JP6223155B2 - 接着剤層用塗布組成物、半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびに、これを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤層用塗布組成物、半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびに、これを用いた半導体装置の製造方法に関する。

現在、メモリ用半導体装置は小型化・高容量化が進んでおり、ＭＣＰ（マルチチップパッケージ）に代表されるように、１つのパッケージに複数のシリコンチップ上に回路を形成した半導体素子を積層する半導体装置構造が一般的となっている。ＭＣＰなどに用いる半導体素子同士および／もしくは半導体素子と半導体実装基板などの接着にはダイボンディングフィルムと称されるフィルム状の接着剤が広く用いられている。

フィルム状接着剤の代表的な実装方式としてウェハ裏面貼付け方式がある。まず半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状の接着剤層を貼付け、次に該フィルム状接着剤層側から粘着剤層付き基材（ダイシングテープ）を貼り合わせる。次にダイシング工程で半導体ウェハおよびフィルム状接着剤層を切断し、フィルム状接着剤層付き半導体素子を得る。さらに得られた該半導体素子を粘着剤層から剥離し、それをプリント基板などの半導体実装基板に接着する。その後、ワイヤーボンディング、封止工程などを経て半導体装置を製造する。

しかし、フィルム状接着剤を用いたウェハ裏面貼付け方式においては、ダイシング工程までに接着剤層を半導体ウェハに貼りつける工程とダイシングテープを接着剤層側から貼りつける工程の２つの貼付け工程を経なければならない。

そこで上記工程を簡略化するために、予めフィルム状接着剤層とダイシングテープ層を貼り合わせ、ダイボンディングフィルムとダイシングテープを積層したフィルムが提案されている（例えば、特許文献１〜２参照）。

また、接着剤層を半導体ウェハに貼りつける工程における接着剤層の組成としては、例えば、特許文献３や特許文献４のようなものが開示されている。

特開２００２−２７５４４４号公報 特開２００５−３０３２７５号公報 特開２００８−７４９２８号公報 特開２０１０−１１８６４０号公報

しかしながら、特許文献３や特許文献４に開示されているような組成の接着剤層を使用した場合、接着剤層を半導体ウェハに貼りつける工程の前段階における、不要部分の接着剤層を除去する際に、接着剤層が破断してしまったりする問題がある。特に、不要部分の接着剤層の量を少なくしていくと（つまり、歩留まりを高めようとすると）、不要部分の接着剤層が細くなり、除去の際に容易に破断してしまうという問題が顕在化していた。これにより、生産性が低下し、また、破断した破片が製品に混入したりすることにより品質も低下するという問題もあった。

そこで、本発明は、破断伸び率が高く、良好なフィルム加工性を有する接着剤層用塗布組成物を提供し、また、それを使った半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、（ａ）エポキシ樹脂 １０〜４６質量部と；（ｂ）重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の（メタ）アクリル酸エステル重合体 ３〜４０質量部と；（ｃ）平均粒径が０．０１μｍを超え、かつ１．０μｍ以下である無機微粒子 ５〜３５質量部と；（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤 ５〜３５質量部と；ただし、（ａ）〜（ｄ）の合計量は１００質量部である、を含み、前記（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤が、（ｉ）２０℃で固形であるフェノール樹脂 ４〜３４質量部を少なくとも一種と；（ｉｉ）２０℃で液状であるフェノール樹脂 １〜３１質量部を少なくとも一種と；を含み、前記（ａ）〜（ｄ）成分１００質量部に対して、（ｅ）硬化促進剤 ０．０５〜５質量部をさらに含む、接着剤層用塗布組成物を提供することによって、上記課題を解決することができることを見出し、本発明の完成に至った。

本発明によれば、破断伸び率がよく、良好なフィルム加工性を有する接着剤層用塗布組成物を提供し、また、それを使った半導体用接着フィルムおよびその製造方法、ならびにこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（１）を示す、斜視図および断面図（Ａ−Ａ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（２）を示す、斜視図および断面図（Ｂ−Ｂ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（２）を示す、斜視図および断面図（Ｃ−Ｃ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（２）を示す、斜視図および断面図（Ｄ−Ｄ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（２）を示す、斜視図および断面図（Ｅ−Ｅ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（３）を示す、斜視図および断面図（Ｆ−Ｆ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（４）を示す、斜視図および断面図（Ｇ−Ｇ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（４）を示す、斜視図および断面図（Ｈ−Ｈ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体用接着フィルムの製造方法の工程（４）を示す、斜視図および断面図（Ｊ−Ｊ’）である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（５）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（６）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（７）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（８）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（９）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（１０）を示す、斜視図である。 本発明の好ましい実施形態による半導体装置の製造方法の工程（１１）を示す、斜視図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。また、本明細書において、範囲を示す「Ｘ〜Ｙ」は「Ｘ以上Ｙ以下」を意味し、「重量」と「質量」、「重量％」と「質量％」および「重量部」と「質量部」は同義語として扱う。

＜本発明の第１＞
本発明の第１は、（ａ）エポキシ樹脂 １０〜４６質量部と；（ｂ）重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の（メタ）アクリル酸エステル重合体 ３〜４０質量部と；（ｃ）平均粒径が０．０１μｍを超え、かつ１．０μｍ以下である無機微粒子 ５〜３５質量部と；（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤 ５〜３５質量部と；ただし、（ａ）〜（ｄ）の合計量は１００質量部である、を含み、前記（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤が、（ｉ）２０℃で固形であるフェノール樹脂 ４〜３４質量部を少なくとも一種と；（ｉｉ）２０℃で液状であるフェノール樹脂 １〜３１質量部を少なくとも一種と；を含み、前記（ａ）〜（ｄ）成分１００質量部に対して、（ｅ）硬化促進剤 ０．０５〜５質量部をさらに含む、接着剤層用塗布組成物である。

このような組成であると、破断伸び率がよく、良好なフィルム加工性を有する接着剤層を提供することができる。接着剤層の破断伸び率は、１５０％以上であると好ましく、より好ましくは１６０〜６００％、さらに好ましくは１６５〜４５０％である。なお、本発明において破断伸び率は、実施例に記載の方法によって測定された値を言うものとする。

以下、各成分について、詳説する。

（ａ）エポキシ樹脂
本発明で用いられるエポキシ樹脂（本明細書中、単に、成分（ａ）とも称する）は、成分（ｄ）と反応して硬化する。成分（ａ）は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限されない。具体的な例としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水素添加ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、トリヒドロキシフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；多官能エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；複素環含有エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらエポキシ樹脂は単独でも、または２種以上組み合わせて用いてもよい。また、該エポキシ樹脂は合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。

中でも、信頼性確保の観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型であることが好ましい。

本発明で用いられる好ましいエポキシ樹脂の市販品の例を、以下に列記する。

ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート（登録商標）シリーズ（エピコート（登録商標）８０７、エピコート（登録商標）８１５、エピコート（登録商標）８２５、エピコート（登録商標）８２７、エピコート（登録商標）８２８、エピコート（登録商標）８３４、エピコート（登録商標）１００１、エピコート（登録商標）１００４、エピコート（登録商標）１００７、エピコート（登録商標）１００９、以上三菱化学株式会社製）、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１（以上、ダウケミカル社製）、ＹＤ８１２５、（以上、新日鉄住金化学株式会社製）等が挙げられる。

トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂としては、例えば、ＥＰＰＮ５０１Ｈ、ＥＰＰＮ５０１、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ、ＥＰＰＮ５０２、ＥＰＰＮ５０２Ｈ（日本化薬株式会社製）等が挙げられる。

ジシクロペンタジエン型としては、例えば、ＸＤ−１０００ ２Ｌ、ＸＤ−１０００（以上、日本化薬株式会社製）、ＨＰ−７２００、ＨＰ−７２００Ｈ（以上、ＤＩＣ株式会社製）等が挙げられる。

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート（登録商標）１５２、エピコート（登録商標）１５４（以上、三菱化学株式会社製）、ＤＥＮ−４３８（ダウケミカル社製）等が挙げられる。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（以上、日本化薬株式会社製）、ＹＤＣＮ７００−３、ＹＤＣＮ−７００−５、ＹＤＣＮ−７００−１０（以下、新日鉄住金化学株式会社製）、アラルダイト（登録商標）ＥＣＮ１２８０（ハンツマン・ジャパン株式会社製）等が挙げられる。

多官能エポキシ樹脂としては、例えば、Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ（三菱化学株式会社製）、アラルダイト（登録商標）０１６３（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製）、デナコール（登録商標）ＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１、ＥＸ−７１１、ＥＸ−７２１、ＥＸ−７３１（以上、ナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。

グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、例えば、エピコート（登録商標）６０４（ジャパンエポキシレジン株式会社製）、ＹＨ−４３４（新日鉄住金化学株式会社製）、ＴＥＴＲＡＤ（登録商標）−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ（登録商標）−Ｃ（以上、三菱ガス化学株式会社製）、ＥＬＭ−１２０（住友化学株式会社製）等が挙げられる。

複素環含有エポキシ樹脂としては、例えば、アラルダイト（登録商標）ＰＴ８１０（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製）、ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６（以上、ＵＣＣ社製）等が挙げられる。

脂環式エポキシ樹脂としては、エポリード（登録商標）シリーズ、セロキサイド（登録商標）シリーズ（以上、ダイセル化学株式会社製）等が挙げられる。

これらは単独で用いても、２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。

成分（ａ）の配合量は、成分（ａ）〜（ｄ）の合計量を１００質量部として、１０〜４６質量部である。なお、成分（ａ）を２種以上使用する場合は、その合計量である。

成分（ａ）の配合量が１０質量部未満であると、該接着フィルム中のエポキシ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤との反応点が減少し、接着力が低下する傾向となる。一方、４６質量部を超えると、接着フィルムの可撓性が低下し、接着フィルムの破断伸び率が低下する傾向がある。該配合量は、信頼性確保の観点で、好ましくは１５〜４５質量部、より好ましくは２０〜４４．５質量部である。

（ｂ）重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の（メタ）アクリル酸エステル重合体
本発明で用いられる（メタ）アクリル酸エステル重合体（本明細書中、単に、成分（ｂ）とも称する）は、本発明においては応力緩和材のような作用を有する。つまり、成分（ａ）と成分（ｄ）のみであると硬化反応により接着剤層内部に応力が蓄積するため、成分（ｂ）と併用することによって、応力緩和性を向上させる。成分（ｂ）は特に制限されず、通常用いられている公知のものを使用することができる。

成分（ｂ）を構成するモノマー成分として用いられる例としては、具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ｎ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルジグリコール（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシメチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、４−ブチルフェニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２，４，５−テトラメチルフェニル（メタ）アクリレート、フェノキシメチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ポリプロピレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタデカフルオロオキシエチル（メタ）アクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレート、２，３−ジブロモプロピル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸エステルモノマー；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、Ｎ−２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート等のヒドロキシ基を有するアクリルモノマー；グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基を有するアクリルモノマー等が挙げられる。さらに（メタ）アクリル酸エステル重合体は、本発明の所期の効果を損なわない範囲内で、他のモノマーとの共重合体でもよく、例えば、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロライド（メタ）アクリレート等のアミノ基を有するアクリルモノマー；アクリロニトリル、シアノメチルアクリレート、２―シアノエチルアクリレート、シアノプロピルアクリレート、１―シアノメチルエチルアクリレート、２―シアノプロピルアクリレート、１―シアノシクロプロピルアクリレート、１―シアノシクロヘプチルアクリレート、１、１―ジシアノエチルアクリレート、２―シアノフェニルアクリレート、３―シアノフェニルアクリレート、４―シアノフェニルアクリレート、３―シアノベンジルアクリレート、４―シアノベンジルアクリレートなどの等のシアノ基を有するアクリルモノマー；２−メタクリロイルオキシエチルジフェニルホスフェート（メタ）アクリレート、トリメタクリロイルオキシエチルホスフェート（メタ）アクリレート、トリアクリロイルオキシエチルホスフェート（メタ）アクリレート等のリン酸基を有するアクリルモノマー；スルホプロピル（メタ）アクリレートナトリウム、２−スルホエチル（メタ）アクリレートナトリウム、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート等のフェニル基を有するアクリルビニルモノマー；２−アセトアセトキシエチル（メタ）アクリレート、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

これらは、単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。

成分（ｂ）は合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。合成する場合の合成方法は、特に制限されず、重合開始剤を使用する溶液重合法、乳化重合法、懸濁重合法、逆相懸濁重合法、薄膜重合法、噴霧重合法、など従来公知の方法を用いることができる。重合制御の方法としては、断熱重合法、温度制御重合法、等温重合法などが挙げられる。また、重合開始剤により重合を開始させる方法の他に、放射線、電子線、紫外線等を照射して重合を開始させる方法を採用することもできる。中でも重合開始剤を使用する溶液重合法が、分子量の調節が容易であり、また不純物も少なくできるために好ましい。例えば、溶剤として酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトン等を用い、モノマーの合計量１００質量部に対して、重合開始剤を好ましくは０．０１〜３．００質量部を添加し、窒素雰囲気下で、例えば反応温度６０〜９０℃で、３〜１０時間反応させることで得られる。前記重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、アゾビスシアノ吉草酸等のアゾ化合物；ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物；過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物が挙げられる。これらは単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。

市販品の例としては、例えば、ＳＧＰ−３１２Ｌ、ＳＧ−Ｐ３（共にナガセケムテックス株式会社製アクリル樹脂）等が挙げられる。

成分（ｂ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜１，０００，０００であるが、５０，０００〜９５０，０００であることが好ましく、１５０，０００〜９００，０００であることがより好ましい。１０，０００未満であると、接着強度低下の虞があり、また、１，０００，０００を超えると接着剤層用塗布組成物を作製する際に溶剤に溶解しにくく、作業性が低下する虞がある。

なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。なお、測定は、紫外線検出法、赤外線検出法、ＲＩ（放射性同位元素）検出法、光散乱検出法等、公知の測定方法で行うことができる。本発明においてはＲＩ検出法で重量平均分子量を測定した。

成分（ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−４０℃以上であることが好ましく、−１０℃以上５０℃以下であることがより好ましい。前記範囲内であれば、接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題がほとんど生じない。なお、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）法により測定した値を採用する。

成分（ｂ）の配合量は、成分（ａ）〜（ｄ）の合計量を１００質量部として、３〜４０質量部である。成分（ｂ）の配合量が３質量部未満であると、接着フィルムの可撓性が低下し、接着フィルムの破断伸び率が低下する傾向にある。一方、４０質量部を超えると、可撓性が向上するというメリットがあり、破断伸びを向上させることも理論的には可能であるが、そうすると、該接着フィルム中のエポキシ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤との反応点が減少し、接着力が低下する傾向にある。このような絶妙なバランスも本発明においては特徴といえる。なお、該配合量は、応力緩和性確保の観点で、好ましくは７〜３５質量部、より好ましくは１０〜３２質量部である。

（ｃ）平均粒径が０．０１μｍを超え、かつ１．０μｍ以下である無機微粒子
本発明で用いられる無機微粒子（本明細書中、単に、成分（ｃ）とも称する）は特に制限されず、通常用いられている公知の無機微粒子を使用することができる。具体的には、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ケイ素（シリカ）、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ケイ素等が挙げられる。

これらは単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。また、成分（ｃ）は合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。

無機微粒子の平均粒径は、０．０１μｍを超え、かつ１．０μｍ以下であるが、０．１〜０．８μｍであることが好ましい。平均粒径が０．０１μｍ以下であると接着フィルムの流動性が低下し、半導体装置の接続信頼性が低下する傾向がある。一方、１．０μｍを超えると接着フィルム表面に凹凸が発生して平滑性が損なわれるため好ましくない。無機微粒子の最大粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．５〜７．０μｍである。

最大粒径がこのような範囲に収まると、接着剤層表面の凹凸が発生しにくい効果がある。本明細書中において、「平均粒径」とは、粒子の輪郭線上の任意の２点間の距離のうち、最大の距離の平均を意味する。

「平均粒径」の値としては、具体的には、実施例の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察手段を用い、粒子（任意の１０個）の粒径の平均値として算出される値を採用するものとする。また「最大粒径」は、粒子の輪郭線上の任意の２点間の距離のうち、最大の距離を意味する。

無機微粒子として市販品を使用する場合、ＳＯ２５Ｈ、ＭＰ−８ＦＳ、ＥＭＩＸ３００（株式会社龍森製）、ＳＥ１０３０（アドマテックス社製）、Ｒ９７２、Ｒ８１２、Ｒ９７４、Ｒ２００（以上、日本アエロジル株式会社製）等が挙げられる。

成分（ｃ）の配合量は、成分（ａ）〜（ｄ）の合計量を１００質量部として、５〜３５質量部である。成分（ｃ）の配合量が５質量部未満であると、接着フィルムの流動性が低下し、半導体装置の接続信頼性が低下する傾向がある。一方、４０質量部を超えると、接着フィルムの可撓性が低下し、接着フィルムの破断伸び率が低下する傾向にある。また半導体用接着フィルムの製造方法において良好なフィルム加工性を有する上で、該配合量は、１０〜３０質量部が好ましく、１２〜２７質量部であることがより好ましい。

（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤
本発明で用いられるエポキシ樹脂の硬化剤（本明細書中、単に、成分（ｄ）とも称する）としては、（ｉ）２０℃で固形であるフェノール樹脂（以下、「固形フェノール樹脂」を少なくとも一種と；（ｉｉ）２０℃で液状であるフェノール樹脂（以下、液状フェノール樹脂とも称する）を少なくとも一種と；を含む。本発明では、固形フェノール樹脂だけでなく。液状フェノール樹脂を添加することによって、接着剤層の可撓性向上し、破断伸びが向上するものと考えられる。

（ｉ）固形フェノール樹脂
固形フェノール樹脂は、常圧、２０℃で、固体状態であることを意味する。

本発明の固形フェノール樹脂は、（ａ）エポキシ樹脂と硬化反応をして架橋構造を形成することができる少なくとも２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独で用いるだけでなく、複数用いてもよい。

具体的には、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレンもしくはビフェニレン骨格を含む）樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。特に、吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、またはビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、等のフェノール樹脂が好ましい。該エポキシ樹脂の硬化剤は合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。

本発明で用いられる好ましいエポキシ樹脂の硬化剤の（ｉ）固形フェノール樹脂より具体的な例としては、フェノライト（登録商標）ＬＦ４８７１、フェノライト（登録商標）ＬＦ２８２２、フェノライト（登録商標）ＴＤ−２０９０、フェノライト（登録商標）ＴＤ−２１４９、フェノライト（登録商標）ＶＨ−４１５０、フェノライト（登録商標）ＶＨ４１７０（以上、ＤＩＣ株式会社製）、ＨＦ−１Ｍ、ＨＦ−４、ＨＦ−４Ｍ、ＭＥＨＣ−７８００、ＭＥＨＣ−７８５１（以上、明和化成株式会社製）、エピキュア（登録商標）ＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュア（登録商標）ＹＬ６０６５、エピキュア（登録商標）ＹＬＨ１２９Ｂ６５（以上、三菱化学株式会社製）、ミレックス（登録商標）ＸＬ、ミレックス（登録商標）ＸＬＣ、ミレックス（登録商標）ＲＮ、ミレックス（登録商標）ＲＳ、ミレックス（登録商標）ＶＲ（以上、三井化学株式会社製）等のフェノール樹脂が挙げられる。

（ｉｉ）液状フェノール樹脂
液状フェノール樹脂は、常温、２０℃で、粘度が３０Ｐａ・ｓ（３０，０００ｃｐｓ）以下であるフェノール樹脂を意味するものとする。粘度は、好ましくは、１０Ｐａ・ｓ（１０，０００ｃｐｓ）以下である。ただし、実質的には、０．２Ｐａ・ｓ（２００ｃｐｓ）以上である。なお、本発明において「粘度」は、Ｅ型粘度計を用いて測定した値を言うものとする。

液状フェノール樹脂は、具体的には、ビス（モノまたはジ−ｔ−ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２−プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２−プロペニル）フェノール、ビス[（２−プロペニルオキシ）フェニル]メタン、ビス[（２−プロペニルオキシ）フェニル]プロパン、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス[２−−（２−プロペニル）フェノール]、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス[２−（１−フェニルエチル）フェノール]、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチルー６−ヒドロキシメチルフェノール]、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス[２−メチル−６−（２−プロペニル）フェノール]、４，４’−（１−メチルテトラデシリデン）ビスフェノールが挙げられる。これらの液状フェノール樹脂粘度は核体数ｎやベンゼン環置換基の種類により制御することができる。

市販品の例としては、例えば、ＭＥＨ−８００５（明和化成株式会社製液状フェノール樹脂）等が挙げられる。

成分（ｄ）の配合量（固形フェノール樹脂と、液状フェノール樹脂との合計量）は、成分（ａ）〜（ｄ）の合計量を１００質量部として、５〜３５質量部である。成分（ｄ）の配合量が５質量部未満であると、該接着剤層中のエポキシ樹脂とエポキシ樹脂の硬化剤との反応点が減少し、接着力が低下する傾向にある。一方、３５質量部を超えると、接着剤層の可撓性が低下し、接着剤層破断時の伸び率が低下する傾向にある。

該配合量は、信頼性確保の観点で、好ましくは１３〜２８質量部、より好ましくは１５〜２６質量部である。

また、（ｉ）固形フェノール樹脂の含有量は、４〜３４質量部である。４質量部未満であると、信頼性低下の虞があり、また３４質量部を超えると接着剤層の破断時伸び率低下の虞がある。（ｉ）固形フェノール樹脂の含有量は、接着剤層の破断時伸び率及び信頼性確保の観点から、好ましくは９〜２４質量部であり、より好ましくは１０〜２１質量部である。

また、（ｉｉ）液状フェノール樹脂の含有量は、１〜３１質量部である。１質量部未満であると、接着剤層の破断時伸び率低下の虞があり、また３１質量部を超えると信頼性低下の虞がある。（ｉｉ）液状フェノール樹脂の含有量は、破断時伸び率及び信頼性確保の観点から、好ましくは４〜１９質量部、より好ましくは５〜１６質量部である。

さらに、固形フェノール樹脂に対する液状フェノール樹脂の配合量は、固形フェノール樹脂１００重量部を基準とした場合、２０質量部以上１００質量部未満であることが好ましく、２８質量部以上９０質量部未満であることがより好ましい。

このように液状フェノールを一部添加することによって、接着剤層の可撓性向上し、破断伸びが向上するものと考えられる。

（ｅ）硬化促進剤
本発明で用いられる硬化促進剤（本明細書中、単に、成分（ｅ）とも称する）は、本発明においては、触媒として機能する。成分（ｅ）は、特に制限されず、通常用いられている公知の硬化促進剤を使用することができる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、１，２−トリメチレンベンズイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン等の有機ホスフィン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスフォニウムテトラブチルボレート、テトラフェニルホスホニウムメチルトリフェニルボレート等のテトラボレート系化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類等があげられる。

これらの硬化促進剤は単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、成分（ｅ）は合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。

市販品としては、キュアゾール（登録商標）（四国化成株式会社製）、２ＭＺ−Ｈ、２ＰＺ−ＣＮ、ＴＢＺ等が挙げられる。

成分（ｅ）の配合量は、成分（ａ）〜（ｄ）の合計量を１００質量部として、０．０５〜５質量部である。成分（ｅ）の配合量が０．０５質量部未満であると、接着フィルムの反応性が低下し、エポキシ樹脂の硬化反応が十分に進行しない傾向にある。一方、５質量部を超えると、該接着フィルムの保存安定性が低下する傾向にある。該配合量は、信頼性及び該接着剤層の保存安定性確保の観点で、好ましくは０．０５５〜３質量部、より好ましくは０．０６〜２質量部であり、さらに好ましくは０．０６５〜０．２質量部である。

＜本発明の第２＞
本発明の第２は、本発明の第１の接着剤層用塗布組成物を使った、好ましい実施形態である、半導体用接着フィルム用の接着剤層である。具体的には、図１に示されるように、本発明の第１の接着剤層用塗布組成物が剥離基材２０上に塗布され、乾燥されることによってなる、半導体用接着フィルム用の接着剤層１０である。

塗布を容易に行わせしめるため、接着剤層用塗布組成物は、適当な溶媒等を用いて、調製してもよい。接着剤層用塗布組成物の調製に用いられる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。

接着剤層用塗布組成物の調製は、例えば、スターラー、撹拌翼などで均一になるまで加熱・加圧などすることなく通常の環境下で、例えば、２００〜６００ｒｐｍで、１５分〜４時間、攪拌することにより行うことができる。

接着剤層用塗布組成物の剥離基材２０上への塗布方法としては特に制限されず、例えば、ナチュラルコーター、ナイフベルトコーター、フローティングナイフ、ロールコート、エアーナイフコート、ナイフオーバーロール、ナイフオンブランケット、スプレー、ディップ、キスロール、スクイーズロール、リバースロール、エアブレード、カーテンフローコーター、ドクターブレード、ワイヤーバー、ダイコーター、カンマコーター、ベーカーアプリケーターおよびグラビアコーター等の装置を用いる種々の塗工方法が挙げられる。

塗布後の乾燥の条件も特に制限されず、例えば５０〜１５０℃の温度範囲で、３〜６０分間乾燥させて乾燥する方法が挙げられる。

乾燥後の接着剤層１０の厚さは、５〜２００μｍであることが好ましい。

剥離基材２０としては、種々の樹脂フィルムを用いることができる。その具体例としては、例えば、ポリオレフィンフィルム（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、ポリ塩化ビニル、３酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン（ＰＳ）、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の各樹脂フィルム、さらには前記の樹脂フィルムを２層以上積層してなる樹脂フィルム等を挙げることができる。切削くずの飛散を防止する観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミドなどが好ましく用いられる。なお、剥離基材は、離型処理を予め行っているものであることが好ましい。

剥離基材の厚みは特に制限されず、通常２５〜７５μｍの範囲のものが用いられる。

＜本発明の第３＞
本発明の第３は、本発明の第２の接着剤層を使用した、好ましい実施形態である、半導体用接着フィルムであって、具体的には、本発明の第２の接着剤層を含む、半導体用接着フィルムである。

図４Ｂは、好ましい実施形態の半導体用接着フィルムである。図４Ｂに示されるように、半導体用接着フィルム１は、接着剤層１０ｂを含み、かかる接着剤層１０ｂは剥離基材２０上に形成されている。それとは別に、接着剤層１０ｂの剥離基材２０が形成されている面の反対面には、粘着剤層付き基材６０ｂが、粘着剤層５０ｂが接着剤層１０ｂ側となるように貼り付けられている。

図４Ｂでは、一つの接着剤層１０ｂを覆っている粘着剤層付き基材６０ｂと、別の接着剤層１０ｂを覆っている粘着剤層付き基材６０ｂとが独立しており、それぞれが、半導体用接着フィルム１となっている。

＜本発明の第４＞
本発明の第４は、本発明の第１の接着剤層用塗布組成物を使った、好ましい実施形態である、半導体用接着フィルムの製造方法であり、具体的には、（１）本発明の第１の接着剤層用塗布組成物を剥離基材上に塗布し、乾燥させて、接着剤層を形成する工程と；（２）前記接着剤層側から前記剥離基材に達するまで該接着剤層を切断し、不要部分の接着剤層を除去する第１の切断工程と；（３）前記剥離基材上に残されている前記接着剤層の少なくとも一部を覆うように、粘着剤層付き基材を、該粘着剤層が前記接着剤層側となるように貼り付けることによって、基材、粘着剤層および接着剤層が積層されてなる積層体を得る第１の貼り付け工程と；（４）前記積層体を残すように、前記基材側から前記剥離基材に達するまで、前記粘着剤層付き基材を切断し、不要部分の粘着剤層付き基材を除去する第２の切断工程と；を含む。

以下、各工程を説明する。

（１）第１工程
第１工程は、図１に示すように、本発明の第１の接着剤層用塗布組成物を剥離基材２０上に塗布し、乾燥させて、接着剤層１０を形成する工程である。

第１工程の説明は、本発明の第２の項においてした説明が同様に妥当する。

（２）第２工程
第２工程は、図２Ａ−１、図２Ａ−２および図２Ｂ−１、図２Ｂ−２に示されるように、接着剤層１０側から剥離基材２０に達するまで接着剤層を切断し、不要部分の接着剤層１０ａを除去する第１の切断工程である。

本工程の一形態によると、図２Ａ−１に示されるように、後に接着する半導体ウェハ７０（図５参照）よりも一回り大きいサイズの（必要部分の）接着剤層１０ｂを準備するため、例えば、半導体ウェハ７０よりも一回り大きいサイズの円周を有する円形刃物３０ａによって、接着剤層１０側から前記剥離基材２０に達するまで打ち抜く。

本工程の別の形態によると、図２Ａ−２に示されるように、例えば、半導体ウェハ７０よりも一回り大きいサイズの円周を有するピナクル刃３５ａを備えたマグネットロール３４と、アンビルロール３３とで、剥離基材２０上に接着剤層１０が形成されてなるシートを挟持し、かかるシートを搬送しながら、ピナクル刃３５ａを用いて回転させながら、接着剤層１０側から前記剥離基材２０に達するまで打ち抜く。

その後、図２Ｂ−１に示すように、剥離基材２０から不要部分の接着剤層１０ａを剥がすことによって、図２Ｂ−２に示すように、剥離基材２０上に、（必要部分の）接着剤層１０ｂを残す。

本発明の第１の接着剤層用塗布組成物からなる接着剤層は、破断伸び率が、１５０％以上となりうるため、剥離基材２０から不要部分の接着剤層１０ａを剥がす際に、途中で破断することなく、剥がすことができる。特に、不要部分の接着剤層１０ａの量を少なくしようとすると（つまり、歩留まりを高めようとすると）、不要部分の接着剤層１０ａの形成面積が小さくなり、その細さによって容易に破断しまうことがある。これに対し、本発明の第１の接着剤層用塗布組成物からなる接着剤層によれば、可撓性が向上されているので、途中の破断を抑制または防止し、生産効率が向上し、また破片混入を防止でき、品質向上にも寄与しうる。

本発明の第１の接着剤層用塗布組成物からなる接着剤層の破断伸び率を向上させることができるメカニズムは、（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤が、（ｉ）固形フェノール樹脂と；（ｉｉ）液状フェノール樹脂と；を含んでいるためであり、液状フェノール樹脂を一部含ませることによって、可撓性を向上させ、それにより、破断伸び率を向上させると推測される。無論、このメカニズムに本発明の技術的範囲が制限されることはない。

（３）第３工程
第３工程は、図３に示すように、剥離基材２０上に残されている（必要部分の）接着剤層１０ｂの少なくとも一部を覆うように、粘着剤層付き基材６０を、粘着剤層５０が接着剤層１０ｂ側となるように貼り付けることによって、基材４０、粘着剤層５０および接着剤層１０ｂが積層されてなる積層体６５を得る第１の貼り付け工程である。図３においては、接着剤層１０ｂを含めた剥離基材２０の全部を粘着剤層付き基材６０で覆っているが、少なくとも一部を覆うようにしてもよい。また、図３では、基材４０、粘着剤層５０および接着剤層１０ｂが積層されてなる積層体６５が２つ得られているが、実際には、バッチ生産の下で行っているので、さらに多くの積層体６５を得ている。

粘着剤層付き基材（いわゆるダイシングテープ）６０は、基材４０と、高エネルギー線重合性成分を含む粘着剤層５０とから構成されると好ましい。

上記基材４０としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。

粘着剤層５０に高エネルギー線重合性成分を含有させることにより、後述の半導体ウェハ７０に接着剤層１０ｂを貼り付けた後、ダイシングを行う前に高エネルギー線を照射して、ダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に高エネルギー線を照射して、粘着力を低下させることによりピックアップを容易にすることができる。このような高エネルギー線重合性成分としては、従来高エネルギー線重合性の粘着剤層に使用されていた化合物を、特に制限なく使用することができる。

粘着剤層５０に用いられる高エネルギー線重合性成分としては、例えば、放射線重合性成分が挙げられる。放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ベンジル、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ＥＣＨ（エピクロルヒドリン）変性ブチルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ＥＯ（エチレンオキシド）変性ジシクロペンテニルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、エチルジエチレングリコールアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールメタクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、カプロラクトン変性−２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、メトキシ化シクロデカトリエンアクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレート、ＥＯ変性リン酸アクリレート、カプロラクトン変性テトラヒドロフルフリルアクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ＥＣＨ変性ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、グリセロールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジアクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、ポリプロピレングリコール４００ジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ＰＯ（プロピレンオキシド）変性トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等のアクリレート、これらに対応するメタクリレートなどが挙げられる。これらの高エネルギー線重合性成分は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。

また、粘着剤層５０には、光重合開始剤（例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成する化合物）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。これらは、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。

粘着剤層５０の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜２００μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。さらに、粘着剤層は２層以上積層されたものであってもよい。

（４）第４工程
第４工程は、図４Ａ−１、図４Ａ−２〜図４Ｂに示すように、積層体６５を残すように、基材４０側から剥離基材２０に達するまで、粘着剤層付き基材６０を切断し、不要部分の粘着剤層付き基材を除去する第２の切断工程である。かかる切断工程も、第１の切断工程の切断工程と同様に行われる。本工程においては、円形刃物３０ｂやピナクル刃３５ｂの円周は、各積層体６５よりも一回り大きいサイズのものが使用される。このようにして、図４Ｂに示すように、不要部分の粘着剤層付き基材が除去された、半導体用接着フィルム１を製造することができる。

＜本発明の第５＞
本発明の第５は、本発明の第４の半導体用接着フィルムを使った、好ましい実施形態である、半導体装置の製造方法であり、具体的には、（５）本発明の第４の製造方法によって製造されてなる半導体用接着フィルムから、前記剥離基材を剥離することによって、接着剤層を露出し、該接着剤層に、半導体ウェハを貼り付けて、接着剤層付きの半導体ウェハを得る第２の貼り付け工程と；（６）前記接着剤層付きの半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と粘着剤層との界面に達するまでダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子になるようにするダイシング工程と；（７）前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と；（８）前記接着剤層付き半導体素子を、配線が形成された半導体実装基板に前記接着剤層を介して、加熱しながら圧着するダイボンディング工程と；（９）前記半導体実装基板を加熱し、前記接着剤層を硬化せしめるキュア工程と；（１０）前記半導体素子上に接続端子を形成し、また、前記半導体実装基板上に配線端子を形成し、該接続端子と、該配線端子とを、金属ワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程と；（１１）前記半導体素子上であって、前記接続端子以外の機能面に、別の接着剤層付き半導体素子を積層してなる工程と；を含む。

以下、各工程を説明する。

（５）第５工程
第５工程は、図５に示すように、本発明の第４の製造方法によって製造されてなる半導体用接着フィルムから、前記剥離基材２０を剥離することによって、接着剤層１０ｂを露出し、該接着剤層１０ｂに、半導体ウェハ７０を貼り付けて、接着剤層付きの半導体ウェハ７５を得る第２の貼り付け工程である。

本工程では、剥離基材２０（図４Ｂ参照）を剥離することによって、接着剤層１０ｂを露出させながら、接着剤層１０ｂを半導体ウェハ７０表面に貼り付ける。より分かりやすく説明すると、剥離基材２０を剥離する前に、半導体用接着フィルム１の上下を反対にする。すると、基材４０ｂ、粘着剤層５０ｂ、接着剤層１０ｂとがこの順で積層されてなる構造を有する。

接着剤層１０ｂを半導体ウェハ７０表面に貼り付ける方法としては、例えば、ラミネータなどを用いて熱圧着する方法が挙げられる。この際の温度も接着剤層の組成等を考慮しながら適宜設定できるが、例えば、２５〜１２０℃、あるいは４５〜９０℃程度が好ましい。

（６）第６工程
第６工程は、図６に示すように、前記接着剤層付きの半導体ウェハ７５を、少なくとも前記接着剤層１０ｂと粘着剤層５０ｂとの界面に達するまでダイシングし、前記半導体ウェハ７０を所定の大きさの半導体素子７０ｂになるようにするダイシング工程である。

ダイシングは、リングフレーム（図示せず）によって保持しながら行うことが好ましい。また、このダイシングは、例えば、ダイシングソー６３を用いて行われる。

（７）第７工程
第７工程は、図７に示すように、前記半導体素子７０ｂを前記接着剤層１０ｂと共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子７８を得るピックアップ工程である。

ピックアップの方法としては特に制限されず、従来公知の種々の方法を採用でき、例えば、個片化された接着剤層付き半導体素子７８を、加熱・加圧自在のコレット８０でピックアップし、かかるコレット８０をＸＹＺステージで移動させる。無論、従来公知の別のピックアップ手段を用いて行ってもよい。

（８）第８工程
第８工程は、図８に示すように、前記接着剤層付き半導体素子７８を、配線が形成された半導体実装基板９０に前記接着剤層１０ｂを介して、加熱しながら圧着するダイボンディング工程である。

コレット８０は加熱・加圧自在であり、個片化された接着剤層付き半導体素子７８を加熱しながら圧着することによって、半導体実装基板９０にダイボンディングすることができる。半導体実装基板９０としては、例えば、パターンが形成されたガラスエポキシ基板、パターンが形成されたポリイミド基板等が挙げられる。この際の圧力にも特に制限はなく、適宜調整可能であるが、好ましくは０．００１〜１０ＭＰａ、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。また、時間も制限されず、０．１〜１０秒、あるいは０．５〜７秒程度で十分である。また、加熱温度も、接着剤層の組成等を考慮しながら、適宜設定することができ、例えば、４０〜２００℃、あるいは５５〜１５０℃程度が好ましい。

（９）第９工程
第９工程は、図９に示すように、前記半導体実装基板９０を加熱し、前記接着剤層１０ｂを硬化せしめるキュア工程である。

半導体実装基板９０の加熱手段に特に制限はないが、例えば、ヒータ１００によって加熱する。このようにして、接着剤層１０ｂを硬化させる。あるいは、オーブン等の公知の加熱手段によって加熱してもよい。加熱温度にも特に制限はなく、接着剤層１０ｂの組成に応じて適宜設定できるが、目安としては、好ましくは８０〜２００℃、より好ましくは１００〜１７５℃であり、また時間は、好ましくは３〜１２０分、より好ましくは５〜６０分である。

好ましい形態においては、キュア工程での加熱温度をＡ（℃）、加熱時間をＢ（分）としたときに、下記式：
１，０００≦（Ａ×Ｂ）≦２，５００
１００≦Ａ≦１５０
を満たす。

本発明の接着剤層によれば、このような有意に小さな熱履歴であるとしても十分に硬化する。

本発明においては、上記のような式を満たすことによって、半導体装置の生産性向上の効果がある。また、（Ａ×Ｂ）は、生産性確保の観点から、より好ましくは１，０５０〜２，３００であり、さらに好ましくは１，１００〜２，１００である。また、（Ａ）は、接着強度及び信頼性確保の観点の観点から、より好ましくは１０５〜１４５であり、さらに好ましくは１１０〜１４０である。

（１０）第１０工程
第１０工程は、図１０に示すように、前記半導体素子７０ｂ上に接続端子を形成し（図示せず）、また、前記半導体実装基板９０上に配線端子を形成し（図示せず）、該接続端子と、該配線端子とを、金属ワイヤー１１０で接続するワイヤーボンディング工程である。

ワイヤーボンディングとは、直径十数マイクロメートルから数十マイクロメートルの金などのワイヤを用いて、ガラスエポキシ基板に形成された電極パターンと、半導体素子の電極とを、電気的に接続する方法である。ボンディングワイヤとしては、金が広く使用されている。

半導体素子７０上に接続端子を形成する方法や、半導体実装基板９０上に配線端子を形成する方法、および該接続端子と、該配線端子とを、金属ワイヤーで接続する方法は従来公知の方法が適用できる。

（１１）第１１工程
第１１工程は、図１１に示すように、前記半導体素子７０上であって、前記接続端子以外の機能面に、別の接着剤層付き半導体素子７８を積層してなる工程と；を含む。

かかる積層工程は、通常、半導体素子上に、別の接着剤層付き半導体素子をダイボンディングする。

なお、本形態においては、発明の理解のために、各々の半導体素子毎にダイボンディングおよびワイヤーボンディングの工程を経ているが、これに限定することなく、例えば、すべての半導体素子をダイボンディングした後に、ワイヤーボンディングすることもできる。

また、本発明によれば、金属ワイヤーを接着剤層に通すことなく、接続することが特に好ましい。このような形態とすることによって、生産性が向上するとともに、該ワイヤーの接続信頼性向上の効果もある。

本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。

＜実施例１＞
（ａ）エポキシ樹脂としてＥＰＰＮ５０１Ｈ（日本化薬株式会社製、トリヒドロキシフェニルメタン骨格エポキシ樹脂）１８．７質量部、ＸＤ−１０００ ２Ｌ（日本化薬株式会社製、ジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂）１７．９質量部、
（ｂ）（メタ）アクリル酸エステル重合体としてＳＧＰ−３１２Ｌ（ナガセケムテックス株式会社製アクリル樹脂／重量平均分子量：４５０，０００／エチルアクリレート、ブチルアクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、アクリロニトリルの四元共重合体／ガラス転移温度：１５℃）２９．３質量部、
（ｃ）無機微粒子としてＳＯ２５Ｈ（球状シリカ 株式会社アドマテックス製、平均粒径０．６μｍ、最大粒径３．５μｍ）１２．９質量部、
（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤として、（ｉ）ＨＦ−４Ｍ（明和化成株式会社製、水酸基当量１０７／固形のフェノールノボラック樹脂）１５．０質量部、（ｉｉ）ＭＥＨ−８００５（明和化成株式会社製、水酸基当量１３７／液状であるメチレンビス（２−プロペニル）フェノール）６．２質量部、
（ｅ）硬化促進剤としてキュアゾール（登録商標）２ＭＺ−Ｈ（四国化成株式会社製／２−メチルイミダゾール）０．０７質量部に、
シクロヘキサノンを加えて、２５±５℃の環境下で３時間、撹拌翼を用いて、攪拌混合し、接着剤層用塗布組成物を得た。得られた接着剤層用塗布組成物を、厚さ３８μｍの離型処理を行ったポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にベーカーアプリケーターを用いて塗布し、１００℃で１５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍの塗膜（接着剤層）を形成し、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例２＞
ＥＰＰＮ５０１Ｈの量を１６．０質量部、ＸＤ−１０００−２Ｌの量を１５．４質量部、ＳＧＰ−３１２Ｌの量を２５．１質量部、ＳＯ２５Ｈの量を２５．３質量部、ＨＦ−４Ｍを１２．９質量部、ＭＥＨ−８００５を５．３質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例３＞
ＨＦ−４Ｍを１１．５質量部、ＭＥＨ−８００５を９．７質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例４＞
ＥＰＰＮ５０１Ｈの量を２２．５量部、ＸＤ−１０００−２Ｌの量を２１．５質量部、ＳＧＰ−３１２Ｌの量を１５．０質量部、ＳＯ２５Ｈの量を１５．５質量部、ＨＦ−４Ｍを１８．０質量部、ＭＥＨ−８００５を７．５質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例５＞
ＳＯ２５ＨをＭＰ−８ＦＳ（球状シリカ 株式会社龍森製、平均粒径０．５μｍ、最大粒径２．５μｍ）１２．９質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例６＞
ＳＯ２５ＨをＳＥ１０３０（球状シリカ 株式会社アドマテックス製、平均粒径０．３μｍ、最大粒径５．０μｍ）１２．９質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜実施例７＞
ＳＯ２５ＨをＥＭＩＸ３００（シリカ 株式会社龍森製、平均粒径０．１μｍ、最大粒径３．０μｍ）１２．９質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例１＞
ＨＦ−４Ｍを２１．２質量部とし、ＭＥＨ−８００５を使用しなかったこと以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例２＞
２ＭＺ−Ｈを０．０４質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例３＞
ＨＦ−４Ｍを１９．１質量部とし、ＭＥＨ−８００５を２．１質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例４＞
ＥＰＰＮ５０１Ｈの量を２１．５質量部、ＸＤ−１０００−２Ｌの量を２０．６質量部、ＳＧＰ−３１２Ｌの量を３３．６質量部、ＨＦ−４Ｍを１７．２質量部、ＭＥＨ−８００５を７．１質量部、ＳＯ２５Ｈを使用しなかったこと以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例５＞
ＥＰＰＮ５０１Ｈの量を１３．２質量部、ＸＤ−１０００−２Ｌの量を１２．６質量部、ＳＧＰ−３１２Ｌの量を２０．５質量部、ＳＯ２５Ｈの量を３８．７質量部、ＨＦ−４Ｍを１０．６質量部、ＭＥＨ−８００５を４．４質量部に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例６：特許文献３の実施例６相当＞
（ａ）エポキシ樹脂としてＹＤＦ８１７０Ｃ（ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ骨格エポキシ樹脂）２０．８質量部、ＨＰ−７２００（ＤＩＣ株式会社製、ジシクロペンタジエン骨格エポキシ樹脂）５．２質量部、
（ｂ）（メタ）アクリル酸エステル重合体としてＳＧ−Ｐ３（ナガセケムテックス株式会社製アクリル樹脂／重量平均分子量８００，０００／エチルアクリレート、ブチルアクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、アクリロニトリルの四元共重合体／ガラス転移温度：−７℃）２０．８質量部、
（ｃ）無機微粒子としてＲ９７２（球状シリカ 株式会社アドマテックス製、平均粒径０．０１６μｍ、最大粒径３．５μｍ）２０．８質量部、
（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤としてＸＬＣ−ＬＬ（フェノール・ｐ−キシリレングリコールジメチルエーテル共重合樹脂／三井化学株式会社製、水酸基当量１７４）１１．６質量部、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（α，α−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ヒドロキシ−α，α−ジメチルベンジル）−エチルベンゼン／本州化学株式会社製、水酸基当量１４０）２０．８質量部、
（ｅ）硬化促進剤としてキュアゾール（登録商標）２ＰＨＺ−ＰＷ（四国化成株式会社製）０．０７質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜比較例７：特許文献４の実施例１相当＞
（ａ）エポキシ樹脂としてＥＯＣＮ−１０２Ｓ−６５（日本化薬株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）１９．０質量部、ＮＣ３０００（日本化薬株式会社製、ビフェニレン骨格含有エポキシ樹脂）２８．２質量部、
（ｂ）（メタ）アクリル酸エステル重合体としてＳＧ−７０８−６（ナガセケムテックス株式会社製アクリル樹脂／重量平均分子量８００，０００／エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ヒドロキシ（メタ）アクリレート、アクリロニトリル、アクリル酸の五元共重合体／ガラス転移温度：６℃）１８．０質量部、
（ｃ）無機微粒子としてＳＥ１０３０（球状シリカ 株式会社アドマテックス製、平均粒径０．３μｍ、最大粒径５．０μｍ）１０．１質量部、
（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤としＨ−４（フェノールノボラック樹脂／明和化成株式会社製、水酸基当量１０７）１４．８質量部、ＭＥＨ−８０００Ｈ（メチレンビス（２−プロペニル）フェノール）／明和化成株式会社製、水酸基当量１４１）９．９質量部、
（ｅ）硬化促進剤としてキュアゾール（登録商標）２ＰＨＺ−ＰＷ（四国化成株式会社製）０．１４質量部に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。
に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、半導体用接着フィルムを作製した。

＜半導体用接着フィルムの評価＞
実施例１〜７および比較例１〜７の記載の方法により作製した半導体用接着フィルムを、以下に示す方法により評価した。

［接着剤層破断伸び率（破断伸び率）の測定］
厚み２０μｍの剥離基材付き接着剤層を、幅１０ｍｍ、長さ３５ｍｍとなるように切り出し、剥離基材を除去した。得られた接着剤層を引っ張り試験機（装置名：ＴＡ−ＸＴ−ｐｌｕｓ、ステーブルマイクロシステムズ社製）にチャック間距離が２０ｍｍとなるように取り付け、ＪＩＳ−Ｋ７１２７：１９９９記載の条件に準拠し、１００ｍｍ／ｍｉｎの引っ張り速度で試験した。その際の破断伸び率は接着剤層が破断した時点での変位量をチャック間距離で割ることにより算出した。測定は同一例毎に３サンプル実施し、その平均値を測定結果とした。

［信頼性評価］
半導体装置を作製する際、厚み２０μｍの剥離基材付き接着剤層を５ｍｍ四方に切り出し、剥離基材の反対側の面に厚み２００μｍ、５ｍｍ四方の半導体素子を７０℃に加熱、接着して半導体素子付き接着剤層を得た。接着剤層側の剥離基材を除去し、接着剤層面を太陽インキ製造社製ソルダーレジスト：ＡＵＳ−３０８を全面塗布したガラスエポキシからなるプリント基板（厚さ２００μｍ）上に１２０℃に加熱した熱板上で０．１ＭＰａの圧力をかけながら５秒保持して半導体素子付き接着剤層を上記プリント基板上に圧着せしめた。該半導体素子付きプリント基板をオーブン内で１２５℃／１０分加熱し、室温まで冷却した後、ワイヤーボンディング工程に相当する熱履歴：熱板上で１７０℃／５分加熱を施した後、半導体素子を覆うように市販の第一毛織社製半導体封止樹脂で封止し、１７５℃で１時間加熱して上記封止樹脂を硬化せしめ、半導体装置を得た。得られた半導体装置を予め８５℃／相対湿度８５％に設定した恒温恒湿槽に１６８時間保管した。得られた半導体装置を２６５℃に設定したＩＲヒータ上で１５秒間、３回加熱した。その後市販のＳＡＴ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）装置を用いて、半導体装置内部の剥離もしくはチップ破損の有無を観察した。本評価は半導体装置数４ケの内、正常であった半導体装置数を評価結果とした。

１…半導体用接着フィルム、
１０…接着剤層、
１０ａ…（不要部分の）接着剤層、
１０ｂ…（必要部分の）接着剤層、
２０…剥離基材、
３０ａ…円形刃物、
３０ｂ…円形刃物、
３３…アンビルロール、
３４…マグネットロール、
３５ａ…ピナクル刃、
３５ｂ…ピナクル刃、
４０…基材、
４０ｂ…（必要部分の）基材、
５０…粘着剤層、
５０ｂ…（必要部分の）粘着剤層、
６０…粘着剤層付き基材、
６０ｂ…（必要部分の）粘着剤層付き基材、
６３…ダイシングソー、
６５…積層体、
７０…半導体ウェハ、
７０ｂ…半導体素子、
７５…接着剤層付きの半導体ウェハ、
７８…接着剤層付き半導体素子、
８０…コレット、
９０…半導体実装基板、
１００…ヒータ、
１１０…金属ワイヤー。

Claims (7)

1. （ａ）エポキシ樹脂 １０〜４６質量部と；
   （ｂ）重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の（メタ）アクリル酸エステル重合体 ３〜４０質量部と；
   （ｃ）平均粒径が０．０１μｍを超え、かつ１．０μｍ以下である無機微粒子 ５〜３５質量部と；
   （ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤 ５〜３５質量部と；
   ただし、（ａ）〜（ｄ）の合計量は１００質量部である、
   を含み、
   前記（ｄ）エポキシ樹脂の硬化剤が、
   （ｉ）２０℃で固形であるフェノール樹脂 １０〜２１質量部を少なくとも一種と；
   （ｉｉ）２０℃で液状であるフェノール樹脂 ５〜１６質量部を少なくとも一種と；
   を含み、
   前記２０℃で固形であるフェノール樹脂に対する前記２０℃で液状であるフェノール樹脂の配合量は、前記２０℃で固形であるフェノール樹脂１００重量部を基準とし、２８質量部以上９０質量部未満であり、
   前記（ａ）〜（ｄ）成分１００質量部に対して、
   （ｅ）硬化促進剤 ０．０５〜５質量部をさらに含む、接着剤層用塗布組成物。
2. 請求項１に記載の接着剤層用塗布組成物が剥離基材上に塗布され、乾燥されることによってなる、半導体用接着フィルム用の接着剤層。
3. 破断伸び率が、１５０％以上である、請求項２に記載の半導体用接着フィルム用の接着剤層。
4. 請求項２または３に記載の接着剤層を含む、半導体用接着フィルム。
5. （１）請求項１に記載の接着剤層用塗布組成物を剥離基材上に塗布し、乾燥させて、接着剤層を形成する工程と；
   （２）前記接着剤層側から前記剥離基材に達するまで該接着剤層を切断し、不要部分の接着剤層を除去する第１の切断工程と；
   （３）前記剥離基材上に残されている前記接着剤層の少なくとも一部を覆うように、粘着剤層付き基材を、該粘着剤層が前記接着剤層側となるように貼り付けることによって、基材、粘着剤層および接着剤層が積層されてなる積層体を得る第１の貼り付け工程と；
   （４）前記積層体を残すように、前記基材側から前記剥離基材に達するまで、前記粘着剤層付き基材を切断し、不要部分の粘着剤層付き基材を除去する第２の切断工程と；
   を含む、半導体用接着フィルムの製造方法。
6. （５）請求項５に記載の製造方法によって製造されてなる半導体用接着フィルムから、前記剥離基材を剥離することによって、接着剤層を露出し、該接着剤層に、半導体ウェハを貼り付けて、接着剤層付きの半導体ウェハを得る第２の貼り付け工程と；
   （６）前記接着剤層付きの半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と粘着剤層との界面に達するまでダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子になるようにするダイシング工程と；
   （７）前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と；
   （８）前記接着剤層付き半導体素子を、配線が形成された半導体実装基板に前記接着剤層を介して、加熱しながら圧着するダイボンディング工程と；
   （９）前記半導体実装基板を加熱し、前記接着剤層を硬化せしめるキュア工程と；
   （１０）前記半導体素子上に接続端子を形成し、また、前記半導体実装基板上に配線端子を形成し、該接続端子と、該配線端子とを、金属ワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程と；
   （１１）前記半導体素子上であって、前記接続端子以外の機能面に、別の接着剤層付き半導体素子を積層してなる工程と；
   を含む、半導体装置の製造方法。
7. 前記キュア工程での加熱温度をＡ（℃）、加熱時間をＢ（分）としたときに、下記式：
   １，０００≦（Ａ×Ｂ）≦２，５００
   １００≦Ａ≦１５０
   を満たす、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。