は特定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系など汎用の粘着剤から形成されてもよい。これらの中でも特にアクリル系粘着剤が好ましく用いられる。

アクリル系粘着剤としては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび官能基含有モノマーを主原料として得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体を主成分とするものが挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、たとえば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸エステルモノマーとして（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル等の脂環族基または芳香族基を有するアルキルエステルが用いられてもよい。これらのモノマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

官能基含有モノマーとしては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を分子内に有するモノマーが用いられ、好ましくはヒドロキ
シル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物が用いられる。このような官能基含有モノマーの、具体的な例としては、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル；（メタ）アクリル酸モノメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸モノエチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸モノアルキルアミノアルキル；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸などのカルボキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸アセトアセトキシメチルなどが挙げられる。これらの単量体は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（メタ）アクリル酸エステル共重合体に用いられる、（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび官能基含有モノマー以外の共重合性モノマーとして、アクリロニトリル、アクリルアミド、酢酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステルなどが挙げられる。

なお、カルボキシル基やアミノ基等の官能基はエポキシ基と反応してエポキシ基含有化合物を消費する可能性があるため、（メタ）アクリル酸エステル共重合体の原料としてこれらの官能基を含有するモノマーを配合する場合は、その比率が少ない方がよい。

（メタ）アクリル酸エステル共重合体の分子量は、好ましくは１００，０００以上であり、特に好ましくは１５０，０００〜１，０００，０００である。またアクリル系粘着剤のガラス転移温度は、通常２０℃以下、好ましくは−７０〜０℃程度であり、常温（２３℃）においては粘着性を有する。

また、粘着剤層は、紫外線等のエネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化性の粘着剤を含む組成物から形成されたものが好ましい。エネルギー線硬化性の粘着剤は、一般的には、上記（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。

エネルギー線重合性化合物としては、たとえば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが用いられる。

エネルギー線硬化性の粘着剤層中の（メタ）アクリル酸エステル共重合体とエネルギー線重合性化合物との配合比は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００重量部に対してエネルギー線重合性化合物は１０〜１０００重量部、好ましくは２０〜５００重量部、特に好ましくは５０〜２００重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、ダイシング時にはウエハ、チップを確実に保持でき、ピックアップ時はエネルギー線照射により粘着力が大幅に低下するため、チップのピックアップを確実に行える。

また、エネルギー線硬化性の粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、上記のような（メタ）アクリル酸エステル
共重合体にエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を有する側鎖が設けられたものが挙げられ、たとえば、（メタ）アクリル酸エステル共重合体の官能基と反応し得る置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合が含まれている化合物を、（メタ）アクリル酸エステル共重合体と反応させることによって得られる。

エネルギー線として紫外線を用いる場合には、粘着剤層中に光重合開始剤を配合することが好ましい。光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２,４−ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンあるいは２,４,６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。

光重合開始剤の配合割合は、粘着剤層中のエネルギー線重合性化合物やエネルギー線重合性基の割合や反応性により様々であるが、一般的にはエネルギー線硬化型粘着剤（エネルギー線硬化型共重合体）１００質量部に対して、０．１〜１０質量部、好ましくは０．５〜５質量部程度用いられる。

さらに、粘着剤層はエポキシ基含有化合物が配合されてなる。
本発明で使用されるエポキシ基含有化合物としては、分子内に少なくとも１個のエポキシ基を有し、エポキシ硬化剤により加熱硬化が可能である化合物が挙げられ、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂などが挙げられる。

エポキシ基含有化合物の分子量は、比較的低いことが好ましく、３００〜２０００、好ましくは３５０〜１０００である。分子量がこの範囲であれば、貼付後のチップと粘着剤の界面に存在するエポキシ基含有化合物がチップ側に転写しやすくなり、チップのピックアップ力を低減させる効果をもつ。

エポキシ基含有化合物は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体との反応性が不活性であることが好ましいので、アミノ基等の、エポキシ基を活性化させるような官能基を持たない化合物であることが好ましい。

エポキシ基含有化合物の配合割合は、エポキシ基含有化合物の種類により一概には決定できないが、一般的には粘着剤層を構成する全成分の合計１００質量部中に、０．５〜５０質量部、好ましくは２．５〜２５質量部程度用いられる。

上記したエポキシ基含有化合物の配合割合は、仕込時の組成を示すが、上記エポキシ含有化合物は、粘着剤層中に遊離の状態で含まれている。すなわち、粘着剤層は“遊離のエポキシ基含有化合物”を含んでいる。ここで、遊離の状態とは、エポキシ基含有化合物が（メタ）アクリル酸エステル共重合体と実質的に未反応の状態にあり、（メタ）アクリル酸エステル共重合体のゲル成分のマトリクス中にエポキシ基含有化合物が取り込まれていない状態にあることをいう。具体的には、粘着剤層のゾル成分のエポキシ基の滴定によって、未反応のエポキシ基含有化合物の有無が判断できる。本発明においては、エポキシ当量の逆数の１０００倍で表される「エポキシ指数」で評価した。「エポキシ指数」は試料１ｋｇあたりのエポキシ基の量を示し、本発明においては、粘着剤のゾル分中におけるエポキシ基の量を測定し、これを粘着剤全体（ゾル分とゲル分をともに含む）の１ｋｇあたりの値の換算値とした。エポキシ指数の値は、好ましくは０．０５eq/kg以上であり、よ
り好ましくは０．１〜２．０eq/kgである。なお、この「エポキシ指数」の値は、後述す
る実施例における測定方法により得られる値である。

したがって、本発明における粘着剤層には、上記エポキシ基含有化合物を重合させる作用を有する物質（エポキシ硬化剤）は実質的に含まれない。粘着剤層中にエポキシ硬化剤が含まれると、半導体ウエハの貼付後、エポキシ基含有化合物が硬化し、半導体ウエハと粘着剤層とが接着することがあり、ピックアップ不良の原因となる。実質的に含まれることのないエポキシ硬化剤としては、アミン類、有機酸、酸無水物、フェノール樹脂、尿素樹脂、ポリアミドがあげられる。

上記のように本発明における粘着剤層は、実質的に粘着成分およびエポキシ基含有化合物のみからなる。ここで、粘着成分は、上記のように、エネルギー線硬化性の粘着成分であってもよい。

また、本発明における粘着剤層には、粘着成分およびエポキシ基含有化合物に加えて、本発明の趣旨を損なわない範囲で他の成分が配合されていてもよい。他の成分としては、前述した光重合開始剤の他、架橋剤（上記粘着成分用の架橋剤）、無機充填材、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、老化防止剤、顔料、染料等があげられる。

架橋剤としては、多価イソシアナート化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等の公知の物が使用できる。多価イソシアナート化合物としては、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナートおよびこれらの多価イソシアナートと多価アルコールとの付加物等が用いられる。多価アジリジン化合物としては、トリス-2,4,6-(1-アジリジニル)-1,3,5-トリアジン、トリス[1-(2-メチル)アジリジニル]トリホスファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物としてはエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が用いられる。これらは単独で用いても、混合して用いても構わない。

架橋剤は粘着成分１００質量部に対して通常０．０１〜１０質量部、好ましくは０．１〜５質量部、より好ましくは０．５〜３質量部の比率で用いられる。
粘着剤層の厚さは、特に限定はされないが、通常１〜１００μｍであり、好ましくは５〜４０μｍである。

上記のような未反応のエポキシ基含有化合物を含む粘着剤層に、半導体ウエハなどの被着体を貼付すると、粘着剤層中のエポキシ基含有化合物が滲み出し、被着体との界面に油膜を形成したような状態となる。この結果、粘着剤層が被着体に過度に密着することがなくなり、たとえ研削直後のウエハ裏面が活性化された状態であっても、適度な剥離性が得られる。したがって、ダイシング後のチップのピックアップ不良が低減される。

本発明のダイシングテープの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、粘着剤層を構成する各成分を適宜な溶媒に溶解または分散してなる組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また粘着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、ダイシングテープの使用前に、粘着剤層を保護するために、粘着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。

次に、本発明のダイシングテープを使用した半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削する。半導体ウエハは、シリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。

ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む、様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路が形成される。このようなウエハの研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は６５０〜７５０μｍ程度である。

また、裏面研削時には、表面の回路を保護するために、回路面に表面保護シートに貼付しておくことが好ましい。表面保護シートとしては、この種の用途に用いられている各種の再剥離可能な粘着シートが特に制限されることなく用いられる。

裏面の研削は、グラインダーおよびウエハ固定のための吸着テーブル等を用いた公知の手法により行われる。裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。

裏面研削工程後のウエハの厚みは特に限定はされないが、本発明の目的によれば、極薄の加工に好適なインライン処理に適合するため、その裏面研削による仕上げ厚は、好ましくは２０〜１００μｍ程度である。しかし、通常の工程にも適用可能であるため、１００〜４００μｍ程度の通常の仕上げ厚でも適用可能である。

次いで、ウエハの裏面に本発明のダイシングテープを貼付する。ダイシングテープの貼付は、ローラーを備えたマウンターと呼ばれる装置により行われるのが一般的だが、特に限定はされない。

ダイシングテープとしては、上述した紫外線硬化型粘着テープが、ピックアップ力の低減が可能であるため、特に好ましく用いられる。本発明のダイシングテープによれば、その貼付によって、粘着剤層中に含まれるエポキシ基含有化合物がウエハの研削面に油膜を形成するため、ウエハ研削面と粘着剤との相互作用が少なくなる。このため、たとえ研削直後の研削面が活性化状態にあるウエハであっても、ウエハと粘着剤層とが過度に接着することがなくなり、適度な剥離性が達成され、ダイシング後のピックアップ工程におけるピックアップ性が著しく向上する。

したがって、本発明は、ダイシング直後の研削面が活性化状態にあるウエハに対して特に好ましく適用される。すなわち、本発明の効果は、グラインダーとダイシングテープ貼付装置が一体となったインライン処理装置を使用した半導体装置の製造工程におけるピックアップ不良という課題の解決に対して、顕著に現れる。したがって、本発明によれば、ウエハ研削工程とダイシングテープの貼付工程との間が、たとえば０．５〜３分程度であっても所望のピックアップ性が達成される。

半導体ウエハのダイシング方法は特に限定はされない。一例として、ウエハのダイシング時には、ダイシングテープの周辺部を、リングフレームにより固定した後、ダイサーなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法により、ウエハのチップ化を行う。表面保護シートは、ダイシングテープの貼着後、任意の段階で剥離される。

次いで、得られたチップを、ダイシングテープからピックアップする。チップのピックアップは、回路面側から吸引コレットを用いて行うのが一般的であり、またコレットによる吸引と同時に、ダイシングテープ側から突き上げピンによりチップを押し上げてもよい。また、ダイシングテープとしてエネルギー線硬化型粘着テープを用いた場合には、チップのピックアップに先立ち、粘着剤層にエネルギー線照射し、接着力を低下させておくことが好ましい。

ピックアップ工程において、突き上げピンの一連の動作の頂部付近でダイシングテープの剥離が十分であれば吸引コレットがチップを把持でき、ピックアップが可能となる。ところが、近年の半導体の生産現場においては、生産性の向上を目的としてピックアップ工程における突き上げ速度を高速に設定する場合が多い。このため、従来のダイシングテープを用いてダイシングテープとチップ裏面との密着性が過度になり、突き上げピンの一連の動作の頂部付近では、まだチップの剥離が不十分である。このため、吸引コレットがチップに近づいてもチップを把持しきれずピックアップ不良となってしまう。

本発明によれば、ダイシングテープの貼付により、半導体ウエハの裏面にエポキシ基含有化合物の油膜が形成される。これにより、ウエハ裏面とダイシングテープの粘着剤層との間での相互作用が小さくなるため、ウエハとダイシングテープとが過度に接着せず、ダイシング後のチップのピックアップ工程におけるピックアップ不良を低減することができる。

ピックアップされたチップは、その後、常法によりダイボンド、樹脂封止がされ半導体装置が製造される。ピックアップされたチップには、その裏面にエポキシ基含有化合物の油膜が付着しているが、最終的な半導体装置においては、ダイボンドや樹脂封止に使用されるエポキシ樹脂と一体となって硬化するため、残留物による悪影響は生じない。
（実施例）
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

なお、以下の実施例および比較例において、「ピックアップ時間」、「ピックアップ力」の評価は次のように行った。
シリコン製のダミーウエハ（直径125mm、厚さ650μm）をグラインド装置を用いて厚み350μmまで研削を行った。グラインド装置による研削処理終了後５分以内に実施例および
比較例のダイシングテープをウエハ研削面に貼付した。続いて、研削処理終了後１時間以内にウエハを10mm×10mmのチップサイズにダイシングを行った。さらにダイシング後６時間以内にダイシングテープにエネルギー線として紫外線を基材面より照射した。紫外線照射後１２〜２４時間の間でチップをピックアップしてそのピックアップ時間（チップがテープから剥がれる時間）とピックアップ力（突き上げピンに掛かる最大荷重）を測定し、ピックアップ性を評価した。

また、比較のため、研削後７日経過し活性が消失したと考えられるウエハについても同様にピックアップ性を評価した。
各工程の条件は以下のとおりである。

（研削工程）
グラインド装置：ディスコ社製 DFG840
（ダイシングテープ貼付工程）
貼付装置：リンテック社製 RAD2500ｍ/8
リングフレーム：ディスコ社製 2-6-1
（ダイシング工程）
ダイシング装置：東京精密社製 A-WD-4000B
ブレード：ディスコ社製 NBC-ZH2050 27HECC
切り込み量：フルカット（ダイシングテープに30μm切り込み）
（紫外線照射工程）
紫外線照射装置：リンテック社製 RAD2000m/8
照度：330mW/cm²
光量：210mJ/cm²
（照度、光量測定にはアイグラフィックス社製 UV METER UVPF-36を使用した）
窒素パージ：有り（流量30 リットル/分）
（ピックアップ工程）
突き上げピン数：４ピン
ピン位置：１辺8mmの正方形の頂点
エキスパンド量：リングフレーム2mm引き落とし
ピン突き上げ量：1.5mm
突き上げ速度：0.3mm/秒
（エポキシ指数）
また、実施例および比較例において、粘着剤の「エポキシ指数」の測定は、JIS K7236
に準拠し、指示薬滴定法にて行った。試料として、ダイシングテープの製造過程において基材上に積層しない状態で採取した粘着剤を、室温で１週間エージングしてから測定に供した。測定用の粘着剤約０．１〜１．０ｇをソックスレーにより酢酸エチル溶媒にて抽出してゾル成分を得た。エポキシ指数の滴定は、酢酸エチル溶媒を揮発し、前記ゾル成分をクロロホルム約50mlで溶解した状態で行った。なお、表１におけるエポキシ指数は抽出前の粘着剤重量１ｋｇ当たりの換算値である。

（分子量）
測定装置：東ソー社製 HLC-8020、AS-8020、SD-8000、UV-8020
カラム：TSK gel GMH
流速：1.0ml/秒
溶媒：THF（テトラヒドロフラン）
温度：35〜40℃（INLET：35℃、OVEN：40℃、RI：35℃）
サンプル注入量：80μl
サンプル濃度：固形0.8〜1.3%
検量線：ポリスチレン換算
（実施例１）
エネルギー線硬化型粘着成分として、下記のエネルギー線硬化型ポリマーを用いた。

アクリルポリマー（ブチルアクリレート／メチルメタクリレート／ヒドロキシエチルアクリレート＝６５／２０／１５（質量比）、重量平均分子量＝約５０万）に、メタクリロイルオキシエチルアクリレートを８０％当量（アクリルポリマー１００質量部に対し１６質量部）反応させたエネルギー線硬化型ポリマー
エネルギー線硬化型ポリマー１００質量部に、光重合開始剤（チバ・スペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア（登録商標）１８４）３．５質量部、エポキシ基含有化合物（大日本インキ化学工業（株）製、商品名エピクロン（登録商標）EXA-4850-150、分子量約９００）１０質量部、およびイソシアナート化合物（東洋インキ製造社製、BHS-8515）１．０７質量部を配合（すべて固形分換算による配合比）し、粘着剤組成物とした。

この粘着剤組成物を剥離フィルム（リンテック社製、SP-PET3811(S)、厚さ３８μm）に乾燥後の塗布量が１０g／m²となるように塗布し１００℃で１分乾燥した後、基材として
、片面にコロナ処理を施したエチレン・メタクリル酸共重合体フィルム（厚さ８０μm、
コロナ処理面の表面張力５４ｍＮ／ｍ）のコロナ処理面に積層し、ダイシングテープを得た。

得られたダイシングテープを用いて、上記方法にて「ピックアップ時間」、「ピックアップ力」を評価した。結果を表１に示す。
（実施例２）
エポキシ基含有化合物の配合量を２０質量部とした以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

（実施例３）
エネルギー線硬化型粘着成分として、下記のエネルギー線硬化型ポリマーを用い、光重合開始剤（チバ・スペシャリティケミカルズ社製、イルガキュア（登録商標）１８４）３．２５質量部を配合した以外は、実施例１と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

アクリルポリマー（ブチルアクリレート／ヒドロキシエチルアクリレート＝８５／１５（質量比）、重量平均分子量＝約８４万）に、メタクリロイルオキシエチルアクリレートを８０％当量（アクリルポリマー１００質量部に対し１６質量部）反応させたエネルギー線硬化型ポリマー。

（実施例４）
エポキシ基含有化合物としてジャパン・エポキシレジン社製、エピコート（登録商標）８２８（分子量３７０）を２０質量部とした以外は実施例３と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

（実施例５）
エポキシ基含有化合物としてジャパン・エポキシレジン社製、エピコート（登録商標）８０６（分子量約３３０）を２０質量部とした以外は実施例３と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

（比較例１）
エポキシ基含有化合物を使用しなかった以外は、実施例１及び実施例２と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

（比較例２）
エポキシ基含有化合物を使用しなかった以外は、実施例３、実施例４及び実施例５と同様にしてダイシングテープを得た。結果を表１に示す。

表１より、実施例の研削直後におけるピックアップ性は、エポキシ基含有化合物を使用しない比較例の研削後７日後のピックアップ性と同等かそれよりも優れた値を示している。従って、実施例のダイシングテープは、ウエハの裏面を研削した直後に貼付されたとしても、問題なくピックアップ工程を行うことができる。

本発明によれば、特殊な組成の粘着剤層を有するダイシングテープを用いるため、裏面
研削直後のウエハ面に対して粘着剤層が過度に密着せず、ダイシング後のチップのピックアップを確実に行えるようになる。

Claims (4)

1. 粘着成分と、遊離のエポキシ基含有化合物とを含み、エポキシ硬化剤を含まない粘着剤層が、基材上に剥離不能に積層されてなるダイシングテープ。
2. 基材の粘着剤層側の面の表面張力が、４５ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。
3. 粘着成分がエネルギー線硬化性であることを特徴とする請求項１または２に記載のダイシングテープ。
4. 表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削する工程、
   該半導体ウエハ裏面に請求項１〜３のいずれかに記載のダイシングテープを貼着し、該ウエハをダイシングしチップ化する工程、および
   半導体チップをピックアップする工程
   を含む半導体装置の製造方法。