JP2006303472A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルム10は、支持基材1上に粘着剤層2を有し、該粘着剤層2上にダイボンド層3を有するダイシング・ダイボンドフィルム10であって、前記ダイボンド層3表面のヨウ化メチレンに対する接触角θは、30°〜60°であることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
厚さが60μmのポリエチレンフィルムからなる支持基板上に、紫外線硬化可能なアクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが20μmの粘着剤層を形成した。その後、粘着剤層に於ける、ウェハ貼り付け部分に対応する部分にのみ紫外線を500mJ/cm2照射して当該部分を紫外線硬化させた。これにより、粘着フィルムAを得た。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名:パラクロンW−197CM)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、トリフェノルホスフィン硬化促進剤1部、エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:EOCN−1020)24.9部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−LL)30.1部、前記シリカを40重量部配合したものをメチルエチルケトンに溶解して濃度20重量%となるように調整した。
アクリルゴムの配合量を70重量部に変更してダイボンド層Cを形成したこと以外は、実施例2と同様にして、本比較例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを得た。また、ダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンド層に於けるウェハ貼り付け部分の表面のヨウ化メチレンに対する接触角θを測定したところ、72.3°であった。測定方法については後述する。
シリカの配合量を50重量部にしてダイボンド層Dを形成したこと以外は、実施例2と同様にして、本比較例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを得た。また、ダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンド層に於けるウェハ貼り付け部分の表面のヨウ化メチレンに対する接触角θを測定したところ、27.5°であった。測定方法については後述する。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名:パラクロンW−197CM)80部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、トリフェノルホスフィン硬化促進剤1部、エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:EOCN−1020)24.9部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−LL)30.1部、前記シリカを40部配合したものをメチルエチルケトンに溶解して濃度20重量%となるように調整した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名:パラクロンW−197CM)90部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、トリフェノルホスフィン硬化促進剤1部、エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:EOCN−1020)24.9部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−LL)30.1部、前記シリカを40部配合したものをメチルエチルケトンに溶解して濃度20重量%となるように調整した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、商品名:パラクロンW−197CM)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、トリフェノルホスフィン硬化促進剤1部、エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、商品名:EOCN−1020)24.9部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、商品名:ミレックスXLC−LL)30.1部、前記シリカを40部配合したものをメチルエチルケトンに溶解して濃度20重量%となるように調整した。
実施例1〜5及び比較例1、2で得たダイシング・ダイボンドフィルムからそれぞれ剥離ライナーを剥離し、40℃でロール圧着してミラーウェハに貼り合わせた。ミラーウェハとしては、回路パターンを形成した厚さ0.6mmの半導体ウェハを裏面研削処理して厚さ0.15mmとしたものを用いた。また、半導体ウェハの裏面研削条件、貼り合わせ条件は下記の通りである。
研削装置:ディスコ社製 DFG−840
半導体ウェハ:8インチ径(厚さ0.6mmから0.15μmに裏面研削)
貼り合わせ装置:DR−8500K(日東精機(株)製)
貼り付け装置:日東精機製/PM−8500
貼り付け速度計10mm/min
貼り付け圧力:0.15MPa
貼り付け時のステージ温度40℃
ダイシング方法:シングルカット
ダイシング装置:PISCO DFD651(商品名、株式会社日本ピスコ製)
ダイシング速度:80mm/sec
ダイシングブレード:2050−HECC
ダイシングブレード回転数:40,000rpm
ダイシングテープ切り込み深さ:20μm
ウェハチップサイズ:2mm×2mm
ピックアップ装置:CPS−100(NESマシナリー社製)
ニードル数:5〜9本
突き上げ量 :300μm
突き上げ速度:80mm/秒
引き落とし量:4mm
引き落とし後の加熱:なし
ダイボンド温度:120℃
ボンディング圧力:0.2MPa(5×5mm、5N/dic)
ボンディング時間:1sec
アフターキュア:なし
前記実施例1〜5及び比較例1、2で作製したダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンド層に於けるワーク貼り付け部分の接触角θを測定した。測定は、25℃・50%RHの環境下に於いて、それぞれダイボンド層の表面に、ヨウ化メチレンを接触させ、その30秒後に接触角を測定した。
下記表1から明らかな様に、実施例1〜5のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、ダイボンド層の接触角θが60°以下であり、ダイボンド不良は確認されなかった。また、ボイドの発生も見られなかった。その一方、比較例1のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、そのダイボンド層の接触角θが72.3°であり、ボイドの発生が確認された。更に、ボイドの最大サイズは0.23cm2であった。また、比較例2のダイシング・ダイボンドフィルムに於いては、そのダイボンド層の接触角θが27.5°であり、ボイドの発生が確認された。
2 粘着剤層
3 ダイボンド層
4 半導体ウェハ
5、15 半導体チップ
6 被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
9 スペーサ
10、11 ダイボンドフィルム
13、21 ダイボンド層
Claims (7)
- 支持基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記ダイボンド層表面のヨウ化メチレンに対する接触角θは、30°〜60°であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 - 前記ダイボンド層は、熱硬化性ダイ接着剤を含み構成されることを特徴とする請求項1に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 前記ダイボンド層は、非導電性であることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 前記ダイボンド層は、前記粘着剤層上の一部にワークの貼り付け部分として設けられていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 支持基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムとして、前記ダイボンド層表面のヨウ化メチレンに対する接触角θが30°〜60°のものを用意し、
前記ダイボンド層上にワークを圧着する工程と、
前記ワークをダイシングしてチップ状ワークを形成する工程と、
前記チップ状ワークを前記ダイボンド層とともに前記粘着剤層から剥離する工程と、
前記ダイボンド層を介して、チップ状ワークを被着体に固定する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記チップ状ワークを被着体に固定する工程は、前記ダイボンド層を介して仮固着する工程であり、
前記仮固着の工程の後、加熱工程を経ることなく、前記チップ状ワークにワイヤーボンディングをする工程を行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法により得られたものであることを特徴とする半導体装置。
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