JP2012186361A - ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及び熱伝導性粒子を含み、前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計含有量をA重量%とし、前記熱伝導性粒子の含有量をB重量%としたとき、式(B/(A+B))により得られる値が0.50以上0.93以下であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの175℃で1時間硬化させた後の200℃での引張貯蔵弾性率が0.1MPa以上であるダイシング・ダイボンドフィルム。
【選択図】 図1
Description
本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
まず、基材1は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
まず、ダイシング・ダイボンドフィルム3、3’の形成材料である接着剤組成物を作製する。当該接着剤組成物には、前述の通り、前記エポキシ樹脂やアクリル樹脂、熱伝導性粒子と共に、必要に応じてその他各種の添加剤等が配合されている。通常、接着剤組成物は、溶媒に溶解させた溶液状態又は溶媒に分散させた分散液状態で用いられる(以下、溶液状態には分散液状態も含むこととする)。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム10、12は、ダイボンドフィルム3、3’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図3を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。
<ダイシングフィルムの作製>
冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2−エチルヘキシル(2EHA)76部、アクリル酸2−ヒドロキシエチル(HEA)24部、及び、過酸化ベンゾイル0.2部及びトルエン60部を入れ、窒素気流中で61℃にて6時間重合処理をし、アクリル系ポリマーAを得た。2EHAとHEAとのモル比は、100mol対20molとした。
紫外線(UV)照射装置:高圧水銀灯
紫外線照射積算光量:500mJ/cm2
出力:120W
照射強度:200mW/cm2
下記(a)〜(f)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得た。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 117.5部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 72.9部
(c)フェノール樹脂(三井化学(株)製、MEH7851M) 209.6部
(d)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(e)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
409.1部
(f)硬化触媒(四国化成(株)製、C11−Z) 1.0部
本実施例2においては、上記(e)のアルミナを(株)電気化学工業製、ASFP−20平均粒子径0.2μmに変え、アルミナの添加量を60重量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にして本実施例に係るダイボンドフィルムBを作製した。
下記(a)〜(f)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例1と同様にして本実施例に係るダイボンドフィルムCを作製した。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 58.4部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 13.6部
(c)フェノール樹脂(三井化学(株)製、MEH7851M) 78.1部
(d)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(e)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
1416.7部
(f)硬化触媒(四国化成(株)製、C11−Z) 0.5部
下記(a)〜(e)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例1と同様にして本実施例に係るダイボンドフィルムDを作製した。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 107.3部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 42.7部
(c)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(d)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
375.0部
(e)硬化触媒(四国化成(株)製、C11−Z) 2.5部
下記(a)〜(f)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例1と同様にして本比較例に係るダイボンドフィルムEを作製した。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 19.6部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 12.1部
(c)フェノール樹脂(三井化学(株)製、MEH7851M) 34.9部
(d)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(e)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
111.1部
(f)硬化触媒(四国化成(株)製、C11−Z) 0.3部
下記(a)〜(f)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例1と同様にして本比較例に係るダイボンドフィルムFを作製した。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 4.3部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 1.0部
(c)フェノール樹脂(三井化学(株)製、MEH7851M) 5.8部
(d)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(e)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
2111.9部
(f)硬化触媒(四国化成(株)製、C11−Z) 0.2部
下記(a)〜(e)をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度60.0重量%の接着剤組成物溶液を得たこと以外は、実施例1と同様にして本比較例に係るダイボンドフィルムGを作製した。
(a)エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020) 89.4部
(b)エポキシ樹脂(JER(株)製、エピコート828US) 332.5部
(c)フェノール樹脂(三井化学(株)製、MEH7851M) 478.2部
(d)アクリルゴム(ナガセケムテックス製、SG−80H) 100部
(e)球状アルミナ((株)電気化学工業製、DAM−03平均粒子径3μm))
2333.3部
各実施例及び比較例で作製したダイボンドフィルムA〜Gを粘弾性測定装置(レオメトリックス社製:形式:RSA−II)を用いて、175℃で1時間硬化させたフィルムの200℃における引張貯蔵弾性率を測定した。より詳細には、作製したダイボンドフィルムを175℃で1時間乾燥機内で加熱して硬化させ、これを切断してサンプルサイズを長さ30mm×幅5mmとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−30〜280℃の温度域で周波数10.0Hz、歪み0.025%、昇温速度10℃/minの条件下で測定した。
各実施例及び比較例で作製したダイボンドフィルムA〜Gを175℃で1時間乾燥機内で熱硬化させた。その後、TWA法(装置:アイフェイズ社製 アイフェイズモバイル)により熱拡散率α(m2/s)を測定した。同一サンプルを用いてDSCにて比熱測定を行い比熱Cp(J/g・℃)を測定した。比熱はDSC(エスアイアイナノテクノロジー製、DSC6220)、昇温速度10℃/min、20〜300℃の条件で測定したデータをもとに、JISハンドブック(比熱容量測定方法K−7123)から算出した。さらに同一サンプルにてその比重を求め、以下の式より熱伝導率を算出した。
熱伝導率(W/m・K)=熱拡散率α(m2/s)×比熱Cp(J/g・℃)×比重ρ(g/cm3)
ダイボンドフィルムA〜Gのそれぞれに、前記ダイシングフィルムをラミネート温度40℃、線圧2kgf/cmにて貼り合わせ、それぞれを実施例及び比較例に係るダイシング・ダイボンドフィルムA〜Gとした。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムA〜Gを、厚さ75μmのシリコンウエハに50℃の条件下で貼り付け、下記の条件にて5mm×5mmのサイズになるようにダイシングを行い、半導体チップのピックアップを行った。この手順を30個の半導体チップ(縦5mm×横5mm)に対し行い、破損なく半導体チップのピックアップが成功した場合をカウントして成功率を算出した。測定結果、及び評価を表1に示す。ピックアップ条件は下記の通りである。
ダイシング方法:ステップカット
ダイシング装置:DISCO DFD6361(商品名、株式会社ディスコ製)
ダイシング速度:50mm/sec
ダイシングブレード:Z1;ディスコ社製「NBC−ZH203O−SE27HDD」
Z2;ディスコ社製「NBC−ZH103O−SE27HBB」
ダイシングブレード回転数:Z1;40,000rpm、Z2;45,000rpm
ダイシングテープ切り込み深さ:20μm
ウェハチップサイズ:厚み75μm、5mm×5mm
ピックアップ装置:商品名「SPA―300」(株)新川社製
ニードル数:5本
突き上げ量:400μm
突き上げ速度:10mm/秒
引き落とし量:3mm
実施例および比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムA〜Gを室温(25℃)、湿度55%RHの雰囲気下にて8インチのウェハ(厚さ75μm)の裏面に50℃で貼り付けし、ボイドの有無を目視にて確認した。
前記実施例及び比較例において作製したダイボンドフィルムA〜Gについて、基板に対する仮固着時の剪断接着力を以下の通り測定した。
上記ダイシング後の半導体チップを120℃、0.1MPa、1秒の条件下でBGA(Ball grid array)基板にダイボンディングした後、115KHzワイヤボンダー(新川社製:UTC−300BIsuper)を用いてφ25μmの金線(田中貴金属製GMG−25)にて下記の条件でワイヤーボンディングを行った。なお、すべてのボンディングを完了するのに約1時間を要した。この手順を144個の半導体チップサンプルについて行い、良好にワイヤーボンディングを行うことができた場合を「可」とし、ワイヤーボンディング時にダイボンドフィルムのずり変形が生じた場合を「不可」として、測定サンプル全数に対する「可」のサンプルの数の割合を求めてワイヤーボンディング成功率(%)とした。
ファーストボンディング加圧:80g
ファーストボンディング超音波強度:550mW
ファーストボンディング印加時間:10msec
セカンドボンディング加圧:80g
セカンドボンディング超音波強度:500mW
セカンドボンディング印加時間:8msec
ダイボンドフィルムA〜Gをそれぞれ50℃の条件下で5mm角の半導体チップに貼り付け、120℃、0.1MPa、1秒の条件下でBGA(Ball grid array)基板にマウントした。このような試料を、ダイボンドフィルムA〜Gについてそれぞれ9個作成した。次に、100℃にて10時間の熱処理を施し、封止樹脂(GE−100、日東電工社製)を用いて封止した。次に、60℃、80%RHの雰囲気下で168時間放置した。その後、260℃以上の温度を30秒保持するように温度設定したIRリフロー炉に通過させ、超音波顕微鏡にて半導体チップとBGA基板との界面に剥離が発生しているか否かを観察した。観察の結果、剥離が生じた個数が3個以下であれば○、4個以上であれば×として評価した。結果を表1に示す。
2 粘着剤層
3、3’ ダイボンドフィルム(熱硬化型ダイボンドフィルム)
4 半導体ウェハ
5 半導体チップ
6 被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
10、12 ダイシング・ダイボンドフィルム
11 ダイシングフィルム
Claims (4)
- ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及び熱伝導性粒子を含み、
前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計含有量をA重量%とし、前記熱伝導性粒子の含有量をB重量%としたとき、式(B/(A+B))により得られる値が0.50以上0.93以下であり、
前記熱硬化型ダイボンドフィルムの175℃で1時間硬化させた後の200℃での引張貯蔵弾性率が0.1MPa以上であるダイシング・ダイボンドフィルム。 - 前記熱伝導性粒子の平均粒径は、0.01μm以上10μm以下である請求項1に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 前記熱伝導性粒子は、アルミナ粒子、酸化亜鉛粒子、窒化アルミニウム粒子、窒化ケイ素粒子、酸化マグネシウム粒子、窒化ホウ素粒子、水酸化アルミニウム粒子及び水酸化マグネシウム粒子からなる群より選択される少なくとも1種の粒子である請求項1又は2に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012186361A true JP2012186361A (ja) | 2012-09-27 |
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JP2011049146A Pending JP2012186361A (ja) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140142674A (ko) | 2013-06-04 | 2014-12-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
CN104231961A (zh) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 日东电工株式会社 | 切割/芯片接合薄膜 |
JP2015532319A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-09 | カルボデオン リミティド オサケユイチア | ナノダイヤモンド含有熱可塑性熱複合材料 |
JP2016100532A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 日東電工株式会社 | 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法 |
JPWO2015098949A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-03-23 | 日立化成株式会社 | 仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置 |
WO2017145624A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム及びダイシング・ダイボンディングフィルム |
WO2021079968A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2008218571A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
US20090110940A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-30 | Yong Woo Hong | Adhesive film composition, associated dicing die bonding film, die package, and associated methods |
JP2011023607A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Nitto Denko Corp | 放熱性ダイボンドフィルム |
-
2011
- 2011-03-07 JP JP2011049146A patent/JP2012186361A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2008218571A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
US20090110940A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-30 | Yong Woo Hong | Adhesive film composition, associated dicing die bonding film, die package, and associated methods |
JP2011023607A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Nitto Denko Corp | 放熱性ダイボンドフィルム |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015532319A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-11-09 | カルボデオン リミティド オサケユイチア | ナノダイヤモンド含有熱可塑性熱複合材料 |
KR20140142674A (ko) | 2013-06-04 | 2014-12-12 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 접착 시트, 및 다이싱·다이 본딩 필름 |
CN104231961A (zh) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | 日东电工株式会社 | 切割/芯片接合薄膜 |
JP2015005636A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンディングフィルム |
JPWO2015098949A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-03-23 | 日立化成株式会社 | 仮固定用フィルム、仮固定用フィルムシート及び半導体装置 |
US10550295B2 (en) * | 2013-12-26 | 2020-02-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Film for temporary fixing, film sheet for temporary fixing and semiconductor device |
TWI656189B (zh) * | 2014-11-25 | 2019-04-11 | 日商日東電工股份有限公司 | Substrate, subsequent sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2016100532A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 日東電工株式会社 | 接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法 |
KR20160062692A (ko) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102408996B1 (ko) | 2014-11-25 | 2022-06-14 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN108699402A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-10-23 | 日立化成株式会社 | 粘接膜和划片膜-芯片接合膜 |
JPWO2017145624A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2018-12-27 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム及びダイシング・ダイボンディングフィルム |
TWI715721B (zh) * | 2016-02-26 | 2021-01-11 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 接著膜及切晶・黏晶膜 |
JP2022027972A (ja) * | 2016-02-26 | 2022-02-14 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着フィルム |
WO2017145624A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム及びダイシング・ダイボンディングフィルム |
JP7372737B2 (ja) | 2016-02-26 | 2023-11-01 | 株式会社レゾナック | ダイシング・ダイボンディングフィルム |
JP7392706B2 (ja) | 2016-02-26 | 2023-12-06 | 株式会社レゾナック | 接着フィルム |
WO2021079968A1 (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
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