JP2005203401A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハーと接着剤とを低温で接着することができ、半導体素子とリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができる半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアフィルムを接着剤にコーティングしキャリアフィルムとともに接着剤をウエハーに貼り付けし、さらにキャリアフィルムとともにダイシングシート６に貼り付け半導体素子に個片化後、キャリアフィルムと接着剤層間で剥離させて半導体素子と半導体素子搭載用支持部材８とを接合する。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、半導体パッケージの大容量高密度化が進んでいる。
このような要求に対応するため、例えば半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造が採用されている。

しかし、ＬＯＣ構造では、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。

従来、半導体素子とリードフレームとの接着には、ペースト状の接着剤が用いられていた。
しかし、ペースト状の接着剤を適量に塗布することが困難であり、半導体素子から接着剤がはみ出すことがあった。特に近年の半導体パッケージはチップの上にチップを多段で積層することでパッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現している。そういったパッケージにはリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。有機基板への貼り付けは特に低温での貼り付けが要求されている。

例えばＬＯＣ構造ではポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着剤フィルム等の耐熱性基材に接着剤と塗布したフィルム状接着剤が用いられてきている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
特開平６−２６４０３５号公報

本発明の目的は、キャリアフィルムとともに接着フィルムをウエハーの裏面に貼り付けを行うことで自己支持性のないような接着フィルムや低温接着性の優れるタック性のある接着フィルムの貼り付けを行うことができ、さらに半導体素子とリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することである。

このような目的は、下記（１）〜（６）に記載の本発明により達成される。
（１） キャリアフィルム上に接着剤をコーティング後、該接着剤面をウエハーの裏面にラミネートしてキャリアフィルム及び接着剤付きウエハーを得、さらに該キャリアフィルム及び接着剤付きウエハーにダイシングシートを貼り付けし、半導体素子に個片化後、キャリアフィルムと接着剤層間で剥離し接着剤付き半導体素子を得、該接着剤付き半導体素子を半導体搭載用支持部材に接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２） 前記ウエハー裏面へのラミネート温度が０〜１２０℃である（１）項記載の半導体装置の製造方法。
（３） 前記接着剤のガラス転移温度が、−２０〜１２０℃である（１）または（２）項記載の半導体装置の製造方法。
（４） 前記接着剤は、アクリル系樹脂を含むものである（１）〜（３）項のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（５） 前記アクリル系樹脂が、アクリル酸共重合体である（４）項記載の半導体装置の製造方法。
（６） 前記接着剤は、さらに熱硬化性樹脂を含むものである（１）〜（５）項のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（７） （１）〜（６）項いずれかに記載の製造方法により製造されてなる半導体装置。

本発明によれば、ウエハーの裏面に接着フィルムを低温で貼り付けを行うことができ、さらに半導体素子とリードフレーム等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することができる。
また、特定のガラス転移温度を有する接着フィルムを用いた場合、作業性と低温接着性の両方に優れる半導体用接着剤を得ることができる。
また、特定の硬化性樹脂を用いる場合、硬化後の半導体用接着剤の接着性を高くすることができる。

以下図１、図２により本発明の半導体装置の製造方法および半導体装置の実施形態について説明する。図１〜図７はキャリアフィルム付き接着フィルムをウエハー裏面に貼り付けし接着剤付き半導体素子を得、リードフレームに接着し半導体装置を製造する工程の説明図である。

図１において接着フィルム３がキャリアフィルム２に積層されキャリアフィルム付き接着フィルム１となる。このキャリアフィルム付き接着フィルムはカバーフィルムを持っていても良くカバーフィルムはウエハー裏面への貼り付け前に剥離される。

次に図２に示すようにキャリアフィルム付き接着フィルム１をウエハー４裏面に０℃から１２０℃で貼り付けし、図３に示すキャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハー５が得られる。キャリアフィルムとともにウエハーの裏面に貼り付けを行うことで接着フィルム単層では自己支持性がなく貼り付けできない接着フィルムをウエハーの裏面に貼り付けすることができる。１２０℃以下で貼り付けができる接着フィルムは自己支持性が無い場合や常温タック性が存在する事も多くキャリアフィルムを介することで作業性上問題なく貼り付けを行うことができる。

さらに図４に示すようにキャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハー５のキャリアフィルム側にダイシングテープ６を貼り付けし、その後図５に示すようにダイシングし半導体素子を個片化する。

次に図６に示すようにダイシングテープ裏面から突上げピン７によりキャリアテープと接着剤層間で剥離させ接着剤付き半導体素子８を得る。キャリアテープと接着剤層間で剥離させるためにキャリアテープの接着剤層側に離型処理を施すことにより剥離性を良好にすることができる。

以下、本発明の半導体用接着フィルムについて説明する。
本発明の半導体用接着フィルムのガラス転移温度は−２０〜１２０℃であることが好ましい。さらに−２０〜６０℃がより好ましく、特に−１０〜５０℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると半導体用接着フィルムの粘着力が強くなり作業性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。

前記接着剤としては、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。これにより、ガラス転移温度が低いため初期密着性を向上することができる。

前記アクリル系樹脂は、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。

また、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。

前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル系樹脂全体の０．５〜４０重量％が好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。

前記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。

前記接着剤としては熱硬化性樹脂を含むものが好ましく、後述するような硬化剤としての機能を有するようなものを含んでも良い。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂とシアネート樹脂の併用が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。

前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、初期密着性をより向上することができる。

前記結晶性エポキシ樹脂の融点は、特に限定されないが、５０〜１５０℃が好ましく、特に６０〜１４０℃が好ましい。融点が前記範囲内であると、特に低温接着性を向上することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。

前記エポキシ樹脂の含有量は特に限定されないが、前記可塑性樹脂１００重量部に対して１０〜１００重量部が好ましい。

前記シアネートエステル樹脂としては、具体的にはビスフェノールＡジシアネート、ビスフェノールＦジシアネート、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル、ビスフェノールＥジシアネート等のビスフェノール型シアネート樹脂、ノボラック型シアネート樹脂等が挙げられる。

前記シアネートエステル樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記可塑性樹脂１００重量部に対して１〜５０重量部が好ましく、特に３〜３０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスの原因や耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。

前記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記可塑性樹脂１００重量部に対して１０〜１００重量部が好ましく、特に３０〜７０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると半導体用接着フィルムの靭性を向上する効果が低下する場合がある。

前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、前記樹脂組成物は硬化剤（特に、フェノール系硬化剤）を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

前記エポキシ樹脂の硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して１〜３０重量部が好ましく、特に３〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。

前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合硬化促進剤としてイミダゾール類を含んでも良く１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾールなどの化合物が挙げられる。

前記エポキシ樹脂の硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して０．０１〜３０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。

前記樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに充填材を含むことが好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
前記充填材としては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の無機充填材、シリコンゴム、ポリイミド等の微粒子の有機充填材が挙げられる。これらの中でも無機充填材（特にシリカフィラー）が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。

前記充填材（特に無機充填材）の含有量は、特に限定されないが、前記可塑性樹脂１００重量部に対して１〜１００重量部が好ましく、特に１０〜５０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると密着性を向上する効果が低下する場合がある。

前記充填剤（特に無機充填剤）の平均粒子径は、特に限定されないが、平均粒子径０．１〜２５μｍであることが好ましく特に０．５〜２０μｍが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると半導体用接着フィルムの接着性が低下する場合がある。

前記樹脂組成物はさらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより被着体との密着性を向上させることができる。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。

前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。

本発明の半導体接着剤は、例えば前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。

次に、本発明の半導体装置について説明する。
図７は、本発明の半導体装置の一例を模式的に示す半導体装置の断面図である。
半導体装置１１は、半導体素子９と、半導体用接着フィルム３と、半導体搭載用支持部材１０とを有する。
半導体素子９は、半導体用接着フィルム３を介して半導体搭載用支持部材１０に接合されている。

半導体搭載用支持部材１０としては、例えば金属性のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド樹脂基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の樹脂製基板等が挙げられる。

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、半導体用接着剤の実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、硬化性樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製、融点８０℃）５０重量部と、シアネート樹脂（Ｌ−１０、バンティコ（株）製）１０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製）３重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。

２．半導体用接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙社製、品番ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。

（実施例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６ＤＲ、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製）３重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とを用いた。

（実施例３）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
可塑性樹脂としてアクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｌ、Ｔｇ：１１℃、重量平均分子量：４００，０００）１００重量部と、硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（１Ｂ２ＭＺ、四国化成（株）製）３重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とを用いた。

次に、接着フィルムおよび半導体装置について説明する。
（実施例１ａ〜実施例３ａ）
２．半導体装置の製造
キャリアテープ付き接着フィルムを接着フィルム側に５インチ５５０μｍウエハーの裏面を１００℃で貼り付けしキャリアテープ及び接着フィルム付きウエハーが得られる。
その後ダイシングフィルムをキャリアテープ面に貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、キャリアテープ付き接着フィルムが接合した半導体ウエハーをスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、ダイシングフィルム及びキャリアテープが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアテープ接着フィルム層間で剥離し接着フィルムが接合した半導体素子を４２−アロイ合金のリードフレームに、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１８０℃１時間で加熱し、樹脂で封止して１０個の半導体装置を得た。

（比較例１〜比較例３）
半導体用接着フィルムとして、実施例１〜実施例３で得られたキャリアフィルム付き接着フィルムでキャリアフィルム剥離後の半導体用接着フィルムを用いた以外は、実施例１〜３と同様にした。

各実施例および比較例で得られたダイシングフィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。なお、ピックアップ性については、実施例１〜３および比較例１〜３について評価した。

１．ダイシング後のチップの飛散
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイシングフィルムから剥離する半導体素子の個数により評価した。
◎：飛散しなかった半導体素子の割合が、９５％以上である
○：飛散しなかった半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：飛散しなかった半導体素子の割合が、５０％未満である

２．ピックアップ性
ダイシングフィルムが接合した半導体素子を、半導体素子を光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）が可能であるかを評価した。
◎：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９５％以上である
○：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、９０〜９５％未満である
△：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０〜９０％未満である
×：ピックアップ可能な半導体素子の割合が、５０％未満である

３．接着フィルムの初期接着性
ダイアタッチフィルムとリードフレームとの接着性は、ダイシングフィルムが接合した半導体素子と、４２−アロイ合金のリードフレームとを１８０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である

４．吸湿処理後の接着性
各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である

５．耐クラック性
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り

表１から明らかなように、実施例１ａ〜３ａは、接着性に優れ、かつチップの飛散も無くピックアップ性にも優れていた。
また、実施例１ａ〜３ａは、ピックアップ性にも優れていた。
また、実施例１ａ〜３ａは、初期密着性にも優れていた。
また、実施例１ａ〜３ａは、吸湿処理後の接着性にも優れていた。
また、実施例１ａ〜３ａは、耐クラック性にも優れていた。

本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図であり、図１から図３の順に工程順を示す。 本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図であり、図１から図３の順に工程順を示す。 本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図であり、図１から図３の順に工程順を示す。 本発明の半導体装置の一例を模式的に示す半導体装置の断面図であり、図４から図７の順に工程順を示す。 本発明の半導体装置の一例を模式的に示す半導体装置の断面図であり、図４から図７の順に工程順を示す。 本発明の半導体装置の一例を模式的に示す半導体装置の断面図であり、図４から図７の順に工程順を示す。 本発明の半導体装置の一例を模式的に示す半導体装置の断面図であり、図４から図７の順に工程順を示す。

符号の説明

１ キャリアフィルム付き接着フィルム
２ キャリアフィルム
３ 接着フィルム
４ ウエハー
５ キャリアフィルム及び接着フィルム付きウエハー
６ ダイシングテープ
７ 突上げピン
８ 接着フィルム付き半導体素子
９ 半導体素子
１０ 半導体搭載用支持部材
１１ 半導体装置

Claims (7)

1. キャリアフィルム上に接着剤をコーティング後、該接着剤面をウエハーの裏面にラミネートしてキャリアフィルム及び接着剤付きウエハーを得、さらに該キャリアフィルム及び接着剤付きウエハーにダイシングシートを貼り付けし、半導体素子に個片化後、キャリアフィルムと接着剤層間で剥離し接着剤付き半導体素子を得、該接着剤付き半導体素子を半導体搭載用支持部材に接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記ウエハー裏面へのラミネート温度が０〜１２０℃である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記接着剤のガラス転移温度が、−２０〜１２０℃である請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記接着剤は、アクリル系樹脂を含むものである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記アクリル系樹脂が、アクリル酸共重合体である請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記接着剤は、さらに熱硬化性樹脂を含むものである請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法により製造されてなる半導体装置。

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