JP2003142505A - ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法

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adhesive
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野 貴 志 杉
Osamu Yamazaki
崎 修 山
Hideo Senoo
尾 秀 男 妹
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハへの貼付作業およびＩＣチップ
のピックアップ操作を円滑に行え、かつリードフレーム
表面の凹凸にもよく追従する接着層をＩＣチップ裏面に
転写できるウエハダイシング・接着用シートを提供する
ことを目的としている。 【解決手段】 本発明に係るウエハダイシング・接着用
シートは、基材上に、粘着剤層、剥離性工程フィルム、
熱可塑性接着フィルムおよびウエハ固定用接着剤層を順
次積層してなり、該剥離性工程フィルムの剥離処理面上
に、該熱可塑性接着フィルムが剥離可能に積層されてな
ることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なウエハダイ
シング・接着用シートに関する。さらに詳しくは、本発
明は、特にシリコンウエハ等をダイシングし、さらにリ
ードフレーム等の基板にダイボンディングする工程で使
用するのに特に適したウエハダイシング・接着用シート
に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウ
エハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片
（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次
の工程であるマウント工程に移されている。この際、半
導体ウエハは予じめ粘着テープに貼着された状態でダイ
シング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアッ
プの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程
に移送される。
【０００３】これらの工程の中でピックアップ工程とボ
ンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ
固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたウエハダ
イシング・接着用シートが種々提案されている（たとえ
ば、特開平２−３２１８１号公報）。特開平２−３２１
８１号公報には、特定の組成物よりなる粘接着層と、基
材とからなる粘接着テープが開示されている。この粘接
着層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機
能を有し、さらに基材との間の接着力がコントロールで
きるため、ダイシング終了後、チップのピックアップを
行うと、粘接着層は、チップとともに剥離する。粘接着
層を伴ったＩＣチップを基板に載置し、加熱すると、粘
接着層中のエポキシ樹脂が接着力を発現し、ＩＣチップ
と基板との接着が完了する。
【０００４】上記公報に開示されている粘接着テープ
は、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、
ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。
すなわち、上記の粘接着テープの粘接着層は、エネルギ
ー線硬化および熱硬化を経たダイボンド後には全ての成
分が硬化し、チップと基板とを非常に強固に接着する。
その後、通常はリフロー工程を経てワイヤボンディング
される。
【０００５】ところで、被着体となる基板の表面には配
線パターンに起因する多数の凹凸があり、近年の高集積
化によりパターンの間隔が極めて接近しているためパタ
ーン間のすきまへ粘接着剤が埋まり難くなり、ＩＣチッ
プの固着が不十分になり、チップが脱落するおそれがあ
る。特に、上述した従来の粘接着テープでは、エポキシ
樹脂が充分な流動性を発現する前に熱硬化反応が開始す
るため、基板の表面の凹凸に追従しきれない。このた
め、ＩＣチップの実装前または実装時に、これら凹凸部
に樹脂を充填し、凹凸を解消しておく必要があり、工程
上極めて煩雑である。
【０００６】つまり、ダイボンディング時には、接着剤
層が基板表面の凹凸によく追従することが求められてい
るに関わらず、従来の粘接着テープでは、この点が不十
分であり、改善が求められていた。一方、特許第２６６
５３８３号には、「支持基材上に粘着層、熱可塑性接着
フィルムおよびウエハ固定用接着層を順次積層してな
り、前記粘着層と熱可塑性接着フィルムが剥離可能状態
にて積層されていることを特徴とするダイシング・ダイ
ボンドフィルム」が開示されている。
【０００７】このダイシング・ダイボンドフィルムで
は、ウエハをダイシングしチップ化した後に、粘着層の
粘着力を低下させて、チップ裏面に熱可塑性接着フィル
ムを同伴させてピックアップし、この熱可塑性接着フィ
ルムを介してチップを基板に固着する。しかし、粘着層
と熱可塑性接着フィルムという２層の接着性の層が直接
積層されているため、層間で成分の移行が起こり、経時
的に特性が変化することがある。このため、ダイシング
の後、粘着層と可塑性接着フィルムとの層間接着力が充
分に低下しないことがあり、ピックアップ不良を起こし
たり、熱湿条件下でチップクラックが発生したりするお
それがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術に鑑みてなされたものであって、半導体ウエ
ハへの貼付作業およびＩＣチップのピックアップ操作を
円滑に行え、かつ基板表面の凹凸にもよく追従する接着
層をＩＣチップ裏面に転写できる信頼性の高いウエハダ
イシング・接着用シートを提供することを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハダイ
シング・接着用シートは、基材上に、粘着剤層、剥離性
工程フィルム、熱可塑性接着フィルムおよびウエハ固定
用接着剤層を順次積層してなり、該剥離性工程フィルム
の剥離処理面上に、該熱可塑性接着フィルムが剥離可能
に積層されてなることを特徴としている。
【００１０】さらに、前記熱可塑性接着フィルムは、ポ
リイミド系熱可塑性接着剤からなることが好ましい。本
発明において、前記剥離性工程フィルムの剥離処理面の
表面張力が４０dyn/cm未満であることが好ましく、ま
た、特にポリエチレンナフタレート樹脂からなることが
好ましい。
【００１１】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基
材上に、粘着剤層、剥離性工程フィルム、熱可塑性接着
フィルムおよびウエハ固定用接着剤層を順次積層してな
るウエハダイシング・接着用シートのウエハ固定用接着
剤層に、半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダ
イシングしてＩＣチップとし、前記ＩＣチップ裏面にウ
エハ固定用接着剤層および前記熱可塑性接着フィルムを
固着残存させて剥離性工程フィルムから剥離し、前記Ｉ
Ｃチップをリードフレーム上に前記熱可塑性接着フィル
ムを介して熱圧着することを特徴としている。
【００１２】このような本発明によれば、半導体ウエハ
への貼付作業およびＩＣチップのピックアップ操作を円
滑に行え、かつリードフレーム表面の凹凸にもよく追従
する接着層をＩＣチップ裏面に転写できるウエハダイシ
ング・接着用シートが提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウエハダイシ
ング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法につい
て、具体的に説明する。本発明に係るウエハダイシング
・接着用シート１０は、図１に示すように、基材１上
に、粘着剤層２、剥離性工程フィルム３、熱可塑性接着
フィルム４およびウエハ固定用接着剤層５を順次積層し
てなる。なお、本発明のウエハダイシング・接着用シー
ト１０の使用前に、粘着剤層２およびウエハ固定用接着
剤層５を保護するために、シート１０の上面に剥離フィ
ルムを積層しておいてもよい。
【００１４】本発明に係るウエハダイシング・接着用シ
ート１０の形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形
状をとりうる。剥離性工程フィルム３、熱可塑性接着フ
ィルム４およびウエハ固定用接着剤層５は、貼着される
ウエハと略同一の形状を有するものであることが好まし
く、その内径は、基材１および粘着剤層２の積層体の内
径よりも小さいことが好ましい。この場合、露出した粘
着剤層２は、後述するリングフレームの支持に用いられ
る。
【００１５】基材１の材質は特に限定はされないが、チ
ップのピックアップに先立ち、シート１０のエキスパン
ドを行い、チップ間隔を離間させる場合には、長さ方向
および幅方向に延伸性を有する樹脂フィルムから形成さ
れている。このような樹脂フィルムは種々知られている
が、そのヤング率は、１．０×１０4 kg/cm2以下が好ま
しく、特に５．０×１０1 〜５．０×１０3 kg/cm2であ
ることが好ましい。
【００１６】このような基材１としては、具体的には、
ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリ
ブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリウレタ
ンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィル
ム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン
−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−
（メタ）アクリル酸メチル共重合体フィルム、エチレン
−（メタ）アクリル酸エチル共重合体フィルム等が用い
られる。またこれらの積層フィルムであってもよい。基
材１の厚みは、通常は１０〜３００μｍ程度であり、好
ましくは５０〜２００μｍ程度である。
【００１７】粘着剤層２は、ダイシング工程及びピック
アップ工程において、基材１と剥離性工程フィルム３と
を接着するとともに、リングフレームに接着してウエハ
（チップ）をリングフレームに支持固定する。粘着剤層
２は使用環境において、剥離性工程フィルム３から剥離
しない程度であり、かつ使用後にリングフレームより簡
単に剥離できる程度の接着力を有すればよい。
【００１８】粘着剤層２は、従来より公知のアクリル
系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系、ポリエス
テル系等の種々の粘着剤からなる。この中でも、特に接
着特性の制御の容易さ等の点で、アクリル系粘着剤が好
ましく用いられる。アクリル系粘着剤は、アクリル系共
重合体を主成分とする粘着剤である。アクリル系共重合
体は通常、炭素数が１〜１８のアルキル基を有する（メ
タ）アクリル酸エステルモノマーを主モノマーとし、水
酸基、カルボキシル基、アミノ基等の官能基を有するモ
ノマーや、その他の共重合可能なモノマーを共重合して
なる。
【００１９】粘着剤層２の膜厚は、好ましくは１〜５０
μｍであり、特に好ましくは、５〜３０μｍである。剥
離性工程フィルム３は、後述の熱可塑性接着フィルム４
を製膜する際に用いる工程フィルムであり、片面が剥離
処理された汎用の剥離フィルムが特に制限されることな
く用いられる。剥離処理面には、後述する熱可塑性接着
フィルム４が積層される。剥離性工程フィルム３の剥離
処理面の表面張力は、好ましくは４０dyn/cm未満、さら
に好ましくは３０〜４０dyn/cm未満であり、このような
表面張力を有する表面に後述する熱可塑性接着フィルム
４が形成されてなることが好ましい。特に表面張力が３
０〜４０dyn/cm未満の範囲では、熱可塑性接着フィルム
４のポリイミド用工程フィルム３から転写性と、ダイシ
ングに用いた際のチップ保持性に優れる。
【００２０】剥離性工程フィルム３の材質は、特に限定
されず、片面が剥離処理されている紙、布であってもよ
いが、好ましくは合成樹脂フィルムからなる。なお、熱
可塑性接着フィルム４がポリイミド系熱可塑性接着剤か
らなる場合には、剥離性工程フィルム３は、耐熱性の樹
脂からなることが好ましく、前記樹脂の融点は好ましく
は２３０℃以上、さらに好ましくは２５０℃〜３００
℃、特に好ましくは２６０℃〜２８０℃である。
【００２１】このような耐熱性の剥離性工程フィルム３
としては、具体的には、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチ
レンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポ
リエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポ
リエーテルケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケ
トンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、
ポリ（4-メチルペンテン-1）フィルム等が用いられる。
また、剥離性工程フィルム３はこれらフィルムの積層体
であってもよい。さらに、上記フィルムと、他のフィル
ムとの積層体であってもよい。これらの中でも特に好ま
しくはポリエチレンナフタレートフィルムが用いられ
る。
【００２２】剥離性工程フィルム３の膜厚は、その材質
にもよるが、通常は１０〜３００μｍ程度であり、好ま
しくは１６〜１００μｍ程度である。剥離性工程フィル
ム３の調整時の剥離処理に用いられる剥離剤としては、
アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエ
ステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等が用いられ
るが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥
離剤が耐熱性を有するので好ましい。特に基材フィルム
への密着性が高く、表面張力が調製しやすいため、アル
キッド樹脂が好ましい。
【００２３】上記の剥離剤を用いて基材フィルムの表面
を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、
または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコータ
ー、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロー
ルコーター等により塗布して、常温または加熱あるいは
電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライ
ラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミ
ネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよ
い。
【００２４】このような剥離性工程フィルム３を用いる
ことで、後述する熱可塑性接着フィルム４と粘着剤層２
という接着性の２層が直接接触することがなくなるた
め、相互に成分が移行することを防止でき、結果的に、
最終製品である半導体装置のパッケージクラックの発生
を低減することができる。熱可塑性接着フィルム４は、
剥離性工程フィルム３上にキャスト成膜することにより
剥離可能なように形成されている。したがって、ウエハ
のダイシング終了後にＩＣチップをピックアップする
と、ウエハ固定用接着剤層５を介してＩＣチップ裏面に
熱可塑性接着フィルム４が同伴されて、剥離性工程フィ
ルム３から剥離される。その後、ダイボンド時に加熱に
よって溶融されてこの時の流動性によってリードフレー
ム表面の凹凸に充填され凹凸を解消するとともに、ＩＣ
チップとリードフレームとを強固に接着する。この加熱
は、熱可塑性接着フィルムの材質により適宜に決定され
る。
【００２５】熱可塑性接着フィルム４は、たとえばポリ
エステル樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリメタ
クリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリエ
チレン、ポリアミド、セルロース、ポリイソブチレン、
ポリビニルエーテル、ポリイミド樹脂等の各種の熱可塑
性樹脂を主成分とした接着フィルムである。これらの中
でも特に耐熱性の高いポリイミド樹脂を使用したポリイ
ミド系接着フィルムが好ましく用いられる。ポリイミド
接着フィルムは、ポリイミド樹脂の他、ポリイミド前駆
体であるポリアミドイミドからなるものであってもよ
い。
【００２６】ポリイミド系接着フィルムに使用するポリ
イミド樹脂の分子量は、好ましくは１０，０００〜１，
０００，０００、特に好ましくは５０，０００〜１０
０，０００程度である。また、ポリイミド樹脂に、他の
ポリマーやオリゴマー、低分子化合物を添加したポリイ
ミド系接着フィルムを用いてもよい。たとえば、エポキ
シ樹脂、アミド樹脂、ウレタン樹脂、アミド酸樹脂、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂などの各種ポリマーやオリ
ゴマー；トリエタノールアミンやα，ω−（ビス３−ア
ミノプロピル）ポリエチレングリコールエーテルなどの
含窒素有機化合物などが添加剤として挙げることができ
る。なお、主成分であるポリイミド樹脂が熱可塑性であ
れば、これらの添加剤は熱硬化性であってもよい。
【００２７】また、ポリイミド樹脂を主成分とする組成
物を調製する際に、上記各成分を均一に溶解・分散させ
ることが可能な溶媒を用いることもできる。このような
溶媒としては、上記材料を均一に溶解・分散できるもの
であれば特に限定はなく、たとえばジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、ジオ
キサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等を挙げ
ることができ、１種類のみを用いてもよいし、２種類以
上を混合して用いてもよい。このような組成物を剥離性
工程フィルム３上に塗布乾燥することによりポリイミド
系接着フィルムが、剥離性工程フィルム３から剥離可能
となるように成膜できる。
【００２８】熱可塑性接着フィルム４の膜厚は、好まし
くは１〜１００μｍ程度であり、特に好ましくは５〜６
０μｍ程度である。ウエハ固定用接着剤層５は、ダイシ
ング工程時に半導体ウエハを支持し、素子に分断後、ピ
ックアップ工程およびダイボンド工程時に、その両面に
ＩＣチップと熱可塑性接着フィルムを接着、保持するも
のであり、粘着性を有し、ダイボンド時の加熱にも耐え
うるものである。このような接着剤層５を形成する接着
剤としては、たとえば粘接着剤やＢステージ状態の熱硬
化性樹脂からなる適当な接着剤を用いる。
【００２９】ウエハ固定用接着剤層５に使用される粘接
着剤は、たとえば常温で感圧接着性を有するバインダー
樹脂と熱硬化性樹脂との配合物があげられる。常温で感
圧接着性を有するバインダー樹脂としては、たとえばア
クリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルエーテル樹
脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン・ア
クリル酸エステル共重合体樹脂、ウレタン樹脂、ポリア
ミド樹脂等があげられる。熱硬化性樹脂としては、たと
えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、レゾルシノール樹脂、多官能性のアクリル樹脂
等があげられる。熱硬化性樹脂を硬化させるための硬化
剤および硬化促進剤がさらに配合されていてもよい。
【００３０】これらの組み合わせの中でも、塗布の容易
さ、貼付性、接着性の兼ね合いから、バインダー樹脂と
してアクリル樹脂、熱硬化性樹脂として複数種のエポキ
シ樹脂（たとえば、常温で液状のエポキシ樹脂と常温で
固形のエポキシ樹脂）の組み合わせが好ましい。Ｂステ
ージ状態の熱硬化性樹脂としては、前述と同様の熱硬化
性樹脂と硬化剤との組み合わせからなり、半硬化（Ｂス
テージ化）したものが使用できる。これらの中でも、エ
ポキシ樹脂を使用したものが好ましい。
【００３１】ウエハ固定用接着剤層５の膜厚は、好まし
くは１〜１００μｍ程度であり、特に好ましくは５〜５
０μｍ程度である。また、上述した熱可塑性接着フィル
ム４およびウエハ固定用接着剤層５に、例えばアルミニ
ウム、銅、銀、金、パラジウム、カーボンの如き導電性
物質からなる微粉末を含有させて導電性を付与してもよ
い。また、アルミナの如き熱伝導性物質からなる微粉末
を含有させて熱伝導性を高めてもよい。
【００３２】本発明で使用される粘着剤層２、熱可塑性
接着フィルム４およびウエハ固定用接着剤層５は、ロー
ルコーター、ロールナイフコーター、ダイコーターなど
の塗工機を用いて、適宜塗布形成できる。熱可塑性接着
フィルム４は、剥離性工程フィルム３に直接塗布するこ
とによって得られる。ウエハ固定用接着剤層５は、熱可
塑性接着フィルム４上に直接塗布してもよいが、剥離フ
ィルムに塗布形成した後、熱可塑性接着フィルム４に積
層して、転写して形成してもよい。また、粘着剤層２は
基材１に直接塗布形成してもよいし、別の剥離フィルム
上に塗布形成して、基材１に転写してもよい。粘着剤層
２と剥離性工程フィルム３との積層は、基材１／粘着剤
層２の積層体、剥離性工程フィルム３／熱可塑性接着フ
ィルム４／ウエハ固定用接着剤層５の積層体をそれぞれ
作成した後に、粘着剤層２の粘着力で貼り合わせれば簡
便に行える。
【００３３】本発明に係るウエハダイシング・接着用シ
ート１０においては、図１に示すように粘着剤層２の面
積を、剥離性工程フィルム３の面積よりも大きくし、粘
着剤層２の一部を露出させておくことが好ましい。露出
した粘着剤層２は、図２に示すように、ダイシング時に
シート１０を固定するためのリングフレーム６の接着に
使用される。
【００３４】すなわち、本発明のウエハダイシング・接
着用シート１０においては、粘着剤層２が、ウエハダイ
シング用のリングフレーム６に支持可能な面積を有し、
かつ、前記ウエハ固定用接着剤層５の外径が、ウエハダ
イシング用のリングフレーム６の内径よりも小さいもの
であることが好ましい。この時、剥離性工程フィルム３
および熱可塑性接着フィルム４の外径は、前記ウエハ固
定用接着剤層５の外径と同じか大きく、リングフレーム
の内径よりも小さくなる。
【００３５】本発明のウエハダイシング・接着用シート
には、ウエハ７をウエハ固定用接着剤層５に載置し、軽
く押圧するだけでウエハを固定できる。次に本発明に係
る半導体装置の製造方法について説明する。本発明の製
造方法においては、まず、接着用シート１０をダイシン
グ装置上に、リングフレーム６により固定し（図２）、
シリコンウエハ７の一方の面を接着用シート１０のウエ
ハ固定用接着剤層５上に載置し、軽く押圧し、ウエハ７
を固定する（図３）。
【００３６】次いで、ダイシングソーなどの切断手段を
用いて、上記のシリコンウエハ７を切断しＩＣチップ7'
を得る（図４参照）。この際の切断深さは、シリコンウ
エハ７と、ウエハ固定用接着剤層５、熱可塑性接着フィ
ルム４および剥離性工程フィルム３との厚みおよびダイ
シングソーの磨耗分を加味した深さにする。次いで必要
に応じ、接着用シート１０のエキスパンドを行うと、図
５に示すようにＩＣチップ間隔が拡張し、ＩＣチップの
ピックアップをさらに容易に行えるようになる。
【００３７】このようにしてＩＣチップ7'のピックアッ
プを行うと、切断された熱可塑性接着フィルム４をウエ
ハ固定用接着剤層５を介してＩＣチップ裏面に固着残存
させて剥離性工程フィルム３から剥離することができ
る。この際のウエハ固定用接着剤層５と熱可塑性接着フ
ィルム４との接着力が、熱可塑性接着フィルム４と剥離
性工程フィルム３との接着力よりも強く、熱可塑性接着
フィルム４をＩＣチップ7'の片面に固着残存させて剥離
性工程フィルム３から剥離することができる。
【００３８】さらに剥離性工程フィルム３から熱可塑性
接着フィルム４に移行する成分はないため、ピックアッ
プ力は常に安定している。このようにして熱可塑性接着
フィルム４が固着されているＩＣチップ7'をリードフレ
ームに載置する。リードフレームはＩＣチップ7'を載置
する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度
は、熱可塑性接着フィルム４を構成する熱可塑性接着剤
が溶融する温度であれば充分である。たとえばポリイミ
ド系接着剤を使用する場合、加熱温度は、通常は８０〜
２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時
間は、通常は0.1秒〜５分、好ましくは0.5秒〜３分であ
る。
【００３９】このような加熱により、熱可塑性接着フィ
ルム４を溶融または硬化させ、ＩＣチップとリードフレ
ームとを強固に接着することができる。なお、本発明の
接着用シートは、上記のような使用方法の他、半導体化
合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用す
ることもできる。
【００４０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体ウエハへの貼付作業およびＩＣチップのピックア
ップ操作を円滑に行え、かつリードフレーム表面の凹凸
にもよく追従する接着層をＩＣチップ裏面に転写でき信
頼性の高いウエハダイシング・接着用シートが提供され
る。
【００４１】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例および比較例において、「貼付適性」、「凹
凸埋め込み性」および「ＩＲリフロー性」は次のように
して評価した。貼付適性 ＃2000研磨処理したシリコンウエハ（100mm径、厚さ350
μｍ）の研磨面に、実施例および比較例のウエハダイシ
ング・接着シートの貼付をテープマウンター（リンテッ
ク社製、Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシン
グ用リングフレーム（ディスコ社製、2-6-1）に固定し
た。貼付の可否および気泡、エアガミの混入の有無を目
視観察し、貼付可能で気泡およびエアガミの無いものを
○、貼付が不可能なものまたは気泡、エアガミの存在す
るものを×とした。凹凸埋め込み性 貼付適性の試験で使用したシリコンウエハを、ダイシン
グ装置（東京精密社製、AWD-4000B）を使用して6.0mm×
7.0mmのチップサイズにダイシングした。ダイシングの
際の切り込み量は、剥離性工程フィルムを10μｍ切り込
むようにした。続いて、ウエハダイシング・接着シート
側よりニードルで突き上げて、チップ、ウエハ固定用接
着剤層および熱可塑性接着フィルムの積層体が剥離性工
程フィルムの界面から剥離するようにピックアップし
た。
【００４２】得られたチップの積層状態をチップ、ポリ
イミドフィルム上に金メッキ銅よりなるダイパッド部
（直径約0.5mm、厚さ20μｍ、個数60個）を設け配線し
たチップと同サイズの基板に向かって、120℃、150MP
a、１秒間の条件で圧着し、チップマウントを行った。
チップマウントした基板を走査型超音波探傷測定装置に
より層間に隙間の有無の確認を行い、また基板の断面を
顕微鏡により観察（断面観察）し、凹凸埋め込み性を評
価した。
【００４３】いずれの観察においても、熱可塑性接着フ
ィルムと配線の間に隙間が検出されなかったものを○、
いずれかの観察で隙間が検出されたものを×とした。ＩＲリフロー性 凹凸埋め込み性の評価でチップマウントを行った基板
を、モールド樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂を配合）で所定の形状にモールドし、175
℃、６時間で樹脂を硬化させて高圧封止し、ＩＣパッケ
ージを完成させた。
【００４４】該パッケージを８５℃、８５％ＲＨの環境
下に４８時間放置した後、ＩＲリフロー処理をした。Ｉ
Ｒリフロー処理後のパッケージを走査型超音波探傷測定
装置および断面観察により、封止体の膨れや封止体内部
の層間剥離の有無を確認し、リフロー性を評価した。い
ずれの観察においても、膨れおよび層間剥離が検出され
なかったものを○、いずれかの観察で膨れおよび層間剥
離が検出されたものを×とした。
【００４５】
【実施例１】〔基材〕軟質ポリ塩化ビニルフィルム（厚
さ１００μｍ）、ヤング率3.1×103kg/cm2 〔粘着剤〕アクリル系粘着剤（アクリル酸ブチル７０重
量部、メタクリル酸メチル１０重量部、アクリル酸2-ヒ
ドロキシエチル２０重量部からなり重量平均分子量約６
５万の共重合体１００重量部と、芳香族イソシアナート
２重量部との配合物） 〔剥離性工程フィルム〕アルキッド系剥離剤により剥離
処理したポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム
（厚さ２５μｍ、表面張力３５dyn/cm） 〔熱可塑性接着フィルムの配合〕 1.下記化合物を反応して得られたポリイミドシロキサ
ン：100重量部 2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 ω, ω'-ビス（3-アミノプロピル）ポリジメチルシロキ
サン 2,2-ビス[4-(4-ジアミノフェノキシ)フェニル]プロパン 2.シランカップリング剤（信越化学工業社製、KBM40
3）：１重量部 3.ビスフェノール型液状エポキシ樹脂（大日本インキ化
学工業社製、EXA830-LVP）：５重量部 〔ウエハ固定用接着剤層の配合〕 1.下記成分よりなる共重合体：２０重量部 アクリル酸ブチル５５重量部、メタクリル酸メチル１０
重量部、メタクリル酸グリシジル２０重量部、アクリル
酸2-ヒドロキシエチル１５重量部（重量平均分子量8000
00、ガラス転移温度−２８℃） 2.ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（日本触媒社
製、BPA328）：２０重量部3.ジシクロペンタジエン系固
形エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、HP-720
0）：２０重量部 4.ビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂（ジャパンエポ
キシレジン社製、エピコート1002）：３０重量部 5.硬化剤（旭電化社製、アデカハードナー3636AS）：４
重量部 6.硬化促進剤（四国化成工業社製、キュアゾール2PH
Z）：２重量部 7.シランカップリング剤（三菱化学社製）：０．５重量
部 （１）上記熱可塑性接着フィルムの組成物を、上記剥離
性工程フィルムの剥離処理面にロールナイフコーターに
よって塗布し、90℃、５分間乾燥して、層厚が40μｍの
熱可塑性接着フィルムと剥離性工程フィルムの積層シー
ト１を作成した。 （２）厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの片面をシリコーン剥離処理した剥離フィルムの剥
離処理面に、ロールナイフコーターにより上記ウエハ固
定用接着剤の組成物を層厚が２０μｍとなるように塗
布、乾燥（９０℃、２分）し、乾燥したウエハ固定用接
着剤側の面を（１）で得られた積層シートの熱可塑性接
着フィルムの面に転写し、剥離フィルム、ウエハ固定用
接着剤層、熱可塑性接着フィルム、剥離性工程フィルム
の順からなる積層シート２を作成した。 （３）厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの片面をシリコーン剥離処理した剥離フィルムの剥
離処理面に、ロールナイフコーターにより上記粘着剤を
層厚が２０μｍとなるように塗布、乾燥（１００℃、１
分）し、基材の片面に転写し、基材、粘着剤層、剥離フ
ィルムの順からなる積層シート３を作成した（JIS Z-02
37による接着力400g/25mm）。 （４）積層シート２の剥離フィルムを切り抜かないよう
にしながら、残りの層を直径120mmの円形に打ち抜き、
外周部分を除去した。一方、積層シート３の剥離フィル
ムを剥離して、積層シート２の剥離性工程フィルムの面
に貼付した。続いて、基材および粘着剤層の部分を直径
207mmの円形に同心円状に打ち抜いて、外周部分を除去
し、ウエハダイシング・接着用シートを作成した。
【００４６】次いで、上記の手法により「貼付適性」、
「凹凸埋め込み性」および「ＩＲリフロー性」を測定し
た結果を表１に示す。
【００４７】
【比較例１】上記ウエハ固定用接着剤の組成物を、剥離
性工程フィルムの剥離処理面にロールナイフコーターに
よって乾燥後の層厚が５０μｍとなるように塗布、乾燥
（９０℃、５分）し、塗布面上に厚さ３８μｍのポリエ
チレンテレフタレートフィルムの片面をシリコーン剥離
処理した剥離フィルムを貼り合わせて、剥離フィルム、
ウエハ固定用接着剤層、剥離性工程フィルムの順からな
る積層シート４を作成した。
【００４８】続いて実施例１（４）と同様の作業によ
り、直径120mmの積層シート４と直径207mmの積層シート
３を積層し、熱可塑性接着フィルムを含まないウエハダ
イシング・接着用シートを作成した。
【００４９】
【比較例２】ウエハ固定用接着剤の組成物の代わりに上
記熱可塑性接着フィルムの組成物を使用した以外は比較
例１と同様にして、ウエハ固定用接着剤層を含まないウ
エハダイシング・接着用シートを作成した。
【００５０】
【比較例３】実施例１（４）において、直径120mmの積
層シート２の剥離性工程フィルムを剥離した後、熱可塑
性接着フィルム面に積層シート３を積層し、直径207mm
の円形に打ち抜いて、剥離性工程フィルムを含まないウ
エハダイシング・接着用シートを作成した。
【００５１】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るウエハダイシング・接着用シート
の断面図を示す。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
【符号の説明】 １…基材 ２…粘着剤層 ３…剥離性工程フィルム ４…熱可塑性接着フィルム ５…ウエハ固定用接着剤層 ６…リングフレーム ７…半導体ウエハ 7'…ＩＣチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA11 AB01 CC02 CE01 DA03 DB02 DB04 FA05 FA08 4J040 DF041 EC001 ED042 EH031 JA09 JB02 JB09 KA01 KA07 LA06 NA20 PA17 PA42 5F047 AA11 BA39 BB03

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基材上に、粘着剤層、剥離性工程フィル
    ム、熱可塑性接着フィルムおよびウエハ固定用接着剤層
    を順次積層してなり、 該剥離性工程フィルムの剥離処理面上に、該熱可塑性接
    着フィルムが剥離可能に積層されてなることを特徴とす
    るウエハダイシング・接着用シート。
  2. 【請求項２】 前記熱可塑性接着フィルムが、ポリイミ
    ド系接着フィルムからなることを特徴とする請求項１に
    記載のウエハダイシング・接着用シート。
  3. 【請求項３】 前記剥離性工程フィルムの剥離処理面の
    表面張力が４０dyn/cm未満であることを特徴とする請求
    項１または２に記載のウエハダイシング・接着用シー
    ト。
  4. 【請求項４】 前記剥離性工程フィルムが、ポリエチレ
    ンナフタレート樹脂からなることを特徴とする請求項１
    〜３の何れかに記載のウエハダイシング・接着用シー
    ト。
  5. 【請求項５】 基材上に、粘着剤層、剥離性工程フィル
    ム、熱可塑性接着フィルムおよびウエハ固定用接着剤層
    を順次積層してなるウエハダイシング・接着用シートの
    ウエハ固定用接着剤層に、半導体ウエハを貼着し、前記
    半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップとし、前記Ｉ
    Ｃチップ裏面にウエハ固定用接着剤層および前記熱可塑
    性接着フィルムを固着残存させて剥離性工程フィルムか
    ら剥離し、前記ＩＣチップをリードフレーム上に前記熱
    可塑性接着フィルムを介して熱圧着することを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
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