JP4372463B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、特にシリコンウエハ等をダイシングし、さらにリードフレーム等の基板のダイパッド部にダイボンディングする工程を含む、いわゆるダイレクトダイボンド法の改良技術を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは予じめ粘着テープに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。
【０００３】
これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたウエハダイシング・接着用シート、およびこのようなシートを用いたダイレクトダイボンドプロセスが種々提案されている（たとえば、特開平２−３２１８１号公報）。
【０００４】
特開平２−３２１８１号公報には、特定の組成物よりなる粘接着剤層と、基材とからなる粘接着テープが開示されている。この粘接着剤層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機能を有し、さらに基材との間の接着力がコントロールできるため、ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、粘接着剤層は、チップとともに剥離する。粘接着剤層を伴ったＩＣチップを基板に載置し、加熱すると、粘接着剤層中のエポキシ樹脂が接着力を発現し、ＩＣチップと基板との接着が完了する。すなわち、チップのピックアップ後、直ちにダイボンドを行えるダイレクトダイボンドが可能になる。
【０００５】
上記公報に開示されている粘接着テープは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。すなわち、上記の粘接着テープの粘接着剤層は、エネルギー線硬化および熱硬化を経たダイボンド後には全ての成分が硬化し、チップと基板とを非常に強固に接着する。
【０００６】
ところで、近年、ＩＣのパッケージ構造は多様化し、その構造に応じて様々な特性が要求されるようになってきている。たとえば、ＩＣパッケージの信頼性向上のため、ダイボンディング材の剛直さ、すなわち高弾性率が求められることがある。しかし、前述した特開平２−３２１８１号公報に記載の粘接着剤層では、加熱硬化後の弾性率に限界があり、さらなる改善が要望される。
【０００７】
また、従来よりダイボンドに用いられているペースト状接着剤やフィルム状接着剤は、添加されているフィラーの種類や性状を選択することで高弾性率を達成できる場合がある。しかし、ペースト状接着剤では、液状であるため、接着剤のブリードアウトやはみ出しや、膜厚のばらつきのためにチップの傾きなどの問題がある。またフィラーを添加し高弾性化したフィルム状接着剤では、粘着性が低下し、加熱条件を上げて貼付性を維持させなければならず、製造工程が複雑化し、生産効率に劣ることになる可能性がある。
【０００８】
一方、特許第２６６５３８３号には、「支持基材上に粘着層、熱可塑性接着フィルムおよびウエハ固定用接着層を順次積層してなり、前記粘着層と熱可塑性接着フィルムが剥離可能状態にて積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム」が開示されている。
【０００９】
このダイシング・ダイボンドフィルムの構造では、ウエハ固定用接着層または熱可塑性接着フィルムのどちらかを高弾性率化しようとしても、ウエハ側あるいは基板側への貼付性が劣ることになるため、充分なＩＣパッケージの信頼性を得られない。
【００１０】
また、粘着層と熱可塑性接着フィルムとが直接積層されているため、層同士で成分の移動が起こり、経時的に特性が変化することがある。このため、ダイシングの後、粘着層の粘着力が充分に低下しないことがあり、ピックアップ不良を起こすおそれがある。また、粘着層と熱可塑性接着フィルムのみでは充分な弾性率を得ることもできない。
【００１１】
このような課題の解決を目的として、特許文献１では、「基材上に、第１の粘接着剤層、剛直層および第２の粘接着剤層がこの順に積層してなることを特徴とするウエハダイシング・接着用シート」が開示されている。また同特許文献１には、「上記ウエハダイシング・接着用シートの第２の粘接着剤層に、半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法」が開示されている。
【００１２】
特許文献１の発明によれば、剛直層を介在させることで、弾性率に優れたダイボンド層が形成され、半導体装置の信頼性の向上に寄与する。特許文献１においては、剛直層を形成する材料の例示として、硬化性樹脂、エンジニアリングプラスチックフィルム、金属箔など、弾性率の高い薄膜品が例示されている。
【００１３】
しかし、この特許文献１に記載の製造方法では、ダイシング工程後に、通常行われるエキスパンドを行うことが困難であった。エキスパンド工程は、ダイシング工程終了後に、チップ間隔を離間させる工程である。エキスパンド工程では、ウエハダイシング・接着用シートの外縁をリングフレームで固定した後、ウエハ（チップ）を筒状のステージ上に保持し、リングフレームを下方に移動させることで、ウエハダイシング・接着用シートを縦／横方向に同時に延伸し、チップ間隔を離間させる。このように、チップ間隔を離間させると、チップのピックアップ時の認識性が向上するとともに、粘接着剤層と基材との間にずり応力が発生するため、ピックアップ時の剥離力も低下され、チップのピックアップを容易に行えるようになる。
【００１４】
上記特許文献１に記載のウエハダイシング・接着用シートでは、ダイシング時はウエハサイズ同等の領域がダイシングされるため、それ以外の領域（ウエハ外周部からリングフレームの内径部）には未切断部のウエハダイシング・接着用シートが残留する。つまり、上記シート中の構成要素である未切断の剛直層、特に剛直層がエンジニアリングプラスチックフィルムや金属箔である場合には、剛直層が硬いため、エキスパンドを行なったとしても、剛直層の未切断部分によりエキスパンド力のチップへの伝達が行なわれないため、ウエハダイシング・接着用シートの延伸が不十分になり、充分にチップ間隔が離間しないため、ピックアップ時の剥離力の低下も不十分であり、チップのピックアップに支障をきたす場合がある。
【００１５】
【特許文献１】
特願２００２−００６４３２号明細書（2002年1月15日出願）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハへの貼付作業および、ダイシング工程後のシートのエキスパンドおよびチップのピックアップ操作を円滑に行え、ＩＣパッケージの信頼性を高くできる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
基材とその上に形成された第１の粘接着剤層とからなる第１の粘接着シートと、剛直層とその上に形成された第２の粘接着剤層とからなる第２の粘接着シートとをそれぞれ準備し、
半導体ウエハに、第２の粘接着シートの第２の粘接着剤層側を貼付し、
必要に応じ、第２の粘接着シートが該半導体ウエハと略同形状となるように、第２の粘接着シートの周縁部を切断除去し、
半導体ウエハよりも大径の第１の粘接着シートを、第２の粘接着シートの剛直層に貼付し、
第１の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、
前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとするとともに、第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層をＩＣチップと同形状に切断し、
第１の粘接着シートの基材をエキスパンドしてＩＣチップの間隔を離間し、
前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴としている。
【００１８】
本発明において、前記基材の前記第１の粘接着剤層に接する面の表面張力が４０mN/m以下であることが好ましい。
【００１９】
本発明においては、前記剛直層が、
−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が１０8Ｐａ以上であるか、
エンジニアリングプラスチックからなるか、または
金属箔からなることが好ましい。
また、本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、
基材とその上に形成された第１の粘接着剤層とからなる第１の粘接着シートと、硬化性樹脂からなる薄膜層とその上に形成された第２の粘接着剤層とからなる第２の粘接着シートとをそれぞれ準備し、
半導体ウエハに、第２の粘接着シートの第２の粘接着剤層側を貼付し、
半導体ウエハよりも大径の第１の粘接着シートを、第２の粘接着シートの薄膜層に貼付し、
第１の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、
前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとするとともに、第２の粘接着剤層、薄膜層、第１の粘接着剤層をＩＣチップと同形状に切断し、
第１の粘接着シートの基材をエキスパンドしてＩＣチップの間隔を離間し、
前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、薄膜層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着し、各粘接着剤層の硬化処理と同時に前記薄膜層を硬化させて剛直層を形成することを特徴としている。
【００２０】
このような本発明によれば、半導体ウエハへの貼付作業および、ダイシング工程後のシートのエキスパンドおよびチップのピックアップ操作を円滑に行え、ＩＣパッケージの信頼性を高くできる半導体装置の製造方法が提供される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について、具体的に説明する。
【００２２】
本発明においては、まず、基材１とその上に形成された第１の粘接着剤層２とからなる第１の粘接着シート１１と、剛直層３とその上に形成された第２の粘接着剤層４とからなる第２の粘接着シート１２とをそれぞれ準備する。
【００２３】
上記第１および第２の粘接着シートは、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。
【００２４】
以下、第１の粘接着シート１１を構成する基材１、第１の粘接着剤層２、ならびに第２の粘接着シート１２を構成する剛直層３、第２の粘接着剤層４をそれぞれ説明する。
【００２５】
基材１
第１の粘接着シート１１の基材１としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル系共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等の透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、上記の透明フィルムの他、これらを着色した不透明フィルム、フッ素樹脂フィルム等を用いることができる。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層４、剛直層３、第１の粘接着剤層２を固着残存させて基材１からピックアップする。このため、基材１の第１の粘接着剤層２に接する面の表面張力は、好ましくは４０mN/m 以下、さらに好ましくは３７mN/m 以下、特に好ましくは３５mN/m 以下であることが望ましい。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
【００２７】
基材１の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。特に基材フィルムへの密着性が高く、表面張力が調整しやすいため、アルキッド樹脂が好ましい。
【００２８】
上記の剥離剤を用いて基材１の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーター等により塗布して、常温または加熱あるいは電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。
【００２９】
このような基材の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
【００３０】
第１の粘接着剤層２
第１の粘接着剤層２は、本発明の半導体装置の製造方法において、ピックアップされたチップの最下面に配置され、ダイパッド部との固着に用いられる。
【００３１】
したがって、従来よりこの種の用途に用いられてきた粘接着剤が特に制限されることなく用いられる。しかしながら、基材１表面からの剥離を容易にするために、第１の粘接着剤層は、エネルギー線硬化性成分を有することが好ましい。エネルギー線硬化性成分を硬化させることで、粘着力が減少するため、基材１表面からの剥離を容易に行えるようになる。また、ダイパッド部との固着を強固にするために、熱硬化性成分を有することが好ましい。ダイパッド部への載置後、加熱することで熱硬化性成分が活性化し、ダイパッド部に対し強固に接着できるようになる。
【００３２】
すなわち第１の粘接着剤層２は、エネルギー線硬化性と加熱硬化性とを有し、マウントの際には接着剤として使用することができる性質を有することが好ましい。
【００３３】
このような粘接着剤の具体例としては、たとえば（Ａ）粘着成分と、（Ｂ）エネルギー線硬化性成分と、（Ｃ）熱硬化型接着成分とからなる粘接着剤をあげることができる。
【００３４】
粘着成分（Ａ）としては、アクリル系、ゴム系、ポリエステル系、シリコーン系等の汎用の粘着剤が用いられ、特にアクリル系粘着剤が好ましく用いられる。アクリル系粘着剤としては、たとえば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルが用いられる。これらの中でも、特に好ましくはアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、たとえばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、たとえば（メタ）アクリル酸グリシジル等を挙げることができる。
【００３５】
上記のようなアクリル系粘着剤としては、特に、（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸グリシジルと、少なくとも１種類の（メタ）アクリル酸アルキルエステルとの共重合体が好ましい。この場合、共重合体中における（メタ）アクリル酸グリシジルから誘導される成分単位の含有率は通常は０〜８０モル％、好ましくは５〜５０モル％である。グリシジル基を導入することにより、後述する熱硬化型接着成分としてのエポキシ樹脂との相溶性が向上し、また硬化後のＴｇが高くなり耐熱性も向上する。共重合体中における（メタ）アクリル酸から誘導される成分単位の含有率は通常は０〜４０モル％、好ましくは５〜２０モル％である。また（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル等を用いることが好ましい。また、アクリル酸ヒドロキシエチル等の水酸基含有モノマーを導入することにより、被着体との密着性や粘着物性のコントロールが容易になる。
【００３６】
アクリル系粘着剤の分子量は、重量平均分子量で好ましくは１０００００以上であり、特に好ましくは１５００００〜１００００００である。またアクリル系粘着剤のガラス転移温度は、通常２０℃以下、好ましくは−７０〜０℃程度であり、常温（２３℃）においては粘着性を有する。
【００３７】
エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物の例としては、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，１３９号公報に開示されているような低分子量化合物があげられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、イソボルニルアクリレートなどの環状脂肪族骨格含有アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が用いられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。
【００３８】
一般的には成分（Ａ）１００重量部に対して、成分（Ｂ）は３０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０重量部程度の割合で用いられる。
【００３９】
上記のような成分（Ａ） および（Ｂ）からなる粘接着剤組成物は、エネルギー線照射により硬化する。エネルギー線としては、具体的には、紫外線、電子線等が用いられる。
また上記成分（Ａ）および（Ｂ）の性質を兼ね備えるものとして、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体（以下、成分（ＡＢ）と記載する場合がある）を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細が記載されている。
【００４０】
エネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤を混入することにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
【００４１】
このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンあるいは2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。
【００４２】
光重合開始剤は、前記成分（Ａ）＋（Ｂ）の合計または成分（ＡＢ）１００重量部に対して、０．１〜５．０重量部、好ましくは０．５〜３．０重量部程度の割合で用いることが好ましい。
【００４３】
上記成分（Ａ＋ＢまたはＡＢ）は、次に挙げる熱硬化型接着成分（Ｃ）１００重量部に対して、通常１５〜１００重量部、好ましくは１８〜７０重量部、特に好ましくは２０〜５０重量部の量で用いられる。
【００４４】
熱硬化型接着成分（Ｃ）は、エネルギー線によっては硬化しないが、加熱を受けると三次元網状化し、被着体を強固に接着する性質を有する。このような熱硬化型接着成分（Ｃ）は、一般的にはエポキシ、フェノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーン等の熱硬化性樹脂と、適当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬化型接着成分は種々知られており、本発明においては特に制限されることなく従来より公知の様々な熱硬化型接着成分を用いることができる。このような熱硬化型接着成分の一例としては、(C-1)エポキシ樹脂と(C-2)熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とからなる接着成分を挙げることができる。
【００４５】
エポキシ樹脂(C-1)としては、従来より公知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子量３００〜２０００程度のものが好ましく、特に分子量３００〜５００、好ましくは３３０〜４００の常態液状のエポキシ樹脂と、分子量４００〜２０００、好ましくは５００〜１５００の常態固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用いるのが望ましい。また、本発明において好ましく使用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は通常５０〜５０００g/eqである。このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレートなどの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；アリサイクリックジエポキシアセタール、ジシクロペンタジエンジエポキサイドなどの環状脂肪族骨格含有エポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-ジシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシ)シクロヘキシル-5,5-スピロ(3,4-エポキシ)シクロヘキサン-m-ジオキサンなどのように、分子内の炭素−炭素二重結合をたとえば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。
【００４６】
これらの中でも、本発明では、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ樹脂、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましく用いられる。
【００４７】
これらエポキシ樹脂は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C-2)とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
【００４９】
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C-2)の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近ではエポキシ樹脂(C-1)中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で高温で溶出して硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法等が存在する。
【００５０】
これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。特に上記の中でも、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物あるいはこれらの混合物が好ましい。
【００５１】
上記のような熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(C-2)は、エポキシ樹脂(C-1)１００重量部に対して通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．５〜１５重量部、特に好ましくは１〜１０重量部の割合で用いられる。
【００５２】
第１の粘接着剤層２には、さらにカップリング剤（Ｄ）を配合しても良い。カップリング剤（Ｄ）は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分、好ましくは成分（Ｃ）が有する官能基と反応する基を有することが望ましい。
【００５３】
カップリング剤（Ｄ）は硬化反応時に、カップリング剤中の有機官能基が熱硬化型接着成分（Ｃ）（特に好ましくはエポキシ樹脂）と反応すると考えられ、硬化物の耐熱性を損なわずに、接着性、密着性を向上させることができ、さらに耐水性（耐湿熱性）も向上する。
【００５４】
カップリング剤（Ｄ）としては、その汎用性とコストメリットなどからシラン系（シランカップリング剤）が好ましい。また、上記のようなカップリング剤（Ｄ）は、前記熱硬化型接着成分（Ｃ）１００重量部に対して通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．２〜１５重量部、特に好ましくは０．５〜１０重量部の割合で用いられる。
【００５５】
上記粘接着剤には、エネルギー線照射前の初期接着力および凝集力を調節するために、有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物等を添加することもできる。
【００５６】
上記有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物およびこれらの多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等をあげることができる。有機多価イソシアナート化合物のさらに具体的な例としては、たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシレンジイソシアナート、ジフェニルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジフェニルメタン−２，４'−ジイソシアナート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−４，４'−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−２，４'−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどがあげられる。
【００５７】
上記有機多価イミン化合物の具体例としては、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、N,N'-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等をあげることができる。
【００５８】
このような有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物は、前記成分（Ａ）＋（Ｂ）の合計または成分（ＡＢ）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部程度の割合で用いることが好ましい。
【００５９】
上記のような成分からなる第１の粘接着剤層２の厚さは、通常は、３〜１００μｍ、好ましくは１０〜６０μｍであることが望ましい。
【００６０】
上記のような各成分からなる粘接着剤はエネルギー線硬化性と加熱硬化性とを有し、ダイシングの際には基材１に密着してウエハの固定に寄与し、マウントの際にはチップとダイパッド部とを接着する接着剤として使用することができる。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかも剪断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着物性を保持しうる。
【００６１】
なお、第１の粘接着シート１１の使用前に、第１の粘接着剤層２を保護するために、粘接着剤面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。
【００６２】
また、第１の粘接着剤層２の表面外周部には、リングフレーム６を固定するためのリングフレーム固定用粘着シート５が設けられていてもよい。
【００６３】
また、上記第１の粘接着剤層２および後述する剛直層３、第２の粘接着剤層４には、さらに、ダイボンド後の導電性または熱伝導性の付与を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カーボン、またはセラミック、あるいはニッケル、アルミニウム等を銀で被覆したもののような導電性、熱伝導性のフィラーを添加してもよい。これらの添加剤は、各層の成分（該添加剤を除く）の合計１００重量部に対して、１０〜４００重量部程度の割合で配合されていてもよい。なお、導電性を目的とする場合には、後述の剛直層も含めた３層がともに導電性を付与された材料から選択される。
【００６４】
剛直層３
剛直層３は、ダイボンド後の粘接着剤層２と４の間に介在し、全体としての貯蔵弾性率を向上させるために用いられる。
【００６５】
このような剛直層を構成する薄層膜としては、−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が108Ｐａ以上、好ましくは109Ｐａ以上、さらに好ましくは1.2×109〜9.9×1011Ｐａのものが望ましい。薄層膜としては、たとえば、エンジニアリングプラスチックフィルム、金属箔などが挙げられる。
【００６６】
剛直層３の膜厚は特に限定はされないが、一般的には１０〜３００μｍ、好ましくは１５〜２００μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍの範囲にある。
【００６７】
エンジニアリングプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ（4-メチルペンテン-1）フィルム、液晶ポリマーフィルム等が用いられる。これらの中でもポリイミドフィルムが好ましく用いられる。
【００６８】
剛直層３の他の態様である金属箔としては、銅、鉄、ニッケル、モリブデン、タングステンなどの単体の金属、黄銅（銅−亜鉛）、青銅（銅−錫）、ベリリウム銅（銅−Be,Co,Ag,Cr）などの銅合金、ステンレス鋼や、Si,Mn,Cr,W,Mo,Ti,Niなどとの鉄合金（フェロアロイ）、チタン合金、マグネシウム合金など、各種の単体金属や合金の箔等が用いられる。特に、銅または銅合金からなることが好ましい。
【００６９】
また、剛直層３は硬化性樹脂からなる薄膜層で構成されてもよい。硬化性樹脂としては、たとえば前述した熱硬化型接着成分（Ｃ）などが用いられ、特に好ましくはエポキシ系樹脂が用いられる。また、硬化性樹脂にフィラーを添加することにより貯蔵弾性率を適宜に調整することができる。また、硬化性樹脂には、必要に応じ、ポリマー成分、カップリング剤、有機多価イソシアナート化合物などが含まれていてもよい。
【００７０】
硬化性樹脂の薄膜層からなる剛直層３は、硬化済みの薄膜層を使用しても良いし、硬化前の薄膜層を使用しダイボンド後に、各粘接着剤層の硬化処理と同時に硬化させてもよい。
【００７１】
剛直層３の表面には、第２の粘接着剤層４が形成される。また剛直層３の裏面には、前述した第１の粘接着シート１１の粘接着剤層２が貼付される。したがって、層間の接着強度を向上するために、剛直層３の両面にコロナ処理やプライマー処理あるいはプラズマ処理などを施しておいてもよい。
【００７２】
第２の粘接着剤層４
第２の粘接着剤層４は、後述する半導体装置の製造方法において、ダイシング時にウエハを固定し、また切断分離されたチップを保持するために用いられる。
【００７３】
したがって、従来よりこの種の用途に用いられてきた粘接着剤が特に制限されることなく用いられる。しかしながら、ウエハの貼着を容易にできるように粘着性を有することが好ましく、またダイボンド後の貯蔵弾性率の向上に寄与するために、硬質な被膜に転換しうる材料からなることが好ましい。
【００７４】
このような粘接着剤の具体例としては、たとえば前述した第１の粘接着剤層２と同様の、（Ａ）粘着成分と、（Ｃ）熱硬化型接着成分とからなる粘接着剤をあげることができる。ただし、剛直層３との剥離性を考慮する必要はないので、エネルギー線硬化性成分（Ｂ）は配合しても良いし、配合しなくても良い。
【００７５】
この場合、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｃ）は好ましくは５０〜３０００重量部、さらに好ましくは１００〜２０００重量部程度の割合で用いられる。さらに必要に応じ、前記第１の粘接着剤層２と同様に、カップリング剤（Ｄ）、フィラーやイソシアナート化合物などの他の成分を含むものであってもよい。カップリング剤（Ｄ）は、前記熱硬化型接着成分（Ｃ）１００重量部に対して好ましくは０．１〜２０重量部、さらに好ましくは０．２〜１５重量部、特に好ましくは０．５〜１０重量部の割合で用いられる。
【００７６】
上記のような成分からなる第２の粘接着剤層４の厚さは、通常は、３〜１００μｍ、好ましくは１０〜６０μｍであることが望ましい。
【００７７】
なお、第２の粘接着シート１２の使用前に、第２の粘接着剤層４を保護するために、粘接着剤面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。
【００７８】
半導体装置の製造方法
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず前述した第１の粘接着シート１１および第２の粘接着シート１２をそれぞれ準備する。
【００７９】
次いで、半導体ウエハ７の一方の面を、第２の粘接着シート１２の第２の粘接着剤層４上に載置し、軽く押圧し、ウエハ７を固定する（図１参照）。第２の粘接着シート１２の形状は、半導体ウエハ７と略同形状であることが好ましい。したがって、半導体ウエハ７への貼付に先立ち、第２の粘接着シート１２をウエハ７と略同形状に切断しておいてもよい。または、半導体ウエハ７よりもやや大径の第２の粘接着シート１２を準備しておき、半導体ウエハ７に第２の粘接着シート１２を貼付した後、第２の粘接着シート１２が該半導体ウエハ７と略同形状となるように、第２の粘接着シート１２の周縁部を切断除去してもよい。
【００８０】
次いで、第１の粘接着シート１１を、第１の粘接着剤層２を介して、第２の粘接着シート１２の剛直層３に貼付する（図２参照）。第１の粘接着シート１１は、半導体ウエハ７よりも大径であり、周縁部をリングフレーム６で固定できる程度の大きさを有する。
【００８１】
その後、第１の粘接着シート１１の周縁部をリングフレーム６で固定する。
【００８２】
なお、本発明においては、第１の粘接着シート１１の周縁部をリングフレーム６に固定した後、該粘接着シート１１を、剛直層３に貼付してもよい。
【００８３】
その後、第１の粘接着剤層２に、エネルギー線硬化性成分が含まれている場合は、基材１側からエネルギー線を照射し、第１の粘接着剤層２の凝集力を上げ、第１の粘接着剤層２と基材１との間の接着力を低下させておく。
【００８４】
次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のシリコンウエハ７を切断しＩＣチップ7'を得る（図３参照）。この際の切断深さは、シリコンウエハ７の厚みと、第２の粘接着剤層４、剛直層３および第１の粘接着剤層２の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。
【００８５】
なお、エネルギー線照射は、ダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。
【００８６】
次いで、第１の粘接着シート１１の基材１のエキスパンドを行うと、図４に示すようにＩＣチップ間隔が拡張し、ＩＣチップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、図３で示すようにＩＣチップ7'が貼付されている部分とリングフレーム６との間には、剛直層３は存在しないため、エキスパンドに悪影響を与えることはない。そして、エキスパンドにより、第１の粘接着剤層２と基材１との間にずり応力が作用することになり、第１の粘接着剤層２と基材１との間の接着力が減少し、チップのピックアップ性が向上する。
【００８７】
このようにしてＩＣチップ7'のピックアップを行うと、切断された第２の粘接着剤層４、剛直層３および第１の粘接着剤層２をＩＣチップ裏面に固着残存させて基材１から剥離することができる（図５参照）。
【００８８】
次いで第１の粘接着剤層２を介してＩＣチップ7'をダイパッド部に載置する。ダイパッド部はＩＣチップ7'を載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は0.1秒〜５分、好ましくは0.5秒〜３分であり、チップマウント圧力は、通常１ｋＰａ〜１００ＭＰａである。
【００８９】
ＩＣチップをダイパッド部にチップマウントした後、さらに加熱することにより、第１の粘接着剤層２および第２の粘接着剤層４が硬化し、ＩＣチップとダイパッド部とを強固に接着することができる。また剛直層３を硬化性樹脂により形成した場合は、これと同時に加熱により該硬化性樹脂が硬化し、剛直層３となる。この際の加熱硬化条件としては、加熱温度は通常８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は通常１分〜１２０分、好ましくは１０分〜９０分である。
【００９０】
この結果、得られる実装品においては、チップの固着手段である粘接着剤が硬化し、かつ該硬化物中に剛直層３が組み込まれた構成となるため、この固着手段の貯蔵弾性率は極めて高くなり、過酷な条件下にあっても、十分なパッケージ信頼性とボード実装性が達成される。
【００９１】
なお、本発明の接着用シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。
【００９２】
【発明の効果】
このような本発明によれば、半導体ウエハへの貼付作業および、ダイシング工程後のシートのエキスパンドおよびチップのピックアップ操作を円滑に行え、ＩＣパッケージの信頼性を高くできる半導体装置の製造方法が提供される。
【００９３】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９４】
なお、以下の実施例および比較例において、「貯蔵弾性率」、「エキスパンド性」、「ピックアップ性」、「パッケージ信頼性」および「ボード実装信頼性」は次のようにして評価した。
「貯蔵弾性率」
剛直層３の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（オリエンテック社製、RHEOVIBRON DDV-II-EP）により、周波数１１Ｈｚで−５０〜１５０℃の範囲を測定した。
【００９５】
なお、実施例１，２および比較例２においては、剛直層であるポリイミドフィルムおよび電解銅箔を直接測定した。また、実施例３では、剛直層となる配合物を剥離シート上に塗布乾燥し、乾燥膜厚５０μｍの硬化前の剛直層を得た。次に１６０℃６０分間の加熱をして硬化させ、剥離シートを剥がして単層の剛直層を作成し、これの貯蔵弾性率を測定した。
「エキスパンド性」
実施例または比較例においてダイシングしたサンプルを、ボンダ−（日電機械社製、CPS-100）に搭載し、１８ｍｍ引き落としを行い、無理なくエキスパンドが可能であったものを「良」、機械的な負荷が大きく引き落としが困難であったものを「不良」とした。
「ピックアップ性」
上記のエキスパンドを行なったサンプルを用い、基材側よりニードルで突き上げて、第１の粘接着剤層と基材との界面で剥離するようにして、ピックアップを行なった。２０個のチップのピックアップを行ない、その平均値をピックアップ力とした。
【００９６】
エキスパンドが行なえなかったサンプルについては、エキスパンドをすることなく、上記と同様にしてピックアップ力を測定した。
「パッケージ信頼性」
実施例または比較例で作成したＩＣパッケージを８５℃、６０％ＲＨ条件下に１６８時間放置し、吸湿させた後、最高温度２６０℃のＩＲリフローを２回行った際に接合部位の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波探傷装置および断面観察により評価した。
「ボード実装信頼性」
実施例または比較例で作成したＩＣパッケージを、マザーボード（ＢＴレジンを用いて高密度実装用に積層されたビルドアップ配線板）に２６０℃、１分で実装した。
【００９７】
ＩＣパッケージが実装されたマザーボードを、−４０および１２５℃の熱衝撃（加熱１分間、加熱温度保持９分間、冷却１分間、冷却温度保持９分間を１サイクルとする）を１０００サイクル行った。マザーボードとＩＣパッケージとの間に発生するクラックの有無を走査型超音波探傷装置および断面観察により評価した。
「第１および第２の粘接着シートの作成」
（第１の粘接着シート１Ａ）
第１の粘接着剤用の配合物（表１参照）を剥離シート（リンテック社製、厚さ３８μｍ、SPPET3811）の剥離処理面に、乾燥膜厚が３０μｍとなるように、ロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、基材（厚み１００μｍのエチレン−メタクリル酸メチル共重合体フィルム、表面張力３４ｍＮ／ｍ）に積層し、第１の粘接着シート１Ａを作成した。
【００９８】
リングフレーム固定用粘着シートとして厚さ８０μｍのポリ塩化ビニルフィルムの基材の片面に再剥離性を有するアクリル系粘着剤（リンテック社製、Ｍ−４）１０μｍを形成した粘着シートを用いた。このリングフレーム固定用粘着シートを内径２００mmの円形に切り抜き、第１の粘接着シート１Ａの第１の粘接着剤層でリングフレーム固定用粘着シートの基材面に貼り合せた。次に、リングフレーム固定用粘着シートの円形の切り抜き部分と同心円になるように２０７mm径に切断して、第１の粘接着シート１Ａとリングフレーム固定用粘着シートの積層物を作成した。
（第２の粘接着シート２Ａ）
第２の粘接着剤用の配合物（表１参照）を剥離シート（SPPET3811）の剥離処理面に、乾燥膜厚が２０μｍとなるように、ロールナイフコーターを用いて塗布乾燥して、剛直層としてのポリイミドフィルム（表２参照）に積層し、第２の粘接着シート２Ａを作成した。
（第２の粘接着シート２Ｂ）
剛直層を電解銅箔（表２参照）に代えた以外は、第２の粘接着シート２Ａと同様にして、第２の粘接着シート２Ｂを作成した。
（第２の粘接着シート２Ｃ）
剛直層用の配合物（表２実施例３参照）を剥離シート（SPPET3811）の剥離処理面に、乾燥膜厚が５０μｍとなるように、ロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、露出した面の保護のために別の剥離シート（リンテック社製、厚さ３８μｍ、SPPET3801）に積層した。
【００９９】
次に第２の粘接着剤用の配合物（表１参照）を別の剥離シート(SPPET 3801)の剥離処理面に、乾燥膜厚が２０μｍとなるようにロールナイフコーターを用いて塗布乾燥し、剛直層を保護している剥離シート(SPPET 3801)を剥離しながら、第２の粘接着剤層と剛直層を積層し、第２の粘接着シート２Ｃを作成した。
【０１００】
【実施例１】
＃２０００研磨処理したシリコンウエハ（１５０ｍｍ径、厚さ３５０μｍ）の研磨面に、第２の粘接着シート２Ａの第２の粘接着剤層を、テープラミネーター（リンテック社製、Adwill RAD3500m/8 DBS）により貼付してウエハ外周形状に合わせてカットした。続いて、第２の粘接着シート２Ａの剛直層上に第１の粘接着シート１Ａの第１の粘接着剤層をテープマウンター（リンテック社製、Adwill RAD2500m/8）により貼付するとともに、リングフレーム固定用粘着シートでウエハダイシング用リングフレーム（ディスコ社製2-6-1）に固定し、図２に示されるような構成体を作成した。
【０１０１】
その後、ＵＶ照射装置（リンテック社製、Adwill RAD2000）を用いて第１の粘接着シートの基材面から紫外線を照射した。次に、ダイシング装置（東京精密社製、AWD-4000B）を使用して５ｍｍ×５ｍｍのチップサイズにダイシングした。ダイシングの際の切り込み量は、第１の粘接着シートの基材を２０μｍ切り込むようにした。これをボンダー（日電機械社製、CPS-100）に搭載し、１８ｍｍ引き落とす条件でエキスパンドを行い、基材側よりニードルで突き上げて、第１の粘接着剤層と基材との界面で剥離するようにして、チップのピックアップを行った。
【０１０２】
ピックアップしたチップは、ＩＣパッケージ用の基板のダイパッド部に、積層状態のチップの第１の粘接着剤層側を１２０℃、１５０ＭＰａ、１秒間の条件で圧着し、チップマウントを行った。なお、ＩＣパッケージ用の基板として、ポリイミドフィルム（５０μｍ）と電解銅箔（２０μｍ）との積層体上に、ダイパッド部として銅箔上にパラジウムメッキおよび金メッキを順にパターン処理し、更に高さ２５０μｍのソルダーレジストを有するものを使用した。
【０１０３】
その後、１６０℃、６０分間の条件で第１および第２の粘接着剤層を加熱硬化した。更に、モールド樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂を含有）で基板のチップの取り付けられた側を所定の形状にモールドし、１７５℃、６時間で樹脂を硬化させて高圧封止した。次に、封止されない基板側に直径０．５μｍの鉛フリーのハンダボールを所定の方法で取り付け、ＢＧＡ（Ball Grid Allay）型のＩＣパッケージを作成した。
【０１０４】
「貯蔵弾性率」、「エキスパンド性」、「ピックアップ力」、「パッケージ信頼性」および「ボード実装信頼性」の評価を行った。結果を表３に示す。
【０１０５】
【実施例２】
第２の粘接着シート２Ａを２Ｂに変更した以外は、実施例１と同様にしてＩＣパッケージを作成した。結果を表３に示す。
【０１０６】
【実施例３】
＃２０００研磨処理したシリコンウエハ（１５０ｍｍ径、厚さ３５０μｍ）の研磨面に、第２の粘接着シート２Ｃの第２の粘接着剤層を、テープラミネーター（リンテック社製、Adwill RAD3500m/8 DBS）により貼付し、さらにウエハ同等形状に外周部をカットし、剛直層を保護している剥離シート(SPPET 3811)を剥離し、第２の粘接着シート２Ｃの剛直層に第１の粘接着剤層をテープマウンター（リンテック社製、Adwill RAD2500m/8）により貼付するとともに、リングフレーム固定用粘着シートでウエハダイシング用リングフレーム（ディスコ社製2-6-1）に固定し、図２に示されるような構成体を作成した。
【０１０７】
その後は、実施例１と同様にしてＩＣパッケージを作成した。但し、剛直層の硬化は第１および第２の粘接着剤層を加熱硬化する際、同時に硬化し剛直層３が得られた。
【０１０８】
【比較例１】
第２の粘接着シート２Ａを用いず、直接第１の粘接着シート１Ａをウエハに貼着してＩＣパッケージを作成した。結果を表３に示す。
【０１０９】
【比較例２】
第１の粘接着シート１Ａの粘接着剤層を予め第２の粘接着シート２Ａの剛直層に貼りあわせ、ともの外径をウエハダイシング用リングフレームのサイズにあわせた粘接着シートを用いた以外は、比較例１と同様にしてＩＣパッケージを作成した。結果を表３に示す。
【０１１０】
【表１】
Figure 0004372463
【０１１１】
【表２】
Figure 0004372463
【０１１２】
なお、表中の各成分、材料は以下のとおりである。
（１）粘着成分（Ａ）：アクリル酸ブチル５５重量部と、メタクリル酸１０重量部と、メタクリル酸グリシジル２０重量部とアクリル酸2-ヒドロキシエチル１５重量部とを共重合してなる重量平均分子量８００，０００、ガラス転移温度−２８℃の共重合体。
（２）熱硬化性接着成分（Ｃ）：下記成分からなる組成物
アクリル分散ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（日本触媒社製、BPA328、エポキシ当量220〜240g/eq、分子量約370）：３０部
ビスフェノールＡ固形エポキシ樹脂（日本触媒社製、1055、エポキシ当量800〜900g/eq、分子量約1400）：４０部
o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、EOCN、エポキシ当量213〜223g/eq、分子量約1600）：１０部
硬化剤（旭電化社製、アデカハードナー3636AS）：１部
硬化促進剤（四国化成工業社製、キュアゾール2PHZ）：１部
（３）シランカップリング剤（Ｄ）：三菱化学社製、MKCシリケートMSEP2
（４）ポリイソシアナート：トリメチロールプロパンとトルイレンジイソシアナートとの付加物
（５）紫外線硬化型粘着成分（Ａ＋Ｂ）：下記成分からなる組成物
前記粘着成分（１）：１５部
エネルギー線硬化性成分
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬社製、カラヤッドDPHA）：６部
ジシクロペンタジエン骨格含有アクリレート（日本化薬社製、カラヤッドR684）：６部
（６）光重合開始剤
2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド：０．３６部
（７）高純度溶融石英フィラー：ＣＵＳ−８Ｉ（東芝セラミックス社製、平均粒径８μｍ）
（８）高純度合成シリカフィラー：ＳＯ−Ｃ２（アドマテックス社製、アドマファイン、平均粒径０．５μｍ）
（９）ポリイミドフィルム：ユーピレックス50S（５０μｍ厚、宇部興産社製）
（１０）電解銅箔：ジャパンエナジー製、３５μｍ厚
【０１１３】
【表３】
Figure 0004372463

【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す。
【符号の説明】
１…基材
２…第１の粘接着剤層
３…剛直層
４…第２の粘接着剤層
５…リングフレーム固定用粘着シート
６…リングフレーム
７…半導体ウエハ
7'…ＩＣチップ
１１…第１の粘接着シート
１２…第２の粘接着シート

Claims (6)

  1. 基材とその上に形成された第１の粘接着剤層とからなる第１の粘接着シートと、エンジニアリングプラスチックフィルム、金属箔または硬化済みの硬化性樹脂からなる薄膜層からなる剛直層とその上に形成された第２の粘接着剤層とからなる第２の粘接着シートとをそれぞれ準備し、
    半導体ウエハに、該半導体ウエハと同形状の第２の粘接着シートの第２の粘接着剤層側を貼付し、
    半導体ウエハよりも大径の第１の粘接着シートを、第２の粘接着シートの剛直層に貼付し、
    第１の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、
    前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとするとともに、第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層をＩＣチップと同形状に切断し、
    第１の粘接着シートの基材をエキスパンドしてＩＣチップの間隔を離間し、
    前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記第２の粘接着シートを、前記半導体ウエハへの貼付に先立ち、該第２の粘接着シートが該半導体ウエハと同形状となるように切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 基材とその上に形成された第１の粘接着剤層とからなる第１の粘接着シートと、エンジニアリングプラスチックフィルム、金属箔または硬化済みの硬化性樹脂からなる薄膜層からなる剛直層とその上に形成された第２の粘接着剤層とからなる第２の粘接着シートとをそれぞれ準備し、
    半導体ウエハに第２の粘接着シートの第２の粘接着剤層側を貼付した後、該第２の粘接着シートが該半導体ウエハと同形状となるように、該第２の粘接着シートの周縁部を切断除去し、
    半導体ウエハよりも大径の第１の粘接着シートを、第２の粘接着シートの剛直層に貼付し、
    第１の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、
    前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとするとともに、第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層をＩＣチップと同形状に切断し、
    第１の粘接着シートの基材をエキスパンドしてＩＣチップの間隔を離間し、
    前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、剛直層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 基材とその上に形成された第１の粘接着剤層とからなる第１の粘接着シートと、硬化性樹脂からなる薄膜層とその上に形成された第２の粘接着剤層とからなる第２の粘接着シートとをそれぞれ準備し、
    半導体ウエハに、第２の粘接着シートの第２の粘接着剤層側を貼付し、
    半導体ウエハよりも大径の第１の粘接着シートを、第２の粘接着シートの薄膜層に貼付し、
    第１の粘接着シートの周縁部をリングフレームで固定し、
    前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとするとともに、第２の粘接着剤層、薄膜層、第１の粘接着剤層をＩＣチップと同形状に切断し、
    第１の粘接着シートの基材をエキスパンドしてＩＣチップの間隔を離間し、
    前記ＩＣチップ裏面に第２の粘接着剤層、薄膜層、第１の粘接着剤層を固着残存させて基材からピックアップし、前記ＩＣチップをダイパッド部上に前記第１の粘接着剤層を介して熱圧着し、各粘接着剤層の硬化処理と同時に前記薄膜層を硬化させて剛直層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 前記基材の前記第１の粘接着剤層に接する面の表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記剛直層が、−５０〜１５０℃での貯蔵弾性率が１０8Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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