JP4931125B2 - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2は、本実施の形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。但し、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にする為に拡大又は縮小等して図示した部分がある。
次に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム10を例にして説明する。先ず、基材1は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム10、11は、ダイボンド層3、3’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図3を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。
前記基板等上に半導体素子を3次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。
厚さが60μmのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、紫外線硬化可能なアクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが20μmの粘着剤層を形成した。その後、粘着剤層に於ける、ウェハ貼り付け部分に対応する部分にのみ紫外線を500mJ/cm2照射して当該部分を紫外線硬化させた。これにより、粘着フィルムAを得た。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液B60重量%、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液B40重量%、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液A60重量%、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液C50重量%、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、球状シリカが溶媒に分散された溶液C30重量%、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(ナガセケムテック株式会社製、商品名;SG−70L)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤0.1部、エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名;EPPN−501HY)0.2部、フェノール樹脂(明和化成株式会社製、商品名:MEH−7800H)0.2部、シランカップリング剤(信越化学株式会社製、商品名;KBM−303)をエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の総量に対して3部、をメチルエチルケトンに溶解して濃度13.6重量%となる様に調製した。
フィラーの平均粒径の測定は、光度式の粒度分布計(HORIBA製、装置名;LA−910)を用いて行った。
各実施例及び比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムの紫外線透過率については、紫外線測定装置を用いて次の通り行った。即ち、先ず、紫外線を照射する光源から3cm離間した距離に於ける紫外線の強度を測定した。次に、光源から同一の距離にダイシング・ダイボンドフィルムを載置し、その基材側から再び紫外線を照射して粘着剤層及びダイボンド層を透過した紫外線の強度を再び測定した。尚、紫外線を照射する光源としては、UVランプ(高圧水銀灯、ウシオ電機(株)製)を用いた。また、紫外線の照射量は、1500mJとした。更に、照射した紫外線の波長域は、主に294、365nmを主波長として280〜380nmに設定した。
前記実施例及び比較例に於けるそれぞれのダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンド層上に、不揮発性半導体メモリー(EPROM)を貼り合わせ、支持基材としてのポリエチレンフィルム側から紫外線を照射した。紫外線の照射条件は、紫外線透過率を測定した場合と同様にした。照射後、EPROMのデバイス特性に対する紫外線照射の影響を確認した。結果を下記表1に示す。EPROMのデバイス特性に対する影響の評価は、紫外線照射後のEPROMの記憶データが消去されていない場合を○、消去されている場合を×として行った。
2 粘着剤層
3 ダイボンド層
4 半導体ウェハ
5 半導体チップ
6 被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
9 スペーサ
10、11 ダイシング・ダイボンドフィルム
13 ダイボンド層
15 半導体チップ
21 ダイボンド層
Claims (7)
- 紫外線透過性の基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記粘着剤層は紫外線硬化性を有し、前記ダイボンド層は紫外線に対し遮光性を有し、かつ前記ダイボンド層は紫外線に対し10%以下の透過率を有することを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 - 前記ダイボンド層には、紫外線の遮光が可能な紫外線遮光剤が含有されていることを特徴とする請求項1に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 前記紫外線遮光剤としては、紫外線吸収剤又は紫外線反射剤の少なくとも何れかであることを特徴とする請求項2に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 前記紫外線遮光剤は、平均粒径0.1〜80μmの範囲内のフィラーであることを特徴とする請求項2又は3に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
- 紫外線透過性の基材上に、紫外線硬化性の粘着剤層及びダイボンド層を形成するダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法であって、
紫外線遮光剤を添加して、前記ダイボンド層の形成材料を調製し、
前記形成材料をセパレータ上に塗布して乾燥し、これにより形成した塗布層を前記粘着剤層上に転写することにより、又は前記粘着剤層上に直接塗布した後乾燥することにより、前記ダイボンド層を形成し、
前記ダイボンド層は紫外線に対し10%以下の透過率を有することを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法。 - 前記形成材料は前記紫外線遮光剤としてフィラーを含み、該フィラーの添加は前記ダイボンド層の有機樹脂成分100重量部に対し、0重量部を超えて80重量部以下となる様に行い、かつ、フィラーの添加後、前記形成材料を撹拌することにより前記フィラーを均一に分散させ、これによりフィラーが均一に分布した膜構造の前記ダイボンド層を形成することを特徴とする請求項5に記載のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法。
- 請求項1〜4の何れか1項に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムとして、前記粘着剤層が紫外線硬化性を有し、かつ前記ダイボンド層が紫外線に対し遮光性を有するものを用意し、
前記ダイボンド層上に半導体ウェハを圧着する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成する工程と、
前記基材側から前記粘着剤層に紫外線を照射して、該粘着剤層を硬化させる工程と、
前記半導体チップを前記ダイボンド層とともに前記粘着剤層から剥離する工程と、
前記ダイボンド層を介して、半導体チップを被着体に固定する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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