JP6193663B2 - ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、このようなダイボンドフィルムは熱硬化性であるため、冷蔵で輸送、保管する必要があるが、その際にダイボンドフィルムにヒビ、割れ、カケが生じるおそれがあり、使用可能なフィルムが減少してしまう課題もあった。
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングテープ付きダイボンドフィルムであって、
前記ダイボンドフィルムが、熱可塑性樹脂(a)と、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)とを含有し、
前記熱硬化性樹脂(b)が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、
前記熱硬化性樹脂(b)の全樹脂成分に対する含有量が1重量%以上50重量%以下であり、
前記ダイボンドフィルムの170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率が0.05MPa以上であることを特徴とする。
また、前記ダイボンドフィルムが、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)を全樹脂成分に対して1重量%以上含有するため、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。一方、前記熱硬化性樹脂(b)を全樹脂成分に対して50重量%以下含有するため、過度なタック性を抑制でき、ピックアップ性を良好とすることができる。
また、前記ダイボンドフィルムの170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率が0.05MPa以上であるため、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。
前記半導体ウェハを前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、
前記半導体素子を、前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止する工程とを有することを特徴とする。
ダイボンドフィルム3は、熱可塑性樹脂(a)と、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)とを含有する。ダイボンドフィルム3の170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率は、0.05MPa以上であり、0.07MPa以上であることが好ましい。また、ダイボンドフィルム3の170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率は、特に制限されないが、例えば、2000MPa以下である。ダイボンドフィルム3の170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率は、0.05MPa以上であるため、耐湿半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。
前記熱可塑性樹脂(a)としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、官能基含有アクリル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、官能基含有アクリル共重合体が特に好ましい。熱硬化時に、この官能基と、熱硬化性樹脂(b)との間で架橋が進行する。その結果、低分子成分が架橋される結果、耐熱半田リフロー試験での信頼性を良好とすることができる。
前記熱硬化性樹脂(b)は、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secであり、0.5〜40Pa・secであることがより好ましい。また、前記熱硬化性樹脂(b)の全樹脂成分(ダイボンドフィルムの全樹脂成分)に対する含有量は、1重量%以上50重量%以下であり、1重量%以上40重量%以下であることが好ましい。ダイボンドフィルム3が、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)を全樹脂成分に対して1重量%以上含有するため、冷蔵輸送、保管した際にもフィルムにヒビ、割れ、カケが生じることを抑制することが可能となる。一方、前記熱硬化性樹脂(b)を全樹脂成分に対して50重量%以下含有するため、過度なタック性を抑制でき、ピックアップ性を良好とすることができる。
また、前記熱硬化性樹脂(b)の重量平均分子量は、100以上5000以下であることが好ましく、より好ましくは200以上3000以下である。前記熱硬化性樹脂(b)の重量平均分子量を100以上5000以下とすることにより、他の材料と相溶性良く分散できる。また、ダイシングテープへの移行を防止することができる。なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値をいう。
ダイシングテープ付きダイボンドフィルム10、11を構成するダイシングテープは、基材1上に粘着剤層2が積層された構造である。以下、基材及び粘着剤層の順で説明する。
前記基材1は紫外線透過性を有するものを使用することができ、ダイシングテープ付きダイボンドフィルム10、11の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属(箔)、紙等が挙げられる。
本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルム10、11は、例えばダイシングテープ及びダイボンドフィルムを別々に作製しておき、最後にこれらを貼り合わせることにより作成することができる。具体的には、以下のような手順に従って作製することができる。
次に、本実施の形態に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルム10を用いた半導体装置の製造方法について、以下に説明する。
前記被着体上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」という。)82.1部、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル(以下、「HEA」という。)13.2部、過酸化ベンゾイル0.2部及びトルエン67部を入れ、窒素気流中で60℃にて6時間重合処理をし、アクリル系ポリマーAを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8000−4L)70部と、エポキシ樹脂(DIC製、HP−4700)15部と、球状シリカ(アドマテックス(株)製、SO−25R)30部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。なお、明和化成(株)製、MEH−8000−4Lは、オルト位にアリル基を有する熱硬化性樹脂である。すなわち、MEH−8000−4Lは、化学式(1)のR1におけるアリル基の数とHの数の割合(アリル基の数):(Hの数)が1:3の場合に相当する。MEH−8000−4Lの重量平均分子量は、400である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムAを作製した。
このダイボンドフィルムAを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムAを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8015)30部と、エポキシ樹脂(DIC製、HP−4700)10部と、球状シリカ(アドマテックス(株)製、SO−25R)150部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。なお、明和化成(株)製、MEH−8000Hは、オルト位にアリル基を有する熱硬化性樹脂である。すなわち、MEH−8000Hは、化学式(1)のR1におけるアリル基の数とHの数の割合(アリル基の数):(Hの数)が1:3の場合に相当する。MEH−8000Hの重量平均分子量は、510である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムBを作製した。
このダイボンドフィルムBを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムBを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8000−4L)1.5部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムCを作製した。
このダイボンドフィルムCを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムCを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのカルボキシル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8000−4L)1.5部と、エポキシ樹脂(DIC製、HP−4700)1.5部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムDを作製した。
このダイボンドフィルムDを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムDを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(三菱化学(株)製、828XA)1.5部と、エポキシ樹脂(DIC製、HP−4700)1.5部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。なお、三菱化学(株)製、828XAは、ビスフェノールA型のエポキシ樹脂である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムEを作製した。
このダイボンドフィルムEを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本実施例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムEを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、HF−1M)1.5部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。なお、明和化成(株)製、HF−1M式は、一般的な固形のノボラック型フェノール樹脂である。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムFを作製した。
このダイボンドフィルムFを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムFを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、HF−1M)90部と、エポキシ樹脂(DIC製、HP−4700)90部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムGを作製した。 このダイボンドフィルムGを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムGを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8000−4L)1部とをメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムHを作製した。
このダイボンドフィルムHを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムHを得た。
熱可塑性樹脂(a)としてのグリシジル基含有アクリル共重合体(ナガセケムテックス(株)製、SG−P3)100部と、熱硬化性樹脂(b)としての(明和化成(株)製、MEH−8000−4L)120部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ25μmのダイボンドフィルムIを作製した。
このダイボンドフィルムIを前述のダイシングテープAにおける粘着剤層側に転写して、本比較例に係るダイシングテープ付きダイボンドフィルムIを得た。
実施例、比較例で用いた熱硬化性樹脂(b)について、粘度計(RE80U(東機産業(株)製))を用い、ローターコードNo.1を使用して測定した。測定条件は、下記の通りとした。結果を表1、表2に示す。
測定時間:5分
回転数:実施例1〜4、比較例3、及び、比較例4は20rpm
実施例5は、4rpm
実施例、比較例で作成したダイボンドフィルムを厚さ200um、幅10mmの短冊状とした。次に引張試験機(テンシロン、島津製作所社製)を用い、引張り速度0.5mm/分、チャック間距離20mmで測定した。破断伸度は下記式により算出した。結果を表1、表2に示す。
破断伸度(%)=(((破断時のチャック間長さ(mm))−20)/20)×100
実施例、比較例で作成したダイボンドフィルムを、170℃で1時間加熱硬化させた。その後、厚さ200μm、幅10mmの短冊状とした。次に、固体粘弾性測定装置(RSA(III)、レオメトリックサイエンティフィック社製)を用いて、−50〜300℃での貯蔵弾性率を周波数1Hz、昇温速度10℃/分の条件下にて測定した。その際の260℃での貯蔵弾性率を、表1、表2に示す。
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを60℃で9.5mm角のミラーチップに貼り付け、温度120℃、圧力0.1MPa、時間1sの条件でBGA基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて130℃で2時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン(TOWAプレス社製、マニュアルプレスY−1)を用いて、成形温度175℃、クランプ圧力184kN、トランスファー圧力5kN、時間120秒、封止樹脂GE−100(日東電工(株)製)の条件下で封止工程を行った。封止工程後のボイドを超音波映像装置(日立ファインテック社製、FS200II)を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を二値化ソフト(WinRoof ver.5.6)を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して10%未満であった場合を「○」、10%以上30%未満であった場合を「△」、30%以上の場合を「×」として評価した。結果を表1、表2に示す。
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを60℃で9.5mm角のミラーチップに貼り付け、温度120℃、圧力0.1MPa、時間1sの条件でBGA基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて170℃で1時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン(TOWAプレス社製、マニュアルプレスY−1)を用いて、成形温度175℃、クランプ圧力184kN、トランスファー圧力5kN、時間120秒、封止樹脂GE−100(日東電工(株)製)の条件下で封止工程を行った。封止工程後のボイドを超音波映像装置(日立ファインテック社製、FS200II)を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を二値化ソフト(WinRoof ver.5.6)を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して10%未満であった場合を「○」、10%以上30%未満であった場合を「△」、30%以上の場合を「×」として評価した。結果を表1、表2に示す。
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを60℃で9.5mm角のミラーチップに貼り付け、温度120℃、圧力0.1MPa、時間1sの条件でBGA基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて130℃で2時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン(TOWAプレス社製、マニュアルプレスY−1)を用いて、成形温度175℃、クランプ圧力184kN、トランスファー圧力5kN、時間120秒、封止樹脂GE−100(日東電工(株)製)の条件下で封止工程を行った。その後、175℃×5hの熱硬化を行い、温度30℃、湿度60%RH、時間72hの条件で吸湿操作を行い、260℃以上の温度を10秒間保持するように温度設定したIRリフロー炉にサンプルを通した。9個のミラーチップについて、ダイボンドフィルムと基板との界面に剥離が発生しているか否かを超音波顕微鏡で観察し、剥離が生じている割合を算出した。結果を表1、表2に示す。
各実施例及び比較例で得られたダイボンドフィルムを60℃で9.5mm角のミラーチップに貼り付け、温度120℃、圧力0.1MPa、時間1sの条件でBGA基板にボンディングした。これをさらに乾燥機にて170℃で1時間の熱処理を施した。次いで、モールドマシン(TOWAプレス社製、マニュアルプレスY−1)を用いて、成形温度175℃、クランプ圧力184kN、トランスファー圧力5kN、時間120秒、封止樹脂GE−100(日東電工(株)製)の条件下で封止工程を行った。その後、175℃×5hの熱硬化を行い、温度30℃、湿度60%RH、時間72hの条件で吸湿操作を行い、260℃以上の温度を10秒間保持するように温度設定したIRリフロー炉にサンプルを通した。9個のミラーチップについて、ダイボンドフィルムと基板との界面に剥離が発生しているか否かを超音波顕微鏡で観察し、剥離が生じている割合を算出した。
各実施例及び比較例のダイシングテープ付きダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシングテープ付きダイボンドフィルムの性能を評価した。
研削装置:ディスコ社製 DFG−8560
半導体ウェハ:8インチ径(厚さ0.6mmから0.075mmに裏面研削)
貼り付け装置:日東精機製、MA−3000II
貼り付け速度計:10mm/min
貼り付け圧力:0.15MPa
貼り付け時のステージ温度:40℃
ダイシング装置:ディスコ社製、DFD−6361
ダイシングリング:2−8−1(ディスコ社製)
ダイシング速度:80mm/sec
ダイシングブレード:
Z1;ディスコ社製2050HEDD
Z2;ディスコ社製2050HEBB
ダイシングブレード回転数:
Z1;40,000rpm
Z2;40,000rpm
ブレード高さ:
Z1;0.170mm(半導体ウェハの厚みによる(ウェハ厚みが75μmの場合、0
170mm))
Z2;0.085mm
カット方式:Aモード/ステップカット
ウェハチップサイズ:10.0mm角
紫外線(UV)照射装置:日東精機(商品名、UM−810製)
紫外線照射積算光量:300mJ/cm2
尚、紫外線照射はポリオレフィンフィルム側から行った。
SHINKAWA社製 SPA−300
ピックアップハイト350um
ピン数9
各実施例及び比較例のそれぞれダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、冷蔵評価を行った。20cm角にカットしたダイボンドフィルムを5℃の冷蔵庫内でアルミ板上に置き、1時間放置した後、そのフィルムを半分に折り曲げた。その際、フィルムの割れ、カケが発生するか否かを確認し、割れ、欠けが無いものは○、有るものは×として評価を行った。表1、表2に示す。
2 粘着剤層
3、3’、13、21 ダイボンドフィルム
4 半導体ウェハ
5 半導体チップ
6 被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
9 スペーサ
10、11 ダイシングテープ付きダイボンドフィルム
15 半導体チップ
Claims (6)
- 基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングテープ付きダイボンドフィルムであって、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂(a)と、25℃での粘度が0.1〜50Pa・secである熱硬化性樹脂(b)とを含有し、
前記熱硬化性樹脂(b)が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる1つ以上であり、
前記熱硬化性樹脂(b)の全樹脂成分に対する含有量が1重量%以上50重量%以下であり、
前記ダイボンドフィルムの170℃で1時間加熱硬化した後の260℃での貯蔵弾性率が0.05MPa以上であることを特徴とするダイシングテープ付きダイボンドフィルム。 - 前記熱可塑性樹脂(a)が、官能基含有アクリル共重合体であることを特徴とする請求項1に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。
- 前記ダイボンドフィルムの5℃での破断伸度が10%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。
- 前記粘着剤層がアクリル酸2−エチルヘキシルを構成単位として含有するアクリルポリマーを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルム。
- 請求項1〜5のいずれか1に記載のダイシングテープ付きダイボンドフィルムのダイボンドフィルムと、半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記半導体ウェハを前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムと共にダイシングして、チップ状の半導体素子を形成するダイシング工程と、
前記半導体素子を、前記ダイシングテープ付きダイボンドフィルムから前記ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
前記ダイボンドフィルムを介して、前記半導体素子を被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、
前記半導体素子にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子を封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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