JP2021168363A - ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行を比較的抑制することができるダイシングダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、前記粘着剤層は、光重合開始剤を含み、硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークの数平均分子量Ｍｎに対する最も高分子量側に現れるピークの質量平均分子量Ｍｗの比である多分散度Ｍｗ／Ｍｎが、１．３以上である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。

従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている（例えば、特許文献１）。
前記ダイシングダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に剥離可能に積層されたダイボンド層とを備えている。

そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成するハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、を有する方法を採用することが知られている。
そして、前記ピックアップ工程において、ダイボンド層に貼付された状態で取り出された半導体チップ（以下、ダイボンド層付半導体チップともいう）は、被着体たる配線基板に接着される。

また、前記粘着剤層は、通常、（メタ）アクリル系樹脂などの樹脂と、該樹脂と反応して前記樹脂同士を重合させる架橋剤と、紫外線などの放射線を照射することにより、前記樹脂同士の連鎖重合を可能とする活性種を発生する光重合開始剤と、を含んでいる（例えば、特許文献２）。このような粘着剤層では、紫外線などの放射線を照射すると硬化反応が進行して、前記ダイボンド層との間の剥離力が低下するので、前記ダイボンド層からの該粘着剤層の剥離を比較的容易に行うことができる。

特開２０１９−９２０３号公報 特開２０１９−６７９９６号公報

ところで、上記したように、前記ダイボンド層は、前記ピックアップ工程において前記粘着剤層から剥離される（切り離される）ものの、前記ピックアップ工程よりも前においては、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層は接触した状態にある。
そのため、上記のように、前記粘着剤層中に前記光重合開始剤が含まれていると、前記光重合開始剤が前記粘着剤層から前記ダイボンド層に移行することがある。
このように、前記光重合開始剤が、前記粘着剤層から前記ダイボンド層へと移行すると、前記粘着剤層が要求される特性を満たさなくなったり、前記ダイボンド層が要求される特性を満たさなくなったりすることがあるため好ましくない。
しかしながら、前記粘着剤層から前記ダイボンド層への前記光重合開始剤の移行を抑制することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。

そこで、本発明は、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行を比較的抑制することができるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討したところ、上記のように構成されるダイシングダイボンドフィルムにおいて、前記粘着剤層が粘着剤に加えて光重合開始剤を含むものであったとしても、硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークの数平均分子量Ｍｎに対する最も高分子量側に現れるピークの質量平均分子量Ｍｗの比である多分散度Ｍｗ／Ｍｎを所定の数値範囲とすることにより、前記粘着剤層から前記ダイボンド層への前記光重合開始剤の移行を比較的抑制することができることを見出して、本発明を想到するに至った。

すなわち、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
前記粘着剤層は、粘着剤及び光重合開始剤を含み、
硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークの数平均分子量Ｍｎに対する最も高分子量側に現れるピークの質量平均分子量Ｍｗの比である多分散度Ｍｗ／Ｍｎが、１．３以上である。

斯かる構成によれば、前記粘着剤層から前記ダイボンド層への前記光重合開始剤の移行を比較的抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値が、３３，０００以下であることが好ましい。

斯かる構成によれば、前記粘着剤層から前記ダイボンド層への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
硬化前の前記粘着剤層は、ゾル成分を３２質量％未満含むことが好ましい。

斯かる構成によれば、前記粘着剤層から前記ダイボンド層への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
前記粘着剤層に対する前記ダイボンド層の剥離力が、前記粘着剤層の硬化後において、０．１８Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましい。

斯かる構成によれば、前記ダイボンド層と前記粘着剤層との間を剥離して、前記ダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程において、前記粘着剤層から前記ダイボンド層を、より一層容易に剥離させることができる。

本発明によれば、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行を比較的抑制することができるダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

［ダイシングダイボンドフィルム］
図１に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３と、を備える。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０において、粘着剤層２は、粘着剤及び光重合開始剤を含む。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。

前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。

粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。
例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。
これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。

前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、または、Ｘ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、主成分としてのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。
前記ベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを用いることが好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ブチルアクリレート（ＢＡ）、２−エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）、イソノニルアクリレート（ＩＮＡ）、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、４−アクリロイルモルホリン（ＡＭＣＯ）、２−イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）等を用いることが好ましい。
これらのアクリル系ポリマーは、１種のみで用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。
前記放射線硬化粘着剤中における前記放射線重合性モノマー成分や前記放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。

粘着剤層２に含まれる光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。
前記光重合開始剤としては、光ラジカル発生剤を用いることが好ましい。光ラジカル発生剤は、活性エネルギー線（例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、または、Ｘ線）が照射されることにより、ラジカルを発生する。
光ラジカル発生剤としては、２−ヒドロキシ−１−（４−（４−（２−ヒドロキシ−２メチルプロピオニル）ベンゾイル）フェニル）−２−メチルプロパン−１−オン（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ １２７）、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ ６５１）、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルキエントン（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ １８４）、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ ２９５９）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ ３６９Ｅ）、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ ８１９）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）（市販品としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ社製のＯＸＥ０２）等が挙げられる。
これらの中でも、２−ヒドロキシ−１−（４−（４−（２−ヒドロキシ−２メチルプロピオニル）ベンゾイル）フェニル）−２−メチルプロパン−１オン（市販品としては、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製のＯｍｎｉｒａｄ １２７）を用いることが好ましい。
粘着剤層２は、前記光重合開始剤を０．１質量部以上１０質量部以下含むことが好ましい。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、硬化前の粘着剤層２をＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィ）測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークの数平均分子量Ｍｎに対する最も高分子量側に現れるピークの質量平均分子量Ｍｗの比である多分散度Ｍｗ／Ｍｎが、１．３以上である。
多分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．３以上であることにより、粘着剤層２中の高分子成分の間に低分子成分が適度に配されることになるので、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行を比較的抑制することができる。
また、前記多分散度Ｍｗ／Ｍｎは、２．０以上であることが好ましい。前記多分散度Ｍｗ／Ｍｎが２．０以上であることにより、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行を比較的抑制できることに加えて、後述する、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離して、ダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程において、粘着剤層２からダイボンド層３をより一層容易に剥離させることができる。
また、前記多分散度Ｍｗ／Ｍｎは、１０以下であることが好ましく、５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましい。
なお、本明細書において、分子量分布曲線とは、微分分子量分布曲線を意味する。

硬化前の粘着剤層２のＧＰＣ測定は、以下の手順にしたがって調製した測定試料について、分析装置として東ソー社製のＨＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、以下の測定条件を採用することにより行うことができる。

［測定試料の調製］
（１）硬化前の粘着剤層２から約０．２ｇのサンプルを取得する。
（２）前記サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、室温（２３±２℃）にて、約３０ｍＬのトルエン中に１週間浸漬させる。
（３）トルエン中からメッシュ状シートを取り出して、メッシュ状シート中に含まれるトルエン不溶分を取り除いて、トルエン溶解成分を含むトルエン溶液を得る。
（４）前記トルエン溶液を、減圧しながら４５℃以下の温度で処理し、前記トルエン溶液からトルエンを取り除いて、トルエン溶解成分の固形物を得る。
（５）前記固形物を、濃度が０．２質量％となるように、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させてＴＨＦ溶液とした後、一晩放置する。
（６）一晩放置したＴＨＦ溶液を、０．４５μｍのメンブレンフィルタにて濾過し、得られた濾液を測定試料とする。

［測定条件］
・カラム：東ソー社製のＴＳＫｇｅｌ ｑｕａｕｄｃｏｌｕｍｎ ＳｕｐｅｒＨＺ−Ｌ（以下、第１カラムという）１本、及び、
東ソー社製のＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ−Ｍ（以下、第２カラムという）２本
上記各カラムは、前記第１カラムの下流側に２本の前記第２カラムを直列で連結させ、後述する溶離液が前記第１カラム側から流入するように、前記分析装置に配する。
・カラム温度：４０℃
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
・流量：サンプルポンプ流量 ０．３ｍＬ／ｍｉｎ
レファレンスポンプ流量 １．０ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：１０μＬ
・検出器：示差屈折率検出器（ＲＩ）

また、前記測定試料について測定した結果を基にして、分子量分布曲線（微分分子量分布曲線）を得るために、東ソー社製の各標準ポリスチレンを、以下の表１に示した配合質量となるように計量し、計量した各標準ポリスチレンを、１００ｍＬのＴＨＦに溶解させて、標準ポリスチレン溶液ＳＴＤ１及び標準ポリスチレン溶液ＳＴＤ２を得て、これらについても、上記の測定装置を用いて、上記の測定条件にてＧＰＣ測定を行う。

前記測定試料、前記ＳＴＤ１、及び、前記ＳＴＤ２をＧＰＣ測定した結果を、東ソー社製の解析ソフトＧＰＣ−８０２０ Ｍｏｄｅｌ ＩＩ（データ管理 Ｖｅｒｓｉｏｎ ５．１０）を用いてデータ解析する。
上記解析ソフトを用いたデータ解析では、まず、前記ＳＴＤ１及び前記ＳＴＤ２についての較正曲線（横軸を時間（ｍｉｎ）とし、縦軸を質量平均分子量の対数とした較正曲線）を作成し、これらの較正曲線を基に、前記測定試料の分子量に関するデータ解析を行う。前記測定試料の分子量に関するデータ解析は、クロマトグラム上で最も早く検出されるピークＰ１（最も高分子量側のピーク）についての分子量分布曲線を得た上で行う。ピークＰ１についての分子量分布曲線について、データ解析を行うことにより、ピークＰ１についての数平均分子量Ｍｎ及び質量平均分子量Ｍｗを得ることができる。
なお、最も早く検出されるピークＰ１の立下り部分とピークＰ１の次に検出されるピークＰ２の立上り部分とに重なりが認められる場合には、ピークＰ１の立上りの開始部分を基点として水平方向に延びるようにベースラインを引き、ピークＰ１の立下り部分とピークＰ２の立上り部分との間に生じる谷部分（最も凹んだ部分）に向けて前記ベースラインから垂直に線を引き、ピークＰ１の立上りの開始部分から前記谷部分までと、前記ベースラインと、前記ベースラインから前記谷部分に向けて垂直に引いた線とで区切られた領域を解析することにより、ピークＰ１について、数平均分子量Ｍｎ及び質量平均分子量Ｍｗを得ることができる。

硬化前の粘着剤層２をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値は、３３，０００以下であることが好ましく、２５，０００以下であることがより好ましい。最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値が上記数値範囲内にあることにより、粘着剤層２中に含まれる高分子成分の分子鎖近傍の空間を比較的小さくすることができるので、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができる。
また、硬化前の粘着剤層２をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値は、４，０００以上であることが好ましく、８，０００以上であることがより好ましい。最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値が上記数値範囲内にあることにより、粘着剤層２中に含まれる高分子成分同士の間に生じる空間を比較的小さくすることができる。これにより、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができる。

硬化前の粘着剤層２は、ゾル成分を３２質量％未満含んでいることが好ましい。
前記光重合開始剤は、ゾル成分を介して粘着剤層２からダイボンド層３へと移行すると考えらえるものの、ゾル成分を上記数値範囲とすることより、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができる。
また、前記硬化前の粘着剤層２は、ゾル成分を２３質量％以下含んでいることが好ましい。
ゾル成分の上記数値範囲とすることにより、粘着剤層２からダイボンド層３への前記光重合開始剤の移行をより一層抑制することができることに加えて、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離して、ダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程において、粘着剤層２からダイボンド層３をより一層容易に剥離させることができる。
なお、本明細書において、ゾル成分とは、下記のゾル成分の質量割合の測定において説明しているように、硬化前の粘着剤層２から約０．２ｇのサンプルを取得し、該サンプルを約３０ｍＬのトルエン中に１週間浸漬させた後に、前記トルエン中に溶解する成分を意味する。
硬化前の粘着剤層２におけるゾル成分の質量比率は、以下のようにして求めることができる。

［ゾル成分の質量比率の測定］
（１）硬化前の粘着剤層２から約０．２ｇのサンプルを取得する。
（２）前記サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、室温にて、約３０ｍＬのトルエン中に１週間浸漬させる。
（３）トルエン中からメッシュ状シートを取り出して、メッシュ状シート中に含まれるトルエン不溶分を取り除く。
（４）前記トルエン不溶分を、常圧にて１３０℃で約２時間乾燥させた後、前記トルエン不溶分を秤量する。
（５）下記式（１）にしたがってゲル成分の質量比率を算出し、ゲル分率の質量比率の算出値を基に、下記式（２）にしたがってゾル成分の質量比率を算出する。

粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、粘着剤層２の硬化後において、０．１８Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．０７Ｎ／２０ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
粘着剤層２の硬化後における、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力を上記数値範囲とすることにより、上記したピックアップ工程において、粘着剤層２からダイボンド層３をより一層容易に剥離させることができる。
また、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、粘着剤層２の硬化後において、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましい。
また、粘着剤層２の硬化後における、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力を０．０７Ｎ／２０ｍｍ以下とすることにより、上記したピックアップ工程において、粘着剤層２からダイボンド層３を特に容易に剥離させることができる。
硬化された粘着剤層２は、裏打ちテープが貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０から放射線を所定強度の放射線（例えば、１５０Ｊ／ｃｍ^２の紫外線）を照射することにより得ることができる。
粘着剤層２の硬化後における、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、Ｔ型剥離試験により測定することができる。Ｔ型剥離試験は、ダイボンド層３の露出面に裏打ちテープ（例えば、日東電工社製の商品名「ＥＬＰ ＢＴ３１５」）を貼り合せたダイシングダイボンドフィルム２０に所定強度の放射線を照射して粘着剤層２を硬化させた後、硬化させた粘着剤層２から、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍの寸法に切り出したものを測定用サンプルとし、引張試験器（例えば、商品名「ＴＧ−１ｋＮ」、ミネベアミツミ社製）を用いて、温度２５℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で行うことができる。

粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、粘着剤層２の硬化前において、０．３Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましい。
硬化前の粘着剤層２において、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力を上記のような数値範囲とすることにより、粘着剤層２にてダイボンド層３を適度に保持することができるようになる。これにより、ダイボンド層３が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制できる。
また、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、粘着剤層２の硬化前において、５．０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。
粘着剤層２の硬化前における、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、Ｔ型剥離試験により測定することができる。Ｔ型剥離試験は、ダイボンド層３の露出面に裏打ちテープ（例えば、日東電工社製の商品名「ＥＬＰ ＢＴ３１５」）を貼り合せたダイシングダイボンドフィルム２０から、幅２０ｍｍ×長さ１２０ｍｍの寸法に切り出したものを測定用サンプルとし、引張試験器（例えば、商品名「ＴＧ−１ｋＮ」、ミネベアミツミ社製）を用いて、温度２５℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で行うことができる。

粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマー（例えば、アクリル系ポリマー）と反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
粘着剤層２が外部架橋剤を含む場合、粘着剤層２は、前記外部架橋剤を０．１質量部以上３質量部以下含むことが好ましい。

粘着剤層２は、上記のごとく成分に加えて、粘着付与剤（タッキファイヤ）、酸化防止剤、架橋促進剤、老化防止剤、顔料、または、染料等の着色剤等を含んでいてもよい。

粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
粘着剤層２の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。

基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は樹脂フィルムを用いて作製される。樹脂フィルムに含まれる樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及び、シリコーン樹脂等が挙げられる。

ポリオレフィンとしては、例えば、α−オレフィンのホモポリマー、２種以上のα−オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。

α−オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα−オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。

２種以上のα−オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１−ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１−ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１−ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体等が挙げられる。

１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。

ポリオレフィンは、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーと呼ばれるものであってもよい。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα−オレフィン三元共重合体が挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。

樹脂フィルムは、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１を作製する樹脂フィルムは、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。

基材層１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基材層１は、無延伸成形により得られてもよいし、延伸成形により得られてもよいが、延伸成形により得られることが好ましい。基材層１が積層構造である場合、基材層１は、エラストマーを含む層（以下、エラストマー層という）と非エラストマーを含む層（以下、非エラストマー層という）とを有することが好ましい。
基材層１をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層１に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層１を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、エキスパンド工程における割断時に、基材層１が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。

エラストマー層は、１種のエラストマーを含むものであってもよいし、２種以上のエラストマーを含むものであってもよいが、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーや、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）を含むことが好ましい。
非エラストマー層は、１種の非エラストマーを含むものであってもよいし、２種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンＰＰを含むことが好ましい。
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層１は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造（非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層）に形成されることが好ましい。

また、前記したように、カーフ維持工程においては、室温（例えば２３℃）でエキスパンド状態を維持した前記ダイシングダイボンドフィルムに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当てて前記ダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた後、冷却固化させるため、基材層１の最外層は、ダイシングテープに当てられる熱風の温度に近い融点を有する樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、熱風を当てることにより溶融した最外層をより迅速に固化させることができる。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造であり、エラストマー層がα−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、非エラストマー層が後述するメタロセンＰＰなどのポリオレフィンを含む場合、エラストマー層は、該エラストマー層を形成するエラストマーの総質量に対して、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、エラストマー層と非エラストマー層との親和性が高くなるため、基材層１を比較的容易に押出成形することができる。また、エラストマー層を応力緩和層として作用させることができるので、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造である場合、基材層１は、エラストマーと非エラストマーとを共押出して、エラストマー層と非エラストマー層との積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材層１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。

積層構造をなす基材層１を共押出成形にて得る場合、前記エラストマー層及び前記非エラストマー層は加熱されて溶融された状態で接するため、前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかに過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかが熱劣化することによって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかの粘度が過度に低下することにより前記エラストマー層と前記非エラストマー層との間に積層不良が生じることも抑制できる。前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメンツ社製、型式ＤＳＣ Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。

基材層１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材層１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材層１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。

エラストマー層と非エラストマー層とを積層させた基材層１において、エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。

エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じエラストマーを含んでいてもよいし、少なくも２層が異なるエラストマーを含んでいてもよい。

非エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。非エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。非エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じ非エラストマーを含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる非エラストマーを含んでいてもよい。

非エラストマー層は、非エラストマーとして、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）を含むことが好ましい。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。非エラストマー層がメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＦＸ４Ｍ（日本ポリプロ社製）が挙げられる。

ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα−オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα−オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。

ここで、前記エラストマー層が基材層１の最外層に配されていると、基材層１をロール体とした場合に、最外層に配された前記エラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材層１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、前記した積層構造の基材層１の好ましい態様では、非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材層１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。

前記非エラストマー層は、１００℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂を含むことが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングテープを熱収縮させた後に、基材層１が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。

ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。

ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。

ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。

ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒（硬化促進剤）を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。

ダイボンド層３は、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。

上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。

ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。

ダイボンド層３の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材層１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。

半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成するハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。

ハーフカット工程では、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図２Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図２Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図２Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図２Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図２Ｄ参照）。
なお、バックグラインド工程において、半導体ウェハの厚さが２０μｍ以上３０μｍ以下と特に薄い場合には、後述するピックアップ工程において、ピン部材Ｐを用いて半導体チップを突き上げたときに、該半導体チップに変形や割れが生じ易くなるものの、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、上記のごとく構成されているので、ピックアップ工程において、半導体チップに変形や割れが生じることを比較的抑制することができる。

マウント工程では、図３Ａ〜図３Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図３Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図３Ｂ参照）。

エキスパンド工程では、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図４Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば−２０〜５℃であり、好ましくは−１５〜０℃、より好ましくは−１０〜−５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図４Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図５Ａ〜図５Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３±２℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。

カーフ維持工程では、図６に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持する。

ピックアップ工程では、図７に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。

ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップを被着体に接着させる。

なお、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

［実施例１］
＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器内に、モノマーとして２−ヒドロキシエチルアクリレート（以下、ＨＥＡという）１１質量部、イソノニルアクリレート（以下、ＩＮＡという）８９質量部、熱重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（以下、ＡＩＢＮという）０．２質量部を加え、
さらに、前記モノマーの濃度が３８％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、ＭＯＩという）１２質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０６質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ａということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ａを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＡを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ−７０Ｌ」、ナガセケムテックス社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ−３０００−４」、東都化成工業社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ−７８５１ＳＳ」、明和化成社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＳＥ２０５０−ＭＣＶ」、アドマテックス社製、平均粒子径５００ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び、硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ−ＰＷ」、四国化成工業社製）２質量部をメチルエチルケトンに加えて、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ａを調製した。
次に、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて接着剤組成物Ａを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒処理を行った。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンド層をＰＥＴセパレータ上に作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイボンド層が作製されたＰＥＴセパレータ（以下、ダイボンド層付ＰＥＴセパレータという）を３３０ｍｍφの円形に打ち抜くことにより、３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た。
次に、ダイシングテープＡからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させた後、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温（２３±２℃）にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＡに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＡを得た。
すなわち、実施例１に係るダイシングテープＡは、ポリオレフィンフィルム、粘着剤層、ダイボンド層、及び、ＰＥＴセパレータが、この順に積層されて構成されたものであった。

［実施例２］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１６質量部、ブチルアクリレート（以下、ＢＡという）８４質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。
このアクリル系ポリマーＢにＭＯＩ１７質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０９質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＢ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｂということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｂを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＢを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＢからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＢに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＢを得た。

［実施例３］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１１質量部、２−エチルヘキシルアクリレート（以下、２ＥＨＡという）８９質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３６％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＣを得た。
このアクリル系ポリマーＣにＭＯＩ１３質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０７質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＣ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＣ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｃということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｃを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＣを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＣからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＣに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＣを得た。

［実施例４］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１６質量部、ＩＮＡ８４質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＤを得た。
このアクリル系ポリマーＤにＭＯＩ１７質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．１２質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＤ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＤ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｄということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｄを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＤを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＤからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＤに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＤを得た。

［実施例５］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ９質量部、ラウリルアクリレート（以下、ＬＡという）９１質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３０％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＥを得た。
このアクリル系ポリマーＥにＭＯＩ１０質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．２１質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＥ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＥ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部と粘着付与剤としてのテルペンフェノール樹脂（商品名「ＹＳポリスターＳ１４５」、ヤスハラケミカル社製）５質量部とを加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｅということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｅを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＥを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＥからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＥに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＥを得た。

［実施例６］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ９質量部、ＬＡ９１質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３４％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＦを得た。
このアクリル系ポリマーＦにＭＯＩ１０質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０８質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＦ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＦ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｆということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｆを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＦを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＦからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＦに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＦを得た。

［比較例１］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１９質量部、エチルアクリレート（以下、ＥＡという）８１質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が４２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＧを得た。
このアクリル系ポリマーＧにＭＯＩ２１質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０３質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＧ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＧ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）２質量部を加え、酸化防止剤（商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｇということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｇを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＧを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＧからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＧに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＧを得た。

（ゾル成分の質量比率）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムの硬化前の粘着剤層について、以下の手順にしたがって、ゾル成分の質量比率をもとめた。

（１）硬化前の粘着剤層から約０．２ｇのサンプルを取得する。
（２）前記サンプルをメッシュ状シートに包んだ後、室温にて、約３０ｍＬのトルエン中に１週間浸漬させる。
（３）トルエン中からメッシュ状シートを取り出して、メッシュ状シート中に含まれるトルエン不溶分を取り除く。
（４）前記トルエン不溶分を、大気圧にて１３０℃で約２時間乾燥させた後、前記トルエン不溶分を秤量する。
（５）下記式（１）にしたがって、ゲル成分の質量比率を算出し、ゲル成分の質量比率の算出値を基に、下記式（２）にしたがって、ゾル成分の質量比率を算出する。

その結果を以下の表２に示した。

（ＧＰＣ測定）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムの硬化前の粘着剤層について、分析装置として東ソー社製のＨＬＣ−８２２０ＧＰＣを用い、以下の手順にしたがってＧＰＣ測定を行い、以下の手順にしたがって得られたＧＰＣ測定の結果を解析して分子量に関する情報を得た。

［測定試料の調製］
（１）硬化前の粘着剤層から約０．２ｇのサンプルを取得する。
（２）前記サンプルをメッシュ状シートに包んだ後、室温にて、約３０ｍＬのトルエン中に１週間浸漬させる。
（３）トルエン中からメッシュ状シートを取り出して、メッシュ状シート中に含まれるトルエン不溶分を取り除いて、トルエン溶解成分を含むトルエン溶液を得る。
（４）前記トルエン溶液を、減圧しながら４５℃以下の温度で処理し、前記トルエン溶液からトルエンを取り除いて、トルエン溶解成分の固形物を得る。
（５）前記固形物を、濃度が０．２質量％となるように、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させてＴＨＦ溶液とした後、一晩放置する。
（６）一晩放置したＴＨＦ溶液を、０．４５μｍのメンブレンフィルタにて濾過し、得られた濾液を測定試料とする。

［測定条件］
・カラム：東ソー社製のＴＳＫｇｅｌ ｑｕａｕｄｃｏｌｕｍｎ ＳｕｐｅｒＨＺ−Ｌ（以下、第１カラムという）１本、及び、
東ソー社製のＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＡＭ−Ｍ（以下、第２カラムという）２本
上記各カラムは、前記第１カラムの下流側に２本の前記第２カラムを直列で連結させ、後述する溶離液が前記第１カラム側から流入するように、前記分析装置に配した。
・カラム温度：４０℃
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
・流量：サンプルポンプ流量 ０．３ｍＬ／ｍｉｎ
レファレンスポンプ流量 １．０ｍＬ／ｍｉｎ
・注入量：１０μＬ
・検出器：示差屈折率検出器（ＲＩ）

また、前記測定試料について測定した結果を基に、分子量分布曲線を得るために、東ソー社製の各標準ポリスチレンを、上記した表１に示した配合質量となるように計量し、計量した各標準ポリスチレンを、１００ｍＬのＴＨＦに溶解させて、標準ポリスチレン溶液ＳＴＤ１及び標準ポリスチレン溶液ＳＴＤ２を得て、これらについても、上記の測定装置を用いて、上記の測定条件にてＧＰＣ測定を行った。

前記測定試料、前記ＳＴＤ１、及び、前記ＳＴＤ２をＧＰＣ測定した結果を、東ソー社製の解析ソフトＧＰＣ−８０２０ Ｍｏｄｅｌ ＩＩ（データ管理 Ｖｅｒｓｉｏｎ ５．１０）を用いてデータ解析した。
上記解析ソフトを用いたデータ解析では、まず、前記ＳＴＤ１及び前記ＳＴＤ２についての較正曲線（横軸を時間（ｍｉｎ）とし、縦軸を質量平均分子量の対数とした較正曲線）を作成し、これらの較正曲線を基に、前記測定試料の分子量に関するデータ解析を行った。前記測定試料の分子量に関するデータ解析は、クロマトグラム上で最も早く検出されるピークＰ１（最も高分子量側のピーク）についての分子量分布曲線を得た上で行った。ピークＰ１についての分子量分布曲線について、データ解析を行うことにより、ピークＰ１についての数平均分子量Ｍｎ及び質量平均分子量Ｍｗを得た。
なお、各例に係るダイシングダイボンドフィルムの粘着剤層から得た測定試料は、いずれも、最も早く検出されるピークＰ１の立下り部分とピークＰ１の次に検出さえるピークＰ２の立上り部分とに重なりが認められていたため、ピークＰ１の立上りの開始部分を基点として水平方向に延びるようにベースラインを引き、ピークＰ１の立下り部分とピークＰ２の立上り部分との間に生じる谷部分（最も凹んだ部分）に向けて前記ベースラインから垂直に線を引き、ピークＰ１の立上り開始部分から前記谷部分までと、前記ベースラインと、前記ベースラインから前記谷部分に向けて垂直に引いた線とで区切られた領域を解析することにより、ピークＰ１について、数平均分子量Ｍｎ及び質量平均分子量Ｍｗを得た。
以下の表２に、ピークＰ１の数平均分子量Ｍｎ、ピークＰ１の質量平均分子量Ｍｗ、及び、ピークＰ１の数平均分子量Ｍｎに対するピークＰ１の質量平均分子量Ｍｗの比を示した。
また、以下の表２に、ピークＰ１のピークトップ分子量の値についても示した。

（光重合開始剤の移行比率）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行比率を測定した。
光重合開始剤の移行比率は、ダイボンド層と重なっていない粘着剤層部分から採取したサンプル中に含まれる光重合開始剤の質量比率（第１質量比率）と、粘着剤層と重なっているダイボンド層部分から採取したサンプル中に含まれる光重合開始剤の質量比率（第２質量比率）と、から算出した。

前記第１質量比率は、以下の手順にしたがって求めた。

（１）各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、ダイボンド層が積層されておらず、かつ、ダイボンド層から１ｃｍ以上離れた粘着剤層部分を約０．１ｇ採取する。
（２）採取した粘着剤層を４ｍＬのクロロホルム中に加えた後、冷暗所にて一晩（約１６時間）振とうすることにより、粘着剤層中の光重合開始剤をクロロホルム中に抽出させる。
（３）光重合開始剤抽出後のクロロホルム溶液に７ｍＬのメタノールを加えて、光重合開始剤以外の成分を再沈殿させ、再沈殿させた成分をメンブレンフィルタにて濾取し、光重合開始剤の溶解液（クロロホルムとメタノールとの混合溶液）を得る。これを測定試料とする。
（４）前記測定試料をＨＰＬＣにて分析して、前記測定試料中の前記光重合開始剤の濃度（単位は、μｇ／ｍＬ）を測定する。
（５）前記光重合開始剤の濃度に、前記光重合開始剤を溶解している混合溶媒（クロロホルムとメタノールとの混合溶媒）の容積である１１ｍＬを乗じて、前記測定試料中における前記光重合開始剤の質量（単位は、μｇ）を算出する。
（６）前記測定試料中における前記光重合開始剤の質量を採取した粘着剤層の質量で除することにより、粘着剤層中における前記光重合開始剤の質量比率を算出し、これを第１質量比率とする。

前記第２質量比率は、以下の手順にしたがって求めた。なお、以下（１）〜（４）は、いずれも暗所にて行った。
（１）粘着剤層上からダイボンド層を約０．１ｇ剥がし取る。
（２）剥がし取ったダイボンド層を４ｍＬのクロロホル中に加えた後、冷暗所にて一晩（約１６時間）振とうすることにより、光重合開始剤をクロロホルム中に抽出させる。
（３）光重合開始剤抽出後のクロロホルム溶液に７ｍＬのメタノールを加えて、光重合開始剤以外の成分を再沈殿させ、再沈殿させた成分をメンブレンフィルタにて濾取し、光重合開始剤の溶解液（クロロホルムとメタノールとの混合溶液）を得る。これを測定試料とする。
（４）前記測定試料をＨＰＬＣにて分析して、前記測定試料中の前記光重合開始剤の濃度（単位は、μｇ／ｍＬ）を測定する。
（５）前記光重合開始剤の濃度に、前記光重合開始剤を溶解している混合溶媒（クロロホルムとメタノールとの混合溶媒）の容積である１１ｍＬを乗じて、前記測定試料中における前記光重合開始剤の質量（単位は、μｇ）を算出する。
（６）前記測定試料中における前記光重合開始剤の質量を採取したダイボンド層の質量で除することにより、前記ダイボンド層中における前記光重合開始剤の質量比率を算出し、これを第２質量比率とする。

なお、ＨＰＬＣでの分析は、以下の条件にて行った。

分析装置
Ｗａｔｅｒｓ，Ａｃｑｕｉｔｙ ＨＰＬＣ
測定条件
・標準溶液：Ｏｍｎｉｒａｄをクロロホルムとメタノールとの混合溶液に、濃度５．５４μｇ／ｍＬで溶解させた溶液（第１標準溶液）、濃度５５．４μｇ／ｍＬで溶解させた溶液（第２標準溶液）、及び、濃度１６６．２μｇ／ｍＬで溶解させた溶液（第３標準溶液）の３種
・カラム：ＧＬ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｅｒｔｓｉｌ（登録商標）（２．１ｍｍφ×１０ｃｍ、担体の平均粒子径１．７μｍ）
・カラム温度：４０℃
・カラム流量：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
・溶離液組成：超純水／アセトニトリルのグラジエント条件
・インジェクション量：１０μＬ
・検出器：ＰＤＡ検出器
・検出波長：２６０ｎｍ

前記第１質量比率の値と前記第２質量比率の値とを、下記式（３）に代入することにより、光重合開始剤の移行比率を算出した。その結果を、以下の表２に示した。

（剥離力）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層に対するダイボンド層の剥離力を測定した。粘着剤層に対するダイボンド層の剥離力は、粘着剤層を硬化させた後に測定した。
粘着剤層に対するダイボンド層の剥離力は、Ｔ型剥離試験により測定した。
Ｔ型剥離試験は、ダイボンド層からＰＥＴセパレータを剥離して、ダイボンド層に露出面を形成し、該露出面に裏打ちテープ（商品名「ＥＬＰ ＢＴ３１５」、日東電工社製）を貼り合せたダイシングダイボンドフィルムに、日東精機製の商品名「ＵＭ−８１０」（高圧水銀ランプ、６０ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、ダイシングテープ側から強度１５０Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍの寸法に切り出したものを測定用サンプルとし、引張試験器（例えば、商品名「ＴＧ−１ｋＮ」、ミネベアミツミ社製）を用いて、温度２５℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で行った。
上記のようにして測定した剥離力について、以下の表２に示した。

（ピックアップ性）
割断された状態のダイボンド層付半導体チップについて、ピックアップ性を評価した。割断された状態のダイボンド層付半導体チップは、ハーフカットにより分割用の溝（１０ｍｍ×１０ｍｍ）が形成された１２インチのベアウェハ（直径３００ｍｍ、厚さ５５μｍ）に、分割用の溝が形成された面にバックグラインドテープを貼り付けた後、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、前記１２インチのベアウェハを、前記バックグラインドテープを貼り付けた側と反対側の面から厚さ２５μｍまで研削してバックグランドされたベアウェハを得て、そのバックグラインドされたベアウェハのバックグラインドテープの貼付面と反対側に、各例に係るダイシングダイボンドフィルムのダイボンド層を貼付して、ダイシングダイボンドフィルム付ベアウェハを得て、該ダイシングダイボンドフィルム付ベアウェハを、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータＤＤＳ３２００、ディスコ社製」を用いて、エキスパンドすることにより得た。
なお、ダイセパレート装置を用いたエキスパンドは、前記バックグラインドテープをベアウェハから剥離した状態で行った。
ダイセパレート装置を用いたエキスパンドでは、クールエキスパンドを行った後、常温エキスパンドを行った。

クールエキスパンドは、ベアウェハに貼り付けられたダイシングダイボンドフィルムの粘着剤層上のフレーム貼着領域に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム（ディスコ社製）を室温にて貼り付けた後、ＳＵＳ製リングフレームが貼り付けられたベアウェハを、ダイセパレート装置に装着し、該ダイセパレート装置のクールエキスパンターユニットにて、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドすることにより行った。クールエキスパンドは、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量７ｍｍの条件で行った。
なお、クールエキスパンド後においては、半導体ウェハが複数の半導体チップへと個片化されるとともに、ダイボンド層も半導体チップ相当サイズに個片化されており、複数のダイボンド層付半導体チップが得られていた。
常温エキスパンドは、クールエキスパンド後に、前記ダイセパレート装置の常温エキスパンドユニットを用いて、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドすることにより行った。常温エキスパンドは、エキスパンド温度２３±２℃、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で行った。
常温エキスパンド後のダイシングテープについて、加熱収縮処理を施した。加熱収縮処理は、温度２００℃、時間２０秒の条件で行った。

ダイシングテープを加熱収縮させた後、ピックアップ機構を有する装置（商品名「ダイボンダー ＳＰＡ−３００」、新川製）を用いて、個片化されたダイボンド層付半導体チップのピックアップ試験を行った。前記ピックアップ機構を有する装置において、ピン部材による突き上げ速度は１ｍｍ／秒とし、突き上げ量は２０００μｍとした。
前記ピックアップ試験は、日東精機製の商品名「ＵＭ−８１０」（高圧水銀ランプ、６０ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、ダイシングテープ側から強度１５０Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後に行った。
ピックアップ試験は、５個のダイボンド層付半導体チップについて行い、ピックアップ性については、以下の基準で判断した。

◎ ５個のダイボンド層付半導体チップの全てがピックアップできる。
〇 ５個のダイボンド層付半導体チップのうち３個または４個がピックアップできる。
× ５個のダイボンド層付半導体チップの全てがピックアップできない。

表２より、実施例１〜６に係るダイシングダイボンドフィルムでは、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムに比べて、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行比率が低く、また、放射線照射後の粘着力についても、十分に低下していることが分かる。
さらに、ピックアップ性についても、実施例１〜６に係るダイシングダイボンドフィルムでは、〇または◎と良好であるのに対し、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムでは、×と不良であることが分かる。

１ 基材層
２ 粘着剤層
３ ダイボンド層
１０ ダイシングテープ
２０ ダイシングダイボンドフィルム
Ｇ バックグラインドテープ
Ｈ 保持具
Ｊ 吸着治具
Ｐ ピン部材
Ｒ ダイシングリング
Ｔ ウェハ加工用テープ
Ｕ 突き上げ部材
Ｗ 半導体ウェハ

Claims (4)

1. 基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
   前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
   前記粘着剤層は、粘着剤及び光重合開始剤を含み、
   硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークの数平均分子量Ｍｎに対する最も高分子量側に現れるピークの質量平均分子量Ｍｗの比である多分散度Ｍｗ／Ｍｎが、１．３以上である
   ダイシングダイボンドフィルム。
2. 硬化前の前記粘着剤層をＧＰＣ測定して得られる分子量分布曲線において、最も高分子量側に現れるピークのピークトップ分子量の値が、３３，０００以下である
   請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
3. 硬化前の前記粘着剤層は、ゾル成分を３２質量％未満含む
   請求項１または２に記載のダイシングダイボンドフィルム。
4. 前記粘着剤層に対する前記ダイボンド層の剥離力が、前記粘着剤層の硬化後において、０．１８Ｎ／２０ｍｍ未満である
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。

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