JP2004165234A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅からなる第2の上層再配線13の接続パッド部を除く表面には酸化第2銅層14および酸化第1銅層15がこの順で設けられている。これにより、酸化第2銅層14および酸化第1銅層15が無い場合と比較して、銅からなる第2の上層再配線13とポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第3の絶縁膜(オーバーコート膜)17との密着性が向上し、耐湿性を向上することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置には、CSP(chip size package)と呼ばれるもので、上面に接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して再配線を前記接続パッドに接続させて設け、前記再配線の接続パッド部上に外部接続部(柱状電極)を設けたものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−332643号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の半導体装置では、半導体基板上に外部接続部を設けているので、外部接続部の数が多くなると、外部接続部のピッチが小さくなり、短絡等の不具合が生じやすくなってしまう。その対策として、半導体基板のサイズを大きくすると、ウエハからの半導体基板の取り数が激減し、コストアップとなってしまう。そこで、半導体基板のサイズをそのままとし、半導体基板の周側面の外側に封止膜を設け、半導体基板およびその周囲の封止膜上に再配線を設け、この再配線の一部の接続パッド部を半導体基板より外側の領域の封止膜上に設け、この接続パッド部上にも外部接続部を設けることが検討されている。この場合、再配線上にオーバーコート膜を形成すると、再配線とオーバーコート膜との密着性が必ずしも十分でない場合があり、耐湿性が不十分となってしまう。
そこで、この発明は、再配線とオーバーコート膜との密着性を向上することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、上面に外部接続部を有する半導体構成体の周側面の外側に周囲部が設けられ、接続パッド部を有し且つ銅からなる最上層の再配線が前記半導体構成体の外部接続部に接続されて設けられ、前記最上層の再配線の少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置され、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分がオーバーコート膜で覆われている半導体装置であって、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層が形成されていることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、上面に外部接続部を有する複数の半導体構成体が互いに離間して配置され、前記各半導体構成体の周側面の外側に周囲部が設けられ、接続パッド部を有し且つ銅からなる最上層の再配線が前記半導体構成体の外部接続部に接続されて設けられ、前記最上層の再配線の少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置され、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分がオーバーコート膜で覆われている半導体装置であって、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層が形成されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記周囲部は絶縁膜からなることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記周囲部は前記半導体構成体の側方に設けられた枠状の埋込材を含むことを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記半導体構成体と前記埋込材との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板の上面に接続パッドを有するものからなり、前記接続パッドにより前記外部接続部が形成されていることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記最上層の再配線は前記半導体構成体の接続パッドに柱状電極を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して再配線が前記接続パッドに接続されて設けられたものからなり、前記再配線の接続パッド部により前記外部接続部が形成されていることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記最上層の再配線は前記半導体構成体の再配線の接続パッド部に柱状電極を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して再配線が前記接続パッドに接続されて設けられ、前記再配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられたものからなり、前記柱状電極により前記外部接続部が形成されていることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、上面に外部接続部を有する複数の半導体構成体を相互に離間させてベース板上に配置する工程と、前記ベース板上において前記各半導体構成体の周側面の外側に周囲部を形成する工程と、少なくとも前記周囲部上に、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する外部接続部に接続される銅からなる最上層の再配線を、その少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置されるように形成する工程と、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層および酸化第1銅層をこの順で形成する工程と、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く領域をオーバーコート膜で覆う工程と、前記各半導体構成体間における前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断して少なくともいずれかの前記最上層の再配線の接続パッド部が前記半導体構成体より外側の領域の前記周囲部上に形成された前記半導体構成体を少なくとも1つ有する半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記酸化第2銅層および前記酸化第1銅層は処理液を用いた浸漬処理により形成することを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項13に記載の発明において、前記処理液は水酸化ナトリウムを含む第1の処理液と亜鉛素酸ナトリウムを含む第2の処理液との混合液からなることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、請求項14に記載の発明において、前記第1の処理液は、10〜20wt%程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第2の処理液は、15〜25wt%程度の亜鉛素酸ナトリウムを含むことを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記浸漬処理の時間は1分程度であることを特徴とするものである。
請求項17に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断する工程は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とするものである。
請求項18に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記周囲部を形成する工程は、前記半導体構成体間に埋込材を配置する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項19に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断するとともに前記ベース板を切断する工程を有することを特徴とするものである。
請求項20に記載の発明は、請求項19に記載の発明において、切断前の前記ベース板下に別のベース板を配置し、前記ベース板を切断した後に、前記別のベース板を取り除く工程を有することを特徴とするものである。
請求項21に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断する工程の前に、前記ベース板を取り除く工程を有することを特徴とするものである。
請求項22に記載の発明は、請求項21に記載の発明において、前記ベース板を取り除く工程に引き続き、前記半導体構成体の半導体基板を薄くする工程を有することを特徴とするものである。
請求項23に記載の発明は、請求項12に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、銅からなる最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層を形成しているので、銅からなる最上層の再配線をオーバーコート膜で直接覆う場合と比較して、最上層の再配線とオーバーコート膜との密着性を向上することができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、シリコン、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等からなる平面正方形状のベース板1を備えている。ベース板1の上面には、接着剤、粘着シート、両面接着テープ等からなる接着層2が設けられている。接着層2の上面中央部には、ベース板1のサイズよりもやや小さいサイズの平面正方形状の半導体構成体3のシリコン基板(半導体基板)4の下面が接着されている。
【0007】
シリコン基板4の上面中央部には集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド5が集積回路に接続されて設けられている。そして、半導体構成体3は、半導体チップと呼ばれることもあるが、接続パッド5の中央部を除くシリコン基板4の上面に酸化シリコン等からなる絶縁膜6が設けられ、接続パッド5の中央部が絶縁膜6に設けられた開口部7を介して露出された構造となっている。
【0008】
半導体構成体3を含む接着層2の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8が設けられている。この場合、第1の絶縁膜8の半導体構成体3の開口部7に対応する部分には開口部9が設けられている。両開口部7、9を介して露出された接続パッド5の上面から第1の絶縁膜8の上面の所定の箇所にかけて第1の下地金属層10aおよび該第1の下地金属層10a上に設けられた第1の上層金属層10bからなる第1の上層再配線10が設けられている。この場合、第1の下地金属層10aは、詳細には図示していないが、下から順に、チタン層と銅層との2層構造となっている。第1の上層金属層10bは銅層のみからなっている。
【0009】
第1の上層再配線10の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極11が設けられている。第1の上層再配線10を含む第1の絶縁膜8の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第2の絶縁膜12がその上面が柱状電極11の上面と面一となるように設けられている。したがって、柱状電極11の上面は露出されている。
【0010】
柱状電極11の上面から第2の絶縁膜12の上面の所定の箇所にかけて第2の下地金属層13aおよび該第2の下地金属層13a上に設けられた第2の上層金属層13bからなる第2の上層再配線13が設けられている。この場合も、第2の下地金属層13aは、詳細には図示していないが、下から順に、チタン層と銅層との2層構造となっている。第2の上層金属層13bは銅層のみからなっている。
【0011】
第2の下地金属層13aのうちの銅層の側面および銅からなる第2の上層金属層13bの表面には酸化第2銅層14および酸化第1銅層15がこの順で設けられている。この場合、酸化第2銅層14および酸化第1銅層15の第2の上層再配線13の接続パッド部に対応する部分には開口部16が設けられている。
【0012】
第2の上層再配線13の表面上の酸化第2銅層14および酸化第1銅層15を含む第2の絶縁膜12の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第3の絶縁膜(オーバーコート膜)17が設けられている。この場合、第3の絶縁膜17の酸化第2銅層14および酸化第1銅層15の開口部16に対応する部分には開口部18が設けられている。両開口部16、18内およびその上方には半田ボール19が第2の上層再配線13の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の半田ボール19は、第3の絶縁膜17上にマトリクス状に配置されている。
【0013】
ところで、ベース板1のサイズを半導体構成体3のサイズよりもやや大きくしているのは、シリコン基板4上の接続パッド5の数の増加に応じて、半田ボール19の配置領域を半導体構成体3のサイズよりもやや大きくし、これにより、第2の上層再配線13の接続パッド部(両開口部16、18内の部分)のサイズおよび配置間隔をシリコン基板4上の接続パッド5のサイズおよび配置間隔よりも大きくするためである。
【0014】
このため、マトリクス状に配置された第2の上層再配線13の接続パッド部は、半導体構成体3に対応する領域のみでなく、半導体構成体3の周側面の外側に設けられた第1の絶縁膜(周囲部)8に対応する領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された半田ボール19のうち、少なくとも最外周の半田ボール19は半導体構成体3よりも外側に位置する周囲に配置されている。
【0015】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、図1に示すベース板1を複数枚採取することができる大きさのベース板1の上面全体に接着層2を形成する。次に、接着層2の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体3のシリコン基板4の下面を接着する。
【0016】
次に、図3に示すように、複数の半導体構成体3を含む接着層2の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8をパターン形成する。この場合、第1の絶縁膜8の上面は平坦であり、その半導体構成体3の開口部7に対応する部分には開口部9が形成されている。
【0017】
次に、図4に示すように、両開口部7、9を介して露出された接続パッド5の上面を含む第1の絶縁膜8の上面全体に第1の下地金属層10aを形成する。この場合、第1の下地金属層10aは、詳細には図示していないが、スパッタにより形成されたチタン層上にスパッタにより銅層を形成したものである。
【0018】
次に、第1の下地金属層10aの上面にメッキレジスト膜21をパターン形成する。この場合、第1の上層再配線10形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜21には開口部22が形成されている。次に、第1の下地金属層10aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜21の開口部22内の第1の下地金属層10aの上面に第1の上層金属層10bを形成する。次に、メッキレジスト膜21を剥離する。
【0019】
次に、図5に示すように、第1の上層金属層10bを含む第1の下地金属層10aの上面にメッキレジスト膜23をパターン形成する。この場合、第1の上層金属層10bの接続パッド部に対応する部分におけるメッキレジスト膜23には開口部24が形成されている。次に、第1の下地金属層10aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜23の開口部24内の第1の上層金属層10bの接続パッド部上面に柱状電極11を形成する。
【0020】
次に、メッキレジスト膜23を剥離し、次いで、柱状電極11および第1の上層金属層10bをマスクとして第1の下地金属層10aの不要な部分をエッチングして除去すると、図6に示すように、第1の上層金属層10b下にのみ第1の下地金属層10aが残存され、この残存された第1の下地金属層10aおよびその上面全体に形成された第1の上層金属層10bにより第1の上層再配線10が形成される。
【0021】
次に、図7に示すように、柱状電極11および第1の上層再配線10を含む第1の絶縁膜8の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第2の絶縁膜12をその厚さが柱状電極11の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極11の上面は第2の絶縁膜12によって覆われている。次に、第2の絶縁膜12および柱状電極11の上面側を適宜に研磨することにより、図8に示すように、柱状電極11の上面を露出させる。
【0022】
次に、図9に示すように、柱状電極11の上面を含む第2の絶縁膜12の上面全体に第2の下地金属層13aを形成する。この場合も、第2の下地金属層13aは、詳細には図示していないが、スパッタにより形成されたチタン層上にスパッタにより銅層を形成したものである。
【0023】
次に、第2の下地金属層13aの上面にメッキレジスト膜25をパターン形成する。この場合、第2の上層再配線13形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜25には開口部26が形成されている。次に、第2の下地金属層13aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜25の開口部26内の第2の下地金属層13aの上面に第2の上層金属層13bを形成する。
【0024】
次に、メッキレジスト膜25を剥離し、次いで、第2の上層金属層13bをマスクとして第2の下地金属層13aの不要な部分をエッチングして除去すると、図10に示すように、第2の上層金属層13b下にのみ第2の下地金属層13aが残存され、この残存された第2の下地金属層13aおよびその上面全体に形成された第2の上層金属層13bにより第2の上層再配線13が形成される。
【0025】
ここで、寸法の一例について説明する。第1、第2の下地金属層10a、13aのチタン層の厚さは100〜200nm程度であり、銅層の厚さは300〜600nm程度である。第1、第2の上層金属層10b、13bの厚さは1〜10μm程度である。柱状電極11の高さは100〜150μm程度である。
【0026】
次に、図11に示すように、第2の上層再配線13の接続パッド部上面にドライフィルムまたは液状フォトレジストからなるレジスト膜27を形成する。次に、レジスト膜27をマスクとして、後で説明するように、第2の下地金属層13aのうちの銅層の側面および銅からなる第2の上層金属層13bの表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15をこの順で形成する。この状態では、レジスト膜27つまり第2の上層再配線13の接続パッド部に対応する部分における酸化第2銅層14および酸化第1銅層15には開口部16が形成されている。
【0027】
ここで、酸化第2銅層14および酸化第1銅層15の形成方法について説明する。まず、レジスト膜27を形成した後に、必要に応じ、上記製造工程つまり第2の上層金属層13bをマスクとして第2の下地金属層13aの不要な部分をエッチングして除去する際のウェットエッチング工程後の水洗等により、第2の下地金属層13aのうちの銅層の側面および第2の上層金属層13bの表面に不均一に発生した自然酸化銅を硫酸中への浸漬処理により除去し、次いで水洗、乾燥を行い、第2の上層再配線13の表面を純銅面とする。
【0028】
次に、処理液を用いて酸化銅の形成を行うが、まず、処理液について説明する。第1の処理液は、水酸化ナトリウム10〜20wt%程度と、純水80〜90wt%程度とからなる処理液である。第2の処理液は、亜鉛素酸ナトリウム15〜25wt%程度と、純水70〜80wt%程度と、安定剤1〜10wt%程度とからなる処理液である。
【0029】
そして、まず、第1の処理液30〜40mL/L程度と純水960〜970mL/L程度(但し、両液の合計が1000mL/L)との混合液中にベース板1等を室温で1〜2分程度浸漬する。この浸漬処理は、次の浸漬処理の処理液(混合液)に第2の上層再配線13をなじませるために行うものであり、第2の上層再配線13の表面に酸化銅は形成されない。
【0030】
次に、第1の処理液50mL/L程度と第2の処理液450mL/L程度と純水500mL/L程度との混合液中にベース板1等を温度55℃程度で1分程度浸漬し、次いで水洗、温水洗、乾燥を行う。すると、第2の下地金属層13aのうちの銅層の側面および銅からなる第2の上層金属層13bの表面に酸化第2銅層14が厚さ50〜500nm程度に形成され、その表面に酸化第1銅層15が厚さ10〜100nm程度に形成される。次に、レジスト膜27を剥離する。
【0031】
次に、図12に示すように、第2の上層再配線13の表面上の酸化第2銅層14および酸化第1銅層15を含む第2の絶縁膜12の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第3の絶縁膜17をパターン形成する。この場合、第3の絶縁膜17の酸化第2銅層14および酸化第1銅層15の開口部16に対応する部分には開口部18が形成されている。
【0032】
次に、両開口部16、18内およびその上方に半田ボール19を第2の上層再配線13の接続パッド部に接続させて形成する。次に、図13に示すように、互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8、接着層2およびベース板1を切断すると、図1に示す半導体装置が複数個得られる。
【0033】
このようにして得られた半導体装置では、第2の下地金属層13aのうちの銅層の側面および銅からなる第2の上層金属層13bの表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15がこの順で形成されているので、銅からなる第2の上層再配線13を第3の絶縁膜(オーバーコート膜)17で直接覆う場合と比較して、第2の上層再配線13と第3の絶縁膜17との密着性を向上することができる。
【0034】
すなわち、酸化第2銅層14および酸化第1銅層15を形成しない場合、銅からなる第2の上層再配線13の表面に自然酸化銅が形成されると、第2の上層再配線13と自然酸化銅との界面の密着性が一般的に弱く、その表面に形成されたポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第3の絶縁膜17が剥離する要因となり、耐湿性が不十分となってしまう。
【0035】
これに対し、酸化第2銅層14および酸化第1銅層15を形成すると、第2の上層再配線13と酸化第2銅層14との界面の密着性が強く、また酸化第1銅層15の表面が針状結晶となるため、アンカー効果により、酸化第1銅層15と第3の絶縁膜17との界面の密着性が強くなり、この結果第3の絶縁膜17が剥離しにくくなり、耐湿性を向上することができる。
【0036】
また、上記製造方法では、半導体構成体3の接続パッド5に接続される第1の下地金属層10aおよび第1の上層金属層10bをスパッタおよび電解メッキにより形成し、第1の上層再配線10の接続パッド部に接続される柱状電極11を電解メッキにより形成し、柱状電極11の上面に接続される第2の下地金属層13aおよび第2の上層金属層13bをスパッタおよび電解メッキにより形成しているので、半導体構成体3の接続パッド5と第1の上層再配線10との間の導電接続、第1の上層再配線10と柱状電極11との間の導電接続および柱状電極11と第2の上層再配線13との間の導電接続を確実とすることができる。
【0037】
また、第1の上層再配線10と第2の上層再配線13との間に高さ100〜150μm程度の柱状電極11が形成されているため、図示しない回路基板にボンディングしたとき半導体構成体13と回路基板との線膨張係数の差に起因して生じる集中応力を柱状電極11が揺れることによって吸収することができる。
【0038】
また、ベース板1上の接着層2上の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体3を接着して配置し、複数の半導体構成体3に対して第1〜第3の絶縁膜8、12、17、第1、第2の再配線10、13、柱状電極11および半田ボール19の形成を一括して行い、その後に分断して複数個の半導体装置を得ているので、製造工程を簡略化することができる。
【0039】
また、ベース板1と共に複数の半導体構成体3を搬送することができるので、これによっても製造工程を簡略化することができる。さらに、ベース板1の外形寸法を一定にすると、製造すべき半導体装置の外形寸法に関係なく、搬送系を共有化することができる。
【0040】
ところで、上記第2の処理液中の亜鉛素酸ナトリウムの水溶液は酸化性アルカリ溶液でpH12以上の強アルカリであり、処理温度が55℃程度であると、シリコン基板4を溶解するため、処理時間は短い方がよく、上記の場合、1分程度である。
【0041】
次に、図1に示す半導体装置の製造方法の他の例について説明する。まず、図14に示すように、紫外線透過性の透明樹脂板やガラス板等からなる別のベース板31の上面全体に紫外線硬化型の粘着シート等からなる接着層32を接着し、接着層32の上面に上述のベース板1および接着層2を接着したものを用意する。
【0042】
そして、図2〜図12にそれぞれ示す製造工程を経た後に、図15に示すように、互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8、接着層2、ベース板1および接着層32を切断し、別のベース板31を切断しない。次に、別のベース板31の下面側から紫外線を照射し、接着層32を硬化させる。すると、分断されたベース板1の下面に対する接着層32による接着性が低下する。そこで、接着層32上に存在する個片化されたものを1つずつ剥がしてピックアップすると、図1に示す半導体装置が複数個得られる。
【0043】
この製造方法では、図15に示す状態において、接着層32上に存在する個片化された半導体装置がバラバラとならないので、専用の半導体装置載置用トレーを用いることなく、そのまま、図示しない回路基板上への実装時に1つずつ剥がしてピックアップすることができる。また、別のベース板31の上面に残存する接着性が低下した接着層32を剥離すると、別のベース板31を再利用することができる。さらに、別のベース板31の外形寸法を一定にすると、製造すべき半導体装置の外形寸法に関係なく、搬送系を共有化することができる。なお、接着層32としては、場合によっては、熱硬化型の粘着シート等を用いてもよい。
【0044】
なおここで、別のベース板31として、膨張させることにより半導体装置を取り外す、通常のダイシングテープ等を用いることも可能であり、その場合には、接着層は紫外線硬化型でなくてもよい。また、別のベース板31を研磨やエッチングにより除去するようにしてもよい。
【0045】
次に、図1に示す半導体装置の製造方法のさらに他の例について説明する。この製造方法では、図8に示す製造工程後に、図16に示すように、柱状電極11の上面を含む第2の絶縁膜12の上面全体に銅の無電解メッキにより第2の下地金属層13aを形成する。次に、第2の下地金属層13aをメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、第2の下地金属層13aの上面全体に第2の上層金属形成用層13cを形成する。
【0046】
次に、第2の上層金属形成用層13cの上面の第2の再配線形成領域に対応する部分にレジスト膜33をパターン形成する。次に、レジスト膜33をマスクとして第2の上層金属形成用層13cおよび第2の下地金属層13aの不要な部分をエッチングして除去すると、図17に示すように、レジスト膜33下にのみ第2の上層再配線10が残存される。この後、レジスト膜33を剥離する。
【0047】
ところで、図2に示すベース板1あるいは図14に示す別のベース板31をトレイ状とすることもできる。つまり、ベース板を、半導体構成体3を配列する領域が周囲より陥没した受け皿のような形状とする。そして、このトレイ状のベース板の半導体構成体3配列領域を囲む周囲の上面にメッキ電流路用金属層を設け、このメッキ電流路用金属層とメッキ電流路用の下地金属層(10a、13a)とを導電部材で接続して、電解メッキを行うようにしてもよい。この場合、トレイの外形サイズを同一としておくことにより、製造する半導体装置のサイズが異なる場合でも、同一の製造装置の使用が可能となり効率的となる。
【0048】
(第2実施形態)
図2に示す製造工程において、接着層2を半導体構成体3のシリコン基板4の下面にそれぞれ設け、これらの接着層2をベース板1の上面の各所定の箇所に接着した場合には、図18に示すこの発明の第2実施形態としての半導体装置が得られる。
【0049】
このようにして得られた半導体装置では、例えば、シリコン基板4の下面が接着層2を介してベース板1の上面に接着されているほかに、シリコン基板4の側面等が第1の絶縁膜8を介してベース板1の上面に接合されているので、半導体構成体3のベース板1に対する接合強度をある程度強くすることができる。
【0050】
(第3、第4実施形態)
図19はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、ベース板1および接着層2を備えていないことである。
【0051】
この第3実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば図12に示すように、半田ボール19を形成した後に、ベース板1および接着層2を研磨やエッチング等により除去し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8を切断すると、図19に示す半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、ベース板1および接着層2を備えていないので、その分だけ、薄型化することができる。
【0052】
また、ベース板1および接着層2を研磨やエッチング等により除去した後に、シリコン基板4および第1の絶縁膜8の下面側を適宜に研磨し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8を切断すると、図20に示すこの発明の第4実施形態としての半導体装置が複数個得られる。このようにして得られた半導体装置では、さらに薄型化することができる。
【0053】
なお、半田ボール19を形成する前に、ベース板1および接着層2を研磨やエッチング等により除去し(必要に応じてさらにシリコン基板4および第1の絶縁膜8の下面側を適宜に研磨し)、次いで半田ボール19を形成し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8を切断するようにしてもよい。
【0054】
(第5実施形態)
図21はこの発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と異なる点は、接着層2の下面に放熱用の金属層34が接着されていることである。金属層34は、厚さ数十μmの銅箔等からなっている。
【0055】
この第5実施形態の半導体装置を製造する場合には、例えば図12に示すように、半田ボール19を形成した後に、ベース板1を研磨やエッチング等により除去し、次いで接着層2の下面全体に金属層34を接着し、次いで互いに隣接する半導体構成体3間において、3層の絶縁膜17、12、8、接着層2および金属層34を切断すると、図21に示す半導体装置が複数個得られる。
【0056】
なお、接着層2も研磨やエッチング等により除去し(必要に応じてさらにシリコン基板4および第1の絶縁膜8の下面側を適宜に研磨し)、シリコン基板4および第1の絶縁膜8の下面に新たな接着層を介して金属層34を接着するようにしてもよい。
【0057】
(第6実施形態)
図22はこの発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図1に示す半導体装置と大きく異なる点は、ベース基板1上に、半導体構成体41として、一般的にウエハレベル(WL)CSPと呼ばれるものを用いたこと、該WLCSPの上部側には、図1に示す柱状電極11を備えておらず、第1の上層再配線10の接続パッド部に第2の上層再配線13を第2の絶縁膜12に設けられた開口部12aを介して接続していることである。
【0058】
半導体構成体41は、WLCSPと呼ばれるものであり、ベース板1上に設けられた接着層2の上面中央部に接着されたシリコン基板4を備えている。シリコン基板4の上面中央部には集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド5が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド5の中央部を除くシリコン基板4の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜6が設けられ、接続パッド5の中央部が絶縁膜6に設けられた開口部7を介して露出されている。ここまでの構成は、図1に示す半導体構成体3と同じである。
【0059】
この実施形態の半導体構成体41の場合、さらに、絶縁膜6の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる保護膜(絶縁膜)42が設けられている。この場合、保護膜42の絶縁膜6の開口部7に対応する部分には開口部43が設けられている。両開口部7、43を介して露出された接続パッド5の上面から保護膜42の上面の所定の箇所にかけて銅等からなる下地金属層44aおよび該下地金属層44a上に設けられた銅からなる上層金属層44bからなる再配線44が設けられている。
【0060】
再配線44の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極45が設けられている。再配線44を含む保護膜42の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる封止膜(絶縁膜)46がその上面が柱状電極45の上面と面一となるように設けられている。このように、この実施形態の半導体構成体41は、シリコン基板4、接続パッド5、絶縁膜6を含み、さらに、保護膜42、再配線44、柱状電極45、封止膜46を含んで構成されている。
【0061】
半導体構成体41の周囲における接着層2の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる封止膜(絶縁膜)47がその上面が封止膜46の上面と面一となるように設けられている。両封止膜46、47および柱状電極45の上面にはポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8が設けられている。第1の絶縁膜8の柱状電極45の上面中央部に対応する部分には開口部8aが設けられている。
【0062】
開口部8aを介して露出された柱状電極45の上面から第1の絶縁膜8の上面の所定の箇所にかけて第1の上層再配線10が設けられている。そして、第1の上層再配線10を含む第1の絶縁膜8よりも上側の部分の構成は、図1に示す場合とほぼ同じであるので、その説明を省略する。但し、この実施形態では、上述の如く、図1に示す柱状電極11を備えておらず、その代わりに、第1の上層再配線10の接続パッド部に第2の上層再配線13が第2の絶縁膜12に設けられた開口部12aを介して接続されている。
【0063】
次に、半導体構成体41の製造方法の一例について簡単に説明する。まず、ウエハ状態の半導体基板(切断前のシリコン基板4)上に接続パッド5、絶縁膜6および保護膜42が設けられたものを用意する。次に、両開口部7、43を介して露出された接続パッド5の上面を含む保護膜42の上面全体に無電解メッキまたはスパッタにより下地金属層44aを形成する。
【0064】
次に、下地金属層44aの上面の所定の箇所に電解メッキにより上層金属層44bを形成する。次に、上層金属層44bの接続パッド部上面に電解メッキにより柱状電極45を形成する。次に、柱状電極45および上層金属層44bをマスクとして下地金属層44aの不要な部分をエッチングにより除去し、上層金属層44b下にのみ下地金属層44aを残存させ、この残存された下地金属層44aおよび該下地金属層44aの上面全面に形成された上層金属層44bからなる再配線44を形成する。
【0065】
次に、柱状電極45および再配線44を含む保護膜42の上面に封止膜46をその厚さが柱状電極45の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極45の上面は封止膜46によって覆われている。次に、封止膜46および柱状電極45の上面側を適宜に研磨し、柱状電極45の上面を露出させる。次に、ダンシング工程を経ると、図22に示す半導体構成体41が複数個得られる。ここで、柱状電極45は、100〜150μm程度の高さを有するものである。
【0066】
次に、このようにして得られた半導体構成体41を用いて、図22に示す半導体装置を製造する場合の一例について説明する。まず、図23に示すように、図22に示すベース板1を複数枚採取することができる大きさのベース板1の上面全体に接着層2を形成する。次に、接着層2の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体41のシリコン基板4の下面を接着する。
【0067】
次に、複数の半導体構成体41を含む接着層2の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる封止膜47をその厚さが半導体構成体41の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、半導体構成体41の上面は封止膜47によって覆われている。次に、封止膜47および半導体構成体41の上面側を適宜に研磨することにより、図24に示すように、半導体構成体41の柱状電極45の上面を露出させる。
【0068】
ここで、図22に示す半導体構成体41を製造する場合も、上述の如く、柱状電極45および再配線44を含む保護膜42の上面に封止膜46をその厚さが柱状電極45の高さよりもやや厚くなるように形成し、次いで封止膜46および柱状電極45の上面側を適宜に研磨することにより、柱状電極45の上面を露出させている。したがって、研磨工程は2回となる。
【0069】
そこで、次に、研磨工程を1回とすることができる場合について説明する。図23に示す状態において、半導体構成体41として封止膜46を備えていないものを用意する。つまり、接続パッド5および絶縁膜6が形成されたウエハ状態の半導体基板上に保護膜42、再配線44、柱状電極45を形成した後、封止膜46を形成することなく、これをダイシングする。
【0070】
そして、図23に示す製造工程において、封止膜46、47を形成すべき領域に同一の封止材料によって同時に封止膜46、47を形成し、該封止膜46、47(但し、封止膜は一体化されており境界はない。)と共に柱状電極45の上面側を研磨すればよい。つまり、封止膜形成工程を1回とすることにより、研磨工程は1回とすることができる。
【0071】
但し、研磨工程を1回とする場合には、図23に示す状態における半導体構成体41の柱状電極45の高さに電解メッキによる形成に伴うばらつきが生じるのに対し、研磨工程を2回とする場合には、図23に示す状態における半導体構成体41の高さが均一となり、図23に示す状態における半導体構成体41の高さを予め揃えておくことができる。
【0072】
さて、図24に示す研磨工程が終了したら、次に、図25に示すように、面一となった両封止膜46、47および柱状電極45の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8をパターン形成する。この場合、第1の絶縁膜8の柱状電極45の上面中央部に対応する部分には開口部8aが形成されている。
【0073】
次に、上記第1実施形態における製造方法から容易に理解し得るように、開口部8aを介して露出された柱状電極45の上面を含む第1の絶縁膜8の上面の所定の箇所に第1の上層再配線10を形成し、開口部12aを有する第2の絶縁膜12を形成し、開口部12aを介して露出された第1の上層再配線10の接続パッド部の上面を含む第2の絶縁膜12の上面の所定の箇所に第2の上層再配線13を形成し、第2の上層再配線13の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15をこの順で形成し、開口部18を有する第3の絶縁膜17を形成し、半田ボール19を形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体41間において、3層の絶縁膜17、12、8、封止膜47、接着層2およびベース板1を切断すると、図22に示す半導体装置が複数個得られる。
【0074】
ここで、第1の上層再配線10は柱状電極45上にメッキにより直接接合されるものであるため、第1の絶縁膜8の開口部8aは、10μm×10μmの方形または同面積の円形の面積を有していれば強度的に十分である。この種の露光機は数μmの位置合わせ精度を有しており、通常、柱状電極の直径は100〜150μm程度(ピッチは、通常、この2倍)であるので、柱状電極と再配線との接合をボンディングによる方法と比較すると、柱状電極のサイズおよび配置間隔が遙かに小さい場合にも適用でき、且つ、プロセスも効率的である。
【0075】
このように、この製造方法によれば、柱状電極45に第1の上層再配線10を接合するための第1の絶縁膜8の開口部8aの幅を柱状電極45の幅の1/2以下とすることが可能であり、これにより半導体構成体41の柱状電極45のサイズおよび配置間隔も小さいものとすることができるので、第1の上層再配線10等の上層の再配線を有する半導体装置のサイズを一層小さいものとすることができる。
【0076】
(第7実施形態)
図26はこの発明の第7実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置では、半導体構成体41として、図22に示す半導体構成体41と比較すると、柱状電極45を備えておらず、封止膜46の再配線44の接続パッド部に対応する部分に開口部46aが形成されたものを用いている。
【0077】
また、この半導体装置では、図1示す半導体装置と比較すると、第1の上層再配線10が第1の絶縁膜8の開口部8bおよび封止膜46の開口部46aを介して再配線44の接続パッド部に接続され、第1の上層再配線10の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15がこの順で設けられ、その上に設けられた第2の絶縁膜12の開口部12b内、両酸化銅層14、15の開口部16内およびその上方に半田ボール19が第1の上層再配線10の接続パッド部に接続されて設けられている。
【0078】
この実施形態の半導体装置の構成から明らかなように、半導体構成体41としては柱状電極を備えていなくても再配線44を備えていればよく、また、上層再配線としては第1の上層再配線10のみの1層であってもよく(この場合、第2の絶縁膜12がオーバーコート膜となる。)、逆に、図示していないが、3層以上であってもよい。上層再配線を例えば3層とする場合には、簡単に説明すると、第3の絶縁膜17上に第3の上層再配線を形成し、第3の上層再配線の接続パッド部を除く表面に両酸化銅層14、15を形成し、その上にオーバーコート膜としての第4の絶縁膜を形成する。
【0079】
(第8実施形態)
図27はこの発明の第8実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図26に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体41として封止膜46を有しないものを用い、半導体構成体41の周囲における接着層2の上面に方形枠状の埋込材51が設けられていることである。
【0080】
この実施形態の半導体装置を製造する場合には、一例として、まず、図28に示すように、図27に示すベース板1を複数枚採取することができる大きさのベーン板1の上面全体に設けられた接着層2の上面の所定の箇所に格子状の埋込材51の下面を接着する。格子状の埋込材51は、一例として、シリコン、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等からなるシート状の埋込材51に型抜き加工やエッチング等により複数の方形状の開口部51aを形成することにより得られる。また、シート状の埋込材51を接着層2の上面全体に接着し、座ぐり加工により、格子状の埋込材51を形成するようにしてもよい。
【0081】
次に、格子状の埋込材51の各開口部51a内における接着層2の上面中央部にそれぞれ半導体構成体41のシリコン基板4の下面を接着する。この状態では、埋込材51の上面と半導体構成体41の保護膜42の上面とはほぼ同一の平面上に配置されている。また、半導体構成体41とその外側に配置された方形枠状の埋込材51との間には比較的狭い隙間52が形成されている。
【0082】
この場合、埋込材51の厚さは、シリコン基板4、絶縁膜6および保護膜42の合計厚さとほぼ同じとしているが、シリコン基板4の厚さとほぼ同じとしてもよく、またシリコン基板4および絶縁膜6の合計厚さとほぼ同じとしてもよく、さらに再配線44の厚さを加えた厚さとほぼ同じとしてもよい。
【0083】
次に、図29に示すように、隙間52を含む半導体構成体41および埋込材51の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8をその厚さが半導体構成体41の再配線44を含む高さよりもやや厚くなるように形成する。次に、必要に応じて、第1の絶縁膜8の上面側を適宜に研磨して、第1の絶縁膜8の上面を平滑化する。次に、第1の絶縁膜8の再配線44の接続パッド部に対応する部分に、フォトリソグラフィあるいはCO2レーザの照射により、開口部8bを形成する。
【0084】
次に、図30に示すように、上記第1実施形態における製造方法から容易に理解し得るように、開口部8こを介して露出された再配線44の接続パッド部の上面を含む第1の絶縁膜8の上面の所定の箇所に第1の上層再配線10を形成し、第1の上層再配線10の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15をこの順で形成し、開口部12aを有する第2の絶縁膜12を形成し、半田ボール19を形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体41間において、2層の絶縁膜12、8、埋込材51、接着層2およびベース板1を切断すると、図27に示す半導体装置が複数個得られる。
【0085】
このようにして得られた半導体装置では、図29に示すように、半導体構成体41とその外側に配置された方形枠状の埋込材51との間に比較的狭い隙間52を形成し、この隙間52内にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8を設けているので、埋込材51が無い場合と比較して、第1の絶縁膜8の量を埋込材51の体積の分だけ少なくすることができる。この結果、ポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8の硬化時の収縮による応力を小さくすることができ、ひいてはベース板1が反りにくいようにすることができる。
【0086】
(第9実施形態)
図31はこの発明の第9実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置において、図27に示す半導体装置と大きく異なる点は、半導体構成体41として柱状電極45および封止膜46を有するものを用い、絶縁性の埋込材51の上面に中間再配線53が設けられ、中間再配線53を含む埋込材51および第1の絶縁膜8の上面に中間絶縁膜54が設けられていることである。
【0087】
この場合、柱状電極45は、第1の絶縁膜8に形成された開口部8b内に充填された導電性樹脂等からなる導電材55および中間絶縁膜54に形成された開口部54aを介して第1の上層再配線10に接続されている。また、中間再配線53の両端部は、中間絶縁膜54に形成された開口部54aを介して第1の上層再配線10に接続されている。
【0088】
次に、この実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図31に示すベース板1を複数枚採取することができる大きさのベーン板1の上面全体に設けられた接着層2の上面の所定の箇所に格子状の埋込材51の下面を接着する。この場合、絶縁性の埋込材51の上面の所定の箇所には銅箔等からなる中間再配線53が予め形成されている。
【0089】
次に、格子状の埋込材51の各開口部51a内における接着層2の上面中央部にそれぞれ半導体構成体41のシリコン基板4の下面を接着する。この場合、埋込材51の上面は半導体構成体41の封止膜46の上面よりもやや高い位置に配置されている。また、半導体構成体41とその外側に配置された方形枠状の埋込材51との間には比較的狭い隙間52が形成されている。
【0090】
次に、隙間52を含む半導体構成体41の上面および隙間52の周囲における埋込材51の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第1の絶縁膜8をやや盛り上がるように形成する。この場合、第1の絶縁膜8は、メタルマスク等を用いてあるいはスクリーン印刷により形成する。次に、中間再配線53の上面よりも上側に盛り上げられた未硬化の第1の絶縁膜8をバフ研磨により除去することにより、第1の絶縁膜8の上面を中間再配線53の上面とほぼ面一とし、全体としての上面をほぼ平坦化する。次に、第1の絶縁膜8を硬化させる。
【0091】
ところで、この場合の研磨は、中間再配線53の上面よりも上側に盛り上げられた未硬化の第1の絶縁膜8を除去するものであるので、安価で低精度のバフを用いても何ら支障はない。なお、隙間52内に設けられた未硬化の第1の絶縁膜8を研磨し過ぎないためと第1の絶縁膜8の硬化収縮を小さくするために、塗布後の第1の絶縁膜8を紫外線照射や加熱により仮硬化させるようにしてもよい。また、隙間52内に設けられた第1の絶縁膜8の硬化収縮が大きくて平坦化が不十分な場合には、封止樹脂の塗布および研磨を繰り返すようにしてもよい。
【0092】
なお、研磨の他の例としては、安価で低精度のエンドレス研磨ベルトの一部をフラット化し、このフラット化した部分で中間再配線53の上面よりも上側に盛り上げられた未硬化または仮硬化の第1の絶縁膜8を中間再配線53の上面を研磨制限面として平滑化研磨するようにしてもよい。
【0093】
次に、第1の絶縁膜8の柱状電極45に対応する部分に、フォトリソグラフィあるいはCO2レーザの照射により、開口部8bを形成する。次に、開口部8b内に導電性樹脂等からなる導電材55を充填する。次に、導電材55を含む第1の絶縁膜8の上面および中間再配線53を含む埋込材51の上面にポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる中間絶縁膜54をパターン形成する。この場合、中間再配線53の両端部および導電材55に対応する部分における中間絶縁膜54には開口部54aが形成されている。
【0094】
次に、上記第1実施形態における製造方法から容易に理解し得るように、開口部54aを介して露出された中間再配線53の両端部および導電材55の各上面を含む中間絶縁膜54の上面の所定の箇所に第1の上層再配線10を形成し、第1の上層再配線10の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層14および酸化第1銅層15をこの順で形成し、開口部12aを有する第2の絶縁膜12を形成し、半田ボール19を形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体41間において、2層の絶縁膜12、54、埋込材51、接着層2およびベース板1を切断すると、図31に示す半導体装置が複数個得られる。
【0095】
(その他の実施形態)
例えば、図13に示す場合には、互いに隣接する半導体構成体3間において切断したが、これに限らず、2個またはそれ以上の半導体構成体3を1組として切断し、例えば3個の半導体構成体3を1組として切断し、マルチチップモジュール型の半導体装置を得るようにしてもよい。この場合、3個で1組の半導体構成体3は同種、異種のいずれであってもよい。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、銅からなる最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層を形成しているので、銅からなる最上層の再配線をオーバーコート膜で直接覆う場合と比較して、最上層の再配線とオーバーコート膜との密着性を向上することができ、ひいては耐湿性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図。
【図2】図1に示す半導体装置の製造に際し、当初の製造工程の断面図。
【図3】図2に続く製造工程の断面図。
【図4】図3に続く製造工程の断面図。
【図5】図4に続く製造工程の断面図。
【図6】図5に続く製造工程の図。
【図7】図6に続く製造工程の図。
【図8】図7に続く製造工程の断面図。
【図9】図8に続く製造工程の断面図。
【図10】図9に続く製造工程の断面図。
【図11】図10に続く製造工程の図。
【図12】図11に続く製造工程の図。
【図13】図12に続く製造工程の図。
【図14】図1に示す半導体装置の製造方法の他の例において、当初用意したものの断面図。
【図15】同他の例において、所定の製造工程の断面図。
【図16】図1に示す半導体装置の製造方法のさらに他の例において、所定の製造工程の断面図。
【図17】図16に続く製造工程の断面図。
【図18】
この発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図。
【図19】
この発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図。
【図20】
この発明の第4実施形態としての半導体装置の断面図。
【図21】
この発明の第5実施形態としての半導体装置の断面図。
【図22】
この発明の第6実施形態としての半導体装置の断面図。
【図23】
図22に示す半導体装置の製造に際し、当初の製造工程の断面図。
【図24】
図23に続く製造工程の断面図。
【図25】
図24に続く製造工程の断面図。
【図26】
この発明の第7実施形態としての半導体装置の断面図。
【図27】
この発明の第8実施形態としての半導体装置の断面図。
【図28】
図27に示す半導体装置の製造に際し、当初の製造工程の断面図。
【図29】
図28に続く製造工程の断面図。
【図30】
図29に続く製造工程の断面図。
【図31】
この発明の第9実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
1 ベース板
2 接着層
3 半導体構成体
4 シリコン基板
5 接続パッド
6 絶縁膜
8 第1の絶縁膜
10 第1の上層再配線
10a 第1の下地金属層
10b 第1の上層金属層
11 柱状電極
12 第2の絶縁膜
13 第2の上層再配線
13a 第2の下地金属層
13b 第2の上層金属層
14 酸化第2銅層
15 酸化第1銅層
17 第3の絶縁膜
19 半田ボール
Claims (23)
- 上面に外部接続部を有する半導体構成体の周側面の外側に周囲部が設けられ、接続パッド部を有し且つ銅からなる最上層の再配線が前記半導体構成体の外部接続部に接続されて設けられ、前記最上層の再配線の少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置され、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分がオーバーコート膜で覆われている半導体装置であって、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 上面に外部接続部を有する複数の半導体構成体が互いに離間して配置され、前記各半導体構成体の周側面の外側に周囲部が設けられ、接続パッド部を有し且つ銅からなる最上層の再配線が前記半導体構成体の外部接続部に接続されて設けられ、前記最上層の再配線の少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置され、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く部分がオーバーコート膜で覆われている半導体装置であって、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化銅層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記周囲部は絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記周囲部は前記半導体構成体の側方に設けられた枠状の埋込材を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項4に記載の発明において、前記半導体構成体と前記埋込材との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、半導体基板の上面に接続パッドを有するものからなり、前記接続パッドにより前記外部接続部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記最上層の再配線は前記半導体構成体の接続パッドに柱状電極を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して再配線が前記接続パッドに接続されて設けられたものからなり、前記再配線の接続パッド部により前記外部接続部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記最上層の再配線は前記半導体構成体の再配線の接続パッド部に柱状電極を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記半導体構成体は、上面に接続パッドを有する半導体基板上に絶縁膜を介して再配線が前記接続パッドに接続されて設けられ、前記再配線の接続パッド部上に柱状電極が設けられたものからなり、前記柱状電極により前記外部接続部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 上面に外部接続部を有する複数の半導体構成体を相互に離間させてベース板上に配置する工程と、
前記ベース板上において前記各半導体構成体の周側面の外側に周囲部を形成する工程と、
少なくとも前記周囲部上に、接続パッド部を有し且ついずれかの前記半導体構成体の対応する外部接続部に接続される銅からなる最上層の再配線を、その少なくとも一部の接続パッド部が前記周囲部上に配置されるように形成する工程と、前記最上層の再配線の接続パッド部を除く表面に酸化第2銅層および酸化第1銅層をこの順で形成する工程と、
前記最上層の再配線の接続パッド部を除く領域をオーバーコート膜で覆う工程と、
前記各半導体構成体間における前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断して少なくともいずれかの前記最上層の再配線の接続パッド部が前記半導体構成体より外側の領域の前記周囲部上に形成された前記半導体構成体を少なくとも1つ有する半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12に記載の発明において、前記酸化第2銅層および前記酸化第1銅層は処理液を用いた浸漬処理により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項13に記載の発明において、前記処理液は水酸化ナトリウムを含む第1の処理液と亜鉛素酸ナトリウムを含む第2の処理液との混合液からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記第1の処理液は、10〜20wt%程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第2の処理液は、15〜25wt%程度の亜鉛素酸ナトリウムを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記浸漬処理の時間は1分程度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断する工程は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記周囲部を形成する工程は、前記半導体構成体間に埋込材を配置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断するとともに前記ベース板を切断する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項19に記載の発明において、切断前の前記ベース板下に別のベース板を配置し、前記ベース板を切断した後に、前記別のベース板を取り除く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記オーバーコート膜および前記周囲部を切断する工程の前に、前記ベース板を取り除く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項21に記載の発明において、前記ベース板を取り除く工程に引き続き、前記半導体構成体の半導体基板を薄くする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項12に記載の発明において、前記最上層の再配線の接続パッド部上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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