JP2002294177A - ダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

ダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置

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JP2002294177A
JP2002294177A JP2001100714A JP2001100714A JP2002294177A JP 2002294177 A JP2002294177 A JP 2002294177A JP 2001100714 A JP2001100714 A JP 2001100714A JP 2001100714 A JP2001100714 A JP 2001100714A JP 2002294177 A JP2002294177 A JP 2002294177A
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attach film
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die
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Noriyuki Daito
範行 大東
Daisuke Nakagawa
大助 中川
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体組み立て工程に際して、工程簡略化及
びコスト削減のためウエハ加工工程かつICチップ接着
工程の両方で使用することのできるダイアタッチフィル
ムを提供する。 【解決手段】 粘接着剤組成に熱硬化型粘着成分、紫外
線硬化型粘着成分、可とう性成分と紫外線遮蔽無機フィ
ラーを組み合わせることでウエア加工工程に必要な粘着
性とダイマウント時での接着性及び湿熱条件にも耐えう
る接着性を有することを特徴とするダイアタッチフィル
ム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明に属する技術分野】本発明は、シリコン、ガリウ
ム、ヒ素などの半導体ウエハを加工する際に使用するウ
エハ加工用のダイアタッチフィルムに関するものであっ
て、詳しくは加工時に不純物イオン、特に塩素イオン等
の不純物の発生がない半導体ウエハ加工用ダイアタッチ
フィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び
半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の電子機器の高機能化とモバイル用
途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化
の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進
んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケ
イ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウェハーに粘
着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子
に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップの
ピックアップを行い、次いで半導体チップを金属リード
フレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイ
ボンディングする半導体装置組立工程へ移送される。
【0003】このような半導体ウェハーのダイシング工
程からピックアップ工程に至る工程まで使用される加工
用粘着シートとしては、ウェハーに対して十分な接着力
を有しており、ピックアップ時にはウェハーに粘着剤が
付着しない程度の接着力を有するものが望まれている。
ピックアップする方法としては紫外線に対し透過性を有
する基材上に紫外線硬化反応をする粘着剤層が塗布され
た粘着シートの粘接着剤層に紫外線を照射し、粘接着剤
層を重合硬化させ、粘着力を低下させることでピックア
ップする方法が知られている。
【0004】ピックアップされたICチップは、ダイボ
ンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダ
イアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接
着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、
モバイル用などチップが小さい場合適量の接着剤を塗布
することが困難でありチップから接着剤がはみ出した
り、大容量用途向けの大きいチップの場合には反対に接
着剤量が不足するなど十分な接着力を有することができ
ないという問題点があった。また、接着剤の塗布工程は
繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも改善・改
良が要求されている。
【0005】この問題の解決のため、液状ダイアタッチ
材の代わりにフィルム状接着剤をダイアタッチ材として
使用することが提案され一部では既に使用されている
が、フィルム接着剤をダイに貼り合わせる装置、フィル
ム用ダイマウント装置が新たに必要となり、工程の煩雑
さ、さらには製造コストの上昇を招いている。従って、
現状のインフラを使用したままでの半導体組み立て工程
の簡略化が要求されている。
【0006】かかる問題を解決する方法として、半導体
ウエハ加工時のウエハ固定機能とダイボンディング工程
のダイアタッチ機能とを同時に兼ね備えたウェハー貼付
用粘接着シートがある。すなわち、既存のダイシングフ
ィルムのインフラを使い、ダイシングフィルムとダイア
タッチフィルムを複合したフィルムを貼り合わせ、ダイ
シング後ダイシングフィルムのみ剥がしとり、ダイアタ
ッチ材付きのダイを得ようとするものである。
【0007】この時ウェハーに貼り合わせるフィルム
は、ウェハーを粘着固定しダイシング終了後は、何らか
の手段により粘着力を減殺させることによって分離する
ことのできる基材フィルムと、ダイ側に残りダイアタッ
チフィルムとしての機能を担う粘接着フィルム部分を併
せ持つことが必要である。粘接着層を伴ったダイは、リ
ードフレームあるいは基板に搭載し、加熱すると粘接着
層が接着力を発現し、ダイとリードフレームとの接着が
可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】一方、従来からダイと
リードフレームとの接着に用いられていた銀ペースト
は、接着信頼性において大容量高密度化を目指す新たな
ICパッケージ用途には不十分な点が多く、均一塗布
性、接着性、応力緩和性に優れたダイアタッチ材が求め
られている。
【0009】また、上記ダイアタッチフィルムに用いら
れているフィルム接着剤は、特性的にはこれら条件を満
たすものの、フィルムをダイまたはウェハーに貼り合わ
せるために、新たな設備が必要となり、工程の繁雑さを
増し、ひいてはコストの上昇を防ぐことは困難である。
【0010】本発明は、前記のような従来技術を改善・
改良するためのダイシングフィルムとダイアタッチフィ
ルムの機能を併せ持つフィルムに関するものであり、ダ
イシング時にはダイシングフィルムとして、ダイマウン
ト時には接着剤として使用することができる。しかも、
厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい
湿熱条件に耐えるダイアタッチフィルム並びにそれを用
いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供するこ
とにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明らは、紫外線に対
し透過性を有するフィルム基材面上に、ベースポリマ
ー、紫外線硬化型粘着成分、光重合開始剤、熱硬化型接
着成分、特定の無機フィラーからなる粘着剤を塗布した
粘着剤層を形成することにより、紫外線硬化を利用した
半導体ウエハ加工用粘着シートかつ熱硬化型を利用した
ダイアタッチフィルムを見出し、本発明を完成するに至
った。
【0012】即ち本発明は、光透過性基材と、粘着性と
接着性を有する樹脂組成物により形成された粘接着剤層
とからなるダイアタッチフィルムであって、樹脂組成物
が、(A)紫外線硬化型粘着成分と、(B)熱硬化型接
着成分と、(C)可とう性マトリックス樹脂成分と、
(D)紫外線を遮蔽する無機フィラーからなり、400
nmより短い波長の光線の透過率が20%以下である粘
着性と接着性を有する樹脂組成物からなることを特徴と
するダイアタッチフィルムである。
【0013】無機フィラーが、好ましくは、銀、酸化チ
タン、雲母の群から選ばれた少なくとも1種以上のフィ
ラーである前記ダイアタッチフィルムである。
【0014】また、本発明は、(A)請求項1又は2記
載のダイアタッチフィルムの粘接着剤層とシリコンウェ
ハー裏面とを貼り合わせる工程と、(B)該シリコンウ
ェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程と、
(C)ダイシング後にダイアッタチフィルム面に紫外線
を照射して粘接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬
化させる工程と、(D)粘接着剤層を紫外線硬化させた
後、裏面にダイアタッチフィルムを残存させたダイを光
透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程と、
(E)該ダイをリードフレームまたは回路基板に残存さ
せたダイアタッチフィルムにより加熱接着する工程と
を、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
【0015】更に、本発明は、前記半導体装置の製造方
法により、得られる半導体装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明において粘接着剤に用いる
樹脂組成物は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、樹脂
組成物中の紫外線を照射することにより硬化する成分が
硬化し、非接着物との粘着性を持たなくなるという特徴
を有する。
【0017】本発明において樹脂組成物に用いる紫外線
硬化型粘着成分は、例えば、アクリル系化合物のような
ビニル結合、もしくはアリル基等の二重結合を有する化
合物(A−1)、更に、紫外線硬化性化合物(A−
2)、および、光重合開始剤(A−3)からなる粘着性
成分である。
【0018】アクリル系化合物(A−1)としては、例
えば、アクリル酸及びメタクリル酸エステルモノマー、
もしくはアクリル酸またはメタクリル酸誘導体の共重合
体が挙げられる。アクリル酸またはメタクリル酸エステ
ルとしては、アルキルエステルが好ましく、特に好まし
くはエステル部位の炭素数が1〜15のアクリル酸、メ
タクリル酸アルキルエステルである。例えば、アクリル
酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、メ
タクリル酸ブチル等が用いられる。またベンジルエステ
ル、シクロアルキルエステルなどがある。アクリル酸誘
導体としてビスフェノールA型、グリシジル型などもあ
る。
【0019】前記以外のアクリル酸、メタクリル酸エス
テルとしては、ジアクリル酸、ジメタクリル酸エステル
など2官能アクリレートも用いることができる。例え
ば、ジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エ
チレングリコール、ジアクリル酸1,6−ヘキサンジオ
ール、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジア
クリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジア
クリル酸1,10−デカンジオール、ジメタクリル酸
1,10−デカンジオール等を挙げることができる。
【0020】更に、多官能アルキレートを用いることが
できるが、例えば、トリアクリル酸トリメチロールプロ
パン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリ
アクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタ
エリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリト
ール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等が
挙げられる。
【0021】本発明に用いるモノマー以外のアクリル系
化合物(A−1)の分子量は、好ましくは8万以上であ
り、特に好ましくは15万〜50万である。また、アク
リル系化合物のガラス転移温度は、通常30℃以下、好
ましくは−50〜0℃程度であり、室温近辺の温度領域
で粘着性を示す化合物が良い。
【0022】本発明に用いるアクリル酸又はメタクリル
酸誘導体を構成単位とする共重合体としては、少なくと
も1種類のアクリル酸またはメタクリル酸アルキルエス
テルと、ビスフェノールA型(メタ)アクリル酸エステ
ルとの共重合体が好ましい。また、2官能ジ(メタ)ア
クリル酸エステルと(メタ)アクリル酸グリシジルとの
組み合わせも好ましい。これらの場合、共重合体中にお
けるビスフェノールA型(メタ)アクリル酸から誘導さ
れる成分単位の含有率は、通常は5〜65モル%、好ま
しくは15〜60モル%である。共重合体中に、ビスフ
ェノールA型部位を導入することにより、熱硬化成分と
してのエポキシ樹脂あるいはマトリクス樹脂との相溶性
が向上し、また硬化後の共重合体のTgが高くなり耐熱
性も向上する。
【0023】アクリル酸またはメタクリル酸エステルか
ら誘導される成分単位の含有量は通常0〜55モル%、
好ましくは10〜40モル%である。またアクリル酸お
よびメタクリル酸アルキルエステルとしては例えば、ア
クリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。また分子内に
ヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂の
アクリル酸およびメタクリル酸エステルを導入すること
で被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御する
ことができる。
【0024】紫外線硬化化合物(A−2)としては、ウ
レタンアクリレート系オリゴマーを用いることができ
る。このウレタンアクリレート系オリゴマを用いること
で、紫外線硬化前の粘接着剤層に十分な凝集力を付与す
ることができ、エキスパンディング時に基材からの粘着
シートの剥離、脱落する恐れがなくなる。しかも蛍光灯
下に長時間暴露しても安定した粘着力を得ることができ
る。
【0025】この様なウレタンアクリレート系オリゴマ
ーとしては、特に5000以上の分子量、好ましくは5
000〜20000であるものが好ましい。
【0026】紫外線硬化化合物(A−2)としては、こ
れらの他にも、エポキシ変性アクリレート、50モル%
のグリシジルアクリレートまたはメタクリレートで変性
されたビスA型フェノール樹脂のように水酸基あるいは
ビニル基などの官能基を有するオリゴマーを用いること
もできる。
【0027】紫外線硬化粘着成分には、更に、光重合開
始剤(A−3)を混在させることにより、紫外線照射時
の硬化時間および光線照射量を減らすことができる。ま
た、基材から剥離しダイアタッチフィルムとして使用す
るためにも必要不可欠な成分である。
【0028】このような光重合開始剤(A−3)として
は、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベン
ゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安
息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチル
エーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【0029】本発明で用いられる紫外線硬化型粘着成分
(A)は、好ましくは上記成分(A−1)〜(A−3)
からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて適宜
に設定されるが、一般的には成分(A−1)100重量
部に対して成分(A−2)は0〜200重量部、好まし
くは30〜150重量部、成分(A−3)は0〜30重
量部、好ましくは5〜15重量部程度で用いることが好
ましい。
【0030】本発明に用いる熱硬化型接着成分(B)
は、紫外線照射により硬化しないが、加熱により熱硬化
反応が進行し、三次元網目状化し、被着体である金属リ
ードフレーム及びテープまたは有機硬質基板を強固に接
着する。このような熱硬化型接着成分(B)としては、
一般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹
脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂と、それぞれに対し
て適当な硬化促進剤とから形成されている。このような
熱硬化型接着成分は、種々知られていおり、本発明で
は、特に制限されることなく、周知の種々の熱硬化型接
着成分を用いることができる。この様な接着成分とし
て、例えば、エポキシ樹脂(B−1)と熱活性型潜在性
エポキシ樹脂硬化剤(B−2)との樹脂組成物を挙げる
ことができる。
【0031】熱硬化型接着成分には、上記で挙げた成分
のほかにも、エポキシオリゴマー(B−3)なども用い
ることができる。この化合物は、分子内に少なくとも1
つのエポキシ基を有し、通常は分子量が1000〜50
000、好ましくは300〜10000程度である。
【0032】エポキシ樹脂(B−1)としては、従来よ
り周知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、
分子量300〜2000程度のものが好ましく、特に好
ましくは、分子量300〜800の常温液状のエポキシ
樹脂と、分子量400〜2000、好ましくは500〜
1500の常温固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形
で用いるのが望ましい。また、本発明に、特にこのまし
く使用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は、通常50
〜8000g/eqである。
【0033】このようなエポキシ樹脂としては、具体的
には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチ
レングリコール型エポキシ樹脂などを挙げることができ
る。これらは、1種単独で、または2種類以上を組み合
わせて用いることができる。
【0034】上記の中でも、本発明では、ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂を用いるこ
とが特に好ましい。
【0035】本発明において、熱活性型潜在性エポキシ
樹脂硬化剤(B−2)とは、室温ではエポキシ樹脂と反
応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ
樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
【0036】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(B−
2)の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種
(アニオンまたはカチオン)を生成する方法と、室温付
近ではエポキシ樹脂と相溶、溶解し硬化反応を開始する
方法と、モレキュラーシーブ封入するタイプの硬化剤で
高温で溶出して硬化反応を開始する方法と、マイクロカ
プセルによる方法などが存在する。
【0037】これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤
は1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。特に上記の中でも、ジシアンジアミド、イ
ミダゾール化合物あるいはこれらの混合物を用いること
が好ましい。例えば、ビスF型エポキシ樹脂とイミダゾ
ールの2−メチルイミダゾールにイソシアネートを付加
させたものを組み合わせた熱活性型潜在性エポキシ樹脂
がある。
【0038】本発明に用いる熱硬化型接着成分(B)に
おいて、上記の熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(B
−2)は、エポキシ樹脂(B−1)100重量部に対し
て、通常0〜20重量部、好ましくは5〜15重量部の
割合が、特に好ましく用いられる。
【0039】本発明に用いる可とう性マトリックス樹脂
成分(C)は、紫外線硬化型粘着成分(A)および熱硬
化型接着成分(B)が、共に硬化した状態でも、可とう
性を有する成分で、熱可塑性樹脂またはエラストマーか
らなる。
【0040】上記の可とう性マトリックス樹脂成分は、
前記の熱硬化成分(B)100重量部に対して、通常1
〜50重量部、好ましくは10〜40重量部の割合で用
いられる。
【0041】本発明に用いる可とう性マトリックス樹脂
成分(C)のガラス転移温度Tgとしては、好ましくは
0℃〜100℃程度、特に好ましくは20℃〜80℃程
度である。また、可とう性マトリックス樹脂成分(C)
の分子量は、好ましくは10000〜700000程
度、特に好ましくは20000〜500000程度であ
る。この可とう性成分(C)は内部架橋しているものも
含む。
【0042】可とう性マトリックス樹脂成分(C)は、
紫外線照射や加熱により実質的に硬化しない成分であ
り、ブロック重合体やブロック重合体であってもよい。
【0043】可とう性マトリックス樹脂成分(C)は、
硬化後の粘接着剤層中に、均一に分散して粘接着層の脆
質性を改善し、外部応力に対し抵抗を付与するようにな
る。また、可とう性マトリックス樹脂成分(C)は、熱
硬化成分(B)中に、均一に分散または混合されている
ことが好ましく、このため微細粒子状であるか、トルエ
ンN−メチルピロリドン、アニソール、メチルエチルケ
トン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の有機溶媒に可溶であ
ることが望ましい。
【0044】有機溶媒に可溶な可とう性マトリックス樹
脂成分(C)を用いる場合でも、その硬化過程により、
可とう性マトリックス樹脂成分(C)は、熱硬化型接着
成分(B)と層分離し、構造的に2相系となるものを用
いる。この様な有機溶媒に可溶な可とう性マトリックス
樹脂成分(C)としては、例えば、液状アクリロニトリ
ル・ブタジエン共重合体、ウレタンアクリレート、ポリ
オレフィン樹脂、シリコーンオイル、飽和ポリエステル
樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でも
ダイアタッチ材として使用するためには耐熱性を有する
ことで周知のポリイミド樹脂が特に好ましい。
【0045】通常、有機溶媒に可溶なポリイミド樹脂で
使用される溶剤は、N−メチルピロリドンのような、非
常に沸点の高い溶剤である。このため、従来、この様な
用途で使用することは困難である。しかし、溶媒とし
て、アニソールを用いることで、フィルム加工時の乾燥
温度を低く設定できるため、紫外線硬化型粘着成分
(A)や熱硬化型接着成分(B)を作用させることな
く、フィルム成形が可能となる。
【0046】アニソールに可溶なポリイミドとしてはシ
リコーン変性させたポリイミドが好ましく、分子中の約
20〜80モル%シリコーン変性させることが好まし
く、50〜80モル%が特に好ましい。
【0047】本発明に特に用いられるポリイミドのアニ
ソール溶液は非常に安定に存在し、使用することができ
る。かとう性成分(C)、例えばこの溶液中のポリイミ
ド樹脂100重量部に対して紫外線硬化型粘着成分
(A)を20〜80重量部、特に好ましくは30〜60
重量部添加し、同じくポリイミド樹脂100重量部に対
して熱硬化型接着成分(B)を20〜80重量部、特に
好ましくは30〜50重量部添加する組み合わせにより
粘着性、接着性及び耐熱性を発現させることができる。
【0048】上記のような変性樹脂の他に、エポキシ変
性NBR、ウレタン変性エポキシ樹脂、アクリル変性エ
ポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等があげられ
る。
【0049】本発明に用いる無機フィラー(D)は、4
00nm以下の紫外線の光透過率を20%以下にするも
のである。これは、本発明の半導体装置の製造方法にお
いて、ダイアッタチフィルムの光透過性基材面に紫外線
を照射する際に、粘接着剤層に必須の紫外線遮蔽効果を
発現させ、粘接着剤層の光透過性基材との接触面のみを
硬化させるものである。
【0050】紫外線遮蔽効果のある無機フィラー(D)
としては、例えば金、銀、銅、酸かチタン、雲母、ニッ
ケル、アルミ、ステンレス、カーボン、セラミック、銀
被覆された導電性フィラー等が挙げられる。特に銀、酸
化チタンが好ましい。また、熱伝導性の付与を目的とし
て、同様の金、銀、銅、ニッケル、アルミ、ステンレス
等の金属材料や合金などの熱伝導性物質を添加してもよ
い。これらの添加剤は、全粘接着剤100重量部に対し
て5〜50重量部、特に好ましくは20〜40重量部の
割合で配合されるのが良い。
【0051】本発明に用いる粘着性と接着性を有する樹
脂組成物は、上記各成分を混合して得られ、その400
nmより短い波長の光線における光透過率は20%以下
となるものである。
【0052】本発明のダイアタッチフィルムの光透過性
基材としては、例えばポリプロピレンフィルム、ポリエ
チレンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、
ポリウレタンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム等の透明フィルムが用いられる。
【0053】このような基材の膜厚は、通常は20〜2
00μm、好ましくは25〜100μm程度である。
【0054】本発明のダイアタッチフィルムの製造方法
としては、離型シート上に、上記成分からなる粘接着剤
樹脂組成物を、コンマコーター、ダイコーター、グラビ
アコーターなど、一般に周知の方法にしたがって塗工
し、乾燥させて粘接着剤層を形成し、離型シートを除去
することによって得ることができる。また、上記の光透
過性基材を用いる場合は、離型シート上に粘接着剤組成
物を同様の方法で塗工し、乾燥させて該基材を合わせて
ラミネートすることでダイアタッチフィルムを製造する
ことができる。
【0055】このようにして形成される粘接着剤層の厚
さは、通常は3〜100μm、好ましくは10〜75μ
mであることが望ましい。上記のようにして得られたダ
イアタッチフィルムは、次のようにして使用される。
【0056】本発明の半導体装置の製造方法は、まず、
シリコンウエハの一方の裏面に本発明のダイアタッチフ
ィルムを貼付した後、ダイアタッチフィルムを介してダ
イシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手
段を用いて、上記のシリコンウエハとダイアタッチフィ
ルムとを切断してICチップを得る。この際のシリコン
ウエハとダイアタッチフィルムとの接着力は、通常10
0〜1500g/25mm、好ましくは500〜150
0g/25mmであり、ダイアタッチフィルムの基材と
の接着力は、約1000g/25mm以下である。
【0057】続いて、上記のようにして得られたICチ
ップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面
に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通
常、照度は20〜500mW/cm2、さらに照射時間
は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外線
照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
【0058】したがって、上記のように光透過性基材か
ら紫外線照射を行うことにより、紫外線硬化型粘着成分
(A)が、光透過性基材との接触面のみ硬化し、ダイア
タッチフィルムの粘接着剤層と基材との接着力が100
g/25mm以下に低下する。一方、シリコンウエハと
粘接着剤層との接着力は、紫外線照射前と変わらず、通
常100〜1500g/25mm、好ましくは500〜
1500g/25mmである。
【0059】接着強度は、次のように測定した。粘接着
剤層と光透過性基材との間は、粘接着剤層付きの光透過
性基材を、25mm×20cmに切断し、その粘接着剤
層側をガラス補強板に接着し、サンプルを作成する。こ
のサンプルの光透過性基材1を固定し、ガラス補強板2
付き粘接着剤層を180°ピールにより剥離させた時の
接着強度を測定した(図1)。粘接着剤層とシリコンウ
エハとの間も、25mm×20cmに切断し、その粘接
着剤層に先ほどのガラス補強板の替わり同サイズのウエ
ハに接着し、同様にして剥離強度を測定する。これらの
測定を紫外線照射前後おこなう。
【0060】したがって、上記のようにして紫外線照射
を行うことにより、ダイアタッチ材をICチップの裏面
に固着残存させたままで光透過性基材から剥離すること
ができる。
【0061】このようにしてダイアタッチ材が、固着さ
れているICチップをそのまま金属リードフレームや回
路基板に、加熱・圧着することでダイボンディングする
ことができる。加熱・圧着の条件として通常は、100
〜300℃の加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、
好ましくは100〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時
間である。つづいて、後処理に加熱にすることにより、
ダイアタッチ材のエポキシ樹脂を硬化させ、ICチップ
とリードフレーム等を強固に接着させる。この場合の加
熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは1
50〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1分〜2
40分間、好ましくは10分〜60分間である。このよ
うな加熱により、熱硬化型接着成分が硬化し、ICチッ
プがリードフレーム、回路基板等と非常に強固に接着し
た半導体装置を得ることができる。
【0062】最終的に硬化したダイアタッチ材は、高い
耐熱性を有するとともに、該ダイアタッチ材中に含まれ
る硬化に関与しない可とう性マトリックス樹脂成分、例
えば耐熱性の高いポリイミド樹脂や液状アクリロニトリ
ル・ブタジエン共重合体などが、分散しているため、硬
化物は脆質性は低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、
耐熱性を有する。
【0063】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
【0064】(A)紫外線硬化型粘着成分 〔(A−1)(メタ)アクリル酸エステルモノマー〕
1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(メーカ
ー:共栄社化学(株)) 〔(A−2)多官能(メタ)アクリル酸エステルモノマ
ー〕ペンタエリストールアクリルレート(メーカー:日
本化薬(株)) 〔(A−3)光重合開始剤〕2,2−ジメトキシキ−
1,2−ジフェニルエタン−1−オン(メーカー:チバ
ガイギ(株))
【0065】(B)熱硬化型接着成分 〔(B−1)エポキシ樹脂〕 (B−1−1)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品
名:エピコート1001、エポキシ当量:460g/e
q、メーカー:油化シェルエポキシ(株)) (B−1−2)クレゾールノボラックエポキシ樹脂(商
品名:EOCN−1020−80、エポキシ当量:20
0g/eq、メーカー:日本化薬(株)) 〔(B−2)熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤〕イミ
ダゾール化合物(商品名:1B2MZ、メーカー:四国
化成)
【0066】(C)可とう性マトリックス樹脂成分 (C−1)シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン(0.15モル)とα,ω−ビス(3−ア
ミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子量8
37)(0.15モル)に対して、酸成分に4,4’−
オキシジフタル酸二無水物(0.30モル)を用いたア
ニソールに可溶なポリイミド樹脂を得た。分子量はMw
=60000である。 (C−2)フェノキシ樹脂(商品名:フェノエートYP
−50S、分子量:58000、メーカー:東都化成
(株))
【0067】(D)紫外線遮蔽無機フィラー (D−1)鱗片状銀フィラー(メーカー:DMC2ジャ
パン(株)、平均粒径:3〜6μm)
【0068】実施例1 表1に記載の割合で各成分を調合し、粘接着剤組成物を
得た。この粘接着剤組成物を、ポリエチレンテレフタレ
ート基材100μmに塗布し、乾燥しダイアタッチフィ
ルムを得た。このダイアタッチフィルムに光透過性基
材、ポリプロピレンフィルムの基材を合わせてラミネー
トすることでウエハ加工用の粘接着シートを作製した。
この粘接着シートに半導体ウエハを貼り付け、固定保持
しダイシングソーを用いてスピンドル回転数30,00
0rpm、カッティングスピード120mm/min.
で4×4mm角のチップサイズにカット後、ダイアタッ
チ材の残着したチップを基材より剥離し、ダイシングシ
ート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価
(表2)を行なった。
【0069】実施例2〜5 各成分の配合割合を表1のように変更した。これ以外
は、実施例1と同様の操作を行った。
【0070】比較例 各成分の配合割合を、表1のように変更した。これ以外
は実施例1と同様の操作を行った。
【0071】
【表1】
【0072】
【表2】
【0073】実施例および比較例の評価は、以下の評価
方法を用いた。 (1) ダイシング後のチップの飛散 上記、実施例1にあるように半導体ウエハをダイシング
した後に、粘着が弱いためにシート上から剥離するチッ
プの個数を計測することにより評価した。 (2) ピックアップ性 同じく実施例1のように半導体ウエハのダイシング後に
紫外線照射し、ダイアタッチ材付きチップを基材シート
から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価
した。 ○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの △:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアッ
プ可能なもの ×:ピックアップが50%以下のもの (3) ダイアタッチフィルムとしての初期接着性 ダイアタッチ材付きICチップを42−アロイ合金のリ
ードフレームに180℃−1MPa−1.0secの条
件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチッ
プとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。 (4) 吸湿後の接着性 上記(3)でダイボンディングした測定サンプルを85
℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、チップ
とリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。 ○:剪断強度が1MPa以上 △:剪断強度が0.5〜1.0 ×:剪断強度が0.5未満
【0074】
【発明の効果】本発明のダイアタッチフィルムは、紫外
線硬化性と加熱硬化性とを有することでダイシングの際
には、ダイシングシートとして使用することができ、I
Cチップ搭載の際にはチップとの接着剤として使用する
ことができるまた、これを用いた半導体装置は、これま
での液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、そ
れ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】180°引張りによる接着強度試験を説明する
断面図である。
【符号の説明】
1 光透過性基材 2 ガラス補強板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/301 H01L 21/78 Q M Fターム(参考) 4J004 AA10 AA11 AA12 AA13 AA14 AA18 AB05 AB07 CA04 CA05 CA06 CC02 FA08 4J040 CA001 CA002 CA071 CA072 DA001 DA002 DF061 DF062 EB001 EB002 EB111 EB112 EB131 EB132 EC061 EC062 EC071 EC072 ED001 ED002 EH031 EH032 FA081 FA082 FA141 FA142 FA261 FA262 FA291 FA292 HA066 HA136 HA356 JA09 JB02 JB08 LA06 LA07 LA08 NA20 PA23 5F047 BA24 BA34 BA35 BA52 BA54

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光透過性基材と、粘着性と接着性を有する
    樹脂組成物により形成された粘接着剤層とからなるダイ
    アタッチフィルムであって、樹脂組成物が、(A)紫外
    線硬化型粘着成分と、(B)熱硬化型接着成分と、
    (C)可とう性マトリックス樹脂成分と、(D)紫外線
    を遮蔽する無機フィラーからなり、400nmより短い
    波長の光線の透過率が20%以下である粘着性と接着性
    を有する樹脂組成物からなることを特徴とするダイアタ
    ッチフィルム。
  2. 【請求項2】無機フィラーが、銀、酸化チタン、雲母の
    群から選ばれた少なくとも1種以上のフィラーである請
    求項1記載のダイアタッチフィルム。
  3. 【請求項3】(A)請求項1又は2記載のダイアタッチ
    フィルムの粘接着剤層とシリコンウェハー裏面とを貼り
    合わせる工程と、(B)該シリコンウェハーをダイシン
    グし個片ダイに切り離す工程と、(C)ダイシング後に
    ダイアッタチフィルム面に紫外線を照射して粘接着剤層
    の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程と、
    (D)粘接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面にダイア
    タッチフィルムを残存させたダイを光透過性基材から剥
    離し取り出すピックアップ工程と、(E)該ダイをリー
    ドフレームまたは回路基板に残存させたダイアタッチフ
    ィルムにより加熱接着する工程とを、含んでなることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】請求項3記載の半導体装置の製造方法によ
    り、得られる半導体装置。
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