CN103620742B - 粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法 - Google Patents

粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明为一种粘接膜，其是由含有9质量%以上30质量%以下的环氧化合物、10质量%以上45质量%以下的丙烯酸系共聚物、及15质量%以上的无机填料的树脂组合物构成的；上述丙烯酸系共聚物含有包含至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元；上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下；在B阶段状态中，玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下，上述丙烯酸系共聚物与上述环氧化合物形成均匀相，且断裂拉伸率为3%以下。

Description

粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法
技术领域
本发明涉及一种粘接膜、切割芯片接合膜及使用该切割芯片接合膜的半导体加工方法。
背景技术
在IC等半导体装置的制造工序中，为了使电路图案形成后的半导体晶片薄膜化，实施有如下工序：背面研磨工序，其中，对半导体晶片背面进行研磨；切割工序，其中，在半导体晶片的背面贴附具有粘结性及伸缩性的半导体晶片加工用胶带后，将半导体晶片分割成半导体芯片单元；对半导体晶片加工用胶带进行拉伸的工序；对经分割的半导体芯片进行拾取的工序；以及芯片接合(安装)工序，其中，将拾取后的半导体芯片粘接在引线框架或封装基板等、或者在堆叠封装(stackedpackage)中使半导体芯片彼此层积并粘接。在上述制造工序中，使用在基材膜上依序层积有粘接膜与粘结带的切割芯片接合胶带。
通常，在使用切割芯片接合胶带的情况下，首先将切割芯片接合胶带的粘接膜贴附在半导体晶片的背面而固定半导体晶片，并使用切割刀片将半导体晶片及粘接膜切割成芯片单元。其后，在拾取工序中，将芯片与粘接膜一并自粘结带上剥离而进行拾取，在安装工序中通过粘接膜直接粘接在引线框架或封装基板等。如此，通过使用切割芯片接合胶带，可将附有粘接膜的芯片直接粘接在引线框架或封装基板等，因此可省略粘接剂的涂布工序或另外将芯片接合膜粘接在各芯片的工序。
然而，在上述切割工序中，使用切割刀片将半导体晶片与粘接剂层一同切割，因此会产生因半导体晶片的缺损所导致的成品率下降、或因粘接膜的切削屑所导致的污染。
为了解决上述问题，在专利文献1中提出有如下方法：在通过下述所谓“预先切割法”将芯片分割后，将已分割的晶片贴合在切割芯片接合膜，然后对切割芯片接合膜进行冷却从而使其粘接剂层变脆，其后使其扩张，由此对应各芯片而分割粘接剂层，该“预先切割法”是不完全切断半导体晶片，而沿着分割预定线切削至规定深度然后贴合表面保护胶带，对该半导体晶片背面进行研磨直至到达所切削的规定深度，由此分割半导体晶片。根据上述利用拉伸时的张力的粘接剂层分割方法，不会产生粘接剂的切削屑，从而不会带来不良影响。
另外，近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出有所谓的“隐形切割法”，其中，可使用激光加工装置，以非接触的方式切断晶片。例如，在专利文献2中，作为隐形切割法，揭示有一种具备下述工序的半导体基板的切断方法：使焦点光对准隔着芯片接合树脂层(粘接剂层)而贴附有片材的半导体内部，从而照射激光，由此在半导体的内部形成吸收多光子的改质区域，并在该改质区域中形成切断预定部；以及通过一边对片材进行冷却一边使其扩张(拉伸)，从而沿着切断预定部对半导体与粘接剂层进行切断。
另外，作为使用激光加工装置的半导体晶片的切断方法的其它方法，例如在专利文献3中，提出有具备下述工序的半导体晶片的分割方法：在半导体晶片的背面安装芯片接合用粘接膜(粘接剂层)；在背面安装有该粘接膜的半导体晶片的粘接膜侧贴合可伸长的保护粘结带；自贴合有保护粘结带的半导体晶片的表面沿着切割道(street)照射激光束，从而将其分割成各个半导体芯片；一边将保护粘结带冷却一边使其大幅扩张(拉伸)从而对粘接膜赋予拉伸力，使粘接膜对应于各半导体芯片而断裂；通过加热收缩而去除因扩张产生的胶带松弛；以及使贴合有断裂的粘接膜的半导体芯片自保护粘结带脱离。
然而，在如上所述的冷却工序或实施大幅扩张的工序中，需要对片材与使其扩张的机构一并进行冷却的大型系统或利用加热收缩去除松弛的系统，且制造工序烦杂，而不得不使初期投资、运转成本均变得非常昂贵，从而成为难以广泛地普及上述系统的主要原因。另外，有时候扩张时的粘接膜的割断线一部分会自芯片的割断线偏离，而发生芯片的端部一部分缺少粘接膜的状态，从而可能产生造成粘接可靠性下降的问题。
在使用切割芯片接合膜的半导体晶片的加工方法中，若可通过省略冷却机构而使系统简略化、节能化，则可大幅降低初期投资、运转成本。为此，必须可在室温下容易地对切割芯片接合膜的粘接剂层进行分割。另外，若能够以较小的拉伸率使粘接剂层断裂，则无需使胶带大幅地扩张，也可省略加热收缩系统。
为了可在室温下容易地对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割，需要使粘接膜在室温下对于平面方向的拉伸应力较脆。另一方面，在粘接膜对于厚度方向的应力过脆的情况下，在粘接膜层内会产生剥离，因此无法以等间隔使半导体芯片扩张，并且无法在安装有规定厚度的粘接膜的状态下对半导体芯片进行拾取。例如，在专利文献4中记载有一种在半导体晶片的加工方法中所使用的切割芯片接合膜。然而，构成切割芯片接合膜的粘接片材中所含的无机填料含量多，若不以较大的拉伸率进行断裂，则无法使粘接剂层断裂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-57257号公报
专利文献2：日本特开2004-273895号公报
专利文献3：日本特开2002-334852号公报
专利文献4：国际公开第2004/109786号
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于提供一种在半导体晶片的加工方法中，即便在室温下进行拉伸，也具有足以不会在层内产生剥离程度的凝聚力且在平面方向非常容易断裂的粘接膜。
用于解决问题的手段
鉴于上述课题，本发明人等进行深入研究。其结果发现，若使用含有一定量的特定丙烯酸系树脂与环氧化合物的组合物而形成非晶质的粘接剂层，则具有足以不会在层内产生剥离程度的凝聚力，且具有在平面方向非常容易断裂的性质。进而，通过使无机填料分散在上述非晶质固体中，可利用无机填料表面与有机物间的相互作用而进一步提高凝聚力，且可利用无机填料限制上述非晶质固体的应力缓和性而使其更容易断裂。本发明是基于上述见解而完成的。
根据本发明，可提供如下方法。
(1)一种粘接膜，其由含有9质量%以上30质量%以下的环氧化合物、10质量%以上45质量%以下的丙烯酸系共聚物、及15质量%以上的无机填料的树脂组合物构成；
上述丙烯酸系共聚物含有包含至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元；
上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下；
在B阶段状态中，玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下，上述丙烯酸系共聚物与上述环氧化合物形成均匀相，且断裂拉伸率为3%以下。
(2)一种切割芯片接合膜，其层积有粘结带与上述(1)的粘接膜。
(3)如上述(2)的切割芯片接合膜，其中，上述粘结带的粘结剂层由含有80质量%以上的丙烯酸系共聚物的树脂组合物形成，上述丙烯酸系共聚物含有(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元，上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上。
(4)一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
沿着分割预定线将半导体晶片的表面切削至规定深度，并贴合表面保护胶带；
通过对所述半导体晶片的背面进行研磨直至到达上述工序中所切削的规定深度从而进行分割；
以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度对该半导体晶片进行加热，在该状态下，将该已分割的半导体晶片与上述(2)或(3)的切割芯片接合膜贴合；
通过在低于所述粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割线对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
(5)一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
对于半导体晶片与上述(2)或(3)的切割芯片接合膜，在以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度加热该半导体晶片的状态下进行贴合；
对所述半导体晶片的内部照射激光从而沿着分割预定线形成改质区域；
通过在低于该粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割预定线对所述半导体晶片与切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
(6)一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
对于半导体晶片与上述(2)或(3)的切割芯片接合膜，在以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度加热该半导体晶片的状态下进行贴合；
照射激光从而沿着分割预定线对该半导体晶片进行分割；
通过在低于该粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割线对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
(7)一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
贴合半导体晶片与上述(2)或(3)的切割芯片接合膜的工序、分割所述半导体晶片的工序、及通过对所述切割芯片接合膜进行拉伸而将粘接膜分割的工序，并且
在以高于上述(2)或(3)的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度对半导体晶片进行加热的状态下，将所述半导体晶片及所述切割芯片接合膜贴合，
通过在低于上述(2)或(3)的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而将所述粘接膜分割。
发明效果
根据本发明，可利用预先切割法或隐形切割法等无晶片的缺损或因粘接剂层的切削屑所导致的污染的方法，且即便无大型的冷却装置，也可在室温下以相对较小的扩张量对粘接膜进行分割，从而容易且高成品率地进行半导体部件的加工。
本发明的上述及其它特征和优点可适当参照附图，根据如下记载而更加明确。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的粘接膜的截面图。
图2是本发明的一实施方式的切割芯片接合膜的平面图。
图3是本发明的一实施方式的切割芯片接合膜的截面图。
图4是用以示意性地说明将半导体晶片贴合在本发明的切割芯片接合膜上的情况的概略图。
图5是用以示意性地说明半导体晶片的切割工序或改质区域形成工序的概略图。
图6是用以示意性地说明粘结带的拉伸工序的概略图。
图7是用以示意性地说明半导体芯片的拾取工序的概略图。
具体实施方式
本发明的粘接膜是由含有9质量%以上30质量%以下的环氧化合物、10质量%以上45质量%以下的丙烯酸系共聚物、及15质量%以上的无机填料的树脂组合物构成的；上述丙烯酸系共聚物含有包含至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元；上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下；在B阶段状态中，玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下，上述丙烯酸系共聚物与上述环氧化合物形成均匀相，且断裂拉伸率为3%以下。
在本发明中，所谓“B阶段状态”是指含有环氧化合物的粘接剂为半固化状态，并且也是指在DSC测定中保持固化前发热量的80%以上的状态。
以下，基于附图对本实施方式的粘接膜的各构成要素进行详细说明。然而，本发明并不限定于此。
图1是表示本发明的实施方式的粘接膜的截面图。如图1所示，本发明的粘接膜1b具有在剥离膜12b上层积有粘接剂层11b的构成。需要说明的是，粘接膜也可为在与设置有粘接剂层11b的面相反的粘接膜1b的面上进而层积有与剥离膜12b不同的剥离膜的构成，且卷绕成辊状。另外，本发明的粘接膜也可根据使用工序或装置而预先切断成规定形状(预先切割)。
在对分割后的半导体芯片进行拾取时，粘接膜1b隔着粘接剂层11b而附着在半导体芯片背面，由此用作将半导体芯片彼此固定或将半导体芯片固定在基板或引线框架时的粘接剂。
剥离膜12b是用于改善粘接剂层11b的操作性。
剥离膜12b的材质并无特别限制，可使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚对苯二甲酸丁二酯膜、聚胺酯膜(polyurethanefilm)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离子聚合物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等。另外，也可使用这些材质的交联膜。进而，也可为上述膜的层积膜。
剥离膜12b的表面张力优选为40mN/m以下、更优选为35mN/m以下。表面张力如此低的剥离膜12b可适当地选择材质而获得，另外，也可通过将有机硅树脂等涂布在膜的表面从而实施脱模处理而获得。剥离膜12b的膜厚通常为5μm以上、优选为10μm以上、特别优选为20μm以上；通常为300μm以下、优选为200μm以下、特别优选为150μm以下；通常为5μm～300μm、优选为10μm～200μm、特别优选为20μm～150μm左右。
粘接剂层11b是含有9质量%以上30质量%以下的环氧化合物、10质量%以上45质量%以下的丙烯酸系共聚物、及15质量%以上的无机填料的树脂组合物。上述树脂组合物利用热或高能量射线而固化。
作为固化性树脂而含有的具有环氧基的环氧化合物并无特别限制，例如可以举出：对苯二酚、间苯二酚、邻苯二酚、间苯三酚等单核多酚化合物的聚环氧丙基醚化合物；二羟基萘、联苯酚、亚甲基双酚(双酚F)、亚甲基双(邻甲酚)、亚乙基双酚、亚异丙基双酚(双酚A)、亚异丙基双(邻甲酚)、四溴双酚A、1,3-双(4-羟基异丙苯基苯)、1,4-双(4-羟基异丙苯基苯)、1,1,3-三(4-羟基苯基)丁烷、1,1,2,2-四(4-羟基苯基)乙烷、硫代双酚、磺基双酚、氧基双酚、苯酚酚醛清漆、邻甲酚酚醛清漆、乙基苯酚酚醛清漆、丁基苯酚酚醛清漆、辛基苯酚酚醛清漆、间苯二酚酚醛清漆、萜酚等多核多酚化合物的聚环氧丙基醚化合物；乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、聚乙二醇(polyglycol)、硫二甘醇、甘油、三羟甲基丙烷、季戊四醇、山梨糖醇、双酚A-环氧乙烷加成物等多元醇类的聚环氧丙基醚；顺丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸、琥珀酸、戊二酸、辛二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、二聚酸、三聚酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、偏苯三甲酸、均苯三甲酸、均苯四甲酸、四氢邻苯二甲酸、六氢邻苯二甲酸、内亚甲基四氢邻苯二甲酸等脂肪族、芳香族或脂环族多元酸的环氧丙基酯类及甲基丙烯酸环氧丙基酯的均聚物或共聚物；N,N-二环氧丙基苯胺、双(4-(N-甲基-N-环氧丙基胺基)苯基)甲烷等具有环氧丙基胺基的环氧化合物；乙烯基环己烯二环氧化物、二环戊二烯二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己基甲酯、6-甲基环己烷甲酸3,4-环氧-6-甲基环己基甲酯、己二酸双(3,4-环氧-6-甲基环己基甲基)酯等环状烯烃化合物的环氧化物；环氧化聚丁二烯、环氧化苯乙烯-丁二烯共聚物等环氧化共轭二烯聚合物、三环氧丙基异氰尿酸酯等杂环化合物等。
另外，作为环氧化合物，也可使用一部分或全部经螯合改性的螯合改性环氧树脂。螯合改性环氧树脂只要通过使含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的螯合成分与在分子内具有2个以上环氧基的环氧成分反应而获得即可。金属氧化物及金属氢氧化物，可优选地使用氧化镁、氧化钙、氧化锌、氧化钛、氧化镉、氧化铅、氢氧化镁、氢氧化钙、磷酸等。
在上述树脂组合物中，环氧化合物含有9质量%以上(优选为16质量%以上)30质量%以下(优选为25质量%以下)。或者，环氧化合物含有9质量%～30质量%，优选为含有16质量%～25质量%。需要说明的是，在分割、拾取工序后，通过经由层积附有粘接剂的半导体部件后在100℃～300℃进行加热的工序使粘接剂固化，从而使半导体部件彼此通过粘接剂牢固地粘接，为了得到这种多段层积体，环氧化合物是必须的。上述半导体部件的多段层积体化例如为半导体内存的高容量化等中使用的通常方法。若上述环氧化合物小于9质量%，则粘接可靠性不足。若上述环氧化合物超过30质量%，则变得难以拾取，成品率恶化。上述环氧化合物在贴合在半导体晶片前需要为充分含有未固化成分的状态、即B阶段状态。所谓B阶段状态，可根据在DSC测定中保持固化前发热量的80%以上而确认。
本发明的粘接膜中使用的丙烯酸系共聚物包含含有至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元，上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下。通过使用上述丙烯酸系共聚物，可同时实现与上述环氧化合物的相溶性、及将B阶段状态的粘接膜的玻璃化转变温度设定在特定范围。若使用丙烯酸系均聚物代替丙烯酸系共聚物，则聚合物的结晶性变得过剩，而使粘接膜的粘接力不足。
在烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，上述烷基为无取代的烷基。进而，上述烷基的碳原子数优选为2以下。作为上述烷基，可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基。其中，优选为甲基和乙基。
作为烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分，可以举出：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯。
在上述丙烯酸系共聚物中，对于烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分以外的共聚成分，并无特别限制，可以举出：烷基酯部分中的烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯、丙烯腈、丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、苯乙烯、及具有乙烯基的化合物等。
在上述丙烯酸系共聚物中，烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分、与烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分以外的共聚成分的聚合比(摩尔比)并无特别限制，优选为3：7以上、更优选为5：5以上；优选为9：1以下、更优选为7：3以下；优选为3：7～9：1、更优选为5：5～7：3。若烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分的聚合比过低，则在B阶段中，该丙烯酸系共聚物与环氧成分变得容易成为相分离状态。若成为相分离状态，则撕裂能量沿着相间界面分散，使破坏路径复杂化，因此在室温下的分割变得困难。另一方面，若烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分的聚合比过高，则共聚物成为过于刚直的结构，因此变得难以追随被粘结体的表面，粘接力不足。
在上述树脂组合物中，含有10质量%以上(优选为20质量%以上、更优选为25质量%以上)、45质量%以下(优选为30质量%以下、更优选为27质量%以下)的丙烯酸系共聚物。或者，含有10质量%～45质量%，优选含有20质量%～30质量%，更优选含有25质量%～27质量%的丙烯酸系共聚物。在丙烯酸系共聚物的含量小于10质量%的情况下，粘接膜的凝聚力不足，因此在粘接剂层内产生剥离，而变得难以自粘结带以规定的厚度拾取粘接膜。另一方面，若丙烯酸系共聚物的含量超过45质量%，则粘接膜的粘接力不足。
本发明中使用的树脂组合物除上述环氧化合物及丙烯酸系共聚物以外，还含有15质量%以上的无机填料。无机填料的含量优选为18质量%以上、更优选为20质量%以上；优选为75质量%以下、更优选为50质量%以下；优选为18质量%～75质量%、更优选为20质量%～50质量%。若该无机填料的含量小于15质量%，则在拉伸工序中，粘接膜的割断线更难以沿着半导体芯片的割断线笔直地前进。若粘接膜的割断线自半导体芯片的割断线部分偏离，则会产生在芯片的端部缺少一部分粘接膜的状态，从而造成粘接可靠性的下降。
作为无机填料并无特别规定，优选不具有磁性且在热方面较稳定的无机填料。作为具体示例，可以举出二氧化硅或氧化铝。
在本发明的粘接膜中，无机填料优选为尽量均匀分散的状态，也可通过利用硅烷偶合剂、脂肪酸、异氰酸酯化合物等实施无机填料的表面处理，从而使无机填料易于分散。
在本发明中使用的树脂组合物中，也可含有上述环氧化合物、丙烯酸系共聚物及无机填料以外的成分。作为上述其它成分，可以举出：有机硅树脂、酚树脂、热固化型聚酰亚胺树脂、聚胺酯树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂等、及其混合物或改性物等固化性树脂；酚系树脂(例如苯酚酚醛清漆树脂、邻甲酚酚醛清漆树脂、对甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、二环戊二烯甲酚树脂、聚对乙烯苯酚树脂、双酚A型酚醛清漆树脂)、热活化性型潜在性环氧树脂等固化剂；聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸丙酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚丙烯酸丁酯、聚烯烃等均聚物、及其混合物或改性物；叔胺、咪唑类、季铵盐等固化促进剂；有机酸或其酸酐、二氰二胺、路易斯酸/碱、固化剂、分子筛、三苯基膦系化合物。
本发明的粘接膜的玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下、或为26℃～60℃。在本发明中，玻璃化转变温度优选为28℃以上、更优选为29℃以上；优选为32℃以下、更优选为31℃以下；优选为28℃～32℃、更优选为29℃～31℃。若玻璃化转变温度低于26℃，则粘接膜的粘性过低，在后述切割芯片接合膜的粘结带的拉伸工序中，变得难以对粘接膜进行分割。另一方面，若玻璃化转变温度超过60℃，则粘接膜的粘性过高，而变得难以在通常的切割芯片接合膜的贴合温度、即60℃～80℃的温度范围内将其贴合在半导体晶片。假定在超过80℃的温度下尝试切割芯片接合膜的加热贴合的情况下，将通常的聚烯烃树脂用于基材的粘结带无法承受该温度，粘结带伸长并形成皱褶状，而导致贴合不良。
在本发明中，粘接膜的玻璃化转变温度如下测定得到：使用ARES动态粘弹性测定装置，在液氮下，在升温速度5℃/min的条件下，使层积至厚度2mm的粘接膜的温度自-30℃升温至+80℃，以测定频率1Hz测定耗损角正切(tanδ)，将出现所测定的耗损角正切值的最大值的温度设为玻璃化转变温度。
通常，对粘接膜周期性地施加应变ε时，只要粘接膜为完全的弹性体，则与此对应的应力σ不会产生时间延迟，以同相位的形式出现。然而，若粘接膜存在粘性要素，则会产生响应延迟(应变的输入与响应的相位差δ)。具有该时间性延迟的应变ε与应力σ是通过下述式(1)，以复弹性模量(E﹡)的形式表示。
E﹡＝σ/ε
E﹡＝E'＋iE''…式(1)
另外，上述耗损角正切(tanδ)通过下述式(2)表示。
tanδ＝E''/E'…式(2)
此处，E'表示储能弹性模量，E''表示损失弹性模量。储能弹性模量E'表示弹性性质，损失弹性模量E"或耗损角正切(tanδ)表示粘性、即能量损失的性质。
如此，以相当于粘性的损失弹性模量E''与相当于弹性的储能弹性模量E'的比(E''/E')表示的耗损角正切(tanδ)反映振动吸收性。该值越大，粘接膜的粘性越高(越软)，振动吸收性越高。反之，该值越小，粘接膜的粘性越低(越硬)，振动吸收性越低。
在本发明的粘接膜中，含有上述环氧化合物与上述丙烯酸系共聚物的树脂组合物在B阶段(在DSC测定中保持固化前发热量的80%以上的状态)中形成均匀相。此处所谓「均匀相」，是指300nm的光线透过90%以上的状态或在-30℃～80℃下仅具有1个耗损角正切波峰的状态。在环氧化合物与丙烯酸系共聚物形成相分离状态的情况下，即具有2个以上耗损角正切波峰的情况下，在下述切割芯片接合膜的粘结带的拉伸工序中，粘接膜的分割路径沿着环氧化合物相与丙烯酸系共聚物相的界面复杂化，因此分割所需的能量增多，从而导致分割不良。
需要说明的是，为评价上述环氧化合物与上述丙烯酸系共聚物是否形成均匀相，可以通过下述方法来实施：通过使用ARES动态粘弹性测定装置，在液氮下，在升温速度5℃/分钟的条件下，使层积至厚度2mm的粘接膜的温度自-30℃升温至+80℃，以测定频率1Hz测定耗损角正切(tanδ)。
在本发明的粘接膜中，断裂拉伸率为3%以下。在本发明中，断裂拉伸率更优选为1%以下。需要说明的是，在本说明书中，粘接膜的断裂拉伸率依据JISK6251来测定，制作拉伸试验用哑铃(JISK62511号型)，利用拉伸试验机以300mm/分钟的速度实施拉伸试验，从而测定断裂拉伸率。
作为半导体晶片的切断方法，已知有下述方法：实施不完全切断半导体晶片而加工出作为折痕的沟槽的工序、或对切断预定线上的半导体晶片内部照射激光而形成改质区域的工序等可容易地切断半导体晶片的工序，其后通过施加外力等将半导体晶片切断。加工得到作为折痕的沟槽的方法称为半切割(halfcutdicing)，对切断预定线上的半导体晶片内部照射激光而形成改质区域的方法称为隐形切割(例如参照日本特开2002-192370号公报、日本特开2003-338467号公报等)。这些方法尤其是在晶片的厚度较薄的情况下，具有减少碎屑等不良的效果，由于无需切口宽度，因此可期待产率提升效果等。进而，也已知有通过如下所谓「预先切割法」而分割芯片，其后将已分割的晶片贴合在切割芯片接合膜的方法，该「预先切割法」是不完全切断半导体晶片，沿着切断预定线切削至规定深度而贴合表面保护胶带，并对该半导体晶片背面进行研磨直至到达所切削的规定深度，由此分割半导体晶片。
本发明的粘接膜可优选地使用于上述半切割或隐形切割、以及预先切割法。
本发明的切割芯片接合膜成为层积有粘结带与本发明的粘接膜的构成。作为粘结带并无特别限制，只要为在切割半导体晶片时具有足以不产生剥离的粘结力、且在切割后拾取半导体芯片时显示出可容易地自粘接膜剥离的较低粘结力的粘结带即可。例如，可优选地使用在基材膜上设置有粘结剂层的粘结带。进而，如图2及图3所示，在切割芯片接合中，也可将粘接膜1b与粘结带1a层积在剥离膜1c上。另外，也可为预先切断成规定形状(预先切割)的形态、或将形成有2个以上切割芯片接合膜的长条膜卷绕成辊状的形态。
对于粘结带的基材膜并无特别限制，可使聚烯烃树脂、聚酯树脂、其它各种塑料成型为膜状而使用。基材膜的厚度并无特别限制，优选为50μm以上，优选为200μm以下，优选为50μm～200μm。
作为粘结带的粘结剂层中使用的树脂并无特别限定，可使用粘结剂中通常使用的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸系树脂、聚酯树脂、聚胺酯树脂、环氧树脂等。在本发明中，从半导体芯片的拾取性的观点重复，优选为粘结带的粘结剂层由含有80%以上(优选为85%以上、更优选为90%以上，优选为99%以下、更优选为95%以下，优选为85%～99%，更优选为90%～95%)的丙烯酸系共聚物的树脂组合物形成，且上述丙烯酸系共聚物包含(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元，上述(甲基)丙烯酸烷基酯成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上。
在烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，上述烷基可为取代烷基、无取代烷基的任一者，也可为直链状、支链及环状烷基的任一者。上述烷基的碳原子数优选为8以上、更优选为9以上，优选为18以下、更优选为12以下，优选为8～18、更优选为9～12。作为上述烷基可以举出：庚基、异辛基、异壬基、正壬基、月桂基、异硬脂基、正硬脂基。其中，优选为异壬基、月桂基。
烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分，可以举出：丙烯酸庚酯、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸正壬酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸异硬脂酯、丙烯酸硬脂酯。
作为上述丙烯酸系共聚物中烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分以外的共聚成分，并无特别限制，可以举出：烷基酯部分中的烷基的碳原子数为6以下的(甲基)丙烯酸烷基酯成分、丙烯腈、丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、苯乙烯、具有乙烯基的化合物等。这些之中，优选为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羟基烷基酯。
上述丙烯酸系共聚物中，对于烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分、与烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分以外的共聚成分的聚合比并无特别限制，优选为6：4以上、更优选为7：3以上，优选为9：1以下、更优选为8：2以下，优选为6：4～9：1、更优选为7：3～8：2。若烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分的聚合比过高，则变得难以导入如成为聚合物间的交联起点的反应性基团，变得难以形成稳定的粘结剂层。另一方面，若烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上的(甲基)丙烯酸烷基酯成分的聚合比过低，则变得难以拾取，成品率恶化。
优选为在粘结剂层用的树脂组合物中适当混配放射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来制备粘结剂。
通过将放射线聚合性化合物混配在树脂组合物中，并对粘结带照射放射线而使其固化，可自粘接膜容易地剥离粘结带。作为上述放射线聚合性化合物，例如使用在可通过光照射实现三维网状化的分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。具体而言，可以举出：各种(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、乙烯基单体等。
在使用光聚合引发剂的情况下，例如可使用苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、安息香双甲醚、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。
在形成本发明中所使用的粘结剂层的组合物中，根据需要可混配增粘剂、粘结调整剂、表面活性剂等改性剂等。另外，也可适当添加无机化合物填料。
对于粘结剂层的厚度并无特别限定，可适当地设定，优选为5μm以上，优选为30μm以下，优选为5μm～30μm。
本发明的半导体部件加工方法包含：将半导体晶片与本发明的切割芯片接合膜贴合的工序、对上述半导体晶片进行分割的工序、及通过使上述切割芯片接合膜拉伸而分割粘接膜的工序，且包含如下工序：在以高于本发明的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度(优选为70℃以上、更优选为80℃以上，优选为100℃以下、更优选为90℃以下，优选为70℃～100℃、更优选为80℃～90℃)对半导体晶片进行加热的状态下，将上述半导体晶片与上述切割芯片接合膜贴合，并在低于本发明的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温(优选为10℃以上、更优选为20℃以上，优选为40℃以下、更优选为30℃以下，优选为10℃～40℃、更优选为20℃～30℃，但若为人类活动的通常环境下，则也可无需特别的温度控制)下使上述切割芯片接合膜拉伸，由此分割上述粘接膜。
以下，基于优选实施方式对本发明的半导体部件加工方法进行说明。然而，本发明并不限定于此。
本发明的切割芯片接合膜可优选地用于上述预先切割法中。具体而言，作为本发明的半导体部件加工方法的一实施方式，可以举出包含如下工序的半导体部件加工方法：沿着分割预定线将半导体晶片的表面切削至规定深度并贴合表面保护胶带；通过对上述半导体晶片的背面进行研磨直至到达上述工序中所切削的规定深度，由此进行分割；对于该已分割的半导体晶片与本发明的切割芯片接合膜，在以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度对该半导体晶片进行加热的状态下进行贴合；通过使上述切割芯片接合膜在低于粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下拉伸，从而沿着分割线对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及获得附有粘接剂层的半导体芯片。
以下，参照图4～图7对本发明的半导体部件加工方法的其它优选实施方式进行说明。然而，本发明并不限定于此。
图4是用于示意性地说明将半导体晶片贴合在本发明的切割芯片接合膜上的情况的概略图。
在图4中，在切割芯片接合膜1上贴合有半导体晶片2与环状框架3。首先，如图4所示，将切割芯片接合膜1的粘结带1a贴附在环状框架3，并将半导体晶片2贴合在切割芯片接合膜1的粘接膜1b。这些贴附顺序并无限制，也可在将半导体晶片2贴合在粘接膜1b后，进行粘结带1a与环状框架3的贴合。另外，也可同时进行粘结带1a与环状框架3的贴合及半导体晶片2与粘接膜1b的贴合。
需要说明的是，在图4中，在贴合半导体晶片2与本发明的切割芯片接合膜1时，优选在高于切割芯片接合膜1的粘接膜1b的玻璃化转变温度的温度(优选为70℃以上、更优选为80℃以上，优选为100℃以下、更优选为90℃以下，优选为70℃～100℃，更优选为80℃～90℃)对半导体晶片2进行加热。
图5是用于示意性地说明半导体晶片的切割工序或改质区域形成工序的概略图。
对贴附有切割芯片接合膜1的半导体晶片2的分割预定线2a照射激光10，将半导体晶片2分割而获得半导体芯片11。需要说明的是，也可代替照射激光10，使用切割刀片等将半导体芯片分割。
或者，也可对贴附有切割芯片接合膜1的半导体晶片2的分割预定线2a照射激光10而形成改质区域。
图6是用于示意性地说明粘结带的拉伸工序的概略图。
如图6所示，在环状框架3的周向对经切割的半导体芯片11或形成改质区域的半导体晶片10、及保持粘接膜1b的粘结带1a进行拉伸，在低于粘接膜1b的玻璃化转变温度的温度或室温(优选为10℃以上、更优选为20℃以上，优选为40℃以下、更优选为30℃以下，优选为10℃～40℃、更优选为20℃～30℃，但若为人类活动的通常环境下，则也可无需特别的温度控制)下实施拉伸工序。具体而言，对于经切割的2个以上半导体芯片11或形成改质区域的半导体晶片10、及保持粘接膜1b的状态的粘结带1a，自粘结带1a的下面侧使顶推构件4上升，在环状框架3的周向拉伸粘结带1a。在形成改质区域的情况下，通过拉伸工序，沿着分割线将半导体晶片分割，从而获得半导体芯片11。另外，通过拉伸工序，沿着分割线将粘接膜1b分割，并且使半导体芯片11彼此以一定间隔向环状框架3的周向扩展，可提高CCD照相机等的半导体芯片11的识别性，且可防止拾取时因邻接的半导体芯片11彼此接触而产生的半导体芯片彼此的再粘接。
图7是用于示意性地说明半导体芯片的拾取工序的概略图。
在实施拉伸工序后，如图7所示，在保持使粘结带1a拉伸的状态下实施用于拾取半导体芯片11的拾取工序。具体而言，利用顶出销5，自粘结带1a的下面侧将半导体芯片11顶起，并且利用吸附夹头6，自粘结带1a的上面侧吸附半导体芯片11，由此将分割后的半导体芯片11与粘接膜1b一并拾取。
如上所述，可使用通过本发明的方法而获得的半导体芯片11实施芯片接合工序。具体而言，通过拾取工序中与半导体芯片11一并被拾取的粘接膜1b，可将半导体芯片11粘接在其它半导体部件或引线框架或封装基板等。
实施例
以下，基于实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。
(1)粘接膜的制作
＜粘接膜1＞
使丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯及苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸乙酯/丙烯酸丁酯/苯乙烯＝3/1/6，重均分子量：100000)45质量%、双酚F型环氧树脂(商品名：RE303，日本化药公司制造)16质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)18质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料1，对该浆料1进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜1。
＜粘接膜2＞
使甲基丙烯酸丙酯与丙烯腈及甲基丙烯酸环氧丙基酯的共聚物(聚合比：甲基丙烯酸丙酯/丙烯腈/甲基丙烯酸环氧丙基酯＝3.5/6/0.5，重均分子量：400000)26质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)25质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)28质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂从而获得浆料2，对该浆料2进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜2。
＜粘接膜3＞
使丙烯酸甲酯与苯乙烯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸＝3.5/6/0.5，重均分子量：400000)45质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)19质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)20质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)15质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料3，对该浆料3进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃下干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜3。
＜粘接膜4＞
使丙烯酸甲酯与苯乙烯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸＝6.5/3/0.5，重均分子量：400000)10质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)19质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)20质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)50质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料4，对该浆料4进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜4。
＜粘接膜5＞
使丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯及苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸乙酯/丙烯酸丁酯/苯乙烯＝3/1/6，重均分子量：100000)10质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)9质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)10质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)70质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料5，对该浆料5进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜5。
＜粘接膜6＞
使丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯及苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸乙酯/丙烯酸丁酯/苯乙烯＝3/1/6，重均分子量：100000)21质量%、联苯芳烷基型环氧树脂(商品名：NC-3000，日本化药公司制造)30质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)30质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)18质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料6，对该浆料6进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜6。
＜粘接膜7＞
使丙烯酸丁酯与丙烯腈及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸丁酯/丙烯腈/甲基丙烯酸＝4/5.5/0.5，重均分子量：400000)60质量%、联苯芳烷基型环氧树脂(商品名：NC-3000，日本化药公司制造)9质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)10质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料7，对该浆料7进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜7。
＜粘接膜8＞
使甲基丙烯酸丙酯与丙烯腈及甲基丙烯酸环氧丙基酯的共聚物(聚合比：甲基丙烯酸丙酯/丙烯腈/甲基丙烯酸环氧丙基酯＝3.5/6/0.5，重均分子量：400000)50质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)14质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)15质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料8，对该浆料8进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜8。
＜粘接膜9＞
使丙烯酸硬脂酯与丙烯酸2-羟基乙酯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸硬脂酯/丙烯酸2-羟基乙酯/甲基丙烯酸＝9/0.5/0.5，重均分子量：1000000)26质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)26质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)27质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料9，对该浆料9进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜9。
＜粘接膜10＞
使丙烯酸硬脂酯与丙烯酸2-羟基乙酯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸硬脂酯/丙烯酸2-羟基乙酯/甲基丙烯酸＝9/0.5/0.5，重均分子量：1000000)45质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)16质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)18质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)20质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料10，对该浆料10进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜10。
＜粘接膜11＞
使丙烯酸甲酯与苯乙烯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸＝6.5/3/0.5，重均分子量：100000)44质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)22质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)23质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)10质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料11，对该浆料11进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜11。
＜粘接膜12＞
使丙烯酸甲酯与苯乙烯及甲基丙烯酸的共聚物(聚合比：丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸＝6.5/3/0.5，重均分子量：100000)45质量%、联苯芳烷基型环氧树脂(商品名：NC-3000，日本化药公司制造)19质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)20质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)15质量%的混合物分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料12，对该浆料12进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜12。
＜粘接膜13＞
使丙烯酸甲酯与苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸甲酯/苯乙烯＝6.5/3.5，重均分子量：100000)5质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)21质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)23质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)50质量%的混合物分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料13，对该浆料13进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜13。
＜粘接膜14＞
使丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯及苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸乙酯/丙烯酸丁酯/苯乙烯＝3/1/6，重均分子量：100000)13质量%、双酚A型环氧树脂(商品名：RE-310，日本化药公司制造)8质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)8质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)70质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料14，对该浆料14进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜14。
＜粘接膜15＞
使丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯及苯乙烯的共聚物(聚合比：丙烯酸乙酯/丙烯酸丁酯/苯乙烯＝3/1/6，重均分子量：100000)10质量%、联苯芳烷基型环氧树脂(商品名：NC-3000，日本化药公司制造)33质量%、苯酚酚醛清漆树脂(商品名：HF-1，明和化成公司制造)33质量%、苯基咪唑(商品名：2PZ，四国化成公司制造)1质量%、及二氧化硅填料(商品名：C1，Admatechs公司制造)23质量%分散在甲基乙基酮/甲苯混合溶剂中从而获得浆料15，对该浆料15进行混练，将其涂敷在经脱模处理的PET膜上，并在120℃下干燥3分钟，从而获得粘接剂层的厚度为10μm、B阶段状态的粘接膜15。
(2)玻璃化转变温度的测定及丙烯酸系共聚物/环氧化合物相溶性的确认
按照上述粘接膜1～15的各粘接剂层的厚度成为2mm的方式进行层积，使用动态粘弹性测定装置(商品名：ARES，TAInstruments公司制造)，在液氮下，在升温速度5℃/min的条件下，使温度自-30℃升温至+80℃，并以测定频率1Hz测定耗损角正切(tanδ)。
将出现所测定的耗损角正切值的最大值的温度设为玻璃化转变温度。
进而，在所测定的耗损角正切值的最大值为1个的情况下，评价为丙烯酸共聚物与环氧化合物形成均匀相；在所测定的耗损角正切值的最大值有2个以上的情况下，评价为丙烯酸共聚物与环氧化合物处于相分离状态。
将结果示于表1中。
(3)断裂拉伸率的测定
关于粘接膜1～15，制作拉伸试验用哑铃(JISK62511号型)，利用拉伸试验机(商品名：StrographV，东洋精机公司制造)，以300mm/分钟的速度实施拉伸试验，求出断裂拉伸率。将其结果示于表1中。
(4)粘接力的测定
使用以4×4mm的粘接膜1～15将4×4mm的硅芯片粘接在铜引线框架上的样品，利用推拉力计测定在350℃加热20秒后的剪切粘接力。将其结果示于表1中。
(5)粘结带的制作
＜基材膜＞
在140℃将乙烯-甲基丙烯酸共聚物(商品名：UltratheneAN4214，DuPont-MitsuiPolychemicals公司制造)的树脂珠粒熔融，使用挤出机使其成形为厚度100μm的长条膜状，从而制作基材膜。
＜粘结带1＞
以固体成分量为30重量%的方式，使相对于丙烯酸庚酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物(聚合比：丙烯酸庚酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝9/1，重均分子量：400000)100质量份，添加有TDI系聚异氰酸酯(商品名：CoronateT，NipponPolyurethane公司制造)9质量份的混合物分散在乙酸乙酯后，将其以加热干燥后的厚度为10μm的方式层积在上述基材膜上，其后在77℃加热干燥2分钟而获得粘结带1。
＜粘结带2＞
代替丙烯酸庚酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物，使用甲基丙烯酸己酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物(聚合比：甲基丙烯酸己酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝8/2，重均分子量：500000)，除此以外，与粘结带1同样地制作粘结带2。
＜粘结带3＞
以固体成分量为30重量%的方式，使相对于甲基丙烯酸己酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物(聚合比：甲基丙烯酸己酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝8/2，重均分子量：500000)100质量份，添加有作为光聚合性固化物的三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(商品名：V295，大阪有机化学公司制造)20质量份、TDI系聚异氰酸酯(商品名：CoronateT，NipponPolyurethane公司制造)2质量份、及作为光聚合引发剂的Irgacure184(商品名，Ciba-GeigyJapan公司制造)1质量份的混合物分散在乙酸乙酯，其后，将其层积在基材膜上，除此以外，与粘结带1同样地制作粘结带3。
＜粘结带4＞
代替丙烯酸庚酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物，使用丙烯酸异辛酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物(聚合比：丙烯酸异辛酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝6/4，重均分子量：600000)，除此以外，与粘结带1同样地制作粘结带4。
表2
粘结带 丙烯酸系共聚物 烷基酯部碳原子数
1 丙烯酸庚酯/丙烯酸2-羟基乙酯 7
2 甲基丙烯酸己酯/丙烯酸2-羟基乙酯 6
3 甲基丙烯酸己酯/丙烯酸2-羟基乙酯 6
4 丙烯酸异辛酯/丙烯酸2-羟基乙酯 8
(6)切割芯片接合膜的制作
＜切割芯片接合膜1＞
将粘接膜1与粘结带1分别切割成直径220mm、270mm的圆形，贴合粘接膜1的粘接剂层与粘结带1的粘结剂层，并隔着粘接膜1的PET膜将其层积在剥离膜(商品名：SP-PET，Tohcello公司制造)上，从而制作图2及3所示的形状的切割芯片接合膜1。
＜切割芯片接合膜2＞
使用粘接膜2及粘结带2，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜2。
＜切割芯片接合膜3＞
使用粘接膜2及粘结带3，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜3。
＜切割芯片接合膜4＞
使用粘接膜2及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜4。
＜切割芯片接合膜5＞
使用粘接膜2及粘结带4，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜5。
＜切割芯片接合膜6＞
使用粘接膜3及粘结带4，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜6。
＜切割芯片接合膜7＞
使用粘接膜4及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜7。
＜切割芯片接合膜8＞
使用粘接膜5及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜8。
＜切割芯片接合膜9＞
使用粘接膜6及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜9。
＜切割芯片接合膜11＞
使用粘接膜7及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜11。
＜切割芯片接合膜12＞
使用粘接膜8及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜12。
＜切割芯片接合膜13＞
使用粘接膜9及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜13。
＜切割芯片接合膜14＞
使用粘接膜10及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜14。
＜切割芯片接合膜15＞
使用粘接膜11及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜15。
＜切割芯片接合膜16＞
使用粘接膜12及粘结带4，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜16。
＜切割芯片接合膜17＞
使用粘接膜13及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜17。
＜切割芯片接合膜18＞
使用粘接膜14及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜18。
＜切割芯片接合膜19＞
使用粘接膜15及粘结带1，除此以外，与切割芯片接合膜1同样地制作切割芯片接合膜19。
(7)半导体晶片的加工及半导体芯片的制作
实施如下所示的各工序，使用上述切割芯片接合膜来进行半导体晶片的加工，从而制作半导体芯片。
(a)在形成有电路图案的半导体晶片(厚度：50μm，直径：200mm)的表面贴合表面保护胶带(商品名：SP-594，古河电气工业公司制造)的工序
(b)对上述半导体晶片背面进行研磨的背面研磨工序
(c)将粘接膜的PET膜及剥离膜自上述切割芯片接合膜剥离，如图4所示，在将半导体晶片加热至80℃的状态下，将半导体晶片的背面与粘接剂层贴合，并且在不与上述粘接膜的粘接剂层重迭而露出的部分，隔着粘结剂层贴合半导体晶片加工用环状框架(商品名：MDTFR，DISCO公司制造)与上述切割芯片接合膜的粘结带的工序
(d)自上述半导体晶片表面剥离上述表面保护胶带的工序
(e)如图5所示，对上述半导体晶片的分割预定线2a照射激光，从而在半导体晶片的内部形成吸收多光子的改质区域的工序
(f)如图6所示，使用拉伸构件，在粘结带与半导体晶片不重迭的部分，在室温(25℃)下以5mm～10mm的扩张量(图6中的A)，自粘结带侧将上述切割芯片接合膜顶起，使粘结带及粘接膜扩张，由此沿着分割预定线将半导体晶片及粘接膜分割，从而获得附有上述粘接膜的2个以上半导体芯片(尺寸：10mm×10mm×50μm)的工序
(g)如图7所示，在保持切割芯片接合膜的扩张状态的状态下，一边利用销5自粘结带面顶起，一边利用吸附夹头6拾取附有粘接膜1b的半导体芯片11的工序
(8)加热贴合
一边使用贴合装置(商品名：PrecutTapeMounter，大宫工业公司制造)将半导体晶片加热至80℃，一边以10mm/s的速度将切割芯片接合膜贴合在半导体晶片及加工用环状框架。在上述加热贴合后，使贴合有半导体晶片的面为下侧，自切割芯片接合膜的基材膜背面以目视进行观察。将确认到在半导体晶片与切割芯片接合的间产生部分剥离而使空气渗入的状态的样品设为贴合失败，将以目视未确认到上述空气渗入的样品设为成功。
将结果示于表3及表4中。
(9)半导体晶片的分割试验
使用CCD照相机观察以5mm、7mm或10mm的扩张量进行扩张后的样品的各芯片周边，将粘接膜上的因分割所导致的龟裂在芯片的4边均连续的芯片设为分割成功芯片。将上述成功芯片以外的芯片，即粘接膜上的因分割所导致的龟裂在芯片的4边的任一边或所有边不连续(即粘接膜部分连接的状态)的样品、或在芯片的4边的任一边或所有边完全未观察到粘接膜上的因分割所导致的龟裂的样品设为分割失败芯片。
在室温(25℃)下对各样品进行3次上述试验，计算分割成功率。
(平均分割成功率)(%)＝
(成功芯片数)/(切割芯片接合膜上的总芯片数)×100
将结果示于表3及4中。
(10)拾取成功率
在上述(g)工序中，半导体芯片及粘接膜自粘结带剥离的样品之中，半导体芯片不破损、邻接的芯片彼此不粘连、且可在附着有厚度10μm±1μm的粘接膜的状态下拾取半导体芯片的比例设为拾取成功率而进行评价。试验次数：100个芯片
将结果示于表3及4中。
(11)半导体芯片的显微镜观察
使用光学显微镜，对完成拾取的半导体芯片(各样品10个)的层积有粘接膜的面进行观察。在上述观察面中，将观察到在半导体芯片未经粘接膜被覆的部分的芯片视作粘接膜缺损的芯片，将未观察到上述缺损的芯片视作成功芯片。
将结果示于表3及4中。
本发明的粘接膜在用于半导体晶片的加工方法中的情况下，即便在室温下进行拉伸，也具有足以不在粘接剂层内产生剥离的程度的凝聚力，并且在平面方向非常容易断裂，且剪切粘接力也为可充分地确保可靠性的水平。因此，自上述结果可明了：通过使用本发明的切割芯片接合膜，无需实施冷却工序而可效率良好地获得附有具有一定厚度的粘接膜的半导体芯片，也可获得粘接可靠性。
相对于此，在使用比较例的切割芯片接合膜11～14的情况下，若在室温下进行拉伸，则无法分割粘接膜的粘接剂层。另外，在使用比较例的切割芯片接合膜15的情况下，若在室温下进行拉伸，则虽可将粘接膜的粘接剂层分割，但无法将具有一定厚度的粘接膜贴合在半导体芯片。另外，在使用比较例的切割芯片接合膜16的情况下，无法在80℃将切割芯片接合膜与半导体晶片贴合，而必需在更高温的条件下进行贴合。另外，在使用比较例的切割芯片接合膜17的情况下，若在室温下进行拉伸，则虽可分割粘接膜的粘接剂层，但无法拾取经分割的半导体芯片。另外，在使用比较例的切割芯片接合膜18的情况下，若在室温下进行拉伸，则虽可分割粘接膜的粘接剂层，并拾取经分割的半导体芯片，但粘接膜的粘接力非常小，而无法确保粘接可靠性。另外，在使用比较例的切割芯片接合膜19的情况下，若在室温下进行拉伸，则虽可分割粘接膜的粘接剂层，但拾取经分割的半导体芯片的工序的成品率非常差。
虽说明了本发明与其实施方式，但只要本发明没有特别指定，则即使在说明本发明的任一细部中，皆非用以限定本发明，且只要在不违反权利要求书所示的发明精神与范围下，应作最大范围的解释。
本申请主张基于2011年7月1日在日本提出申请的特愿2011-147778的优先权，本发明是参照此申请案并将其内容加入作为本说明书记载的一部份。
符号说明
1切割芯片接合膜
1a粘结带
1b粘接膜
11b粘接剂层
12b剥离膜
1c剥离膜
2半导体晶片
2a分割预定线
2b已形成改质区域的分割预定线
3环状框架
4顶推构件
5顶出销
6吸附夹头
10激光
11半导体芯片
A扩张量

Claims (7)

1.一种粘接膜，其是由含有9质量％以上30质量％以下的环氧化合物、10质量％以上45质量％以下的丙烯酸系共聚物、及15质量％以上且75质量％以下的无机填料的树脂组合物构成的；
所述丙烯酸系共聚物含有包含至少1种(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元的2种以上的构成单元；
所述(甲基)丙烯酸烷基酯成分中，至少1种成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为3以下；
在B阶段状态中，玻璃化转变温度为26℃以上60℃以下，所述丙烯酸系共聚物与所述环氧化合物形成均匀相，且断裂拉伸率为3％以下。
2.一种切割芯片接合膜，其层积有粘结带与权利要求1所述的粘接膜。
3.如权利要求2所述的切割芯片接合膜，其中，所述粘结带的粘结剂层由含有80质量％以上且99质量％以下的丙烯酸系共聚物的树脂组合物形成，所述丙烯酸系共聚物含有(甲基)丙烯酸烷基酯成分作为构成单元，所述(甲基)丙烯酸烷基酯成分的烷基酯部分中的烷基的碳原子数为7以上。
4.一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
沿着分割预定线将半导体晶片的表面切削至规定深度，并贴合表面保护胶带；
通过对所述半导体晶片的背面进行研磨直至到达上述工序中所切削的规定深度从而进行分割；
以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度对该半导体晶片进行加热，在该状态下，将该已分割的半导体晶片与权利要求2或3所述的切割芯片接合膜贴合；
通过在低于所述粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割线对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
5.一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
对于半导体晶片与权利要求2或3所述的切割芯片接合膜，在以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度加热该半导体晶片的状态下进行贴合；
对所述半导体晶片的内部照射激光从而沿着分割预定线形成改质区域；
通过在低于该粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割预定线对所述半导体晶片与切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
6.一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
对于半导体晶片与权利要求2或3所述的切割芯片接合膜，在以高于该切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度加热该半导体晶片的状态下进行贴合；
照射激光从而沿着分割预定线对该半导体晶片进行分割；
通过在低于该粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而沿着分割线对切割芯片接合膜的粘接膜进行分割；以及
获得附有粘接剂层的半导体芯片。
7.一种半导体部件加工方法，其包含下述工序：
贴合半导体晶片与权利要求2或3所述的切割芯片接合膜的工序、分割所述半导体晶片的工序、及通过对所述切割芯片接合膜进行拉伸而将粘接膜分割的工序，并且
在以高于权利要求2或3所述的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度对半导体晶片进行加热的状态下，将所述半导体晶片及所述切割芯片接合膜贴合，
通过在低于权利要求2或3所述的切割芯片接合膜的粘接膜的玻璃化转变温度的温度或室温下对所述切割芯片接合膜进行拉伸，从而将所述粘接膜分割。
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