JP6013709B2 - 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6013709B2
JP6013709B2 JP2011124402A JP2011124402A JP6013709B2 JP 6013709 B2 JP6013709 B2 JP 6013709B2 JP 2011124402 A JP2011124402 A JP 2011124402A JP 2011124402 A JP2011124402 A JP 2011124402A JP 6013709 B2 JP6013709 B2 JP 6013709B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
film
bonding
weight
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011124402A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012019204A (ja
Inventor
剛一 井上
剛一 井上
悠樹 菅生
悠樹 菅生
三隅　貞仁
貞仁 三隅
松村　健
健 松村
尚英 高本
尚英 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2011124402A priority Critical patent/JP6013709B2/ja
Publication of JP2012019204A publication Critical patent/JP2012019204A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6013709B2 publication Critical patent/JP6013709B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20103—Temperature range 60 C=<T<100 C, 333.15 K =< T< 373.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20104—Temperature range 100 C=<T<150 C, 373.15 K =< T < 423.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20105—Temperature range 150 C=<T<200 C, 423.15 K =< T < 473.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/201—Temperature ranges
    • H01L2924/20106—Temperature range 200 C=<T<250 C, 473.15 K =<T < 523.15K
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、例えば半導体チップを基板やリードフレーム等の被着体上に接着固定する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。更に本発明は、前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造過程に於いてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行う。
しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。即ち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。この様な固着処理に於ける問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。
このペースト状接着剤の塗工工程に於いて、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
このダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層（ダイボンドフィルム）を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。
また、下記特許文献２には、熱伝導性、溶融粘度の調整、チキソトロピック性を付与する観点から、接着剤層中に無機フィラー等を添加したダイシング・ダイボンドフィルムが開示されている。
しかし、前記特許文献２に記載のダイシング・ダイボンドフィルムであると次の様な問題点がある。即ち、メモリーに代表される半導体装置は高容量化に伴い、薄層化した半導体チップを多段状に積層する半導体パッケージが主流となっている。加えて、半導体パッケージ自体の厚さに対しても制限が加えられるため、ダイボンドフィルムの薄層化も進んでいる。この様な背景のもと、半導体ウェハやそれを個片化した半導体チップの機械的強度は極めて低下しており脆弱となっている。そのため、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、半導体チップが破損するという問題がある。
前記半導体チップが破損する原因としては、ダイボンドフィルム中に含有されている無機フィラー等の充填材の配合の不適切さが挙げられる。即ち、ダイボンドフィルム中の充填材が不適切な大きさであり、かつ、その含有量も不適切である場合、ダイボンディングの際に加わるダイボンド圧力により、充填材を介して半導体チップに局所的に応力が集中する結果、半導体チップの破損を招来する。
特開昭６０−５７６４２号公報 特開２００８−８８４１１号公報
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、当該半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が加わるのを防止し、これにより半導体チップの破損を低減することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。また本発明は、前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルム、それを備えたダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをＹ（μｍ）とし、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときの比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下である。
前記の構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さＹ（μｍ）と充填材の最大粒径Ｘ（μｍ）との関係をＸ／Ｙ≦１にすることで、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が集中するのを低減するものである。これにより、半導体チップが薄型化しても、その破損を低減して半導体装置の製造を可能になり、スループットの向上が図れる。
前記構成に於いては、前記Ｘ（μｍ）が０．０５〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
また、前記構成に於いては、前記Ｙ（μｍ）が１〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
更に、前記構成に於いては、前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物１００重量部に対し１〜８０重量部の範囲内であることが好ましい。
また、前記構成に於いては、前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物１００体積部に対し１〜４０体積部の範囲内であることが好ましい。
また、前記構成に於いては、前記熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さＲｔが０．１〜２．３μｍの範囲内であることが好ましい。
また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されている。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして半導体チップを形成するダイシング工程と、前記半導体チップを、前記ダイシング・ダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、温度１００〜１８０℃、ボンディング圧力０．０５〜０．５ＭＰａ、ボンディング時間０．１〜５秒の範囲内の条件下で、前記半導体チップを被着体上にダイボンディングするダイボンド工程とを有する。
前記方法においては、半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、フィルム中に配合されている充填材により半導体チップに応力が集中するのを低減させる熱硬化型ダイボンドフィルムを使用する。この為、前記ダイボンド条件下で半導体チップのダイボンドを行っても、半導体チップの破損を低減することができる。即ち、前記方法であると半導体チップの破損を低減し、スループットを向上させて半導体装置を製造することが可能になる。
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さＹ（μｍ）と充填材の最大粒径Ｘ（μｍ）との関係をＸ／Ｙ≦１とするものである。これにより、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、フィルム中に含まれる充填材が半導体チップに局所的な応力を加えるのを低減することができる。その結果、半導体チップの破損を低減することができ、スループットを向上させて半導体装置の製造が図れるという効果を奏する。
本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の実施の一形態に係るダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 前記ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介して３次元実装した例を示す断面模式図である。
（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」と言う）について、ダイシングフィルム（粘着フィルム）と一体的に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを例にして以下に説明する。図１は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルムは基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。
前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
前記粘着剤層２は紫外線硬化型粘着剤を含み構成されている。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを紫外線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。
前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、半導体チップを基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。
前記紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
配合する前記紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
前記粘着剤層２の紫外線硬化後の粘着力は、ダイボンドフィルム３、３’に対して０．００１〜１Ｎ／１０ｍｍ幅、好ましくは０．００５〜０．５Ｎ／１０ｍｍ幅、より好ましくは０．０１〜０．１Ｎ／１０ｍｍ幅（１８０度ピール剥離力、剥離速度３００ｍｍ／ｍｍ）である。前記数値範囲内であると、ダイボンドフィルムの接着剤付き半導体チップをピックアップする際に、該半導体チップを必要以上に固定することなく、より良好なピックアップ性が図れる。
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に紫外線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な紫外線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。紫外線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な紫外線硬化はセパレータ上に設けた紫外線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いては、前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を紫外線照射してもよい。即ち、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層２を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作製することができる。これにより、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
前記ダイボンドフィルム３は、接着剤組成物と微粒子からなる充填材とを含有するものであり、かつ、その厚さをＹ（μｍ）、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときに、比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下となるものであれば、特に限定されるものではない。
前記充填材としては、無機フィラー又は有機フィラーが挙げられる。取り扱い性及び熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、並びにチキソトロピック性の付与等の観点からは、無機フィラーが好ましい。
前記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。熱伝導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶質シリカ等が好ましい。また、ダイボンドフィルム３の接着性とのバランスの観点からは、シリカが好ましい。また、前記有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記充填材の最大粒径Ｘ（μｍ）は、０．０５〜５μｍが好ましく、０．０５〜３μｍがより好ましい。充填材の最大粒径を０．０５μｍ以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記最大粒径を５μｍ以下にすることにより、ダイボンドフィルム３の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。尚、本発明に於いては、平均粒径が相互に異なる充填材同士を組み合わせて使用してもよい。また、充填材の最大粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記充填材の形状は特に限定されず、例えば球状、楕円体状のものを使用することができる。
前記充填材の含有量は、前記接着剤組成物の重量１００重量部に対し、１〜８０重量部の範囲内が好ましく、１〜５０重量部の範囲内がより好ましい。前記含有量を１重量部以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記含有量を８０重量部以下にすることにより、ダイボンドフィルム３の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。
また、前記充填材は、前記接着剤組成物１００体積部に対し、１〜４０体積部の範囲内が好ましく、１〜３０体積部の範囲内がより好ましい。充填材を１体積部以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、充填材を８０体積部以下にすることにより、ダイボンドフィルム３の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的に過度な応力が加わるのを低減することができる。
また、ダイボンドフィルム３の厚さＹ（μｍ）（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜５μｍの範囲内が好ましく、２〜４μｍの範囲内がより好ましい。前記厚さＹ（μｍ）を１μｍ以上にすることにより、被着体に対する濡れ性を良好なものにし、接着性の低下を抑制することができる。その一方、前記厚さＹ（μｍ）を５μｍ以下にすることにより、ダイボンドフィルム３の表面から充填材が突出するのを防止し、ダイボンディングの際に半導体チップに対し局所的な応力が過度に加わるのを低減することができる。
ダイボンドフィルム３における粗さ曲線の最大断面高さＲｔは０．１〜２．３μｍの範囲内が好ましく、１〜１．５μｍの範囲内がより好ましい。前記最大断面高さＲｔを０．１μｍ以上にすることにより、ピックアップ性を容易とすることができる。その一方、前記最大断面高さを２．３μｍ以下にすることにより、局所的な応力が過度に加わるのを低減することができる。尚、前記粗さ曲線の最大断面高さＲｔは、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して、非接触表面粗さ測定装置（日本ビーコ社製、ＷＹＫＯ）を用い、表面の傾き補正を行った後に測定した値である。
前記接着剤組成物としては特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びアクリル共重合体を含むものが好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち本発明においては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環等の芳香族環を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェノール型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、熱硬化後のダイボンドフィルム３の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下する場合がある。その一方、１５００より大きいと、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱になる場合がある。尚、本発明に於ける重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、前記エポキシ樹脂の熱硬化が不十分となり十分な強靱性が得られない場合がある。その一方、重量平均分子量が１５００より大きいと、高粘度となって、ダイボンドフィルムの作製時の作業性が低下する場合がある。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
また、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量は、アクリル共重合体１００重量部に対し、１０〜２００重量部の範囲内であることが好ましい。
前記アクリル共重合体としては特に限定されないが、本発明においてはカルボキシル基含有アクリル共重合体、エポキシ基含有アクリル共重合体が好ましい。前記カルボキシル基含有アクリル共重合体に用いる官能基モノマーとしてはアクリル酸又はメタクリル酸が挙げられる。アクリル酸又はメタクリル酸の含有量は酸価が１〜４の範囲内となる様に調節される。その残部は、メチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、スチレン、又はアクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でも、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、後述する前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。また、重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し１〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
アクリル共重合体の重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
前記アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、−３０〜３０℃であることが好ましく、−２０〜１５℃であることがより好ましい。ガラス転移点が−３０℃以上にすることにより耐熱性が確保され得る。その一方、３０℃以下にすることにより、表面状態が粗いウェハにおけるダイシング後のチップ飛びの防止効果が向上する。
前記アクリル共重合体の重量平均分子量は、１０万〜１００万であることが好ましく、３５万〜９０万であることがより好ましい。重量平均分子量を１０万以上にすることにより、被着体表面に対する高温時の接着性に優れ、かつ、耐熱性も向上させることができる。その一方、重量平均分子量を１００万以下にすることにより、容易に有機溶剤への溶解することができる。
また、ダイボンドフィルム３、３’には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。
前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン骨格、アミン骨格、トリフェニルボラン骨格、トリハロゲンボラン骨格等の何れかからなる塩が好ましい。
尚、ダイボンドフィルムは、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。尚、半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイボンドフィルムとしては、透湿性の高いコア材料を接着剤層で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルムはコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。
前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
また、ダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。
先ず、図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於けるダイボンドフィルム３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ここでピックアップは、粘着剤層２は紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３ａに対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップを損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。
ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルムを介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。このときのダイボンド温度としては、１００〜１８０℃の範囲内が好ましく、１００〜１６０℃の範囲内がより好ましい。また、ボンディング圧力としては、０．０５〜０．５ＭＰａの範囲内が好ましく、０．０５〜０．２ＭＰａの範囲内がより好ましい。更に、ダイボンド時間としては、０．１〜５秒の範囲内が好ましく、０．１〜３秒の範囲内がより好ましい。この様な条件下でダイボンドを行っても、本願発明では、ダイボンドフィルム中に含まれる充填材により半導体チップ５に局所的に応力が集中するのを低減するので、半導体チップ５の破損を効果的に防止することができる。
被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
本発明のダイボンドフィルム３は熱硬化型であるので、加熱硬化により半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させてもよい。尚、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
また前記のダイボンドは、ダイボンドフィルム３を硬化させず、単に被着体６に仮固着させてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。
この場合、ダイボンドフィルム３としては、仮固着時の剪断接着力が、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上のものを使用し、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａの範囲内のものを使用するのが好ましい。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図３参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。
本工程は、ダイボンドフィルム３ａを完全に熱硬化させることなく行うことができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３ａにより半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。
前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である（図３参照）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３ａによる固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａにより固着がされない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８の硬化と共にダイボンドフィルム３ａによる固着が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に仮固着した後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて仮固着する。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして仮固着する。
次に、加熱工程を行うことなく、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、ダイボンドフィルム３ａにより被着体６と半導体チップ５との間を固着する。また、ダイボンドフィルム１３により半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。
半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体チップ５の一層の薄型化が可能になる。
また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。この場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３ａ、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層して仮固着する。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体チップ５を順次積層して仮固着する。次に、加熱工程を行うことなく、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３ａ、２１により被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との間を固着させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。尚、前記スペーサ９としては特に限定されず、従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を使用できる。また、前記スペーサとしてポリイミドフィルムや樹脂基板等のコア材料を使用できる。
次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風等により加熱溶融しハンダ付けを行うリフローはんだ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は２４０〜２６５℃、加熱時間は１〜２０秒の範囲内であることが好ましい。
（その他の事項）
前記基板等上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
（実施例１）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ２、最大粒径１．４μｍ、平均粒径０．５μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＡを作製した。
（実施例２）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ２、最大粒径１．４μｍ、平均粒径０．５μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＢを作製した。
（実施例３）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）１２重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ２、最大粒径１．４μｍ、平均粒径０．５μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＣを作製した。
（実施例４）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ２、最大粒径１．４μｍ、平均粒径０．５μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＤを作製した。
（実施例５）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）１２重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ３、最大粒径５．０μｍ、平均粒径０．９μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＥを作製した。
（実施例６）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ３、最大粒径５．０μｍ、平均粒径０．９μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＦを作製した。
（比較例１）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）１２重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ３、最大粒径５．０μｍ、平均粒径０．９μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＧを作製した。
（比較例２）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ３、最大粒径５．０μｍ、平均粒径０．９μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＨを作製した。
（比較例３）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）１２重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ５、最大粒径８．０μｍ、平均粒径１．３μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＩを作製した。
（比較例４）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ５、最大粒径８．０μｍ、平均粒径１．３μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＪを作製した。
（比較例５）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）１２重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）１２重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）３６重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ５、最大粒径８．０μｍ、平均粒径１．３μｍ）４０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＫを作製した。
（比較例６）
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ）４重量部、キシリレンノボラック型フェノール樹脂（明和化成（株）製）、商品名；ＭＥＨ７８００Ｈ）４重量部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１２重量部、充填材として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−Ｅ５、最大粒径８．０μｍ、平均粒径１．３μｍ）８０重量部を、メチルエチルケトンに溶解させ、濃度１５．０重量％の接着剤組成物を調製した。
この接着剤組成物の溶液を、剥離ライナとしてシリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ３μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムＬを作製した。
（充填材の平均粒径、及び、最大粒径の測定）
充填材の平均粒径、及び、最大粒径の測定は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）を用いて行った。結果を下記表１及び表２に示す。なお、最大粒径は、横軸を粒径、縦軸を相対粒子量とした２次元のグラフにおいて、ベースラインと当該曲線とで囲まれた面積を１００％としたとき、粒径が小さい側から当該面積を積算した累計面積が１００％となる粒径を最大粒径とした。
（粗さ曲線の最大断面高さＲｔ）
各実施例及び比較例で作製した熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さＲｔは、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠して、非接触表面粗さ測定装置（日本ビーコ社製、ＷＹＫＯ）を用い、表面の傾き補正を行った後に測定した。結果を下記表１及び表２に示す。
（半導体ウェハの破損の有無の確認）
先ず、ダイシングフィルムを作製した。即ち、厚さが１００μｍのポリオレフィンからなる基材上に、アクリル系粘着剤組成物の溶液を塗布、乾燥して、厚さが１０μｍの粘着剤層を形成してダイシングフィルムを作製した。
尚、前記アクリル系粘着剤の溶液は、次の様にして調製した。即ち、先ずアクリル酸ブチルとアクリル酸エチルと２−ヒドロキシアクリレートとアクリル酸とを重量比６０／４０／４／１の割合で共重合させ、重量平均分子量が８００，０００のアクリル系ポリマーを得た。次に、このアクリル系ポリマー１００重量部に、架橋剤として多官能エポキシ系架橋剤を０．５重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートを９０重量部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを５重量部配合し、これらを有機溶剤としてのトルエンに均一に溶解させた。これにより、前記アクリル系粘着剤の溶液を作成した。
続いて、離型処理フィルム上の熱硬化型ダイボンドフィルムを前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に貼り合わせた。貼り合わせ条件は、ラミネート温度４０℃、線圧５ｋｇｆ／ｃｍとした。これにより、各実施例及び比較例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
次に、各ダイシング・ダイボンドフィルムの熱硬化型ダイボンドフィルム上に半導体ウェハ（直径１２インチ、厚さ５０μｍ）をマウントした。マウント条件は、下記の通りにした。
［貼り合わせ条件］
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００III
貼り付け速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ
貼り付け圧力：０．２５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃
次に、半導体ウェハのダイシングを行い、５ｍｍ各のチップサイズの半導体チップを形成した。ダイシング条件は、下記の通りにした。
［ダイシング条件］
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：８０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：ディスコ社製２０５０ＨＥＤＤ
ダイシングブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：０．１７０ｍｍ
カット方式：Ａモード／ステップカット
更に、各ダイシング・ダイボンドフィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。その後、各ダイシング・ダイボンドフィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で、ダイボンドフィルムと共に半導体チップをピックアップした。ピックアップ条件は下記の通りである。
［ピックアップ条件］
ニードル：全長１０ｍｍ、直径０．７ｍｍ、鋭角度１５ｄｅｇ、先端Ｒ３５０μｍ
ニードル本数：５本
ニードル突き上げ量：３５０μｍ
ニードル突き上げ速度：５ｍｍ／ｓｅｃ
コレット保持時間：２００ｍｓｅｃ
エキスパンド：３ｍｍ
続いて、ピックアップした半導体チップをリードフレーム上にダイボンディングした。このときの半導体チップの破損を確認した。結果を下記表１及び表２に示す。尚、ダイボンド条件は下記の通りとした。
［ダイボンド条件］
ダイボンド温度：１２０℃
ボンディング圧力：０．１ＭＰａ
ボンディング時間：１ｓｅｃ
アフターキュア：１５０℃で１時間
（結果）
下記表１及び表２から分かる通り、本発明の各実施例に係る熱硬化型ダイボンドフィルムの様に、その厚さＹ（μｍ）と充填材の最大粒径Ｘ（μｍ）の比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下であると、半導体チップを破損させることなくリードフレーム上にダイボンディングをすることができた。その一方、比率Ｘ／Ｙ（−）が１を超える各比較例の熱硬化型ダイボンドフィルムであると、ダイボンディングの際に半導体チップに破損が確認された。
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１３ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
１５ 半導体チップ
２１ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）

Claims (6)

  1. 接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをＹ（μｍ）とし、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときの比率Ｘ／Ｙ（−）が１以下であり、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムにおける粗さ曲線の最大断面高さＲｔが０．１〜２．３μｍの範囲内であり、
    前記Ｘ（μｍ）が０．０５μｍ以上５μｍ以下の範囲内である熱硬化型ダイボンドフィルム。ただし、Ｘが、１μｍ以下の場合を除く。
  2. 前記Ｙ（μｍ）が１μｍ以上５μｍ以下の範囲内である請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  3. 前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物１００重量部に対し１重量部以上８０重量部以下の範囲内である請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  4. 前記充填材の含有量が、前記接着剤組成物１００体積部に対し１体積部以上４０体積部以下の範囲内である請求項１〜３の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。
  5. 請求項１〜４の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
  6. 請求項５に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り合わせ面として、半導体ウェハの裏面に前記ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
    前記半導体ウェハを前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にダイシングして半導体チップを形成するダイシング工程と、
    前記半導体チップを、前記ダイシング・ダイボンドフィルムから前記熱硬化型ダイボンドフィルムと共にピックアップするピックアップ工程と、
    前記熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、温度１００℃以上１８０℃以下、ボンディング圧力０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下、ボンディング時間０．１秒以上５秒以下の範囲内の条件下で、前記半導体チップを被着体上にダイボンディングするダイボンド工程とを有する半導体装置の製造方法。
JP2011124402A 2010-06-08 2011-06-02 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 Active JP6013709B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011124402A JP6013709B2 (ja) 2010-06-08 2011-06-02 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010131329 2010-06-08
JP2010131329 2010-06-08
JP2011124402A JP6013709B2 (ja) 2010-06-08 2011-06-02 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012019204A JP2012019204A (ja) 2012-01-26
JP6013709B2 true JP6013709B2 (ja) 2016-10-25

Family

ID=45098013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011124402A Active JP6013709B2 (ja) 2010-06-08 2011-06-02 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6013709B2 (ja)
CN (1) CN102934211B (ja)
TW (1) TWI439530B (ja)
WO (1) WO2011155406A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759029B (zh) * 2019-12-27 2022-03-21 日商有澤製作所股份有限公司 黏著帶

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3929974A1 (en) 2015-04-15 2021-12-29 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP6719476B2 (ja) * 2015-09-01 2020-07-08 リンテック株式会社 粘着シート

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004035841A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
US7241823B2 (en) * 2002-12-11 2007-07-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Radiation curing silicone rubber composition, adhesive silicone elastomer film formed from same, semiconductor device using same, and method of producing semiconductor device
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2006303472A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007048958A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2007145954A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Toray Ind Inc 熱可塑性樹脂組成物およびその成形品
JP2007294767A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5090241B2 (ja) * 2008-04-17 2012-12-05 リンテック株式会社 ダイソート用シート
JP5303326B2 (ja) * 2008-06-18 2013-10-02 積水化学工業株式会社 接着フィルム、ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体装置の製造方法
JP4939574B2 (ja) * 2008-08-28 2012-05-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4801127B2 (ja) * 2008-09-01 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP4888479B2 (ja) * 2008-12-01 2012-02-29 日立化成工業株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI759029B (zh) * 2019-12-27 2022-03-21 日商有澤製作所股份有限公司 黏著帶

Also Published As

Publication number Publication date
TWI439530B (zh) 2014-06-01
CN102934211B (zh) 2016-01-20
WO2011155406A1 (ja) 2011-12-15
CN102934211A (zh) 2013-02-13
TW201200575A (en) 2012-01-01
JP2012019204A (ja) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5305501B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4430085B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4954569B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4801127B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
WO2010074060A1 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP4939574B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5398083B2 (ja) ダイボンドフィルム及びその用途
JP2011187571A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4976481B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2009049400A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2011060848A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2011023607A (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP2006303472A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
KR20150113878A (ko) 다이싱 필름, 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6193663B2 (ja) ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2017183705A (ja) ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2008135448A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2014082498A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP5976716B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2013038181A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5749314B2 (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP2015008307A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP6013709B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5656741B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP6328467B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140306

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151028

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160830

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160923

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6013709

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250