JP6995505B2 - ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

Description

本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳細には、本発明は、半導体装置の製造過程で使用することができるダイシングダイボンドフィルムに関する。

半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを有する半導体チップ、すなわち、ダイボンディング用接着剤層付き半導体チップを得る過程で、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材及び粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。

ダイシングダイボンドフィルムを使用して接着剤層付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断させるための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼り合わせる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。次に、ダイシングテープ上のダイボンドフィルムを割断させるために、エキスパンド装置を使用してダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを半導体ウエハの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばす。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルム又はダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ダイシングテープ上の割断後の複数のダイボンドフィルム付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程を行う。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップをそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げてダイシングテープ上からピックアップする。このようにして、ダイボンドフィルムすなわち接着剤層付き半導体チップが得られる。この接着剤層付き半導体チップは、その接着剤層を介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１～３に記載されている。

特開２００７－２１７３号公報 特開２０１０－１７７４０１号公報 特開２０１６－１１５８０４号公報

近年、半導体装置及びそのパッケージの高機能化、薄型化、小型化がより一層求められている。その一策として、半導体素子（半導体チップ）をその厚さ方向に複数段に積層させて半導体素子の高密度集積化を図る３次元実装技術が開発されている。

上記３次元実装技術としては、例えば、基板等の被着体上に、ダイボンドフィルム付き半導体チップとして半導体チップを固定し、この最下段の半導体チップ上に、別途得られたダイボンドフィルム付き半導体チップを順次積層していく技術が知られている。積層の際、下側となる半導体チップのワイヤーボンド面（上面）の電極パッドを避けるように、上側となるダイボンドフィルム付き半導体チップを下側となる半導体チップに対して面広がり方向にずらして固定することがある。このような技術により得られた、被着体上にダイボンドフィルムを用いて半導体チップが多段積層された半導体装置（多段積層半導体装置）は、階段状となり、ダイボンドフィルム付き半導体チップが下側の半導体チップの上面から面広がり方向にはみ出た部分（いわゆるオーバーハング部）を段ごとに有する。

半導体チップと被着体とは、半導体チップ上面の電極パッドと被着体の有する端子部とをボンディングワイヤーを介して電気的に接続される（ワイヤーボンディング）。ワイヤーボンディングのための半導体チップ上面の電極パッドとボンディングワイヤーとの結線は、加熱下で超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。ここで、半導体チップのオーバーハング部上に存在する電極パッドにワイヤーボンディングを行う際、超音波による振動やオーバーハング部への加圧による負荷に起因してオーバーハング部が揺れて結線が困難となる、オーバーハング部の半導体チップが折れ曲がることがある等という問題があった。

このような問題は、半導体チップの接着に用いるダイボンドフィルムをある程度硬くすることで軽減することができる。但し、ダイボンドフィルムが、ダイボンドフィルム付き半導体チップの積層時にはある程度の粘着性を有し、且つ結線時にはある程度の硬さを有することとするためには、半導体チップの積層後から結線前の間に、上記問題が生じにくくなる程度までダイボンドフィルムを硬化させる手法が考えられる。しかしながら、充分なダイボンドフィルムの硬化に時間がかかると生産性が低下する。このため、ダイボンドフィルムには短時間で硬化可能であることが求められる。

一方、短時間で硬化可能であるダイボンドフィルムは、保存中にも硬化が進行しやすい傾向にあるため、保存安定性（特に、室温での保存安定性）に劣る傾向がある。すなわち、短時間での硬化性と保存安定性とはトレードオフの関係にある。従って、保存安定性に優れながら、短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディング（特に、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディング）を行うことが可能なダイボンドフィルム（接着剤層）が求められている。

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、保存安定性に優れながら、短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディングを行うことが可能な接着剤層を有するダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、熱硬化性成分、フィラー、及び硬化促進剤を含有し、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量が、加熱前の発熱量の６０％以下であり、上記加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下である接着剤層を用いると、ダイシングダイボンドフィルムとしても保存安定性に優れながら、接着剤層は短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディングを行うことが可能であることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

すなわち、本発明は、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、上記接着剤層は、熱硬化性成分、フィラー、及び硬化促進剤を含有し、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量が、加熱前の発熱量の６０％以下であり、上記加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下である、ダイシングダイボンドフィルムを提供する。

本発明のダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープ及び接着剤層を備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程で接着剤層付き半導体チップを得るために使用することができる。

本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記接着剤層は、上述のように、熱硬化性成分、フィラー、及び硬化促進剤を含有する。そして、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量が、加熱前の発熱量の６０％以下である。これは、１３０℃、３０分間の条件での加熱により、加熱前の接着剤層中の未硬化である熱硬化性成分の６０％以上が硬化することを意味する。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層が上記構成を有することにより、上記接着剤層は、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層の硬化割合が大きいため、短時間で硬化可能であり、短時間で貯蔵弾性率を向上させることができる。また、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層の硬化割合が大きいため、保存中も加熱前までは硬化が起こりにくく、すなわち保存安定性に優れる。

また、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおいて、上記接着剤層は、上述のように、上記加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下である。上記加熱後の貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であることにより、接着剤層は、短時間で硬化可能でありながら、硬化後はある程度の硬さを有するため、硬化後は適切なワイヤーボンディングを行うことが可能である。特に、上記接着剤層をオーバーハング部を有する多段積層半導体装置に用いた場合であっても、ワイヤーボンディング時の超音波による振動やオーバーハング部への加圧による負荷に起因するオーバーハング部の揺れを抑制でき、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディングを行うことが可能である。また、上記加熱後の貯蔵弾性率が４０００ＭＰａ以下であることにより、硬化後においても被着体との接着信頼性や半導体チップ同士の接着信頼性に優れる。

また、上記接着剤層における上記熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂及び／又は熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂であることが好ましい。上記接着剤層は、熱硬化性成分として、熱硬化性樹脂あるいは熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂を用いた構成において、保存安定性に優れながら、短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディング（特に、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディング）を行うことが可能である。

また、上記接着剤層は、９０℃における粘度が３００～１０００００Ｐａ・ｓであることが好ましい。多段積層半導体装置は、一般的に、回路層が多いために半導体チップが大きく反りやすく、これに起因して半導体チップが剥離しやすい傾向がある。しかしながら、上記接着剤層の９０℃における粘度が３００Ｐａ・ｓ以上であると、比較的反りやすい半導体チップにダイボンドした際はダイボンドステージからの熱により粘度が低下し、半導体チップが反った場合でも半導体チップの剥離が起こりにくい。また、上記粘度が１０００００Ｐａ・ｓ以下であると、硬化後においても被着体との接着信頼性や半導体チップ同士の接着信頼性により優れる。

また、上記接着剤層における上記フィラーは、平均粒径７０～３００ｎｍのシリカであることが好ましい。上記平均粒径は、ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層に通常用いられるフィラーの平均粒径よりも比較的小さいものである。上記フィラーとして通常よりも比較的小さい３００ｎｍ以下の平均粒径を有するシリカを用いると、接着剤層中におけるフィラーの表面積が大きく、反応促進剤がフィラーによりトラップされることにより、保存中の反応促進剤の作用が抑制されるものと推測され、保存安定性により優れる。また、上記フィラーとして平均粒径が７０ｎｍ以上の平均粒径を有するシリカを用いると、接着剤層の硬化性が向上し、比較的短時間の条件での加熱による接着剤層の硬化割合が大きくなりやすい。また、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。

本発明のダイシングダイボンドフィルムは、保存安定性に優れながら、短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディングを行うことが可能な接着剤層を有する。このため、本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて得られる接着剤層付き半導体チップを、オーバーハング部を有する多段積層半導体装置に適用した場合、保存安定性に優れ且つ短時間で硬化可能でありながら、ワイヤーボンディング時の超音波による振動やオーバーハング部への加圧による負荷に起因するオーバーハング部の揺れを抑制でき、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディングを行うことが可能である。

また、保存安定性の観点からダイシングダイボンドフィルムは一般的に冷蔵保管されるが、この場合、使用時には常温に戻す必要がある。このため、冷蔵保管する場合は常温に戻すための時間が必要となり、生産性が低下する。一方、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、常温での保存安定性にも優れ、使用時に常温に戻す必要がなく、生産性にも優れる。

本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法における一部の工程を表す。 図２に示す工程の後に続く工程を表す。 図３に示す工程の後に続く工程を表す。 図４に示す工程の後に続く工程を表す。 図５に示す工程の後に続く工程を表す。 図６に示す工程の後に続く工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。 図１に示すダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法の変形例における一部の工程を表す。

［ダイシングダイボンドフィルム］
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層と、を備える。本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。図１は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１は、ダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０における粘着剤層１２上に積層された接着剤層２０とを備え、半導体装置の製造において接着剤層付き半導体チップを得る過程でのエキスパンド工程に使用することのできるものである。また、ダイシングダイボンドフィルム１は、半導体装置の製造過程における加工対象の半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有する。ダイシングダイボンドフィルム１の直径は、例えば、３４５～３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５～２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５～２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、又は、４９５～５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。

（接着剤層）
接着剤層２０は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能を有し、さらに必要に応じて半導体ウエハ等のワークとリングフレーム等のフレーム部材とを保持するための粘着機能を併有する。接着剤層２０は、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断させて使用される。

接着剤層２０及び接着剤層２０を形成する接着剤は、熱硬化性成分、フィラー、及び硬化促進剤を含有する。上記熱硬化性成分としては、熱硬化性樹脂、及び硬化剤と反応して結合を生じ得る硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂（熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂）のうちの少なくとも一方であることが好ましい。すなわち、上記熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂及び／又は熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂であることが好ましい。接着剤層２０は、熱硬化性成分として、熱硬化性樹脂あるいは熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂を用いた構成において、保存安定性に優れながら、短時間で硬化可能であり、且つ硬化後は適切なワイヤーボンディング（特に、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディング）を行うことが可能である。接着剤層２０が上記熱硬化性成分として熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂に加えて、例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。接着剤層２０が、熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂を含む場合、接着剤層２０は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）を含む必要はない。接着剤層２０は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。

エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。

接着剤層２０において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中のヒドロキシ基が好ましくは０．５～２．０当量、より好ましくは０．７～１．５当量となる量で含まれる。

接着剤層２０が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、接着剤層２０の総質量に対して、１０～７０質量％が好ましく、より好ましくは２０～６０質量％である。上記含有割合が１０質量％以上であると、接着剤層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させやすく、また、上記貯蔵弾性率を高くすることができ、適切なワイヤーボンディング（特に、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディング）を実現しやすい。上記含有割合が７０質量％以下であると、上記貯蔵弾性率が高くなりすぎることを抑制し、多段積層半導体装置において半導体チップが反った場合でも半導体チップの剥離がより起こりにくい。

上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着剤層２０による接着信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。

上記アクリル系樹脂は、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び／又は「メタクリル」（「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方）を表し、他も同様である。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ－ブチルエステル、ｔ－ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２－エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（ラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記（メタ）アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を接着剤層２０において適切に発現させるためには、アクリル樹脂を形成するための全モノマー成分における、上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルの割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。

上記アクリル樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル、（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を接着剤層２０において適切に発現させるためには、アクリル樹脂を形成するための全モノマー成分における、上記他のモノマー成分の割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。

接着剤層２０が熱可塑性樹脂を含む場合、上記熱可塑性樹脂の含有割合は、接着剤層２０の総質量に対して、３～４０質量％が好ましく、より好ましくは１０～３０質量％である。上記含有割合が３質量％以上であると、上記貯蔵弾性率が高くなりすぎることを抑制し、多段積層半導体装置において半導体チップが反った場合でも半導体チップの剥離がより起こりにくい。上記含有割合が４０質量％以下であると、上記貯蔵弾性率を比較的高くすることができ、適切なワイヤーボンディング（特に、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディング）を実現しやすい。

上記熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含む。当該（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の熱可塑性樹脂としてのアクリル系樹脂を形成する（メタ）アクリル酸エステルとして例示された（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましい。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。

ダイボンディングのために硬化される前の接着剤層２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着剤層２０に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分として接着剤層を形成する組成物（接着剤組成物）に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着剤層２０について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。接着剤組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着剤層２０の凝集力向上の観点からは０．０５質量部以上が好ましく、形成される接着剤層２０の接着力向上の観点からは７質量部以下が好ましい。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。

接着剤層２０に配合され得る上記アクリル樹脂及び上記熱硬化性官能基含有アクリル樹脂のガラス転移温度は、好ましくは－４０～１０℃である。ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの質量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫７ 塗料用合成樹脂入門」（北岡協三 著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７－５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
Ｆｏｘの式 １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］

接着剤層２０は、上述のように、フィラーを含有する。接着剤層２０へのフィラーの配合により、接着剤層２０の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、シリカ（結晶質シリカ、非晶質シリカ等）の他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。上記フィラーとしては、中でも、他のフィラーと対比して平均粒径を調整しやすいため保存安定性の向上を容易に行える観点、さらには低コスト、絶縁性であることの観点から、シリカが好ましい。

上記フィラーは、表面に放射線硬化性の炭素－炭素二重結合（特に、ラジカル重合性官能基）を有しないことが好ましい。フィラーが表面に放射線硬化性の炭素－炭素二重結合を有する場合、放射線照射より粘着剤層１２中のポリマーとの反応が進行する可能性がある。このため、上記表面に放射線硬化性の炭素－炭素二重結合を有しないフィラーを用いることにより、保存安定性がより向上する。また、粘着剤層１２の放射線硬化後に後述のピックアップ工程を行う場合、当該ピックアップ工程において粘着剤層１２からの接着剤層付き半導体チップ３１のピックアップをより容易に行うことができる。上記表面に放射線硬化性の炭素－炭素二重結合を有しないフィラーとしては、表面処理が施されていないフィラーを用いることができる。

上記フィラーの平均粒径は、７０～３００ｎｍが好ましく、より好ましくは７５～２５０ｎｍである。上記平均粒径は、ダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層に通常用いられるフィラーの平均粒径よりも比較的小さいものである。上記フィラーとして通常よりも比較的小さい３００ｎｍ以下の平均粒径を有するフィラーを用いると、接着剤層中におけるフィラーの表面積が大きく、反応促進剤がフィラーによりトラップされることにより、保存中の反応促進剤の作用が抑制されるものと推測され、保存安定性により優れる。また、上記フィラーとして平均粒径が７０ｎｍ以上の平均粒径を有するフィラーを用いると、フィラーによる硬化促進剤のトラップが適度なものとなると推測され、硬化促進剤の作用を維持することにより接着剤層２０の硬化性が向上し、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層２０の硬化割合がより大きくなりやすい。また、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。なお、フィラーの平均粒径は、以下のようにして求める。硬化後の接着剤層２０を樹脂に包埋させ、包埋した樹脂から接着剤層の断面を表出させ、当該断面をＣＰ加工装置によるイオンミリング加工後、導電処理を施しＦＥ－ＳＥＭ観察を行って反射電子像を得、取り込んだ画像内のフィラーの面積を画像内のフィラー個数で割り、フィラーの平均面積を求めて、これをフィラーの平均粒径とする。特に、上記フィラーは、平均粒径が上記範囲内であるシリカであることが好ましい。

接着剤層２０中のフィラーの含有割合は、接着剤層２０の総質量に対して、３～６０質量％が好ましく、より好ましくは２０～５０質量％である。上記含有割合が３質量％以上であると、後述のクールエキスパンド工程において接着剤層２０をより良好に割断しやすく、また、後述のピックアップ工程において接着剤層付き半導体チップをより良好にピックアップすることができる。上記含有割合が６０質量％以下であると、粘着剤層１２との密着性、半導体チップ同士あるいは被着体と半導体チップの接着性がより良好となる。

接着剤層２０は、上述のように、硬化促進剤を含有する。接着剤層２０への硬化促進剤の配合により、接着剤層２０の硬化にあたって熱硬化性成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めることができる。上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルホスフィン系化合物、アミン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。トリフェニルホスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ－メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、ジフェニルトリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド等が挙げられる。トリフェニルホスフィン系化合物には、トリフェニルホスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。このような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン等が挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート、ジシアンジアミド等が挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボラン等が挙げられる。硬化促進剤は、一種のみ使用してもよいし、二種以上使用してもよい。

接着剤層２０中の硬化促進剤の含有量は、熱硬化性成分１００質量部に対して、０．１５～１０質量部が好ましく、より好ましくは０．２～３質量部である。上記含有量が０．１５質量部以上であると、硬化促進剤の作用がより充分に発揮され、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層２０の硬化がより大きく進行しやすい。上記含有量が１０質量部以下であると、保存安定性により優れる。

接着剤層２０は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ?３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ?１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、ケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）等が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－｛Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル｝ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチル－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔ－オクチル－６’－ｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１－（２’，３’－ヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－（１，２－ジカルボキシジエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２－エチルヘキシルアミノメチル）ベンゾトリアゾール、２，４－ジ－ｔ－ペンチル－６－｛（Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル｝フェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－ブチルフェニル）－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－エチルヘキシル－３－［３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－（５－クロロ－２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）フェニル］プロピオネート、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－６－（１－メチル－１－フェニルエチル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール、２－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔ－ブチルフェノール、２－（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－５－ｔ－オクチルフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－５－クロロ－ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ジ（１，１－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－（１，１，３，３－テトラメチルブチル）フェノール］、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α－ジメチルベンジル）フェニル］－２Ｈ－ベンゾトリアゾール、メチル－３?［３－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－５－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル］プロピオネート等が挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の特定のヒドロキシ基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのようなヒドロキシ基含有化合物としては、具体的には、１，２－ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用していてもよい。

接着剤層２０の厚さ（積層体の場合は、総厚み）は、特に限定されないが、例えば１～２００μｍである。上限は、１００μｍが好ましく、より好ましくは８０μｍである。下限は、３μｍが好ましく、より好ましくは５μｍである。

接着剤層２０は、上述のように、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量が、加熱前の発熱量の６０％以下である。すなわち、［１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量（Ｊ／ｇ）／加熱前の発熱量（Ｊ／ｇ）×１００］（％）が６０％以下である。これは、１３０℃、３０分間の条件での加熱により、加熱前の接着剤層中の未硬化である熱硬化性成分の６０％以上が硬化することを意味する。本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける接着剤層が上記構成を有することにより、上記接着剤層は、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層の硬化割合が大きいため、短時間で硬化可能であり、短時間で貯蔵弾性率を向上させることができる。また、比較的短時間の加熱条件での加熱による接着剤層の硬化割合が大きいため、保存中も加熱前までは硬化が起こりにくく、すなわち保存安定性に優れる。上記１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量は、加熱前の発熱量の５０％以下であることが好ましく、より好ましくは４０％以下である。下限は、０％であってもよく、１０％であってもよい。

接着剤層２０の、加熱前のＤＳＣ測定による発熱量は、２０～５００Ｊ／ｇであることが好ましく、より好ましくは５０～３００Ｊ／ｇである。上記発熱量が２０Ｊ／ｇ以上であると、接着剤層２０は比較的短時間の加熱条件での加熱により硬化がより大きく進行し得る。上記発熱量が５００Ｊ／ｇ以下であると、接着剤層２０表面の粘着力をある程度確保でき、ダイシングダイボンドフィルムの使用過程において半導体ウエハ及び半導体チップに対する密着性に優れる。

接着剤層２０の、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量は、５～６０Ｊ／ｇであることが好ましく、より好ましくは１０～５０Ｊ／ｇである。上記発熱量が５Ｊ／ｇ以上であると、ワイヤーボンディング工程より後の封止工程において封止樹脂と一括に硬化することができる。上記発熱量が６０Ｊ／ｇ以下であると、接着剤層２０は比較的短時間の加熱条件での加熱により硬化がより大きく進行し得る。

上記ＤＳＣ測定による発熱量は、示差走査熱量測定装置を用い、接着剤層２０を０℃から３５０℃まで昇温速度１０℃／ｍｉｎにて昇温させた際の全発熱量［Ｊ／ｇ］である。ＤＳＣ測定に用いる接着剤層２０の質量は、例えば１０～１５ｍｇである。

上記ＤＳＣ測定による、加熱前の発熱量及び１３０℃で３０分間加熱した後の発熱量は、接着剤層２０中の熱硬化性成分の割合、硬化促進剤の量、フィラーの割合及び粒径等により制御することができる。具体的には、熱硬化性成分の割合が多いほど加熱前の発熱量が大きくなる傾向がある。硬化促進剤の量が多いほど比較的短時間での硬化の進行が大きくなるため１３０℃で３０分間加熱した後の発熱量が小さくなる傾向がある。フィラーの割合が少ないほど、またフィラーの粒径が大きいほど、トラップする硬化促進剤の量が少なくなると推測され、比較的短時間での硬化の進行が大きくなり１３０℃で３０分間加熱した後の発熱量が小さくなる傾向がある。

接着剤層２０は、上述のように、上記加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下である。上記加熱後の貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であることにより、接着剤層は、短時間で硬化可能でありながら、硬化後はある程度の硬さを有するため、硬化後は適切なワイヤーボンディングを行うことが可能である。特に、上記接着剤層をオーバーハング部を有する多段積層半導体装置に用いた場合であっても、ワイヤーボンディング時の超音波による振動やオーバーハング部への加圧による負荷に起因するオーバーハング部の揺れを抑制でき、オーバーハング部への適切なワイヤーボンディングを行うことが可能である。また、上記加熱後の貯蔵弾性率が４０００ＭＰａ以下であることにより、硬化後においても被着体との接着信頼性や半導体チップ同士の接着信頼性に優れる。上記貯蔵弾性率の上限は、２０００ＭＰａであってもよく、１０００ＭＰａであってもよく、５００ＭＰａであってもよい。

上記貯蔵弾性率は、粘断性測定装置を用い、周波数１Ｈｚ、初期チャック間距離１０ｍｍ、歪み０．１％の条件で、引張モードにて測定される、１３０℃における動的貯蔵弾性率である。

上記貯蔵弾性率は、接着剤層２０中の熱硬化性成分の割合、熱可塑性樹脂の割合、硬化促進剤の量、フィラーの割合等により制御することができる。具体的には、熱硬化性成分の割合、硬化促進剤の量、及びフィラーの割合が多いほど加熱後の接着剤層２０が硬くなるため、貯蔵弾性率が高くなる傾向がある。一方、熱可塑性樹脂の割合が多いほど加熱後の接着剤層２０がやわらかくなるため、貯蔵弾性率が低下する傾向がある。

接着剤層２０の９０℃における粘度は、３００～１０００００Ｐａ・ｓであることが好ましい。上述の多段積層半導体装置は、一般的に、回路層が多いために半導体チップが大きく反りやすく、これに起因して半導体チップが剥離しやすい傾向がある。しかしながら、接着剤層２０の９０℃における粘度が３００Ｐａ・ｓ以上であると、比較的反りやすい半導体チップにダイボンドした際はダイボンドステージからの熱により粘度が低下し、半導体チップが反った場合でも半導体チップの剥離が起こりにくい。また、上記粘度が１０００００Ｐａ・ｓ以下であると、硬化後においても被着体との接着信頼性や半導体チップ同士の接着信頼性により優れる。上記粘度は、５００～５００００Ｐａ・ｓが好ましく、より好ましくは１０００～４００００Ｐａ・ｓである。また、２３℃で２８日間保存後の接着剤層２０の９０℃における粘度が、上記範囲内であることが好ましい。上記粘度は、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径８ｍｍ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、歪み１０％、周波数５ｒａｄ／ｓｅｃの条件下にて回転式粘度計により測定される値である。

接着剤層２０の、２３℃で２８日間保存後の９０℃における粘度の増加率（粘度増加率）［｛２３℃で２８日間保存後の９０℃における粘度（Ｐａ・ｓ）－９０℃における粘度（Ｐａ・ｓ）｝／｛９０℃における粘度（Ｐａ・ｓ）｝×１００］（％）は、１５０％未満であることが好ましく、より好ましくは１００％未満である。上記粘度の増加率が１５０％未満であると、保存安定性により優れる。上記粘度の増加率の下限は、０％であってもよい。

（基材）
ダイシングテープ１０における基材１１は、ダイシングテープ１０やダイシングダイボンドフィルム１において支持体として機能する要素である。基材１１としては、例えば、プラスチック基材（特にプラスチックフィルム）が挙げられる。上記基材１１は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。

上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂；ポリウレタン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエーテルイミド；アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド；ポリフェニルスルフィド；フッ素樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；セルロース樹脂；シリコーン樹脂等が挙げられる。基材１１において良好な熱収縮性を確保して、後述の常温エキスパンド工程においてチップ離間距離をダイシングテープ１０又は基材１１の部分的熱収縮を利用して維持しやすい観点から、基材１１は、エチレン－酢酸ビニル共重合体を主成分として含むことが好ましい。なお、基材１１の主成分とは、構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。上記樹脂は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。粘着剤層１２が後述のように放射線硬化型粘着剤層である場合、基材１１は放射線透過性を有することが好ましい。

基材１１がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向（一軸方向、二軸方向等）に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープ１０の、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化された接着剤層付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材１１及びダイシングテープ１０が等方的な熱収縮性を有するためには、基材１１は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸（一軸延伸、二軸延伸等）することにより得ることができる。基材１１及びダイシングテープ１０は、加熱温度１００℃及び加熱時間処理６０秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、１～３０％であることが好ましく、より好ましくは２～２５％、さらに好ましくは３～２０％、特に好ましくは５～２０％である。上記熱収縮率は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。

基材１１の粘着剤層１２側表面は、粘着剤層１２との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理；クロム酸処理等の化学的処理；コーティング剤（下塗り剤）による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材１１表面に設けてもよい。密着性を高めるための表面処理は、基材１１における粘着剤層１２側の表面全体に施されていることが好ましい。

基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０及びダイシングダイボンドフィルム１における支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、４０μｍ以上が好ましく、より好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは５５μｍ以上、特に好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０及びダイシングダイボンドフィルム１において適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、２００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下である。

（粘着剤層）
ダイシングダイボンドフィルム１における粘着剤層１２は、ダイシングダイボンドフィルム１の使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤層（粘着力低減可能型粘着剤層）であってもよいしダイシングダイボンドフィルム１の使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤層（粘着力非低減型粘着剤層）であってもよく、ダイシングダイボンドフィルム１を使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。

粘着剤層１２が粘着力低減可能型粘着剤層である場合、ダイシングダイボンドフィルム１の製造過程や使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルム１の製造過程でダイシングテープ１０の粘着剤層１２に接着剤層２０を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルム１がダイシング工程に使用される時には、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層１２から接着剤層２０等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層１２の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。

このような粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、例えば、放射線硬化性粘着剤、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着力低減可能型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を使用してもよいし、二種以上の粘着剤を使用してもよい。

上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好ましく用いることができる。

上記放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。

上記アクリル系ポリマーは、ポリマーの構成単位として、アクリル系モノマー（分子中に（メタ）アクリロイル基を有するモノマー成分）に由来する構成単位を含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多く含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。

上記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルとしては、上述の接着剤層２０に含まれ得る熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂の構成単位として例示されたものが挙げられる。上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルの割合は、４０質量％以上が好ましく、より好ましくは６０質量％以上である。

上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、上述の接着剤層２０に含まれ得る熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂の構成単位として例示されたものが挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における、上記他のモノマー成分の合計割合は、６０質量％以下が好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。

上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来する構成単位を含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート（例えば、ポリグリシジル（メタ）アクリレート）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等の分子内に（メタ）アクリロイル基と他の反応性官能基を有する単量体等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層１２において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以下である。

アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。

アクリル系ポリマーの質量平均分子量は、１０万以上が好ましく、より好ましくは２０万～３００万である。質量平均分子量が１０万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、接着剤層や半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。

粘着剤層１２あるいは粘着剤層１２を形成する粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層１２中の低分子量物質をより低減させることができる。また、アクリル系ポリマーの質量平均分子量を高めることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物等）、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー１００質量部に対して、５質量部程度以下が好ましく、より好ましくは０．１～５質量部である。

上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が１００～３００００程度のものが好ましい。粘着剤層１２を形成する放射線硬化性粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー１００質量部に対して、例えば５～５００質量部、好ましくは４０～１５０質量部程度である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。

上記放射線硬化性粘着剤としては、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤を用いると、形成された粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。

上記内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素－炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第１の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合（共重合）させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第１の官能基と反応し得る第２の官能基及び放射線重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物を、炭素－炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。

上記第１の官能基と上記第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第１の官能基がヒドロキシ基であり、上記第２の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。イソシアネート基及び放射性重合性の炭素－炭素二重結合を有する化合物、すなわち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来する構成単位を含むものが挙げられる。

上記放射線硬化性粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α－ケトール系化合物としては、例えば、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフエノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、２－ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２－クロロチオキサントン、２－メチルチオキサントン、２，４－ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、例えば０．０５～２０質量部である。

上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分（発泡剤、熱膨張性微小球等）を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン－３，３’－ジスルホニルヒドラジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物；ｐ－トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４’－オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）等のセミカルバジド系化合物；５－モルホリル－１，２，３，４－チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ’－ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジニトロソテレフタルアミド等のＮ－ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。

上記粘着力非低減型粘着剤層としては、例えば、感圧型粘着剤層が挙げられる。なお、感圧型粘着剤層には、粘着力低減可能型粘着剤層に関して上述した放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層を予め放射線照射によって硬化させつつも一定の粘着力を有する形態の粘着剤層が含まれる。粘着力非低減型粘着剤層を形成する粘着剤としては、一種の粘着剤を使用してもよいし、二種以上の粘着剤を使用してもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、粘着剤層１２における特定の部位（例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域）が粘着力非低減型粘着剤層であり、他の部位（例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域）が粘着力低減可能型粘着剤層であってもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよいし、積層構造中の一部の粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤層であってもよい。

放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層（放射線未照射放射線硬化型粘着剤層）を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤層（放射線照射済放射線硬化型粘着剤層）は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤層を用いる場合、粘着剤層１２の面広がり方向において、粘着剤層１２の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であってもよく、粘着剤層１２の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤層であり且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤層であってもよい。なお、本明細書において、「放射線硬化型粘着剤層」とは、放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層をいい、放射線硬化性を有する放射線未照射放射線硬化型粘着剤層及び当該粘着剤層が放射線照射により硬化した後の放射線硬化済放射線硬化型粘着剤層の両方を含む。

上記感圧型粘着剤層を形成する粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層１２が感圧型の粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を質量割合で最も多い構成単位として含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化性粘着剤に含まれ得るアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。

粘着剤層１２又は粘着剤層１２を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料等）等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。

粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、粘着剤層１２が放射線硬化性粘着剤から形成された粘着剤層である場合に当該粘着剤層１２の放射線硬化の前後における接着剤層２０に対する接着力のバランスをとる観点から、１～５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２～３０μｍ、さらに好ましくは５～２５μｍである。

ダイシングダイボンドフィルム１は、セパレータを有していてもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルム１ごとに、セパレータを有するシート状の形態であってもよいし、セパレータが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルム１が配され且つ当該セパレータが巻き回されてロールの形態とされていてもよい。セパレータは、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルム１を使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が挙げられる。セパレータの厚さは、例えば５～２００μｍである。

本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルム１は、例えば、次の通りにして製造される。まず基材１１は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。

次に、基材１１上に、粘着剤層１２を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層を形成する組成物（粘着剤組成物）を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層１２を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度８０～１５０℃、時間０．５～５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層１２を形成してもよい。その後、基材１１上に粘着剤層１２をセパレータと共に貼り合わせる。以上のようにして、ダイシングテープ１０を作製することができる。

接着剤層２０について、まず、熱硬化性成分、フィラー、硬化促進剤、溶媒等を含む、接着剤層２０を形成する組成物（接着剤組成物）を作製する。次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、接着剤層２０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度７０～１６０℃、時間１～５分間の範囲内で行われる。

続いて、ダイシングテープ１０及び接着剤層２０からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層２０と粘着剤層１２とが貼り合わせ面となるようにして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば、３０～５０℃が好ましく、より好ましくは３５～４５℃である。また、線圧は特に限定されず、例えば、０．１～２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、より好ましくは１～１０ｋｇｆ／ｃｍである。

上述のように、粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合に接着剤層２０の貼り合わせより後に粘着剤層１２に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材１１の側から粘着剤層１２に放射線照射を行い、その照射量は、例えば５０～５００ｍＪであり、好ましくは１００～３００ｍＪである。ダイシングダイボンドフィルム１において粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（照射領域Ｒ）は、通常、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。部分的に照射領域Ｒを設ける場合、照射領域Ｒを除く領域に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射して照射領域Ｒを形成する方法も挙げられる。

以上のようにして、例えば図１に示すダイシングダイボンドフィルム１を作製することができる。

ダイシングダイボンドフィルム１は、半導体装置の製造に用いることができる。具体的には、後述の半導体装置の製造方法に記載の通りである。そして、ダイシングダイボンドフィルム１における接着剤層２０は、製造される半導体装置に組み込まれる。具体的には、被着体と半導体チップの接着用途及び／又は半導体チップ同士の接着用途に用いられることが好ましく、より好ましくは、図７（ｂ１）、図７（ｂ２）、及び図７（ｃ）に示すように、半導体チップが多段積層された半導体装置（多段積層半導体装置）における、被着体と半導体チップの接着用途及び／又は半導体チップ同士の接着用途に用いられることである。接着剤層２０は、特に、図７（ｂ１）、図７（ｂ２）、及び図７（ｃ）に示すように、オーバーハング部を有する多段積層半導体装置におけるオーバーハング部に少なくとも用いられることが好ましい。

［半導体装置の製造方法］
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記接着剤層側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程（「工程Ａ」と称する場合がある）と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記接着剤層を割断して接着剤層付き半導体チップを得る工程（「工程Ｂ」と称する場合がある）と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程（「工程Ｃ」と称する場合がある）と、上記接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程（「工程Ｄ」と称する場合がある）とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。

工程Ａで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａを形成する（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１を半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図２～４では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。

次に、図２（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とを行う。

次に、図２（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化する（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、すなわち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１～３０μｍであり、好ましくは３～２０μｍである。

（工程Ａ）
工程Ａでは、ダイシングダイボンドフィルム１における接着剤層２０側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。

工程Ａにおける一実施形態では、図３（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０Ａをダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０に対して貼り合わせる。この後、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２を剥がす。ダイシングダイボンドフィルム１における粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルム１の製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０～５００ｍＪ／ｃｍ²であり、好ましくは１００～３００ｍＪ／ｃｍ²である。ダイシングダイボンドフィルム１において粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層１２における接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。

（工程Ｂ）
工程Ｂでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０をエキスパンドして、少なくとも接着剤層２０を割断して接着剤層付き半導体チップを得る。

工程Ｂにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルム１におけるダイシングテープ１０の粘着剤層１２上にリングフレーム４１を貼り付けた後、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルム１をエキスパンド装置の保持具４２に固定する。

次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を、図４（ｂ）に示すように行い、半導体ウエハ３０Ａを複数の半導体チップ３１へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して、接着剤層付き半導体チップ３１を得る。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ａの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において１５～３２ＭＰａ、好ましくは２０～３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは０．１～１００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３～１６ｍｍである。

工程Ｂでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ３０Ａを用いた場合、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、工程Ｂでは、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図４（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。

（工程Ｃ）
工程Ｃでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ１０をエキスパンドして、上記接着剤層付き半導体チップ同士の間隔を広げる。

工程Ｃにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を、図５（ａ）に示すように行い、接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）を広げる。工程Ｃでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０をエキスパンドする。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５～３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、例えば０．１～１０ｍｍ／秒であり、好ましくは０．３～１ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３～１６ｍｍである。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、工程Ｃでは接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図５（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３を下降させて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態を解除する。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。

工程Ｃの後、接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。

（工程Ｄ）
工程Ｄ（ピックアップ工程）では、個片化された接着剤層付き半導体チップをピックアップする。工程Ｄにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図６に示すように、接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１～１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０～３０００μｍである。

上記半導体装置の製造方法は、工程Ａ～Ｄ以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図７（ａ）に示すように、ピックアップした接着剤層付き半導体チップ３１を、被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着する（仮固着工程）。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。接着剤層２１の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．２ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．２～１０ＭＰａである。接着剤層２１の上記剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって接着剤層２１と半導体チップ３１又は被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、接着剤層２１の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体５１に対して０．０１ＭＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．０１～５ＭＰａである。上記仮固着工程の後、接着剤層２１を例えば１３０℃３０分の条件で加熱して不完全に硬化させてもよい（前硬化工程）。

次に、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０～２５０℃であり、好ましくは８０～２２０℃である。また、その加熱時間は数秒～数分間である。

図７（ｂ１）に示すような、被着体５１上に、半導体チップ３１が接着剤層２１を介して多段積層された構成を作製する場合、以下のようにして仮固着工程及びワイヤーボンディング工程を行う。ピックアップした接着剤層付き半導体チップ３１を、被着体５１に対して接着剤層２１を介して仮固着した後（図７（ａ））、さらに、別途ピックアップした接着剤層付き半導体チップ３１を、接着剤層２１を介して被着体５１に仮固着された半導体チップ３１の上面に対して、上記仮固着工程と同様にして仮固着する。なお、この際、被着体５１に仮固着された半導体チップ３１の上面の電極パッドを避けるようにして、面広がり方向にずらして仮固着する。この再度の仮固着を複数回繰り返し行う（仮固着工程）。その後、必要に応じて上記前硬化工程を経て複数の接着剤層２１を不完全に硬化させ、次いで各半導体チップ３１について、上記ワイヤーボンディング工程と同様にしてワイヤーボンディングする（ワイヤーボンディング工程）。

図７（ｂ１）に示すような半導体チップ３１の多段積層構成では、接着剤層付き半導体チップ３１がこれを一単位として、結線部を避けるように、一方の面広がり方向（図７（ｂ１）では右方向）にずらされて積層されている。このような多段積層構成では、最上段の半導体チップ３１ａはオーバーハング部にワイヤーボンディングされている。なお、他の形態の多段積層構成としては、図７（ｂ２）に示すように、多段積層構成が半導体チップ３１の面広がり方向に広がりすぎることを避けるため、接着剤層付き半導体チップ３１がこれを一単位として、一方の面広がり方向（例えば右方向）にずらされて積層され、ある程度積層された段階でずらす方向を反転させ他方の面広がり方向（例えば左方向）にずらされて積層された構成が挙げられる。このような他の形態の多段積層構成において、最上段の半導体チップ３１ａ及び積層方向を反転させる部分の半導体チップ３１ｂはオーバーハング部にワイヤーボンディングされている。

次に、図７（ｃ）に示すように、被着体５１上の各半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。封止工程では、接着剤層２１の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３を形成する。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒～数分間である。封止工程で封止樹脂５３の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程において接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば０．５～８時間である。

上記の実施形態では、上述のように、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、接着剤層付き半導体チップ３１を被着体５１に仮固着させた後、接着剤層２１を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。

上記半導体装置の製造方法においては、他の実施形態として、図２（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図８に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図２（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図８に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する。上記ウエハ薄化工程では、分割溝３０ａが第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して上述したように形成する分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図８では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、又は、第２の手法を経た分割溝３０ａ及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図３から図７を参照して上述した各工程を行ってもよい。

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ分割体３０Ｂをダイシングダイボンドフィルム１に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。当該実施形態における工程Ｂでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１～４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０～２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

上記半導体装置の製造方法においては、さらなる他の実施形態として、工程Ａにおいて用いる半導体ウエハ３０Ａ又は半導体ウエハ分割体３０Ｂに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを用いてもよい。

当該実施形態では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂを形成する。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａ及び第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。そして、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３を半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂを形成する。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^-8ｃｍ²
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下

次に、図１０（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃを形成する（ウエハ薄化工程）。上記半導体装置の製造方法では、工程Ａにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃを半導体ウエハ３０Ａの代わりに用い、図３から図７を参照して上述した各工程を行ってもよい。

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、当該実施形態における工程Ｂ、すなわち半導体ウエハ３０Ｃをダイシングダイボンドフィルム１に貼り合わせた後に行う第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３を、ダイシングダイボンドフィルム１の図中下側においてダイシングテープ１０に当接させて上昇させ、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１のダイシングテープ１０を、半導体ウエハ３０Ｃの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば５～２８ＭＰａ、好ましくは８～２５ＭＰａの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３を上昇させる速度）は、好ましくは１～４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０～２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム１の接着剤層２０を小片の接着剤層２１に割断して接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックを形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生じる引張応力が作用する。その結果、接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。

また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルム１は、上述のように接着剤層付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における接着剤層付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。

以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１
（ダイシングテープの作製）
冷却管、窒素導入管、温度計、及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２－エチルヘキシル（２ＥＨＡ）１００質量部、アクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）１９質量部、過酸化ベンゾイル０．４質量部、及びトルエン８０質量部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合を行い、アクリル系ポリマーＡを含む溶液得た。
このアクリル系ポリマーＡを含む溶液に２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）１．２質量部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応を行い、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００質量部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、東ソー株式会社製）１．３質量部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、ＢＡＳＦ社製）３質量部を加えて、粘着剤組成物Ａを作製した。
得られた粘着剤組成物Ａを、ＰＥＴ系セパレータのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱して脱溶媒し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、当該粘着剤層面に、基材としてのＥＶＡフィルム（グンゼ株式会社製、厚さ１２５μｍ）と貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングテープＡを得た。

（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＳＴ－ＺＬ」、日産化学工業株式会社製、平均粒径８５ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ａを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ａを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＡをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ａを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例２
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＭＥＫ－ＳＴ－２０４０」、日産化学工業株式会社製、平均粒径１９０ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｂを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｂを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＢをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｂを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例３
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＳＱ－ＥＭ１」、株式会社アドマテックス製、平均粒径３００ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｃを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｃを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＣをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｃを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例４
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）１１５質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）１１５質量部、シリカフィラー（商品名「ＭＥＫ－ＳＴ－２０４０」、日産化学工業株式会社製、平均粒径１９０ｎｍ）２２０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２８質量％となる接着剤組成物Ｄを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｄを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＤをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｄを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例５
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＭＥＫ－ＳＴ－２０４０」、日産化学工業株式会社製、平均粒径１９０ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）１質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｅを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｅを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＥをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｅを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例５のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例６
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＳＥ２０５０－ＭＣＶ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径５００ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｆを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｆを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＦをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｆを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例６のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

実施例７
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）４４０質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）４４０質量部、シリカフィラー（商品名「ＭＥＫ－ＳＴ－２０４０」、日産化学工業株式会社製、平均粒径１９０ｎｍ）４３０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）３質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｇを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｇを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＧをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｇを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する実施例７のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

比較例１
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＦ」、株式会社アドマテックス製、平均粒径５０ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）２質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｈを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｈを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）２０μｍの接着剤層ＨをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｈを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

比較例２
（接着剤層の作製）
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス株式会社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業株式会社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成株式会社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＭＥＫ－ＳＴ－２０４０」、日産化学工業株式会社製、平均粒径１９０ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業株式会社製）０．５質量部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ｉを調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物Ｉを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒を行った。以上のようにして、厚さ（平均厚さ）１０μｍの接着剤層ＩをＰＥＴセパレータ上に作製した。

（ダイシングダイボンドフィルムの作製）
ダイシングテープＡからＰＥＴ系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層に接着剤層Ｉを貼り合わせた。貼り合わせにおいては、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とを位置合わせした。また、貼り合わせには、ハンドローラーを使用した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対してＥＶＡ基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を３００ｍＪ／ｃｍ²とした。以上のようにして、ダイシングテープと接着剤層とを含む積層構造を有する比較例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた接着剤層及びダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

（加熱前の発熱量）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた接着剤層について、接着剤層を１０～１５ｍｇ秤量して測定サンプルとし、示差走査熱量測定装置（商品名「Ｑ２００」、（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用い、測定サンプルを０℃から３５０℃まで昇温速度１０℃／ｍｉｎにて昇温させてＤＳＣ測定を行い、その際の全発熱量［Ｊ／ｇ］を算出し、加熱前の発熱量とした。

（１３０℃３０分間加熱後の発熱量）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた接着剤層について、接着剤層を２００μｍの厚さとなるように積層し、加圧オーブンにて室温から１３０℃まで３０分かけて昇温し、１３０℃で３０分間保持した。なお、加熱中は７ｋｇｆの気体による加圧を行った。このようにして加熱を行った後の接着剤層を用いたこと以外は上記「加熱前の発熱量」と同様にして、１３０℃３０分間加熱後の発熱量［Ｊ／ｇ］を算出した。

（貯蔵弾性率）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた接着剤層について、接着剤層を２００μｍの厚さとなるように積層し、上記「１３０℃３０分間加熱後の発熱量」における加熱と同様にして加熱及び加圧を行ったサンプルを、幅４ｍｍ、長さ３０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出して試験片とし、固体粘弾性測定装置（測定装置：ＲＳＡ－Ｇ２、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、初期チャック間距離１０ｍｍ、歪み０．１％の条件で、０～２００℃の温度範囲で、引張モードにて動的貯蔵弾性率を測定した。なお、昇温は０℃で５分間保持した後に開始した。そして１３０℃での値を読み取り、この値を１３０℃３０分間加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率［ＭＰａ］とした。

（フィラーの平均粒径）
実施例及び比較例でそれぞれ得られた各接着剤層について、１７５℃１時間の条件で熱硬化させ、Ｓｔｒｕｅｒｓ社製のＥｐｏＦｉｘ ｋｉｔを用いて樹脂に包埋させた。包埋した樹脂への機械研磨により接着剤層の断面を表出させ、当該断面をＣＰ加工装置（商品名「ＳＭ－０９０１０」、日本電子株式会社製）によるイオンミリング加工後、導電処理を施しＦＥ－ＳＥＭ観察を行った。ＦＥ－ＳＥＭ観察は加速電圧１～５ｋＶにて行い、反射電子像を観察した。取り込んだ画像を画像解析ソフト「Ｉｍａｇｅ－Ｊ」を用いて二値化処理によりフィラー粒子を識別した後、画像内のフィラーの面積を画像内のフィラー個数で割り、フィラーの平均面積を求め、フィラーの平均粒径を算出した。

（チップ積層評価）
実施例６と同様にして厚さ２５μｍの接着剤層Ｆを作製し接着シートとした。この接着シートを、レーザー光照射により分割予定ラインへの改質領域の形成を行ったミラーウエハに貼り合わせ、１７５℃で２時間硬化させた後、ミラーウエハと上記接着シートの総厚さが５０μｍとなるまでミラーウエハ側から研削した。実施例及び比較例でそれぞれ得られたダイシングダイボンドフィルムに、上記研削を行ったウエハ及びダイシングリングを貼り合わせた後（ウエハ貼り合わせ温度：５０～８０℃）、ダイセパレーター（商品名「ＤＤＳ２３００」、株式会社ディスコ製）を用いて、ウエハの割断及びダイシングテープの熱収縮を行うことにより、サンプルを得た。すなわち、まずクールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度－１５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件でウエハを割断した。割断後に得られたチップはサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、チップ厚み２５μｍであった。その後、ヒートエキスパンダーユニットで、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でダイシングテープを熱収縮させて、接着剤層付きの評価用チップを得た。

上記接着剤層付き評価用チップを、ダイボンダー（商品名「ダイボンダーＳＰＡ－３００」、株式会社新川製）を使用して、ステージ温度９０℃、ダイボンド荷重１０００ｇｆ、ダイボンド時間１秒の条件にてＢＧＡ基板（材質：ＡＵＳ３０８）に階段状に５枚積層してダイボンディングした。積層は同一方向に２００μｍずつずらすことで階段状とした。積層後に、剥離が無い場合を〇、１か所剥離している場合を△、２か所以上剥離している場合を×として評価した。

（ワイヤーボンディング評価）
片面をアルミ蒸着したウエハを研削することにより、厚さ３０μｍのダイシング用ウエハを得た。ダイシング用ウエハを実施例及び比較例でそれぞれ得られたダイシングダイボンドフィルムの接着剤層側に貼りつけ、次いで上記「チップ積層評価」と同様にしてウエハの割断を行い、接着剤層付きチップを得た。得られた接着剤層付きチップをＣｕリードフレーム上に、ステージ温度９０℃、ダイボンド荷重１０００ｇｆ、ダイボンド時間１秒の条件にて階段状に５枚積層してダイボンディングした。積層は同一方向に２００μｍずつずらすことで階段状とした。ダイボンディング後の積層体を１３０℃で３０分間加熱硬化させた後、ワイヤーボンディング装置（商品名「Ｍａｘｕｍ Ｐｌｕｓ」、キューリック・アンド・ソファ社製）を用いて、最上段のチップのオーバーハング部に線径１８μｍのＡｕワイヤーを５本ボンディングした。出力８０Ａｍｐ、時間１０ｍｓ、荷重５０ｇの条件でＡｕワイヤーをＣｕリードフレームに打った。また、温度１３０℃、出力１２５Ａｍｐ、時間１０ｍｓ、荷重８０ｇの条件でＡｕワイヤーをチップに打った。５本のＡｕワイヤーのうち１本以上チップに接合できなかった場合を×と判定し、５本のＡｕワイヤーのうち５本をチップに接合できた場合を○と判定した。

（保存性評価）
保存性評価は粘度の経時変化により行った。実施例及び比較例でそれぞれ得られた接着剤層の作製後の初期の９０℃における粘度を初期粘度とし、作製後２３℃で２８日間保存後の接着剤層の９０℃における粘度において、初期粘度からの増加率（粘度増加率）［｛２３℃で２８日間保存後の９０℃における粘度（Ｐａ・ｓ）－初期粘度（Ｐａ・ｓ）｝／初期粘度（Ｐａ・ｓ）×１００］（％）を算出し、上記粘度増加率が１００％未満の場合を〇、１００％以上１５０％未満の場合を△、１５０％以上の場合を×として評価した。なお、上記粘度は、回転式粘度計（商品名「ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ III」、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製）により測定した。測定条件は、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径８ｍｍ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、歪み１０％、周波数５ｒａｄ／ｓｅｃとした。

実施例１～７の接着剤層は、粘度増加率が小さく保存安定性に優れながら、加熱前に対する加熱後の発熱量が比較例１及び２に比べて小さく、短時間で硬化可能であることを示した。且つ、硬化後は１３０℃における弾性率が高く、オーバーハング部に対しても適切なワイヤーボンディングを行うことが可能であった。

１ ダイシングダイボンドフィルム
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２０，２１ 接着剤層
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ 半導体ウエハ
３０Ｂ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 分割溝
３０ｂ 改質領域
３１ 半導体チップ

Claims (3)

1. 基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
   前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着剤層とを備え、
   前記接着剤層は、熱硬化性成分、フィラー、及び硬化促進剤を含有し、１３０℃で３０分間加熱した後のＤＳＣ測定による発熱量が、加熱前の発熱量の６０％以下であり、前記加熱後の１３０℃における貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下であり、
   前記フィラーは、平均粒径７０～３００ｎｍのシリカである、ダイシングダイボンドフィルム。
2. 前記熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂及び／又は熱硬化性官能基含有熱可塑性樹脂である、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
3. 前記粘着剤層は、９０℃における粘度が３００～１０００００Ｐａ・ｓである、請求項１または２に記載のダイシングダイボンドフィルム。

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