JP4788460B2 - 接着フィルムおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の目的は、上記に記載の接着フィルムを用いた半導体装置を提供することにある。
(1)半導体部品と基板または半導体部品と半導体部品とを接合する際に用いられ、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成される接着フィルムであって、該接着フィルムを硬化した後の175℃での弾性率が30MPa以上となることを特徴とする接着フィルム。
(2)前記熱硬化性樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の30〜60重量%である上記(1)に記載の接着フィルム。
(3)前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである上記(1)または(2)に記載の接着フィルム。
(4)前記樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の接着フィルム。
(5)前記樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含むものである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の接着フィルム。
(6)前記硬化触媒は、イミダゾール化合物を含むものである上記(5)に記載の接着フィルム。
(7)前記硬化触媒の融点が、150℃以上である上記(5)または(6)に記載の接着フィルム。
(8)120℃で1時間熱処理後の前記接着フィルムの175℃での弾性率が、5.0MPa以上である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の接着フィルム。
(9)上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の接着フィルムを用いて前記半導体部品と基板とを接合していることを特徴とする半導体装置。
本発明の接着フィルムは、半導体部品と基板または半導体部品と半導体部品とを接合する際に用いられ、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成される接着フィルムであって、該接着フィルムの硬化した後の175℃での弾性率が30MPa以上となることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の接着フィルムを用いて前記半導体部品と基板とを接合していることを特徴とする半導体装置。
図1に例示するように、接着フィルム1は、基板2と、半導体部品3と接合する際に用いられる。
接着フィルム1は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されている。これにより、接着性と硬化後の耐熱性に優れる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物(液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
また、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量(たとえばフェノール樹脂であれば水酸基当量)の比が0.5〜1.5であることが好ましく、特に0.7〜1.3であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
前記イミダゾール類としては、例えば1−ベンジル−2メチルイミダゾール、1−ベンジル−2フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4'メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル−(1')]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−s−トリアジン イソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
融点が150℃以上の硬化触媒としては、例えば2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
前記熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着フィルムの初期密着性をより向上することができる。
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物(共重合モノマー成分)を有するアクリル系樹脂(特に、アクリル酸エステル共重合体)が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
接着フィルム1の厚さは、特に限定されないが、3〜100μmが好ましく、特に5〜70μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
従来の接着フィルムの硬化後の175℃での弾性率は、12MPa程度であった。このような弾性率であると、半導体パッケージを製造する過程の封止工程(すなわち、接着フィルムを最終的に硬化する前)における接着フィルムの弾性率(封止温度での弾性率)は低いものであった(例えば5MPa未満)。そのため、封止工程において接着フィルムが容易に変形し、封止樹脂に含まれる充填材の侵入等により、半導体素子の損傷等が生じる場合があったと考えられる。
これに対して、本発明の接着フィルム1では、硬化した後の175℃での弾性率(封止温度での弾性率)が30MPa以上となるものである。したがって、封止工程における接着フィルム1の弾性率を比較的高くすることができる(例えば5MPa以上)。そのため、封止工程において接着フィルム1が変形等することなく、封止樹脂に含まれる充填材が侵入することも防止できると考えられる。
前記175℃での弾性率は、例えばセイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、予めフィルム状接着剤を175℃×2時間で処理を行った後、昇温3℃/min。周波数10Hzで動的粘弾性を測定し、175℃での貯蔵弾性率を測定した。
ここで、接着フィルム1を硬化した後とは、例えば170〜200℃x1〜4時間処理した後を言い、具体的には接着フィルム1を示差熱量計で測定して得られる全硬化発熱量の90〜100%の発熱を終えた状態である場合をいう。
図1に示すように、半導体部品3と、基板2とが接着フィルム1を介して接合されているものを用いる。
基板2としては、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板およびビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等を用いることができる。
さらに、上述の実施形態では、半導体素子3と基板2とが1回接合されている例を示したが、これに限定されず、複数回積層される用途に用いても良い。
されるものではない。
まず、接着フィルムの実施例および比較例について説明する。
1.接着フィルム樹脂ワニスの調製
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)19.92重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)19.32重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)29.08重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)21.91重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)9.36重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2P4MHZ−PW、四国化成工業(株)製)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、基材フィルム(I)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)社製、品番MRX50、厚さ50μm)に塗布した後、90℃、5分間乾燥して、厚さ25μmの接着フィルムを得た。
なお、得られた接着フィルム(基材フィルム無し)を120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、10MPaであった。
また、得られた接着フィルム(基材フィルム無し)を硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、45MPaであった。
ここで弾性率は、セイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、予めフィルム状接着剤に前述の処理を行った後、昇温3℃/min。周波数10Hzで動的粘弾性を測定し、175℃での貯蔵弾性率を測定した。
接着フィルムの樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)29.87重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)16.93重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)25.49重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)19.12重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)8.17重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2P4MHZ−PW、四国化成工業(株)製)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175での弾性率は、8MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、30MPaであった。
接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(A)としてアクリル酸エステル共重合体(エチルアクリレート−アクリロニトリル−グリシジルメタクリレート−N,Nジメチルアクリルアミド共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−80HDR、Tg:10℃、重量平均分子量:350,000)19.92重量%と、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂(EOCN−1020−80(オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)19.32重量%と、NC6000(エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)29.08重量%、硬化剤として液状フェノール化合物(MEH−8000H、水酸基当量141g/OH基、明和化成(株)製)21.91重量%、固形フェノール樹脂(PR−HF−3、水酸基当量104g/OH基、住友ベークライト(株)製)9.36重量%、硬化促進剤(E)としてイミダゾール化合物(2PZ−CN、四国化成工業(株)製)0.15重量%、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E、信越化学工業(株)製)0.26重量%をメチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分49%の樹脂ワニスを得た。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、12MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、48MPaであった。
接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
熱可塑性樹脂(B)としてアクリル酸共重合体(エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス(株)製、SG−708−6DR、Tg:6℃、重量平均分子量:800,000)19.92重量%と、熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂(EOCN−1020−80、エポキシ当量200g/eq、日本化薬(株)製)5.97重量%と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物(2PHZ−PW、四国化成工業(株)製、平均粒径約2μm)0.04重量%と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403、信越化学工業(株)製)0.20重量%とを用いた。
なお、得られた接着フィルムを120℃で1時間処理後の175℃での弾性率は、1MPaであった。
また、得られた接着フィルムを硬化した後(175℃×2時間熱処理後)の175℃での弾性率は、12MPaであった。
1.耐熱性
得られた接着フィルムの耐熱性は、熱機械分析(TMA)により硬化後の接着フィルムのガラス転移温度(Tg)で評価した。
得られた接着フィルムの保存性は、加速試験として接着フィルムを50℃で1日間処理した後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量(mJ/mg)に対する保存処理後の硬化発熱量(mJ/mg)の百分率で評価した。単位は%。この値が100%に近いほど保存性が高いことを示す。硬化発熱量の評価は、示差走査熱量計(DSC)を用いた。
◎:硬化発熱量の比の百分率が、90%以上である
○:硬化発熱量の比の百分率が、70%以上〜90%未満である
△:硬化発熱量の比の百分率が、50%以上〜70%未満である
×:硬化発熱量の比の百分率が、50%未満である
また、実施例2の接着フィルムは、保存性にも特に優れていた。
(実施例1a〜実施例3a)
(1)半導体用接着フィルムの製造
各実施例で得られた接着フィルム樹脂ワニスをコンマコーターで、基材フィルム(I)であるポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱化学ポリエステルフィルム(株)社製、品番MRX50、厚さ50μm)に塗布した後、90℃、5分間乾燥して、厚さ25μmの半導体用接着フィルムを得た。
基材フィルム(II)としてクリアテックCT−H717(クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成し、表面をコロナ処理した。次に、アクリル酸2−エチルヘキシル50重量部、アクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニル37重量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3重量部とを共重合して得られた重量平均分子量500,000の共重合体を剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフィルム(粘着層のカバーフィルムに相当)に乾燥後の厚さが10μmになるように塗工し、80℃で5分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を基材フィルム(II)のコロナ処理面にラミネートして基材フィルム(II)および粘着剤層を得た。
上述の半導体用接着フィルム(基材フィルム(I)付きの接着フィルム)のフィルム状接着剤層のみ(ウエハーと接合される部分のみ残す)をハーフカットし、上述の粘着層からカバーフィルムを剥離して、半導体用接着フィルムの接着フィルム層と粘着層とが接合するように貼り付けた。これにより、基材フィルム(II)、粘着剤層、接着フィルム、基材(I)とがこの順に構成されてなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを得た。
このダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの基材(I)を剥離して、接着フィルム面を5インチ200μmウエハーの裏面に温度40℃、圧力0.3MPaで貼り付けし、ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが付いたウエハーを得た。
その後、このウエハーを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数30,000rpm、切断速度50mm/secで5mm×5mm角の半導体素子のサイズにダイシング(切断)した。次に、ダイシング機能付きダイアタッチフィルムの裏面から突上げし、基材フィルム(II)および粘着着間で剥離し接着剤層(接着フィルム)が接着した半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)社製:商品名:AUS308)をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板(回路段差5〜10um)に、130℃、5N、1.0秒間圧着して、ダイボンディングし、120℃、1時間熱処理を行い、接着フィルム部を半硬化させた後、封止樹脂EME−G760で封止し、175℃で2時間熱処理を行い、封止樹脂を硬化させて10個の半導体装置を得た。
接着フィルムとして、比較例1で得られた接着フィルムを用いた以外は、実施例1aと同様にした。
初期埋め込み性(回路充填性)は、各実施例および比較例で得られる樹脂封止前の半導体装置を、走査型超音波探傷機(SAT)により、有機基板上の回路段差内に半導体用接着フィルムが充填されている率を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:充填率が、90%以上、100%であった。
○:充填率が、80%以上、90%未満であった。
△:充填率が、40%以上、80%未満であった。
×:充填率が、40%未満であった。
各実施例および比較例での、接着フィルムを厚み550umのウエハー裏面に温度40℃ 圧力0.3MPaで貼り付け後の180°ピール強度を評価した。
◎:ピール強度が、100N/m以上であった。
○:ピール強度が、50N/m以上、100N/m未満であった。
△:ピール強度が、30N/m以上、50N/m未満であった。
×:ピール強度が、30N/m未満であった。
封止樹脂で半導体素子とボンディングワイヤーを封止後、半導体装置の断面観察により
接着フィルムに充填材が入り混んでいないかを顕微鏡により観察した。各符号は、以下の通りである。
◎:接着フィルム中への充填材の混入が、ほとんど無かった
×:接着フィルム中への充填材の混入し、一部の半導体素子で割れ等があった。
また、実施例1および3の半導体装置では、接着フィルムの初期埋め込み性に特に優れていた。
2 基板
3 半導体素子
4 ボンディングワイヤー
5 封止樹脂
10 半導体装置
Claims (8)
- 半導体部品と基板または半導体部品と半導体部品とを接合する際に用いられ、熱硬化性樹脂と硬化剤を含む樹脂組成物で構成される接着フィルムであって、
前記熱硬化性樹脂がオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及び2−[4−(2,3−エポキシプロポキシ)フェニル]−2−[4−[1,1−ビス[4−([2,3−エポキシプロポキシ]フェニル)]エチル]フェニル]プロパンであり、前記硬化剤が液状フェノール化合物を含み、かつ前記接着フィルムを硬化した後の175℃での弾性率が30MPa以上となることを特徴とする接着フィルム。 - 前記熱硬化性樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の30〜60重量%である請求項1に記載の接着フィルム。
- 前記樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである請求項1または2に記載の接着フィルム。
- 前記樹脂組成物は、さらに硬化触媒を含むものである請求項1ないし3のいずれかに記載の接着フィルム。
- 前記硬化触媒は、イミダゾール化合物を含むものである請求項4に記載の接着フィルム。
- 前記硬化触媒の融点が、150℃以上である請求項4または5に記載の接着フィルム。
- 120℃で1時間熱処理後の前記接着フィルムの175℃での弾性率が、5.0MPa以上である請求項1ないし6のいずれかに記載の接着フィルム。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の接着フィルムを用いて前記半導体部品と基板とを接合していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006118663A JP4788460B2 (ja) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | 接着フィルムおよび半導体装置 |
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