JP4862986B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1及び第2の層を含む複数の層からなる保持部材を用意する工程と、
前記半導体基板に、前記保持部材を、前記第1の層における前記第2の層と対向する面とは反対側の面が前記半導体基板の前記第2の面と対向するように貼り付ける工程と、
前記保持部材の前記第2の層を切断しないように、前記半導体基板を複数の半導体チップに分割し、かつ、前記第1の層を複数の保護膜に分割する工程と、
前記保護膜を、前記半導体チップとともに、前記第2の層から剥離する工程と、
を含む。本発明によると、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造する方法を提供することができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、
前記保持部材は、前記第1及び第2の層の間に設けられた、前記第1の層と前記第2の層とを接着する第3の層をさらに含み、
前記第3の層の接着力を低減させた後に、前記保護膜を前記第2の層から剥離する工程を行ってもよい。
(3)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の層は、基材層と、前記基材層における前記第2の層を向く面とは反対側の面に設けられた接着層とを含んでもよい。
(4)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の層は、前記基材層における前記第2の層を向く面に設けられた他の接着層をさらに含んでもよい。
(5)この半導体装置の製造方法において、
前記第1の層は、基材層と、前記基材層における前記第2の層を向く面に設けられた接着層とを含んでもよい。
(6)この半導体装置の製造方法において、
前記第3の層は、エネルギーが照射されることによって接着力が低減する材料で構成されてなり、
前記接着層は、前記エネルギーが照射されることによって硬化する材料で構成されてなり、
前記第3の層及び前記接着層に前記エネルギーを照射して、前記第3の層の接着力を低減させるとともに、前記接着層を硬化させてもよい。
(7)この半導体装置の製造方法において、
前記第3の層は、エネルギーが照射されることによって接着力が低減する材料で構成されてなり、
前記接着層及び前記他の接着剤は、前記エネルギーが照射されることによって硬化する材料で構成されてなり、
前記第3の層及び前記接着層並びに前記他の接着剤に前記エネルギーを照射して、前記第3の層の接着力を低減させるとともに、前記接着層及び前記他の接着剤を硬化させてもよい。
図1〜図6は、本発明を適用した第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図7に示す、保持部材50を用意することを含む。保持部材50は、他の接着層26を含む。接着層26は、基材層24における第2の層22を向く面に設けられてなる。このとき、基材層24と接着層25、及び、接着層26をあわせて、第1の層51と称してもよい。接着層26によって、第1の層51と第2の層22(第3の層23)とをより強く接着することができるため、例えば半導体基板10を切断する工程で、保持部材50が、層間で剥離することを防止することが可能になる。
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図8に示す、保持部材52を用意することを含む。保持部材52は、第1の層53を含む。第1の層53は、基材層24のみで構成されてなる。保持部材52を利用することで、保護膜を薄くすることが可能になる。
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図9に示す、保持部材54を用意することを含む。保持部材54は、第1の層55を含む。第1の層55は、基材層24及び接着層26によって構成されてなる。保持部材54を利用した場合にも、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することが可能になる。
図10〜図14は、本発明を適用した第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
Claims (1)
- 複数の集積回路が形成されてなる第1の面と、前記第1の面とは反対側を向く第2の面とを有する半導体基板を用意する工程と、
第1及び第2の層を含む複数の層からなる保持部材を用意する工程と、
前記半導体基板に、前記保持部材を、前記第1の層における前記第2の層と対向する面とは反対側の面が前記半導体基板の前記第2の面と対向するように貼り付ける工程と、
前記保持部材の前記第2の層を切断しないように、前記半導体基板を複数の半導体チップに分割し、かつ、前記第1の層を複数の保護膜に分割する工程と、
前記保護膜を、前記半導体チップとともに、前記第2の層から剥離する工程と、
を含み、
前記保持部材は、前記第1及び第2の層の間に設けられた、前記第1の層と前記第2の層とを接着する第3の層をさらに含み、
前記第3の層の接着力を低減させた後に、前記保護膜を前記第2の層から剥離する工程を行い、
前記第1の層は、基材層と、前記基材層における前記第2の層を向く面とは反対側の面に設けられた接着層と、前記基材層における前記第2の層を向く面に設けられた他の接着層と、を含み、
前記第3の層は、エネルギーが照射されることによって接着力が低減する材料で構成されてなり、
前記接着層及び前記他の接着層は、前記エネルギーが照射されることによって硬化する材料で構成されてなり、
前記第3の層及び前記接着層並びに前記他の接着層に前記エネルギーを照射して、前記第3の層の接着力を低減させるとともに、前記接着層及び前記他の接着層を硬化させる半導体装置の製造方法。
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