TWI838536B - 切晶帶及切晶黏晶膜 - Google Patents

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TWI838536B
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明之切晶帶係於基材層上積層黏著劑層而成者，且上述切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。

Description

切晶帶及切晶黏晶膜
本發明係關於一種切晶帶及切晶黏晶膜。
已知先前於在半導體裝置之製造中，為了獲得黏晶用之半導體晶片而使用切晶帶、切晶黏晶膜。
上述切晶帶係於基材層上積層黏著劑層而構成，上述切晶黏晶膜係於上述切晶帶之黏著劑層上可剝離地積層黏晶層而構成。
並且已知，作為使用上述切晶黏晶膜獲得黏晶用半導體晶片(Die)之方法，採用具有下述步驟之方法：半切割步驟，其為了藉由切斷處理將半導體晶圓加工成晶片(Die)而在半導體晶圓上形成槽，進而對半導體晶圓進行研削而使厚度變薄；背面研磨步驟，其對半切割步驟後之半導體晶圓進行研削而使厚度變薄；安裝步驟，其將背面研磨步驟後之半導體晶圓之一面(例如與電路面相反側之面)貼附於黏晶層而將半導體晶圓固定於切晶帶；擴開步驟，其將經半切割加工之半導體晶片彼此之間隔擴大；切口維持步驟，其維持半導體晶片彼此之間隔；拾取步驟，其於黏晶層與黏著劑 層之間進行剝離，以貼附有黏晶層之狀態取出半導體晶片；及黏晶步驟，其使貼附有黏晶層之狀態之半導體晶片接著於被接著體(例如安裝基板等)。
再者，於上述切口維持步驟中，使熱風(例如100~130℃)對準切晶帶以使切晶帶熱收縮後進行冷卻固化，而維持被切斷之相鄰之半導體晶片間之距離(切口)。
又，於上述擴開步驟中，上述黏晶層被切斷為與單片化之複數個半導體晶片之尺寸相當之大小。
於使用如上述之切晶黏晶膜獲得黏晶用半導體晶片之方法中，專利文獻1中揭示有：藉由使用具有特定物性之切晶帶(-10℃下之初始彈性模數為200MPa以上且380MPa以下且-10℃下之Tanδ(損失彈性模數/儲存模數)為0.080以上0.3以下之切晶帶)，且於-15~5℃之低溫條件下進行上述擴開步驟，於上述擴開步驟中可提高自上述半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性(例如切斷容易性、或均勻切斷性等)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-185591號公報
如專利文獻1所記載，藉由使用具有特定物性之切晶帶且於上述低溫 條件下進行上述擴開步驟，上述半導體晶圓之切斷性提高，但於使用切晶帶及切晶黏晶膜於低溫條件下藉由擴開將半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之情形時，迫切期望更進一步提高上述半導體晶圓之切斷性。
尤其是於將半導體晶圓切斷為複數個小型半導體晶片(例如大小為長度12mm×寬度4mm×厚度0.055mm之半導體晶片)之情形時，迫切期望更進一步提高上述半導體晶圓之切斷性。
因此，本發明之課題在於提供一種可更進一步提高於低溫條件下基於擴開之自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性之切晶帶及切晶黏晶膜。
本發明之切晶帶係於基材層上積層黏著劑層而成者，且該切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
於上述切晶帶中，較佳為-5℃下之30%拉伸應力為5.5N/10mm以上。
於上述切晶帶中，較佳為室溫下之30%拉伸應力為3.2N/10mm以上。
於上述切晶帶中，較佳為 -5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
本發明之切晶黏晶膜具備：於基材層上積層黏著劑層而成之切晶帶、及積層於上述切晶帶之黏著劑層上之黏晶層，且該切晶黏晶膜之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
1:基材層
1a:第1樹脂層
1b:第2樹脂層
1c:第3樹脂層
2:黏著劑層
3:黏晶層
10:切晶帶
20:切晶黏晶膜
G:背面研磨帶
H:保持器
J:吸附治具
P:頂銷構件
R:切晶環
T:晶圓加工用帶
U:頂起構件
W:半導體晶圓
圖1係表示本發明之一實施方式之切晶帶之構成的剖視圖。
圖2係表示本發明之一實施方式之切晶黏晶膜之構成的剖視圖。
圖3A係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之半切割加工之狀態的剖視圖。
圖3B係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之半切割加工之狀態的剖視圖。
圖3C係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之背面研磨加工之狀態的剖視圖。
圖3D係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之背面研磨加工之狀態的剖視圖。
圖4A係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之安裝步驟之狀態的剖視圖。
圖4B係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之安裝步驟之狀態的剖視圖。
圖5A係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之低溫下之擴開步驟的狀態之剖視圖。
圖5B係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之低溫下之擴開步驟的狀態之剖視圖。
圖5C係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之低溫下之擴開步驟的狀態之剖視圖。
圖6A係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之常溫下之擴開步驟的狀態之剖視圖。
圖6B係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之常溫下之擴開步驟的狀態之剖視圖。
圖7係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之切口維持步驟之狀態的剖視圖。
圖8係模式性地表示半導體積體電路之製造方法中之拾取步驟之狀態的剖視圖。
以下對本發明之一實施方式進行說明。
[切晶帶]
如圖1所示，本實施方式之切晶帶10係於基材層1上積層黏著劑層2而成者，且-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
關於藉由使-5℃下之切晶帶10之拉伸儲存模數為100MPa以上而貼附 於切晶帶10之半導體晶圓之切斷性提高之原因，認為如下。
為了提高貼附於切晶帶10之半導體晶圓之藉由擴開而切斷為複數個半導體晶片之切斷性(例如切斷容易性或均勻切斷性等)，需要於開始切斷半導體晶圓時對切晶帶10整體充分地施加拉伸力。
此處，認為於切斷開始時切晶帶10相對較軟之情形時，即切晶帶10之拉伸儲存模數相對較小之情形時，切斷開始時之拉伸力會隨著自切晶帶10之外周緣部分向中央部分靠近而被切晶帶10吸收從而逐漸變小。因此認為，難以將切斷開始時之拉伸力充分地施加於切晶帶10整體。
與此相對，本實施方式之切晶帶10具有100MPa以上之相對較大之拉伸儲存模數，因此認為，切斷開始時之拉伸力不易隨著自切晶帶10之外周緣部分向中央部分靠近而被切晶帶10吸收。因此，切斷開始時之拉伸力充分地施加於切晶帶10整體，其結果為，認為容易將半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片，並且容易獲得相對均勻地被切斷之半導體晶片，即，可更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
再者，如後述實施例之項中所說明，藉由使切晶帶10之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上，尤其是可更進一步提高將半導體晶圓(例如直徑200mm(8英吋)之半導體晶圓)切斷為小型半導體晶片(例如長度12mm×寬度4mm×厚度0.55mm)時之切斷性。
關於其原因，本發明人等推測如下。
於切斷大小相同之半導體晶圓之情形時，切斷後之半導體晶片之尺寸越小，則半切割步驟中形成於半導體晶圓之槽(線)之間隔變得越窄，因此於半導體晶圓上所形成之槽之數量變多。其結果為，擴開步驟中之槽之 伸長率降低。
因此，於擴開步驟中，將半導體晶圓切斷為小型半導體晶片時，為了抑制發生切斷不良而需要以更低之伸長率來產生高應力。
此處，彈性模數意指拉伸基材層時之應力相對於伸長率(應變量)之斜率，因此認為，彈性模數較高時，可以更低之伸長率來產生高應力。
並且，就於使用切晶帶10之擴開步驟中，將半導體晶圓切斷為複數個小型半導體晶片時之切斷性良好，且切晶帶10不易因拉伸力而發生破裂之觀點而言，最佳為採用-5℃之溫度來進行擴開，因此認為，藉由將-5℃下之拉伸儲存模數設為100MPa以上之相對較高之值，可以更低之伸長率來產生高應力。
關於其結果，本發明人等推測可更進一步提高將半導體晶圓切斷為小型半導體晶片時之切斷性。
本實施方式之切晶帶10較佳為-5℃下之拉伸儲存模數為400MPa以下。
藉此，對切晶帶10整體施加充分之拉伸力，並且使切晶帶10變得相對容易伸長，因此可抑制將貼附於切晶帶10之半導體晶圓切斷為半導體晶片時由拉伸力導致之切晶帶10之破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之拉伸儲存模數為400MPa以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
-5℃下之拉伸儲存模數可以如下方式求出。
詳細而言，將長度40mm(測定長度)、寬度10mm之切晶帶作為試驗片，使用固體黏彈性測定裝置(例如型號RSAIII、Rheometric Scientific股份有限公司製)，於頻率1Hz、應變量0.1%、升溫速度10℃/分鐘、治具間距離22.5mm之條件下，在-50~100℃之溫度範圍內測定上述試驗片之拉伸儲存模數。此時，可藉由讀取-5℃下之值而求出。
再者，上述測定係藉由於MD方向(樹脂流動方向)上拉伸上述試驗片來進行。
本實施方式之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力為5.5N/10mm以上。
本實施方式之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下。
由此，於擴開中對切晶帶10整體施加充分之拉伸力，並且使切晶帶10變得相對容易伸長，因此，於對貼附於半導體晶圓之切晶帶10進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之切晶帶破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型之半導體晶片之切斷性。
本實施方式之切晶帶10較佳為室溫(23℃)下之30%拉伸應力為3.2N/10mm以上。
室溫(23℃)下之30%拉伸應力較佳為30N/10mm以下。
由此，於擴開中對切晶帶10整體施加充分之拉伸力，並且使切晶帶10變得相對容易伸長，因此，於對貼附於半導體晶圓之切晶帶10進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之切晶帶破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由將室溫下之30%拉伸應力設為30N/10mm以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
-5℃及室溫下之30%拉伸應力可以如下方式求出。
詳細而言，可藉由如下方式求出：將長度100mm、寬度10mm之切晶帶作為試驗片，使用拉伸試驗機(Tensilon萬能試驗機、島津製作所製)，於測定溫度(-5℃及室溫(23℃±1℃)下，在治具間距離50mm及拉伸速度100mm/分鐘之條件下拉伸上述試驗片，測定伸長率達到30%時(治具間距離65mm)之應力。
再者，上述測定係藉由於MD方向(樹脂流動方向)上拉伸上述試驗片來進行。
本實施方式之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
本實施方式之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下 之30%拉伸應力之比為3.0以下。
由此，於擴開中對切晶帶10整體施加充分之拉伸力，並且使切晶帶10變得相對容易伸長，因此，於對貼附於半導體晶圓之切晶帶10進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之切晶帶破裂，並且更進一步地提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為3.0以下，尤其是可更進一步地提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
基材層1支持黏著劑層2。基材層1包含樹脂。作為基材層1中所含之樹脂，可列舉聚烯烴、聚酯、聚胺酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟樹脂、纖維素系樹脂及聚矽氧樹脂等。
作為聚烯烴，例如可列舉α-烯烴之均聚物、兩種以上之α-烯烴之共聚物、嵌段聚丙烯、無規聚丙烯、一種或兩種以上之α-烯烴與其他乙烯基單體之共聚物等。
作為α-烯烴之均聚物，較佳為碳數2以上且12以下之α-烯烴之均聚物。作為此種均聚物，可列舉乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。
作為兩種以上之α-烯烴之共聚物，可列舉：乙烯/丙烯共聚物、乙烯 /1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳數5以上且12以下之α-烯烴共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳數5以上且12以下之α-烯烴共聚物等。
作為一種或兩種以上之α-烯烴與其他乙烯基單體之共聚物，可列舉乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
聚烯烴亦可為被稱為α-烯烴系熱塑性彈性體者。作為α-烯烴系熱塑性彈性體，可列舉：組合丙烯-乙烯共聚物與丙烯均聚物而成者、或丙烯-乙烯-碳數4以上之α-烯烴三元共聚物。
作為α-烯烴系熱塑性彈性體之市售品，例如可列舉作為丙烯系彈性體樹脂之Vistamaxx3980(ExxonMobil Chemical公司製)。
基材層1可包含一種上述樹脂，亦可包含兩種以上之上述樹脂。
再者，於黏著劑層2包含後述之紫外線硬化黏著劑之情形時，基材層1較佳為以具有紫外線透過性之方式構成。
基材層1可為單層構造，亦可為積層構造。基材層1可藉由非拉伸成形而獲得，亦可藉由拉伸成形而獲得，較佳為藉由拉伸成形而獲得。於基材層1為積層構造之情形時，基材層1較佳為具有包含彈性體之層(以下稱為彈性體層)及包含非彈性體之層(以下稱為非彈性體層)。
藉由將基材層1設為具有彈性體層及非彈性體層者，可使彈性體層作為緩和拉伸應力之應力緩和層發揮功能。即，可相對減小基材層1中所產 生之拉伸應力，因此可使基材層1具有適度硬度並且相對容易伸長。
藉此，可提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，於切斷步驟中之擴開時，可抑制基材層1破裂而發生破損。
再者，於本說明書中，彈性體層意指室溫下之拉伸儲存模數低於非彈性體層之低彈性模數層。作為彈性體層，可列舉室溫下之拉伸儲存模數為10MPa以上且100MPa以下者，作為非彈性體層，可列舉室溫下之拉伸儲存模數為200MPa以上且500MPa以下者。
彈性體層可包含一種彈性體，亦可包含兩種以上之彈性體，較佳為包含α-烯烴系熱塑性彈性體。
非彈性體層可包含一種非彈性體，亦可包含兩種以上之非彈性體，較佳為包含後述之茂金屬PP。
於基材層1具有彈性體層及非彈性體層之情形時，基材層1較佳為形成為以彈性體層為中心層且於該中心層之相互對向之兩面具有非彈性體層的三層構造(非彈性體層/彈性體層/非彈性體層)(參照圖1)。再者，於圖1中，將一個非彈性體層表示為第1樹脂層1a、將彈性體層表示為第2樹脂層1b、將另一個非彈性體層表示為第3樹脂層1c。
又，由於如上所述，於切口維持步驟中，使熱風(例如100~130℃)對準室溫(例如23℃)下維持在擴開狀態之上述切晶黏晶膜以使上述切晶黏晶膜熱收縮後進行冷卻固化，故基材層1之最外層較佳為包含具有接近於對準切晶帶之熱風溫度之熔點之樹脂。藉此，可使因對著熱風而熔融之最外層更迅速地固化。
其結果為，於切口維持步驟中，可更充分地維持切口。
於基材層1為彈性體層與非彈性體層之積層構造並且彈性體層包含α-烯烴系熱塑性彈性體且非彈性體層包含後述之茂金屬PP等聚烯烴的情形時，較佳為彈性體層相對於形成該彈性體層之彈性體之總質量，包含50質量%以上且100質量%以下之α-烯烴系熱塑性彈性體，更佳為包含70質量%以上且100質量%以下，進而較佳為包含80質量%以上且100質量%以下，尤佳為包含90質量%以上且100質量%以下，最佳為包含95質量%以上且100質量%以下。藉由以上述範圍包含α-烯烴系熱塑性彈性體，彈性體層與非彈性體層之親和性提高，因此可相對容易地將基材層1擠出成形。又，可使彈性體層作為應力緩和層發揮作用，因此可將貼附於切晶帶之半導體晶圓高效率地切斷。
於基材層1為彈性體層與非彈性體層之積層構造之情形時，基材層1較佳為藉由共擠出成形而獲得，上述共擠出成形係將彈性體與非彈性體共擠出而製成彈性體層與非彈性體層之積層構造。作為共擠出成形，可採用於製造膜或片等時通常進行之任意適當之共擠出成形。於共擠出成形中，就可高效率且廉價地獲得基材層1之方面而言，較佳為採用吹脹法或共擠出T模法。
於藉由共擠出成形獲得呈積層構造之基材層1之情形時，上述彈性體層與上述非彈性體層於被加熱而熔融之狀態下相接觸，因此較佳為上述彈性體與上述非彈性體之熔點差較小。藉由使熔點差較小，可抑制對成為低 熔點之上述彈性體或上述非彈性體之任一者施加過度之熱，因此可抑制因成為低熔點之上述彈性體或上述非彈性體之任一者發生熱劣化而生成副產物。又，亦可抑制因成為低熔點之上述彈性體或上述非彈性體之任一者之黏度過度下降而於上述彈性體層與上述非彈性體層之間產生積層不良。上述彈性體與上述非彈性體之熔點差較佳為0℃以上且70℃以下，更佳為0℃以上且55℃以下。
上述彈性體及上述非彈性體之熔點可藉由示差掃描熱量(DSC)分析來測定。例如可藉由如下方式進行測定：使用示差掃描熱量計裝置(TAINSTRUMENTS公司製之型號DSC Q2000)，於氮氣氣流下以升溫速度5℃/分鐘升溫至200℃，求出吸熱峰之峰值溫度。
基材層1之厚度較佳為55μm以上且195μm以下，更佳為55μm以上且190μm以下，進而較佳為55μm以上且170μm以下，最佳為60μm以上且160μm以下。藉由將基材層1之厚度設為上述範圍，可高效率地製造切晶帶，且可高效率地切斷貼附於切晶帶之半導體晶圓。
基材層1之厚度例如可藉由如下方式求出：使用度盤規(PEACOCK公司製之型號R-205)測定隨機選擇之任意5處之厚度，並對該等厚度進行算術平均。
於將彈性體層與非彈性體層積層而成之基材層1中，非彈性體層之厚度相對於彈性體層之厚度之比較佳為1/25以上且1/3以下，更佳為1/25以上且1/3.5以下，進而較佳為1/25以上且1/4，尤佳為1/22以上且1/4以下，最佳為1/20以上且1/4以下。藉由將非彈性體層之厚度相對於彈性體層之 厚度之比設為上述範圍，可更高效率地切斷貼附於切晶帶之半導體晶圓。
彈性體層可為單層(1層)構造，亦可為積層構造。彈性體層較佳為1層~5層構造，更佳為1層~3層構造，進而較佳為1層~2層構造，最佳為1層構造。於彈性體層為積層構造之情形時，可所有層包含相同之彈性體，亦可至少2層包含不同之彈性體。
非彈性體層可為單層(1層)構造，亦可為積層構造。非彈性體層較佳為1層~5層構造，更佳為1層~3層構造，進而較佳為1層~2層構造，最佳為1層構造。於非彈性體層為積層構造之情形時，可所有層包含相同之非彈性體，亦可至少2層包含不同之非彈性體。
非彈性體層較佳為包含作為利用茂金屬觸媒所得之聚合產物之聚丙烯樹脂(以下稱為茂金屬PP)來作為非彈性體。作為茂金屬PP，可列舉作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴共聚物。藉由使非彈性體層包含茂金屬PP，可高效率地製造切晶帶，且可高效率地切斷貼附於切晶帶之半導體晶圓。
再者，作為市售之茂金屬PP，可列舉WINTEC WXK1233、WINTEC WMX03(均為日本聚丙烯公司製)。
此處，茂金屬觸媒係包含週期表第4族之過渡金屬化合物(所謂茂金屬化合物)及輔觸媒之觸媒，上述週期表第4族之過渡金屬化合物包含具有環戊二烯基骨架之配位基，上述輔觸媒可與茂金屬化合物反應而將該茂金 屬化合物活化為穩定之離子狀態，且視需要，上述茂金屬觸媒包含有機鋁化合物。茂金屬化合物係可實現丙烯之立體規則性聚合之交聯型茂金屬化合物。
於上述作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴共聚物中，較佳為作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴無規共聚物，於上述作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴無規共聚物中，較佳為選自作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/碳數2之α-烯烴無規共聚物、作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/碳數4之α-烯烴無規共聚物、及作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/碳數5之α-烯烴無規共聚物中者，其等之中，最佳為作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/乙烯無規共聚物。
關於上述作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴無規共聚物，就與上述彈性體層之共擠出成膜性及貼附於切晶帶之半導體晶圓之切斷性之觀點而言，較佳為熔點為80℃以上且140℃以下、尤其是100℃以上且130℃以下者。
上述作為茂金屬觸媒之聚合產物之丙烯/α-烯烴無規共聚物之熔點可藉由上述方法來測定。
此處，若將上述彈性體層配置於基材層1之最外層，則於將基材層1製成卷狀體之情形時，配置於最外層之上述彈性體層彼此變得容易黏連(容易黏在一起)。因此，變得難以將基材層1自卷狀體回捲。與此相對，上述積層構造之基材層1之較佳態樣為非彈性體層/彈性體層/非彈性體 層，即於最外層配置有非彈性體層，因此此種態樣之基材層1之耐黏連性變得優異。藉此，可抑制使用切晶帶10之半導體裝置之製造因黏連而產生延遲。
上述非彈性體層較佳為包含具有100℃以上且130℃以下之熔點且分子量分散度(質量平均分子量/數量平均分子量)為5以下之樹脂。作為此種樹脂，可列舉茂金屬PP。
藉由使上述非彈性體層包含如上述之樹脂，可於切口維持步驟中使非彈性體層更迅速地冷卻固化。因此，可更充分地抑制於使切晶帶熱收縮後基材層1發生收縮。
藉此，於切口維持步驟中，可更充分地維持切口。
黏著劑層2含有黏著劑。黏著劑層2係藉由黏著來保持用於單片化為半導體晶片之半導體晶圓。
作為上述黏著劑，可列舉於切晶帶10之使用過程中可藉由源自外部之作用而降低黏著力者(以下稱為黏著降低型黏著劑)。
於使用黏著降低型黏著劑作為黏著劑之情形時，於切晶帶10之使用過程中，黏著劑層2可分開使用顯示相對較高之黏著力之狀態(以下稱為高黏著狀態)與顯示相對較低之黏著力之狀態(以下稱為低黏著狀態)。例如於將貼附於切晶帶10之半導體晶圓供於切斷時，為了抑制藉由切斷半導體晶圓而單片化之複數個半導體晶片自黏著劑層2隆起或剝離，而利用高黏 著狀態。與此相對，於切斷半導體晶圓後，為了拾取經單片化之複數個半導體晶片，利用低黏著狀態以容易自黏著劑層2拾取複數個半導體晶片。
作為上述黏著降低型黏著劑，例如可列舉：可於切晶帶10之使用過程中藉由照射輻射而硬化之黏著劑(以下稱為輻射硬化黏著劑)。
作為上述輻射硬化黏著劑，例如可列舉：藉由照射電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線而硬化之類型之黏著劑。其等之中，較佳為使用藉由照射紫外線而硬化之黏著劑(紫外線硬化黏著劑)。
作為上述輻射硬化黏著劑，例如可列舉添加型之輻射硬化黏著劑，其包含丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有輻射聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之輻射聚合性單體成分或輻射聚合性低聚物成分。
作為上述丙烯酸系聚合物，可列舉包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元者。作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
黏著劑層2亦可包含外部交聯劑。作為外部交聯劑，只要是可以與作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物反應而形成交聯結構之物質，則任意類型均可使用。作為此種之外部交聯劑，例如可列舉多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑等。
作為上述輻射聚合性單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述輻射聚合性低聚物成分，例如可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物。上述輻射硬化黏著劑中之輻射聚合性單體成分或輻射聚合性低聚物成分之含有比例可於使黏著劑層2之黏著性適當下降之範圍內進行選擇。
上述輻射硬化黏著劑較佳為包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫
Figure 109118934-A0305-02-0020-2
系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基膦酸鹽等。
黏著劑層2中，除上述各成分以外，還可包含交聯促進劑、黏著賦予劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等。
黏著劑層2之厚度較佳為1μm以上且50μm以下，更佳為2μm以上且30μm以下，進而較佳為5μm以上且25μm以下。
[切晶黏晶膜]
繼而，參照圖2對切晶黏晶膜20進行說明。再者，於切晶黏晶膜20之 說明中，與切晶帶10重複之部分不再重複對其進行說明。
如圖2所示，本實施方式之切晶黏晶膜20具備於基材層1上積層黏著劑層2而成之切晶帶10、及積層於切晶帶10之黏著劑層2上之黏晶層3。
於切晶黏晶膜20中，於黏晶層3上貼附半導體晶圓。
於使用切晶黏晶膜20之半導體晶圓之切斷中，黏晶層3亦與半導體晶圓一起被切斷。黏晶層3被切斷成與經單片化之複數個半導體晶片之尺寸相當之大小。藉此可獲得帶有黏晶層3之半導體晶片。
如上所述，切晶黏晶膜20之切晶帶10之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
此處，通常而言，切晶黏晶膜20之黏晶層3大多包含玻璃轉移溫度(Tg)在0℃附近之丙烯酸樹脂，因此藉由將擴開步驟之溫度設為低於丙烯酸樹脂之Tg之溫度而變得容易破裂。另一方面，若過度降低擴開步驟之溫度，則黏晶層3之彈性模數會上升到妨礙黏晶層3之切斷性之程度。因此，就黏晶層3之切斷性之觀點而言，擴開步驟之溫度較佳為設為-5℃。
因此，於使用切晶黏晶膜20之擴開步驟中，就如先前所說明般，將半導體晶圓切斷為複數個小型半導體晶片時之切斷性良好且不易發生由拉伸力導致之切晶帶10破裂之觀點、以及黏晶層3之切斷性之觀點而言，認為最佳為採用-5℃之溫度來進行擴開步驟。
因此認為，於切晶黏晶膜20中，藉由將-5℃下之拉伸儲存模數設為100MPa之相對較高之值，亦可以更低之伸長率產生高應力。
推測其結果為，可更進一步提高將半導體晶圓切斷為小型半導體晶 片時之切斷性。
如上所述，切晶黏晶膜20之切晶帶10較佳為-5℃下之拉伸儲存模數為400MPa以下。
又，如上所述，切晶黏晶膜20之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力為5.5N/10mm以上，較佳為室溫下之30%拉伸應力為3.2N/10mm，較佳為-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
進而，如上所述，切晶黏晶膜20之切晶帶10較佳為-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下，較佳為室溫下之30%拉伸應力為30N/10mm以下。
黏晶層3較佳為具有熱硬化性。藉由使黏晶層3包含熱硬化性樹脂及具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之至少一者，可對黏晶層3賦予熱硬化性。
於黏晶層3包含熱硬化性樹脂之情形時，作為此種熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。其等中，較佳為使用環氧樹脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、酚系酚醛清 漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型、及縮水甘油胺型之環氧樹脂。
關於作為環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯。
於黏晶層3包含具有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為此種熱塑性樹脂，例如可列舉：含有熱硬化性官能基之丙烯酸樹脂。作為含有熱硬化性官能基之丙烯酸樹脂中之丙烯酸樹脂，可列舉包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元者。
於具有熱硬化性官能基之熱硬化性樹脂中，可視熱硬化性官能基之種類來選擇硬化劑。
就使樹脂成分之硬化反應充分地進行、或者提高硬化反應速度之觀點而言，黏晶層3亦可含有熱硬化觸媒。作為熱硬化觸媒，例如可列舉咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三鹵代硼烷系化合物。
黏晶層3亦可包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂係作為黏合劑發揮功能。作為熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺6或聚醯胺6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。上述熱塑性樹脂可僅使用 一種，亦可將兩種以上組合使用。作為上述熱塑性樹脂，就由於離子性雜質較少且耐熱性較高，故容易確保基於黏晶層之連接可靠性之觀點而言，較佳為丙烯酸樹脂。
上述丙烯酸樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比例計最多之單體單元的聚合物。作為(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸樹脂亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他成分之單體單元。作為上述其他成分，例如可列舉：含羧基單體、酸酐單體、含羥基單體、含縮水甘油基單體、含磺酸基單體、含磷酸基單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基單體、或各種多官能性單體等。就於黏晶層中實現高凝聚力之觀點而言，上述丙烯酸樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯(尤其是烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基單體、含氮原子單體、及多官能性單體(尤其是聚縮水甘油基系多官能單體)之共聚物，更佳為丙烯酸乙酯與丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、及(甲基)丙烯酸多縮水甘油基酯之共聚物。
黏晶層3亦可視需要含有一種或兩種以上之其他成分。作為其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。
黏晶層3之厚度較佳為40μm以上，更佳為60μm以上，進而較佳為80μm以上。又，黏晶層3之厚度較佳為200μm以下，更佳為160μm以下，進而較佳為120μm以下。
本實施方式之切晶黏晶膜20例如用作用以製造半導體積體電路之輔助用具。以下對使用切晶黏晶膜20之具體例進行說明。
以下，對使用基材層1為一層之切晶黏晶膜20之例進行說明。
製造半導體積體電路之方法具有下述步驟：半切割步驟，其為了藉由切斷處理將半導體晶圓加工成晶片(Die)而在半導體晶圓上形成槽，進而對半導體晶圓進行研削而使厚度變薄；背面研磨步驟，其對半切割步驟後之半導體晶圓進行研削而使厚度變薄；安裝步驟，其將背面研磨步驟後之半導體晶圓之一面(例如與電路面處於相反側之面)貼附於黏晶層3而將半導體晶圓固定於切晶帶10；擴開步驟，其將經半切割加工之半導體晶片彼此之間隔擴大；切口維持步驟，其維持半導體晶片彼此之間隔；拾取步驟，其於黏晶層3與黏著劑層2之間進行剝離，以貼附有黏晶層3之狀態取出半導體晶片(Die)；及黏晶步驟，其使貼附有黏晶層3之狀態之半導體晶片(Die)接著於被接著體。於實施該等步驟時，使用本實施方式之切晶帶(切晶黏晶膜)作為製造輔助用具。
於半切割步驟中，如圖3A及圖3B所示，實施用於將半導體積體電路切斷成小片(Die)之半切割加工。詳細而言，於半導體晶圓W之與電路面相反側之面貼附晶圓加工用帶T(參照圖3A)。又，將切晶環R安裝於晶圓加工用帶T(參照圖3A)。於貼附有晶圓加工用帶T之狀態下形成分割用槽(參照圖3B)。於背面研磨步驟中，如圖3C及圖3D所示，對半導體晶圓進行研削而使厚度變薄。詳細而言，於形成有槽之面上貼附背面研磨帶G， 另一方面，將最初貼附之晶圓加工用帶T剝離(參照圖3C)。於貼附有背面研磨帶G之狀態下實施研削加工直至半導體晶圓W成為規定厚度(參照圖3D)。
於安裝步驟中，如圖4A~圖4B所示，將切晶環R安裝於切晶帶10之黏著劑層2後，於露出之黏晶層3之面上貼附經半切割加工之半導體晶圓W(參照圖4A)。其後，自半導體晶圓W剝離背面研磨帶G(參照圖4B)。
於擴開步驟中，如圖5A~圖5C所示，將切晶環R固定於擴開裝置之保持器H。使用擴開裝置所具備之頂起構件U將切晶黏晶膜20自下側頂起，藉此將切晶黏晶膜20以於面方向上擴開之方式進行拉伸(參照圖5B)。藉此，於特定之溫度條件下切斷經半切割加工之半導體晶圓W。上述溫度條件例如為-20~5℃，較佳為-15~0℃，更佳為-10~-5℃。藉由使頂起構件U下降而解除擴開狀態(參照圖5C)。
進而，於擴開步驟中，如圖6A~圖6B所示，於更高之溫度條件下(例如室溫(23℃)對切晶帶10進行拉伸以使面積擴大。藉此，將切斷之相鄰之半導體晶片於膜表面之面方向上拉離，而進一步擴大間隔。
此處，本實施方式之切晶黏晶膜20由於切晶帶10之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上，故可更進一步提高於低溫條件下基於擴開而自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
於切口維持步驟中，如圖7所示，使熱風(例如100~130℃)對準切晶帶10以使切晶帶10熱收縮後，進行冷卻固化，維持所切斷之相鄰之半導 體晶片間之距離(切口)。
於拾取步驟中，如圖8所示，將貼附有黏晶層3之狀態之半導體晶片自切晶帶10之黏著劑層2剝離。詳細而言，使頂銷構件P上升，而將拾取對象之半導體晶片隔著切晶帶10頂起。藉由吸附治具J來保持被頂起之半導體晶片。
於黏晶步驟中，將貼附有黏晶層3之狀態之半導體晶片接著於被接著體。
再者，於上述半導體積體電路之製造中，對使用切晶黏晶膜20作為輔助器具之例進行了說明，但即便於使用切晶帶10作為輔助器具時，亦可與上述同樣地製造半導體積體電路。
由本說明書所揭示之事項包括以下者。
(1)
一種切晶帶，其係於基材層上積層黏著劑層而成者，該切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
根據上述構成，上述切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上，因此可使上述切晶帶具有相對較大之硬度。
因此，於貼附於半導體晶圓且在低溫條件(例如-15℃~5℃)下擴開上 述切晶帶而自上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之情形時，可於擴開開始時，對上述切晶帶整體充分地施加拉伸力。
藉此，容易將半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片，並且容易獲得被相對均勻切斷之半導體晶片。
即，可更進一步提高半導體晶圓之切斷性。
(2)
如上述(1)記載之切晶帶，其-5℃下之拉伸儲存模數為400MPa以下。
根據上述構成，對上述切晶帶整體施加充分之拉伸力、並且使上述切晶帶相對容易伸長，因此可抑制於自貼附於上述切晶帶之半導體晶圓向複數個半導體晶片切斷時由拉伸力導致之上述切晶帶破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
(3)
如上述(1)或(2)記載之切晶帶，其-5℃下之30%拉伸應力為5.5N/10mm以上。
根據上述構成，-5℃下之30%拉伸應力為5.5N/10mm以上，因此於貼附於半導體晶圓且在低溫條件下擴開上述切晶帶而自上述半導體晶圓切 斷為複數個半導體晶片之情形時，可使切晶帶即便於擴開中亦具有相對較大之硬度。
因此，變得更容易將半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片，並且更容易獲得被相對均勻切斷之半導體晶片。
即，可更進一步地提高半導體晶圓之切斷性。
(4)
如上述(1)至(3)中任一項記載之切晶帶，其-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下。
根據上述構成，於擴開中對上述切晶帶整體施加充分之拉伸力、並且使上述切晶帶相對容易伸長，因此於對貼附於半導體晶圓之切晶帶進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之上述切晶帶破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之30%拉伸應力為30N/10mm以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
(5)
如上述(1)至(4)中任一項記載之切晶帶，其室溫下之30%拉伸應力為3.2N/10mm以上。
根據上述構成，室溫下之30%拉伸應力為3.2N/10mm以上，因此於 貼附於半導體晶圓且在低溫條件下擴開上述切晶帶而自上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之情形時，即便於擴開中亦可更進一步提高半導體晶圓之切斷性。
又，可抑制被切斷之上述半導體晶片間之切晶帶所產生之拉伸應力轉移到半導體晶片側。
因此，可相對抑制對上述半導體晶片之外周緣部分施加相對較大之力而使得上述半導體晶片之外周緣部分自上述切晶帶之表面隆起(晶片隆起)。
(6)
如上述(1)至(5)中任一項記載之切晶帶，其室溫下之30%拉伸應力為30N/10mm以下。
根據上述構成，於擴開中對上述切晶帶整體施加充分之拉伸力，並且使上述切晶帶相對容易伸長，因此於對貼附於半導體晶圓之切晶帶進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之上述切晶帶破裂，並且更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由將室溫下之30%拉伸應力設為30N/10mm以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
(7)
如上述(1)至(6)中任一項記載之切晶帶， 其-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
根據上述構成，-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上，因此於貼附於半導體晶圓且在低溫條件下擴開上述切晶帶而自上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之情形時，即便於擴開中亦可更進一步提高半導體晶圓之切斷性。
又，可相對抑制因上述切晶帶所產生之拉伸應力轉移到半導體晶片側而導致之晶片隆起。
(8)
如上述(1)至(7)中任一項記載之切晶帶，其-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為3.0以下。
根據上述構成，於擴開中對上述切晶帶整體施加充分之拉伸力，並且使上述切晶帶相對容易伸長，因此於對貼附於半導體晶圓之切晶帶進行擴開而將上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之期間，可抑制由擴開導致之上述切晶帶破裂，並且可更進一步提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，藉由使-5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為3.0以下，尤其是可更進一步提高自半導體晶圓向複數個小型半導體晶片之切斷性。
(9)
如上述(1)至(8)中任一項記載之切晶帶，其中上述基材層形成為以彈性體層為中心層且於該中心層之彼此相對之兩面具有非彈性體層之三層構造。
根據上述構成，可使上述彈性體層作為緩和拉伸應力之應力緩和層發揮功能。即，可相對減小上述基材層所產生之拉伸應力，因此可使上述基材層具有適度硬度並且相對容易拉伸。
藉此，可提高自半導體晶圓向複數個半導體晶片之切斷性。
又，可抑制於切斷步驟中之擴開時上述基材層破裂而發生破損。
(10)
一種切晶黏晶膜，其具備：於基材層上積層黏著劑層而成之切晶帶、及積層於上述切晶帶之黏著劑層上之黏晶層，且該切晶黏晶膜之-5℃下之拉伸儲存模數為100MPa以上。
根據上述構成，於貼附於半導體晶圓且在低溫條件(例如-15℃~5℃)下擴開上述切晶帶而將上述半導體晶圓切斷為複數個半導體晶片之情形時，可於擴開開始時，對上述切晶帶整體充分地施加拉伸力。
藉此，可更進一步提高半導體晶圓之切斷性，此外，還可提高黏晶層之切斷性。
再者，本發明之切晶帶及切晶黏晶膜並不限定於上述實施方式。又，本發明之切晶帶及切晶黏晶膜不受上述之作用效果限定。本發明之切晶帶及切晶黏晶膜可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。
[實施例]
繼而，列舉實施例對本發明進一步具體地進行說明。以下之實施例係用於進一步詳細地說明本發明者，並非對本發明之範圍進行限定。
[實施例1] <基材層之成形>
使用兩種三層擠出T模成形機，將具有A層/B層/C層之三層構造(以B層為中心層且於B層之兩面積層有作為外層之A層及C層之三層構造)之基材層成形。A層及C層之樹脂係使用茂金屬PP(商品名：WINTEC WXK1233、日本聚丙烯公司製)，B層之樹脂係使用EVA(商品名：EvaflexEV250、三井杜邦聚化學公司製)。
上述擠出成形係於模頭溫度190℃下進行。即，A層、B層、及C層係於190℃下擠出成形。藉由擠出成形所獲得之基材層之厚度為100μm。再者，A層、B層、及C層之厚度比(層厚比)為A層：B層：C層=1：10：1。
使所成形之基材層充分固化後，將固化後之基材層捲取成卷狀而製成卷狀體。
<切晶帶之製作>
使用敷料器以厚度成為10μm之方式將黏著劑組合物自卷狀之基材層 塗佈於基材層之一面。將塗佈黏著劑組合物後之基材層於110℃下加熱乾燥3分鐘而形成黏著劑層，藉此獲得切晶帶。
上述黏著劑組合物係以如下方式製備。
首先，將INA(丙烯酸異壬酯)173質量份、HEA(丙烯酸羥乙酯)54.5質量份、AIBN(2,2'-偶氮二異丁腈)0.46質量份、乙酸乙酯372質量份加以混合而獲得第1樹脂組合物。
繼而，於裝備有圓底可分離式燒瓶(容量1L)、溫度計、氮氣導入管及攪拌葉片之聚合用實驗裝置之上述圓底可分離式燒瓶內加入上述第1樹脂組合物，一邊攪拌上述第1樹脂組合物一邊使上述第1樹脂組合物之液溫成為常溫(23℃)，對上述圓底可分離式燒瓶內進行6小時氮氣置換。
接下來，於使氮氣流入至上述圓底可分離式燒瓶內之狀態下，一邊攪拌上述第1樹脂組合物一邊使上述第1樹脂組合物之液溫於62℃下保持3小時，之後進而於75℃下保持2小時，使上述INA、上述HEA、及上述AIBN聚合而獲得第2樹脂組合物。之後，停止氮氣向上述圓底可分離式燒瓶內流入。
將上述第2樹脂組合物進行冷卻直至液溫成為常溫，之後向上述第2樹脂組合物中加入作為具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工公司製、商品名「KarenzMOI(註冊商標)」)52.5質量份及二月桂酸二丁基錫IV(和光純藥工業公司製)0.26質量份，獲得第3樹脂組合物，將所得之第3樹脂組合物於大氣氣氛下以液溫50℃攪拌24小時。
繼而，於上述第3樹脂組合物中分別加入相對於聚合物固形物成分100質量份為0.75質量份之CORONATEL(異氰酸酯化合物)及2質量份之 Omnirad127(光聚合起始劑)後，使用乙酸乙酯將上述第3樹脂組合物以固形物成分濃度成為20質量%之方式進行稀釋，而製備黏著劑組合物。
<切晶黏晶膜之製作>
將丙烯酸樹脂(長瀨化學公司製、商品名「SG-P3」、玻璃轉移溫度12℃)100質量份、環氧樹脂(三菱化學公司製、商品名「JER1001」)46質量份、酚樹脂(明和化成公司製、商品名「MEH-7851ss」)51質量份、球狀二氧化矽(Admatechs公司製、商品名「SO-25R」)191質量份及硬化觸媒(四國化成工業公司製、商品名「CUREZOLPHZ」)0.6質量份加入至甲基乙基酮中並加以混合，獲得固形物成分濃度20質量%之黏晶組合物。
繼而，使用敷料器，將上述黏晶組合物以厚度成為10μm之方式塗佈於作為剝離襯墊之PET系隔離件(厚度50μm)之實施過聚矽氧處理之面上，於130℃下乾燥2分鐘而自上述黏晶組合物進行脫溶劑，獲得於上述剝離襯墊上積層有黏晶層而成之黏晶片。
繼而，於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼合上述黏晶片中之未積層上述剝離片之側，之後將上述剝離襯墊自上述黏晶層進行剝離，獲得具備黏晶層之切晶黏晶膜。
對於如此獲得之切晶帶，以下述方式測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。又，對擴開時晶片自切晶黏晶膜之隆起(以下稱為晶片隆起)、以及晶片及黏晶層之切斷性(以下稱為切斷性)進行評價。
(-5℃下之拉伸儲存模數)
自實施例1之切晶帶切出長度40mm(測定長度)×寬度10mm之試驗片，使用固體黏彈性測定裝置(型號RSAIII、Rheometric Scientific股份有限公司製)，於頻率1Hz、應變量0.1%、升溫速度10℃/分鐘、治具間距離22.5mm之條件下，於-50~100℃之溫度範圍測定上述試驗片之拉伸儲存模數，此時，讀取-5℃下之拉伸彈性模數之值，藉此求出-5℃下之拉伸儲存模數。
(-5℃及室溫下之30%拉伸應力)
自實施例1之切晶帶切出長度100mm×寬度10mm之試驗片，使用拉伸試驗機(Tensilon萬能試驗機、島津製作所製)，於測定溫度(-5℃及室溫)下，於治具間距離50mm及拉伸速度100mm/分鐘之條件下拉伸上述試驗片，測定伸長率達到30%時(治具間距離65mm)之應力。
(晶片隆起之評價)
於實施例1之切晶黏晶膜上貼附裸晶圓(直徑300mm)及切晶環。繼而，使用晶片分離裝置DDS230(DISCO公司製)進行半導體晶圓及黏晶層之切斷，評價切斷後之晶片隆起。裸晶圓係切斷成大小為長度12mm×寬度4mm×厚度0.055mm之裸晶片。
再者，作為裸晶圓，使用翹曲晶圓。
翹曲晶圓係以如下方式製作。
首先，使下述(a)~(f)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20質量%之翹曲調整組合物。
(a)丙烯酸樹脂(長瀨化學公司製、商品名「SG-70L」)：5質量份
(b)環氧樹脂(三菱化學公司製、商品名「JER828」)：5質量份
(c)酚樹脂(明和化成公司製、商品名「LDR8210」)：14質量份
(d)環氧樹脂(三菱化學公司製、商品名「MEH-8005」)：2質量份
(e)球狀二氧化矽(Admatechs公司製、商品名「SO-25R」)：53質量份
(f)磷系觸媒(TPP-K)：1質量份
繼而，使用敷料器，將上述翹曲調整組合物以厚度25μm塗佈於作為剝離襯墊之PET系隔離件(厚度50μm)之經聚矽氧處理之面上，於130℃下乾燥2分鐘而自上述翹曲調整組合物進行脫溶劑，獲得於上述剝離襯墊上積層有翹曲調整層而成之翹曲調整片。
繼而，使用層壓機(MCK公司製、型號MRK-600)於60℃、0.1MPa、10mm/s之條件下將裸晶圓貼附於上述翹曲調整片中之未積層上述剝離襯墊之一側，放入至烘箱中，以175℃加熱1小時而使上述翹曲調整層之樹脂熱硬化，藉此上述翹曲調整層收縮，獲得翹曲之裸晶圓。
於使上述翹曲調整層收縮後，於翹曲之裸晶圓中之未積層上述翹曲調整層之一側貼附晶圓加工用帶(日東電工股份有限公司製、商品名「V-12SR2」)後，經由上述晶圓加工用帶將切晶環固定於翹曲之裸晶圓上。其後，自翹曲之裸晶圓除去上述翹曲調整層。
使用切割裝置(DISCO公司製、型號6361)，於翹曲之裸晶圓之除去了上述翹曲調整層之整個面(以下稱為一面)上以格子狀(寬度20μm)形成距該面有100μm深度之槽。
繼而，於翹曲之裸晶圓之一面上貼合背面研磨帶，自翹曲之裸晶圓 之另一面(與上述一面相反側之面)除去上述晶圓加工用帶。
繼而，使用背面研磨機(DISCO公司製、型號DGP8760)，自另一面側對翹曲之裸晶圓進行研削以使翹曲之裸晶圓之厚度成為55μm(0.055mm)，將所獲得之晶圓作為翹曲晶圓。
晶片隆起係以如下方式詳細地評價。
首先，利用冷擴開單元於擴開溫度-5℃、擴開速度100mm/秒、擴開量12mm之條件下切斷裸晶圓及黏晶層，獲得帶有黏晶層之半導體晶片。
繼而，於室溫、擴開速度1mm/秒、擴開量5mm之條件下進行擴開。然後，於維持擴開狀態之情況下於加熱溫度200℃、加熱距離18mm、旋轉速度5°/秒之條件下使與裸晶圓之外周緣之交界部分之切晶黏晶膜熱收縮。
繼而，對於切晶黏晶膜之基材層表面，藉由顯微鏡觀察來拍攝帶有黏晶層之半導體晶片之隆起狀態並進行二值化，藉此算出隆起之面積。然後，將隆起之面積未達4%之情形評價為○，將為4%以上之情形評價為×。
(切斷性之評價)
於實施例1之切晶黏晶膜上貼附裸晶圓(直徑300mm)及切晶環。繼而，使用晶片分離裝置DDS230(DISCO公司製)進行裸晶圓及黏晶層之切斷。
裸晶圓係切斷成大小為長度3.2mm×寬度1.4mm×厚度0.025mm之裸晶片。
切斷性係以如下方式詳細地評價。
首先，利用冷擴開單元於擴開溫度-5℃、擴開速度100mm/秒、擴開量14mm之條件下切斷裸晶圓及黏晶層，獲得帶有黏晶層之半導體晶片。
繼而，於室溫、擴開速度1mm/秒、擴開量10mm之條件下進行擴開。然後，於維持擴開狀態之情況下於加熱溫度200℃、加熱距離18mm、旋轉速度5°/秒之條件下使與裸晶圓之外周緣之交界部分之切晶黏晶膜熱收縮。
繼而，藉由顯微鏡觀察來觀察帶有黏晶層之半導體晶片之切斷部，並算出切斷率。之後，將切斷率為90%以上之情形評價為○，將切斷率低於90%之情形評價為×。
[實施例2]
將基材層設為80μm，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例2之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例2之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例2之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例3]
將構成基材層之B層(中心層)之EVA設為Evaflex EV550(三井杜邦聚化學公司製)，將基材層設為80μm，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例3之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例3之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例3之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例4]
將B層之樹脂設為丙烯系彈性體(商品名：Vistamaxx3980、ExxonMobil Chemical公司製)，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例4之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例4之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例4之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例5]
將基材層之厚度設為80μm，將基材層之層厚比設為A層：B層：C層=1：4：1，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例5之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例5之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例5之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例6]
將構成基材層之A層及C層(外層)之茂金屬PP設為WINTEC WMX03(日本聚丙烯公司製)，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實 施例6之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例6之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例6之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例7]
將構成基材層之B層之EVA樹脂設為Ultrathene651(三井杜邦聚化學公司製)，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例7之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例7之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例7之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例8]
將基材層設為單層構造，將基材層之厚度設為125μm，除此以外，與實施例1同樣地進行，獲得實施例8之切晶帶及切晶黏晶膜。
基材層係使用單層擠出T模成形機來成形。作為基材層之樹脂，使用丙烯系彈性體(商品名：Vistamaxx3980、ExxonMobil Chemical公司製)。
又，對於實施例8之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例8之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[實施例9]
將基材層之厚度設為100μm，除此以外，與實施例8同樣地進行，獲得實施例9之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於實施例9之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而對實施例9之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[比較例1]
將基材層之樹脂設為Evaflex EV250(三井杜邦聚化學公司製)，除此以外，與實施例8同樣地進行，獲得比較例1之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於比較例1之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而，對於比較例1之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
[比較例2]
將基材層之厚度設為100μm，除此以外，與比較例1同樣地進行，獲得比較例2之切晶帶及切晶黏晶膜。
又，對於比較例2之切晶帶，與實施例1同樣地測定-5℃下之拉伸儲存模數、以及-5℃及23℃下之30%拉伸應力。
進而，對於比較例2之切晶黏晶膜評價晶片隆起及切斷性。
將各例之切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數、-5℃及23℃下之拉伸應力之測定結果、以及各例之切晶黏晶膜之晶片隆起及切斷性之評價結果示於以下表1。
Figure 109118934-A0305-02-0043-1
自表1可知，實施例1~9之切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數之值均顯示為100MPa以上，實施例1~9之切晶黏晶膜之切斷性優異。
又，自表1可知，具備實施例1~7之切晶帶、即基材層為三層構造之切晶帶之實施例1~7之切晶黏晶膜均抑制了晶片隆起。
與此相對，可知：比較例1及2之切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數之值均低於100MPa，比較例1及2之切晶黏晶膜之切斷性較差，並且無法抑制晶片隆起。
再者，表1所揭示之結果係與切晶黏晶膜相關者，但預測切晶黏晶膜中所含之切晶帶亦可獲得與表1所示者同樣之結果。
[關聯申請之相互參照]
本申請案主張日本專利特願2019-110200號之優先權，且藉由引用而併入至本申請案說明書之記載中。
1:基材層
1a:第1樹脂層
1b:第2樹脂層
1c:第3樹脂層
2:黏著劑層
10:切晶帶

Claims (7)

  1. 一種切晶帶，其係 於基材層上積層黏著劑層而成者， 該切晶帶之-5℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。
  2. 如請求項1之切晶帶，其 -5℃下之30%拉伸應力為5.5 N/10 mm以上。
  3. 如請求項1或2之切晶帶，其 室溫下之30%拉伸應力為3.2 N/10 mm以上。
  4. 如請求項1之切晶帶，其 -5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
  5. 如請求項2之切晶帶，其 -5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
  6. 如請求項3之切晶帶，其 -5℃下之30%拉伸應力相對於室溫下之30%拉伸應力之比為1.7以上。
  7. 一種切晶黏晶膜，其具備： 於基材層上積層黏著劑層而成之切晶帶、及 積層於上述切晶帶之黏著劑層上之黏晶層，且 該切晶黏晶膜之-5℃下之拉伸儲存模數為100 MPa以上。
TW109118934A 2019-06-13 2020-06-05 切晶帶及切晶黏晶膜 TWI838536B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190004655A (ko) 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190004655A (ko) 2017-07-04 2019-01-14 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

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