JP2011035076A - 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011035076A JP2011035076A JP2009178369A JP2009178369A JP2011035076A JP 2011035076 A JP2011035076 A JP 2011035076A JP 2009178369 A JP2009178369 A JP 2009178369A JP 2009178369 A JP2009178369 A JP 2009178369A JP 2011035076 A JP2011035076 A JP 2011035076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- semiconductor
- film
- semiconductor wafer
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体用フィルム10は、接着層3の上面に半導体ウエハー7を積層させ、半導体ウエハー7をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー7を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー7(半導体素子71)をピックアップする際に、第1粘着層1と接着層3との間が選択的に剥離する機能を有するものである。そして、この半導体用フィルム10は、接着層3の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層3の表面に投影した投影像について、粒径5μm以上のものが占める面積が、投影像全体の15%以下であるものである。
【選択図】図1
Description
このフィラーとしては一般的に粒子状物が用いられるが、フィラーを添加したことにより、粘接着剤層の表面ではフィラーの一部が突出することが避けられない。このため、粘接着剤層の表面にはフィラーの形状が反映されることとなり、多数の凹凸が生じる。
(1) 粒子状のフィラーを含む接着層と少なくとも1層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層の表面近傍に存在する前記フィラー単体または複数の前記フィラーが凝集してなる凝集体の前記表面に投影した投影像について、粒径5μm以上のものが占める面積が、前記投影像全体の15%以下であることを特徴とする半導体用フィルム。
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第2の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記組成物の樹脂ワニスの粘度は、100〜3000mPa・sである上記(14)または(15)に記載の半導体装置の製造方法。
まず、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第1実施形態について説明する。
図1に示す半導体用フィルム10は、支持フィルム4と、第1粘着層1と、第2粘着層2と、接着層3とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム10は、支持フィルム4上に、第2粘着層2と、第1粘着層1と、接着層3とをこの順で積層してなるものである。
(第1粘着層)
第1粘着層1は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第1粘着層1は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第1樹脂組成物で構成されている。
第2粘着層2は、前述した第1粘着層1よりも粘着性が高いものである。これにより、第1粘着層1と接着層3との間よりも、第2粘着層2とウエハーリング9との間が強固に粘着することとなり、第2の工程においては、半導体ウエハー7をダイシングして個片化する際に、第2粘着層2とウエハーリング9との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー7の位置ずれが確実に防止され、半導体素子71の寸法精度の低下を防止することができる。
接着層3は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第3樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
支持フィルム4は、以上のような第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3を支持する支持体である。
第1粘着層1、第2粘着層2および接着層3は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
以上説明したような半導体用フィルム10は、例えば以下のような方法で製造される。
次に、上述したような半導体用フィルム10を用いて半導体装置100を製造する方法(本発明の半導体装置の製造方法の第1実施形態)について説明する。
[1−1]まず、半導体ウエハー7および半導体用フィルム10を用意する。
半導体ウエハー7は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー7としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
[2−1]次に、ウエハーリング9を用意する。続いて、第2粘着層2の外周部21の上面とウエハーリング9の下面とが密着するように、積層体8とウエハーリング9とを積層する。これにより、積層体8の外周部がウエハーリング9により支持される。
[3−1]次に、複数の切り込み81が形成された積層体8を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす(エキスパンド)。これにより、図1(d)に示すように、積層体8に形成された切り込み81の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子71同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子71同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子71をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
[4−1]次に、半導体素子71(チップ)を搭載(マウント)するための絶縁基板5を用意する。
なお、絶縁基板5に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
まず、接着層3の表面を走査型電子顕微鏡により観察し、観察像を得る。
まず、接着層3の表面に元素マッピング分析(面分析)を行う。元素マッピング分析では、観察領域に存在する元素を同定し、元素の種類と分布を、色の濃淡または色の違いで視覚的に示す分析手法である。したがって、元素マッピング分析によれば、観察像において、フィラー単体または凝集体が占める領域を、視覚的に特定することができる。このようにして測定されたフィラー単体または凝集体が占める領域の外径が、フィラー単体または凝集体の粒径に相当する。
従来のダイシング工程は、ダイシングブレードの先端が半導体ウエハー、接着層および各粘着層をそれぞれ貫通し、支持フィルムに到達するように行われていた。
なお、密着力aおよび密着力bは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。
次に、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第2実施形態について説明する。
その後、第3の工程および第4の工程を行うことにより、半導体装置が得られる。
1.半導体装置の製造
(実施例1)
<1>第1粘着層の形成
アクリル酸2−エチルヘキシル30重量%と酢酸ビニル70重量%とを共重合して得られた重量平均分子量300,000の共重合体100重量部と、分子量が700の5官能アクリレートモノマー45重量部と、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン5重量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線500mJ/cm2を照射し、ポリエステルフィルム上に第1粘着層を成膜した。
なお、得られた第1粘着層のショアD硬度は、40であった。
アクリル酸ブチル70重量%とアクリル酸2−エチルヘキシル30重量%とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体100重量部と、トリレンジイソシアネート(コロネートT−100、日本ポリウレタン工業(株)製)3重量部と、を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが10μmになるように塗布し、その後、80℃で5分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上に第2粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ100μmのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第2粘着層のショアA硬度は、80であった。
アクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン(MEK)溶解品、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6、Tg:6℃、重量平均分子量:500,000)の固形成分で100重量部と、フェノキシ樹脂(JER1256、重量平均分子量:50,000、ジャパンエポキシレジン(株)製)9.8重量部と、フィラーとして添加される球状シリカ(SC1050、平均粒径:0.3μm、(株)アドマテックス製)90.8重量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)1.1重量部と、フェノール樹脂(PR−53647、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)0.1重量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分20重量%の樹脂ワニスを得た。
なお、第3樹脂組成物の樹脂ワニスの粘度は、500mPa・sであった。
第1粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第1粘着層と接着層とが接するようにラミネート(積層)し、第1粘着層側のポリエステルフィルムを剥離して、積層体を得た。
次に、厚さ100μm、8インチのシリコンウエハーを用意した。
・ダイシングサイズ :10mm×10mm角
・ダイシング速度 :50mm/sec
・スピンドル回転数 :40,000rpm
・ダイシング最大深さ :0.130mm(シリコンウエハーの表面からの切り込み量)
・ダイシングブレードの厚さ:15μm
・切り込みの横断面積 :7.5×10−5mm2(接着層と第1粘着層との界面より先端側の部分の横断面積)
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂EME−G760で封止し、温度175℃で2時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を100個作製した。
接着層の成膜時において、ビーズミルに投入する第3樹脂組成物の樹脂ワニスにおける樹脂固形分を22重量%として、樹脂ワニスの粘度を1000mPa・sとした以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。
接着層の成膜時において、ビーズミルに投入する第3樹脂組成物の樹脂ワニスにおける樹脂固形分を25重量%として、樹脂ワニスの粘度を1500mPa・sとした以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。
ビーズ径を400μmとした以外は、前記実施例3と同様にして半導体装置を得た。
接着層の成膜時において、ビーズミルに投入する第3樹脂組成物の樹脂ワニスの粘度を3000mPa・sとした以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。
接着層の成膜時において、ビーズミルに投入する第3樹脂組成物の溶解に使用するメチルエチルケトンの代わりにプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGM)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。
接着層の成膜時において、ビーズミルに投入する第3樹脂組成物の粘度を3500mPa・sとした以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。
接着層の成膜時において、ボールミルを用いた以外は、前記実施例1と同様にして半導体装置を得た。なお、ボールミルのボール径は、8mmであった。
2.1 ダイシング性
まず、各実施例および各比較例におけるダイシング性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例において、半導体ウエハーを個片化して100個の半導体素子を製造する際に、個片の脱離の有無を以下の評価基準に従って評価した。
◎:脱離した半導体素子の個数が0個
○:脱離した半導体素子の個数が1個以上3個未満
△:脱離した半導体素子の個数が3個以上5個未満
×:脱離した半導体素子の個数が5個以上
次いで、個片化した半導体素子のピックアップ性を評価するため、各実施例および各比較例における半導体素子の90°ピール強度を測定した。このピール強度は、半導体素子の上面に1cm幅の短冊状の粘着フィルムを23℃(室温)で貼り付け、その後、23℃(室温)において、この支持フィルムの側より剥離角90°でかつ引っ張り速度50mm/minで引き剥がしたときの端部における荷重とした。
◎:基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が0個
○:基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が1個以上5個未満
△:基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が5個以上10個未満
×:基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が10個以上
以上2.1、2.2の評価結果を表1に示す。
11 外周縁
2 第2粘着層
21 外周部
3、31 接着層
4 支持フィルム
41 外周部
4a、4b 基材
5 絶縁基板
61〜64 積層体
7 半導体ウエハー
71 半導体素子
8 積層体
81 切り込み
82 ダイシングブレード
83 個片
84 ワイヤ
85 モールド層
86 ボール状電極
9 ウエハーリング
10、10’ 半導体用フィルム
100 半導体装置
Claims (16)
- 粒子状のフィラーを含む接着層と少なくとも1層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層の表面近傍に存在する前記フィラー単体または複数の前記フィラーが凝集してなる凝集体の前記表面に投影した投影像について、粒径5μm以上のものが占める面積が、前記投影像全体の15%以下であることを特徴とする半導体用フィルム。 - 前記粒径は、前記接着層の表面の走査型電子顕微鏡による観察像において、前記観察像の濃度を2値化することにより、前記観察像を構成する全画素を明画素と暗画素とに区別したとき、前記フィラーに対応する領域の外径に相当するものである請求項1に記載の半導体用フィルム。
- 前記フィラー単体または複数の前記フィラーが凝集してなる凝集体のうち、5μm以上のものの平均粒径は、5〜15μmである請求項1または2に記載の半導体用フィルム。
- 前記フィラーの構成材料は、セラミックス材料である請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記接着層の表面の表面粗さRaは、2μm以下である請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記個片を前記粘着層から剥離させる際に測定される密着力は、0.1〜0.5(N/cm)の範囲内にある請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記接着層の外周縁は、前記粘着層の外周縁よりも内側に位置している請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記粘着層は、複数の層で構成されている請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記複数の層は、前記半導体ウエハー側に位置する第1粘着層と、この第1粘着層の前記支持フィルム側に隣接し、前記第1粘着層よりも粘着性の大きい第2粘着層とを含んでいる請求項9に記載の半導体用フィルム。
- 前記接着層の外周縁および前記第1粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第2粘着層の外周縁よりも内側に位置している請求項10に記載の半導体用フィルム。
- 前記第2粘着層の硬度は、前記第1粘着層の硬度より小さい請求項10または11に記載の半導体用フィルム。
- 前記第1粘着層のショアD硬度は、20〜60である請求項10ないし12のいずれかに記載の半導体用フィルム。
- 前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、請求項1ないし13のいずれかに記載の半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層し、積層体を得る第1の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第2の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着層は、ビーズミルを用いて原料を撹拌・混練してなる組成物を、基材上に成膜して形成されたものであり、
前記組成物の樹脂ワニスの粘度は、100〜3000mPa・sである請求項14または15に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009178369A JP2011035076A (ja) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009178369A JP2011035076A (ja) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011035076A true JP2011035076A (ja) | 2011-02-17 |
Family
ID=43763877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009178369A Pending JP2011035076A (ja) | 2009-07-30 | 2009-07-30 | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011035076A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228642A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2013185118A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
JP2014531500A (ja) * | 2011-09-26 | 2014-11-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | (メタ)アクリル系エラストマー材料を有する多層感圧接着剤フィルム |
CN104944363A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件结构的制作方法 |
WO2021112238A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | リンテック株式会社 | 電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法及び端子保護用テープ |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05263048A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
JPH10237328A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-09-08 | Kyocera Corp | 樹脂とフィラーの複合体及びその製造方法 |
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2002365822A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-12-18 | Ricoh Co Ltd | 積層型電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
JP2003142505A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005235973A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Nitto Denko Corp | 吸着固定用シート及びその製造方法 |
JP2006206787A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 |
JP2007081060A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用粘接着テープ |
JP2007131791A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 粘着性シート及び保持治具 |
WO2008032367A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
WO2008047610A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs |
JP2008156702A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 樹脂筐体及びその製造方法 |
JP2009040930A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nitto Denko Corp | 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート |
JP2009049308A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Denso Corp | 電子部品の実装構造 |
-
2009
- 2009-07-30 JP JP2009178369A patent/JP2011035076A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05263048A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
JPH10237328A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-09-08 | Kyocera Corp | 樹脂とフィラーの複合体及びその製造方法 |
JP2002365822A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-12-18 | Ricoh Co Ltd | 積層型電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
JP2002226796A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
JP2003142505A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2005235973A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Nitto Denko Corp | 吸着固定用シート及びその製造方法 |
JP2006206787A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 |
JP2007081060A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用粘接着テープ |
JP2007131791A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 粘着性シート及び保持治具 |
WO2008032367A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
WO2008047610A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs |
JP2008156702A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 樹脂筐体及びその製造方法 |
JP2009040930A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Nitto Denko Corp | 被着体の剥離方法、及び、該被着体の剥離方法に使用される加熱剥離型粘着シート |
JP2009049308A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Denso Corp | 電子部品の実装構造 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228642A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2014531500A (ja) * | 2011-09-26 | 2014-11-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | (メタ)アクリル系エラストマー材料を有する多層感圧接着剤フィルム |
JP2013185118A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングテープ一体型接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
CN104944363A (zh) * | 2014-03-26 | 2015-09-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件结构的制作方法 |
WO2021112238A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | リンテック株式会社 | 電磁波シールド膜付き半導体装置の製造方法及び端子保護用テープ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2011004658A1 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2011004657A1 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
KR101058659B1 (ko) | 반도체용 필름, 반도체용 필름의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
KR102143744B1 (ko) | 수지막 형성용 복합 시트 | |
WO2011004659A1 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2009113296A1 (ja) | 半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置 | |
KR20110036698A (ko) | 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법 | |
TWI643931B (zh) | Tape for electronic device packaging | |
JP2012089630A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置 | |
JP2011035076A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
TW201546917A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
JP5728859B2 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012119641A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012216651A (ja) | 半導体装置 | |
TW201546230A (zh) | 片狀樹脂組合物、積層片及半導體裝置之製造方法 | |
JP2011151110A (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008098608A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011035075A (ja) | 半導体用フィルムの製造方法および半導体用フィルム | |
JP2011018803A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012060037A (ja) | 半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2011253949A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012039025A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5406995B2 (ja) | 半導体装置の製造方法に用いられる接着剤 | |
JP2012146830A (ja) | ダイシングテープ一体型接着シート、電子部品及び半導体装置 | |
JP5720159B2 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120703 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131105 |