JP2016025281A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持板1と、支持板1の一方の主面に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体チップ2と、前記半導体チップ2及びその周辺を封止する絶縁材料層4と、前記絶縁材料層4において、前記半導体チップ2の前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部6と、前記絶縁材料層4上に前記導電部6と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップ2の周辺領域に延出された配線層5と、前記配線層5上に形成された外部電極7とを備え、前記支持板1は半導体装置の製造過程において用いられた複数の平板を積層してなる複合支持板から分離された複合支持板の最上層を構成していた平板であることを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
Description
この装置の基本的な構造を図20に示す。
半導体装置20は、樹脂硬化体または金属から構成される支持板1を備えており、その一方の主面に、半導体チップ2が素子回路面(表側面)を上にして配置され、素子回路面と反対側の面(裏側面)が接着剤3により支持板1に固着されている。そして、支持板1の主面全体には、半導体チップ2の素子回路面を覆うようにして絶縁材料層4が一層だけ形成されている。この単層の絶縁材料層4の上には、銅等の導電性金属からなる配線層5が形成されており、その一部は半導体チップ2の周辺領域にまで引き出されている。また、半導体チップ2の素子回路面上に形成された絶縁材料層4には、半導体チップ2の電極パッド(図示せず)と配線層5とを電気的に接続する導電部(ビア部)6が形成されている。この導電部6は、配線層5と一括して形成されて一体化されている。また、配線層5の所定の位置には半田ボール等の外部電極7が複数個形成されている。さらに、絶縁材料層4の上、および半田ボール等の外部電極7の接合部を除く配線層5の上には、配線保護層(ソルダーレジスト層)8が形成されている。
この装置は近年、益々要求の高まっている電子部品の高密度化、軽薄短小化に大きく貢献するものである。
また、本発明は低熱抵抗の半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は以下に記載する通りのものである。
前記支持板の一方の主面に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ及びその周辺を封止する絶縁材料層と、
前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、
前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、
前記絶縁材料層上に前記導電部と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層と、
前記配線層上に形成された外部電極と
を備え、
前記支持板は、半導体装置の製造過程において用いられた複数の平板を積層してなる複合支持板のうちの前記半導体チップを搭載している平板であって、前記複合支持板を構成するその他の平板から分離された平板であることを特徴とする半導体装置。
(2)複数の平板を積層して複合支持板を作製する工程と
前記複合支持板を構成する第1の平板の主面に、複数個の半導体チップを位置合わせして配置し、これらの半導体チップの素子回路面と反対側の面を接着剤によって固着する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面上および前記第1の平板の主面上に絶縁材料層を形成する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上の位置で、前記絶縁材料層に開口を形成する工程と、
前記絶縁材料層上に一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層を形成し、かつ前記絶縁材料層の前記開口内に前記半導体チップの前記電極と接続された導電部を形成する工程と、
前記配線層上に外部電極を形成する工程と、
所定の位置で前記第1の平板および前記絶縁材料層を切断することによって、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程と
前記の1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程の前又は後において、前記複合支持板を構成する複数の平板の内、前記第1の平板以外の平板を半導体装置から分離する工程と
を含むことを特徴とする(1)に記載の半導体装置の製造方法。
(3)前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが接着剤によって積層されたものであり、接着剤を除去することによって前記第1の平板以外の平板を半導体装置から分離することを特徴とする(2)に記載の半導体装置の製造方法。
(4)前記第1の平板と第2の平板との間の接着剤が1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化するための切断線に沿って設けられ、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板及び前記絶縁材料層と共に前記第1の平板と第2の平板との間の接着剤を切断することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする(3)に記載の半導体装置の製造方法。
(5)前記第2の平板に前記切断線に沿って凹部が設けられており、前記凹部の中に接着剤が設けられていることを特徴とする(4)に記載の半導体装置の製造方法。
(6)前記複合支持板は、第1の平板と第3の平板と第2の平板とがこの順に積層されてなり、
前記第3の平板は前記第1の平板及び第2の平板よりも面積が小さく、
前記第2の平板と前記第3の平板とは接着剤によって接着されており、
前記第1の平板と前記第3の平板との間には接着剤が存在せず直に接触しており、
前記第2の平板の前記第3の平板が存在しない領域部分と、前記第1の平板の前記第3の平板が存在しない領域部分とは接着剤によって接着されており、
1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板及び前記絶縁材料層と共に前記第1の平板、前記第3の平板及び第3の平板が積層されている領域部分を切断することによって前記第1の平板を第3の平板及び第2の平板と分離することを特徴とする(2)に記載の半導体装置の製造方法。
(7)前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが密着した状態で第1の平板と第2の平板の外周部分において溶接されることによって積層されてなり、
1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板と第2の平板とが溶接された外周部分を切断除去することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする(2)に記載の半導体装置の製造方法。
(8)前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが接着性を有する仮固定フィルムによって固着されており、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板を前記仮固定フィルムから分離することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする(3)に記載の半導体装置の製造方法。
(9)複数の平板を積層してなる複合支持板と、
前記複合支持板の最上層を構成する第1の平板の主面に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ及びその周辺を封止する絶縁材料層と、
前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、
前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、
前記絶縁材料層上に前記導電部と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層と、
前記配線層上に形成された外部電極と
を備え、
前記第1の平板は複合支持板を構成する平板の中で最も熱伝導率が高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
(10)複数の平板の中で最も熱伝導率の高い材料からなる第1の平板を最上層として、 第1の平板とその他の平板とを積層して複合支持板を作製する工程と
前記第1の平板の主面に、複数個の半導体チップを位置合わせして配置し、これらの半導体チップの素子回路面と反対側の面を接着剤によって固着する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面上および前記第1の平板の主面上に絶縁材料層を形成する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上の位置で、前記絶縁材料層に開口を形成する工程と、
前記絶縁材料層上に一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層を形成し、かつ前記絶縁材料層の前記開口内に前記半導体チップの前記電極と接続された導電部を形成する工程と、
前記配線層上に外部電極を形成する工程と、
所定の位置で前記第1の平板および前記絶縁材料層を切断することによって、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程と
を含むことを特徴とする(9)に記載の半導体装置の製造方法。
・放熱特性が向上する(低熱抵抗化)
・PKG厚を薄くすることができモバイル製品等の製品適用範囲が広がる。
・PKG厚が薄くなっても、従来品と同等の反りの防止が実現できる。
図1は本発明に係る半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。
図1に示された半導体装置20は、支持板1、半導体チップ2、絶縁材料層4、配線層5及び外部電極7を備えている。
半導体チップ2は電極(図示せず)を有する素子回路面を上にして支持板1の主面上に配置され、素子回路面と反対側の面(裏面)が接着剤3により支持板1に固着されている。
絶縁材料層4の上、および外部電極7の接合部を除く配線層5の上には、配線保護層8を形成する。配線保護層8は絶縁材料層4の絶縁材料と同種の材料で形成しても良いし、異種の材料で形成しても良い。
図2は、本発明の実施形態2を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置20は、2個の半導体チップ2(第1の半導体チップ2aおよび第2の半導体チップ2b)が 積層・配置された構造を有する。実施形態1で示したと同様の平板1の一方の主面に第1の半導体チップ2aが素子回路面を上にして固着され、その上に第1の半導体チップ2aを被覆するように絶縁材料層(第1の絶縁材料層)4aが形成され、さらにその上に、第1の半導体チップ2aの電極上に導電部6aを有する第1の配線層5aが形成されている。そして、第1の絶縁材料層4aの上および後述する層間ビア部16の接続部(積層間ビア接続部)を除く第1の配線層5aの上には、層間絶縁保護層18が形成されている。
以下に説明する製造方法では、支持板1を本発明の半導体チップ2のサイズよりも極めて大きいものとし、複数の半導体チップ2をそれぞれ間隔を置いて支持板1に搭載して、所定の処理工程によって複数の半導体装置を同時に製造し、最終的に個々の半導体装置に分割して複数の半導体装置を得ることができるようにしている。
このように、複数の半導体装置を同時に製造することにより製造コストを大幅に抑制する事が可能となる。
また、以下の実施形態では支持板上に一つの半導体チップを有する半導体装置について述べるが、支持板上に複数個の半導体チップを有する場合も本発明の実施形態である。
実施形態1で示した半導体装置を製造する方法の実施形態3を図3〜図5に基づいて説明する。
図3は複合支持板の構成を示す図である。
複合支持板1は第1の平板1aと第2の平板1bとを接着剤3cを用いて固着することによって積層されている。接着剤3cは図3左図に示すように、半導体装置を個片化する際の切断線CLに沿って設けられている。
前記第1の平板1a及び第2の平板1bは均一な厚さを有する平坦な板であり、絶縁樹脂を硬化させた樹脂硬化体、あるいはステンレススチールや42アロイ等の金属から構成される。複合支持板1は第1の平板1aと第2の平板1bとの合計の厚さが後述する絶縁材料層の形成により反りが発生しない程度の厚さであればよい。複合支持板1を構成する平板のうち第1の平板1aのみが半導体装置の部品として用いられるので、前記第1の平板の厚さは薄いほうがよい。
図4Aは、第1の平板1aと第2の平板1bとを接着剤3cによって固着してなる支持板1の上に半導体チップ2を接着剤3によって固着して搭載した状態を示す図である。
絶縁材料としては、例えば、熱硬化型の樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁材料の供給は、例えば、スピンコータを用いて塗布する方法、スキージを用いた印刷法、フィルム状の樹脂をラミネートする方法などにより行なうことができる。また、絶縁性樹脂として感光性樹脂を用いることも可能である。
なお、前記導電部6は導電材料で埋められていてもよいし、前記側壁に形成されためっき膜上に後述の絶縁材料層4を形成する絶縁材料が形成されていてもよい。導電部6を導電材料で埋める場合には、前記めっき時に一括充填するか、前記側壁にめっき膜が形成された後に、導電ペーストを充填すればよい。
配線保護層8を形成した後に、この配線保護層8に外部電極7を設けるための開口部を開口し、該開口部に導電材料を設けて外部電極7を形成する。導電材料としては半田ボール、導電性ペースト、半田ペーストなどを用いる。
図5Aに示す切断線CLに沿って接着剤の少なくとも上部が切断されるまで切断することにより図5Bに示すように半導体装置20を各個片に個片化する。
第1の平板1aと第2の平板1bとを固着している接着剤3cは切断線CLに沿って設けられているため、第1の平板1aと第2の平板1bとの固着に寄与していた接着剤3cの接着面部分が切断時に除去され、第1の平板1aと第2の平板1bとは分離される。これにより、図1に示した所望の厚みの支持板1を有する半導体装置20を得ることができる。
また、第1の平板の材料を銅等の熱伝導性の良い材料とした場合には、低背で放熱性に優れた半導体装置とすることができる。
また、第2の平板1bは切断されないので再利用が可能である。
実施形態4を図6A、図6Bに基づいて説明する。
本実施形態は実施形態3の一部を変形したものである。 本実施形態では図6Aに示すように、第2の平板1bに切断線CLに沿って凹部を設け、この凹部に接着剤3cを設ける。そして、実施形態3におけると同様に図6Aに示す切断線CLに沿って接着剤の少なくとも上部が切断されるまで切断することにより第1の平板1aと第2の平板1bとを分離することができる。
これにより、図1に示した所望の厚みの支持板1を有する半導体装置20を得ることができる。
また、第2の平板1bは切断されないので再利用が可能である。
本実施形態では、図6Bに示すように第1の平板1aと第2の平板1bとは大部分が接着剤を介さずに直に接触しているため第1の平板1aと第2の平板1bとの一体性が増し、反り防止の効果がより高まる。
実施形態5を図7〜図9に基づいて説明する。
本実施形態においては、まず、図7A、図7Bに示すように、平板1a、平板1b及び平板1cの合計3枚の平板を用いて作製した複合支持板1を用いる。 前記複合支持板1は、第1の平板1aと第3の平板1cと第2の平板1bとがこの順に積層されており、第3の平板1cは第1の平板1a及び第2の平板1bよりも面積が小さく、複合支持板1の外周部分は第3の平板が存在しない状態となっている。
第2の平板1bと前記第3の平板1cとは接着剤3cによって接着されている。
第1の平板1aと第3の平板1cとの間には接着剤が存在せず直に接触している。
そして、第2の平板1bの外周部分の第3の平板が存在しない領域部分と、前記第1の平板の外周部分の第3の平板が存在しない領域部分とは接着剤3cによって接着されており、これにより第3の平板1cは第1の平板1aと密着した状態に保たれる。
本実施形態の複合支持板1は前記のような積層構造を有するため、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、複合支持板1の外周部分における第1の平板1a、第3の平板1c及び第2の平板1bが存在する箇所で絶縁材料層4と共に複合支持板1を切断すると、第1の平板1aと第2の平板1cとを接着していた箇所が除去され、また、第1の平板1aと第3の平板1cとは接着剤によって接着されていないため、前記第1の平板を第3の平板及び第2の平板と分離することができる。
実施形態6を図10、図11に基づいて説明する。
本実施形態では複合支持板1として図10Aに示すように第1の平板1aと第2の平板1bとを使用し、第1の平板1a及び第2の平板1bとしては金属板を用いる。
図10Bに示すように第1の平板1aと第2の平板1bとを重ねて真空チャンバ30内に収容する。真空チャンバ30を10−1Pa〜10−3Paの高真空の状態とし、複合支持板1の外周部を端部から数mmの位置で電子ビーム31で溶接して溶接部32を形成する。
図10Cに上記のようにして作製した複合支持板1を示す。この複合支持板1は外周部が高真空下で電子ビーム31によって溶接されているため、第1の平板1aと第2の平板1bとの接触部33は完全密着した状態となる。これにより、第1の平板1aと第2の平板1bとは直に接触し、第1の平板1aと第2の平板1bとの一体性が増し、反り防止の効果がより高まる。
また、溶接部32の溶接幅は1mm程度でよいため、加熱が局所的であり、溶接による歪もTIG溶接やレーザー溶接と比較して小さくすることができる。
但し、第1の平板1aが極めて薄い場合は平板間の隙間により溶接時に第1の平板1aに穴が開く恐れがあるので、穴が開くことを防ぐ目的で、平板同士を完全に密着させるための冶具が必要となる。
前記の構造体を形成する工程は、複合支持板1が異なること以外は実施形態3の製造方法の説明において図4A〜図4Eに基づいて示したものと同様であるので説明を省略する。
図11Aに示した半導体装置の集合体を図11Bに示すように、複合支持板1の外周部を切断線CL1、CL2に沿って切断して第1の平板1aと第2の平板1bの溶接部32を含む外周部を取り除くことによって第1の平板1aと第2の平板1bとを分離し、次に図11C示すように切断線CL3に沿って切断することにより個々の半導体装置に個片化する。
これにより、図1に示した所望の厚みの支持板1を有する半導体装置20を得ることができる。
本実施形態を図12、図13に基づいて説明する。
本実施形態では複合支持板1は第1の平板1aと第2の平板1bと仮固定フィルム11とから構成する。
まず、図12Aに示すように、第1の平板1aと仮固定フィルム11と第2の平板1bとを用意する。
次に、図12Bに示すように、第2の平板1b片側に仮固定用フィルム11を貼り合せる。
次いで、図12Cに示すように第1の平板1aを仮固定用フィルム11に載置して貼り合わせる。
仮固定用フィルム11は基材フィルムの表裏両面に接着剤層を設けたものであり、市販されているものを用いることができる。
前記の構造体を形成する工程は、複合支持板1が異なること以外は実施態様3の説明において図4A〜図4Eに基づいて示したものと同様であるので説明を省略する。
図13Bに示すように、第2の平板1bを仮固定用フィルム11から剥離し、次いで第1の平板1aに付着している仮固定用フィルムを第1の平板1aから剥離する。これによって支持板として第1の平板1aのみを有する半導体装置が得られる。
図14は図13Bに示した半導体装置を個片化する工程を示す図である。
図14Aに示すようにブレード10を用いて切断線CLに沿って半導体装置を個片化することによって図14Bに示すような個片化された半導体装置20を得ることができる。
本実施形態を図15に基づいて説明する。
図15は本発明に係る半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。
図15に示された半導体装置20は、複数枚(図示したものでは2枚)の平板を積層してなる支持板1、半導体チップ2、絶縁材料層4、配線層5及び外部電極7を備えている。
半導体チップ2は電極(図示せず)を有する素子回路面を上にして支持板1の主面上に配置され、素子回路面と反対側の面(裏面)が接着剤3により支持板1に固着されている。
絶縁材料層4の上、および外部電極7の接合部を除く配線層5の上には、配線保護層8を形成する。配線保護層8は絶縁材料層4の絶縁材料と同種の材料で形成しても良いし、異種の材料で形成しても良い。
また、熱伝導性の良い銅からなる支持板を用いることも考えられるが、剛性を高めるためには厚みのある銅板を用いる必要があり、この銅板は加工性が悪いため採用できない。
図16は、本発明の実施形態9を示す断面図である。
本実施形態の半導体装置20は、2個の半導体チップ2(第1の半導体チップ2aおよび第2の半導体チップ2b)が 積層・配置された構造を有する。実施形態8で示したと同様の支持板1の一方の主面に第1の半導体チップ2aが素子回路面を上にして固着され、その上に第1の半導体チップ2aを被覆するように絶縁材料層(第1の絶縁材料層)4aが形成され、さらにその上に、第1の半導体チップ2aの電極上に導電部6aを有する第1の配線層5aが形成されている。そして、第1の絶縁材料層4aの上および後述する層間ビア部16の接続部(積層間ビア接続部)を除く第1の配線層5aの上には、層間絶縁保護層18が形成されている。
以下に説明する製造方法では、支持板1を本発明の半導体チップ2のサイズよりも極めて大きいものとし、複数の半導体チップ2をそれぞれ間隔を置いて支持板1に搭載して、所定の処理工程によって複数の半導体装置を同時に製造し、最終的に個々の半導体装置に分割して複数の半導体装置を得ることができるようにしている。
このように、複数の半導体装置を同時に製造することにより製造コストを大幅に抑制する事が可能となる。
また、以下の実施形態では支持板上に一つの半導体チップを有する半導体装置について述べるが、支持板上に複数個の半導体チップを有する場合も本発明の実施形態である。
複合支持板1は第1の平板1aと第2の平板1bとを接着剤3cを用いて固着することによって積層されている。
前記第1の平板1a及び第2の平板1bは均一な厚さを有する平坦な板である。第1の平板1aは第2の平板1bに比べて熱伝導率の高い材料からなっており、好ましい材料は銅である。第2の平板1bは絶縁樹脂を硬化させた樹脂硬化体、あるいはステンレススチールや42アロイ等の金属から構成されることが好ましい。複合支持板1は第1の平板1aと第2の平板1bとの合計の厚さが後述する絶縁材料層の形成により反りが発生しない程度の厚さであればよい。
その内容は複合支持板1が図17Bに示される複合支持板であること以外は実施形態3の説明において図4A〜図4Eに基づいて示したものと同様であるので説明を省略する。
図19Aに示すように切断線CLに沿って切断することにより図19Bに示すように半導体装置20を各個片に個片化する。
1a 第1の平板
1b 第2の平板
1c 第3の平板
2 半導体チップ
3、3a、3c 接着剤
4、4a、4b 絶縁材料層
5、5a、5b 配線層
6、6a、6b 導電部
7 外部電極
8 配線保護層
10 ブレード
11 仮固定フィルム
12 凹部
14 開口
16 層間ビア部
18 層間絶縁保護層
20 半導体装置
30 真空チャンバ
31 電子ビーム
32 溶接部
33 接触部
Claims (10)
- 支持板と、
前記支持板の一方の主面に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ及びその周辺を封止する絶縁材料層と、
前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、
前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、
前記絶縁材料層上に前記導電部と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層と、
前記配線層上に形成された外部電極と
を備え、
前記支持板は、半導体装置の製造過程において用いられた複数の平板を積層してなる複合支持板のうちの前記半導体チップを搭載している平板であって、前記複合支持板を構成するその他の平板から分離された平板であることを特徴とする半導体装置。 - 複数の平板を積層して複合支持板を作製する工程と
前記複合支持板を構成する第1の平板の主面に、複数個の半導体チップを位置合わせして配置し、これらの半導体チップの素子回路面と反対側の面を接着剤によって固着する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面上および前記第1の平板の主面上に絶縁材料層を形成する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上の位置で、前記絶縁材料層に開口を形成する工程と、
前記絶縁材料層上に一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層を形成し、かつ前記絶縁材料層の前記開口内に前記半導体チップの前記電極と接続された導電部を形成する工程と、
前記配線層上に外部電極を形成する工程と、
所定の位置で前記第1の平板および前記絶縁材料層を切断することによって、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程と
前記の1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程の前又は後において、前記複合支持板を構成する複数の平板の内、前記第1の平板以外の平板を半導体装置から分離する工程と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが接着剤によって積層されたものであり、接着剤を除去することによって前記第1の平板以外の平板を半導体装置から分離することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の平板と第2の平板との間の接着剤が1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化するための切断線に沿って設けられ、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板及び前記絶縁材料層と共に前記第1の平板と第2の平板との間の接着剤を切断することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の平板に前記切断線に沿って凹部が設けられており、前記凹部の中に接着剤が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複合支持板は、第1の平板と第3の平板と第2の平板とがこの順に積層されてなり、
前記第3の平板は前記第1の平板及び第2の平板よりも面積が小さく、
前記第2の平板と前記第3の平板とは接着剤によって接着されており、
前記第1の平板と前記第3の平板との間には接着剤が存在せず直に接触しており、
前記第2の平板の前記第3の平板が存在しない領域部分と、前記第1の平板の前記第3の平板が存在しない領域部分とは接着剤によって接着されており、
1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板及び前記絶縁材料層と共に前記第1の平板、前記第3の平板及び第3の平板が積層されている領域部分を切断することによって前記第1の平板を第3の平板及び第2の平板と分離することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが密着した状態で第1の平板と第2の平板の外周部分において溶接されることによって積層されてなり、
1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板と第2の平板とが溶接された外周部分を切断除去することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記複合支持板は、第1の平板と第2の平板とが接着性を有する仮固定フィルムによって固着されており、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する際に、前記第1の平板を前記仮固定フィルムから分離することによって前記第1の平板と第2の平板とを分離することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の平板を積層してなる複合支持板と、
前記複合支持板の最上層を構成する第1の平板の主面に接着層を介して素子回路面を上にして搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ及びその周辺を封止する絶縁材料層と、
前記絶縁材料層において、前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上に形成された開口と、
前記半導体チップの前記電極と接続されるように前記開口内に形成された導電部と、
前記絶縁材料層上に前記導電部と接続されるように形成され、一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層と、
前記配線層上に形成された外部電極と
を備え、
前記第1の平板は複合支持板を構成する平板の中で最も熱伝導率が高い材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 複数の平板の中で最も熱伝導率の高い材料からなる第1の平板を最上層として、第1の平板とその他の平板とを積層して複合支持板を作製する工程と
前記第1の平板の主面に、複数個の半導体チップを位置合わせして配置し、これらの半導体チップの素子回路面と反対側の面を接着剤によって固着する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面上および前記第1の平板の主面上に絶縁材料層を形成する工程と、
前記半導体チップの前記素子回路面に配置された電極上の位置で、前記絶縁材料層に開口を形成する工程と、
前記絶縁材料層上に一部が前記半導体チップの周辺領域に延出された配線層を形成し、かつ前記絶縁材料層の前記開口内に前記半導体チップの前記電極と接続された導電部を形成する工程と、
前記配線層上に外部電極を形成する工程と、
所定の位置で前記第1の平板および前記絶縁材料層を切断することによって、1つまたは複数の半導体チップを含む半導体装置を個片化する工程と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
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