JP4661889B2 - ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4661889B2 JP4661889B2 JP2008067253A JP2008067253A JP4661889B2 JP 4661889 B2 JP4661889 B2 JP 4661889B2 JP 2008067253 A JP2008067253 A JP 2008067253A JP 2008067253 A JP2008067253 A JP 2008067253A JP 4661889 B2 JP4661889 B2 JP 4661889B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- adhesive layer
- die attach
- base film
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
第一に、接着層として(iv)と(v)の2層を用いているため、フィルム作成時により多くの接着層を積層する必要があるという課題が生じていた。
第二に、接着層として(iv)と(v)の2層を用いているため、界面が一つ余計に増えることで信頼性低下が見られたりするなどの課題を残していた。
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的とするところはフィルム作成時の工数を減らし、高信頼性のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを提供することにある。
層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記基材フィルム(II)の前記フィルム状接着剤層側の界面が離型処理されており、
前記フィルム状接着剤層は、実質的に、ガラス転移温度が−10〜50℃のアクリル酸エステル共重合体と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、カップリング剤とからなり、必要に応じてフィラーを配合してもよく、
前記エポキシ樹脂の配合量は、前記アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して10〜100重量部であり、
前記基材フィルム(II)と前記フィルム状接着剤層との界面のピール強度が0.01〜25N/m、かつ前記界面のせん断強度が0.20MPa〜2.0MPaであり、
(A)前記ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層
部分にシリコンウエハー裏面を貼り合わせる工程、
(B)粘着剤にウエハーリングを貼り付ける工程、
(C)前記シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(D)裏面に接着剤層を残存させたダイを基材フィルムから剥離し取り出す工程、及び、(E)当該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤層を介して加熱接着する工程、を含み、
(D)の工程が、加熱工程、紫外線照射工程を含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
[2] 前記基材フィルム(II)と前記フィルム状接着剤層の外径が前記シリコンウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きく、かつ前記ウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいものである第[1]項に記載の半導体装置の製造方法。
これらの基材フィルム(I)のうち、ポリプロピレン樹脂を30〜70重量部(好ましくは40〜60重量部)と、ポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体70〜30重量部(好ましくは60〜40重量部)の混合物を用いることが好ましい。また粘着剤層との密着性を上げるために、これら基材の表面にコロナ処理を行ってもよい。基材フィルム(I)の厚みとしては、好ましくは30〜300μm、特に好ましくは50〜200μmである。
共重合可能な不飽和単量体(例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなど)とを共重合させたコポリマーが用いられる。
また本発明の粘着剤層には、凝集力を高めるためにロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加しても構わない。
基材フィルム(II)の厚みとしては、5〜100μmが好ましく、特に10〜60μmが好ましい。厚みが薄すぎるとダイシング時にチップが飛散する問題があり、厚すぎるとピックアップ不良が起こる問題がある。
本発明では、基材フィルム(II)の表面離型された面にフィルム状接着剤層を形成し、表面離型されてない面を粘着剤層に貼り付けることにより、ピックアップ工程において、基材フィルム(II)がフィルム状接着剤層間の界面から容易に剥離することを可能にし、優れたピックアップ性を実現させる。
具体的には、アクリル酸エステル共重合体と熱硬化性樹脂との組合せが好ましい。
凝集力の向上という点で優れている。またアクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は−20〜120℃であることが好ましい。さらに−20〜60℃がより好ましく、特に−10〜50℃が好ましい。ガラス転移温度が低すぎるとフィルム状接着剤層の粘着力が強くなり、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性が低下する場合がある。ガラス転移温度が高すぎるとチッピングやクラックが起こる場合や、低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
着性を向上する効果が低下する場合がある。配合量が低すぎると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。
これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
乾燥させて粘着剤層を形成しそこに、基材フィルム(I)を積層することにより、基材フィルム(I)上に粘着剤層が塗られた2層構造シートが得られる。
本発明では、例えば、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム(II)のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されていることを特徴とする構成を利用することで、上記段落のパラメータを満たすダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得ることができる。
ップ不良という問題が生じる。好ましいせん断強度は0.40〜1.40MPaである。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
[1]基材フィルム(I)及び粘着剤層
基材フィルム(I)としてハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなるクリアテックCT−H817(クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成し、表面をコロナ処理した。次にアクリル酸2−エチルヘキシル50重量部とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得られた重量平均分子量500000の共重合体を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃で5分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後粘着剤層を基材フィルム(I)のコロナ処理面にラミネートして基材フィルム(I)及び粘着剤層を得た。
アクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−N,Nジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、熱硬
化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、日本化薬(株)製)50重量部と、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)30重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)40重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成(株)製)0.2重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM573、信越化学(株)製)0.5重量部とをメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、基材フィルム(II)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(王子製紙(株)製、RL−07、厚さ38μm)のシリコーン離型面に塗布し、70℃、10分間乾燥して、基材フィルム(II)つきのフィルム状接着剤層を得た。
上述の基材フィルム(II)つきのフィルム状接着剤層に保護フィルムを貼り付け、基材フィルム(II)及びフィルム状接着剤層をハーフカットし、上述の基材フィルム(I)上の粘着剤層に貼り付け、保護フィルムを剥がすことにより、基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度は1.2N/m、せん断強度は0.5MPaとなった。
フィルム状接着剤層成分の樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。
アクリル酸共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−N,Nジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80H、Tg:15℃、重量平均分子量:350,000)100重量部と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−50、日本化薬(株)製)50重量部、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)30重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)40重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成(株)製)0.2重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM573、信越化学(株)製)0.5重量とを用いた。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度は2.1N/m、せん断強度は0.9MPaとなった。
フィルム状接着剤層成分の樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。
アクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)100重量部と、熱硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、日本化薬(株)製)50重量部と、エポキシ樹脂(NC6000、日本化薬(株)製)30重量部、フェノール硬化剤(MEH7500、明和化成(株)製)30重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成(株)製、平均粒径約2μm)0.2重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学(株)製)0.2重量部、N−フェニル−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン(KBM573、信越化学(株)製)0.5重量、とを用いた。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度は1.0N/m、せん断強度は0.4MPaとなった。
基材フィルム(II)に離型処理がされていないポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した以外は、実施例1と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度及びせん断強度は、非常に強いために測定できなかった。
基材フィルム(II)に離型処理がされていないポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した以外は、実施例2と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度及びせん断強度は、非常に強いために測定できなかった。
基材フィルム(II)に離型処理がされていないポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した以外は、実施例3と同様にしてダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。このダイシング機能付きダイアタッチフィルムのピール強度及びせん断強度は、非常に強いために測定できなかった。
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
半導体ウエハーのダイシング後に、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下のもの
○:チップのかけの幅が最大で30μm以下のもの。
△:チップのかけの幅が最大で30〜50μmのもの。
×:チップのかけの幅が最大で50μm以上のもの。
実施例1,2では粘着剤層に比較例では接着剤層にウエハーリングを貼り付け一週間放置後取り外した時のウエハーリングへの接着剤の転写を目視で評価した。ウエハーリングが汚染されていなければ○、汚染されていれば×の評価を行った。
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置を85℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、260℃のIRリフローを3回行い走査型超音波探傷機(SAT)で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:クラックが全く無し
○:クラックが、7/10個以上無し
△:クラックが、9/10個以上、かつ7/10個未満有り
×:クラックが、10/10個有り
2粘着剤層
3基材フィルム(II)
4フィルム状接着剤層
5シリコンウエハー
6ウエハーリング
Claims (2)
- 基材フィルム(I)、粘着剤層、基材フィルム(II)およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記基材フィルム(II)の前記フィルム状接着剤層側の界面が離型処理されており、
前記フィルム状接着剤層は、実質的に、ガラス転移温度が−10〜50℃のアクリル酸エステル共重合体と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、カップリング剤とからなり、必要に応じてフィラーを配合してもよく、
前記エポキシ樹脂の配合量は、前記アクリル酸エステル共重合体100重量部に対して10〜100重量部であり、
前記基材フィルム(II)と前記フィルム状接着剤層との界面のピール強度が0.01〜25N/m、かつ前記界面のせん断強度が0.20MPa〜2.0MPaであり、
(A)前記ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層部分にシリコンウエハー裏面を貼り合わせる工程、
(B)粘着剤にウエハーリングを貼り付ける工程、
(C)前記シリコンウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(D)裏面に接着剤層を残存させたダイを基材フィルムから剥離し取り出す工程、及び、(E)当該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤層を介して加熱接着する工程、を含み、
(D)の工程が、加熱工程、紫外線照射工程を含まないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基材フィルム(II)と前記フィルム状接着剤層の外径が前記シリコンウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きく、かつ前記ウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいものである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067253A JP4661889B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067253A JP4661889B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004350555A Division JP2006165074A (ja) | 2004-12-03 | 2004-12-03 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008211224A JP2008211224A (ja) | 2008-09-11 |
JP4661889B2 true JP4661889B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=39787206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008067253A Expired - Fee Related JP4661889B2 (ja) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4661889B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129699A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP5728810B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2015-06-03 | 日立化成株式会社 | 半導体ウェハ加工用フィルムを用いた半導体チップの製造方法 |
KR101552741B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2015-09-11 | (주)엘지하우시스 | 터치 패널용 점착제 조성물, 점착필름 및 터치 패널 |
KR101625228B1 (ko) * | 2010-04-05 | 2016-05-27 | (주)엘지하우시스 | 점착제 조성물, 점착시트 및 터치 패널 |
TWI460779B (zh) * | 2010-07-13 | 2014-11-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 切割-晶粒黏合一體型膜、切割-晶粒黏合一體型膜的製造方法以及半導體晶片的製造方法 |
KR102152605B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2020-09-07 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성용 필름 |
JP2020126982A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 日立化成株式会社 | フィルム状接着剤及び接着シート |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03152942A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003142505A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2008
- 2008-03-17 JP JP2008067253A patent/JP4661889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03152942A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003142505A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008211224A (ja) | 2008-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101058659B1 (ko) | 반도체용 필름, 반도체용 필름의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
WO2011004658A1 (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2010044179A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4661889B2 (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5115096B2 (ja) | 接着フィルム | |
JP2011018804A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012089630A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置 | |
JPWO2009001492A1 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2013004872A (ja) | 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及び接着剤シート | |
JP2011018806A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5003090B2 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
JP2006237483A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
JP2006206787A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
JP2006165074A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2010232422A (ja) | ダイシングダイアタッチフィルム | |
JP2008179820A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
JP5499772B2 (ja) | 半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007073647A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
JP4400609B2 (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
JP4319108B2 (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
JP4650024B2 (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
JP2011151110A (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005203401A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2008300862A (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
JP4844229B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |